「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 69 70 71 72 73 74 75 76 77 .... 429 430 次へ＞- A second thermal shrinkage percentage of the second layer 12 when heat treatment that thermal shrinkage is generated along the surface direction is applied to at least one of the first layer 11 and the second layer 12 is set larger than a first thermal shrinkage percentage of the first layer 11.
第１層１１および第２層１２のうちの少なくとも一方に対して面方向に沿って熱収縮が生じるような加熱処理が加えられた際における第２層１２の第２熱収縮率が第１層１１の第１熱収縮率よりも大きく設定されている。 - 特許庁 - A first paste for structuring a first electrode layer 18 and a second paste for structuring a second electrode layer 20 are printed on a solid electrolyte calcined body 14 by screen printing, or the like, to form electrode patterns to be as the first electrode layer 18 and the second electrode layer 20.
第１電極層１８を構成するための第１ペーストと、第２電極層２０を構成するための第２ペーストとを固体電解質焼成体１４にスクリーン印刷法等で印刷して第１電極層１８及び第２電極層２０となる電極パターンを形成する。 - 特許庁 - This two-sheet integrated polishing pad 1 is integrated with two polishing pads by arranging a first polishing pad 11, a first cushion layer 12, a first adhesive layer 13, a separable base material 14, a second adhesive layer 15, a second cushion layer 16 and a second polishing pad 17 in order.
順に第１の研磨パッド１１、第１のクッション層１２、第１の接着剤層１３、離型基材１４、第２の接着剤層１５、第２のクッション層１６および第２の研磨パッド１７を設けた２枚の研磨パッドを一体にした２枚一体型研磨パッド１。 - 特許庁 - The multilayer wiring substrate 10 has a first insulating layer 12, a first wiring pattern 14 formed on the first insulating layer 12, a second insulating layer 13 covering the first wiring pattern 14, and a second wiring pattern 14 formed on the second insulating layer 13.
多層配線基板１０は、第１の絶縁層１２と、第１の絶縁層１２上に形成された第１の配線パターン１４と、第１の配線パターン１４を覆う第２の絶縁層１３と、第２の絶縁層１３上に形成された第２の配線パターン１４とを備える。 - 特許庁 - On at least one side of the biaxially stretched support 11, a first easily adhesive layer 12 and a second easily adhesive layer 13 are successively formed, provided that the first easily adhesive layer 12 is closer to the support 11 and contains a first binder, and the second easily adhesive layer 13 contains a crosslinking agent and a second binder comprising an acrylic resin or a urethane resin.
２軸延伸した支持体１１の少なくとも一方の面に、支持体１１に近い側から順に、第１バインダを含む第１易接着層１２と、アクリル樹脂又はウレタン樹脂である第２バインダ及び架橋剤を含む第２易接着層１３とを形成する。 - 特許庁 - To provide a radial transverse electric polarizer device that includes a first layer of a material having a first refractive index, a second layer of a material having a second refractive index, and a plurality of elongated elements azimuthally and periodically spaced apart and disposed between the first layer and the second layer.
第１屈折率を有する材料の第１層、第２屈折率を有する材料の第２層、及び方位角で周期的に隔置されて第１層と第２層との間に配置された複数の細長い要素を含むラジアル横方向電気偏光器装置を提供すること。 - 特許庁 - With the first solvent remaining in the compact layer 3a, second electrode particles 12 and second catalyst ink containing a second solvent are applied onto the compact layer 3a by a wet process, and the first and second solvents are evaporated to form an irregular layer 3b.
次に上記緻密層３ａに第一溶媒が残存している状態で、第二電極粒子１２と第二溶媒とを含有する第二触媒インクを上記緻密層３ａ上に湿式塗布し、上記第一及び第二溶媒を蒸発させることにより、凹凸層３ｂを形成する。 - 特許庁 - In addition, the manufacturing method further has a step of forming a second 3D structure layer on the top face of the above color layer with a second light-transmissive mold and a step of making the second 3D structure layer cure by irradiation of UV light passing the second light-transmissive mold.
また、該基材モジュールの製造方法は、さらに、第２の透光金型により第２の３次元構造層を前記色層の上面に形成する工程と、紫外光の第２の透光金型を透過する照射により第２の３次元構造層を硬化する工程を備える。 - 特許庁 - The double-layer liquid crystal lens includes a first transparent substrate, a second transparent substrate, a third transparent substrate, a first liquid crystal layer interposed between the first transparent substrate and the second transparent substrate, and a second liquid crystal layer interposed between the second transparent substrate and the third transparent substrate.
二重層液晶レンズは、第１の透明基板と、第２の透明基板と、第３の透明基板と、第１の透明基板と第２の透明基板との間に介在された第１の液晶層と、第２の透明基板と第３の透明基板との間に介在された第２の液晶層とを具備する。 - 特許庁 - The spin bulb magneto-resistive sensor contains a first conductor layer, a free ferromagnetic layer arranged on the first conductor layer, a nonmagnetic intermediate layer arranged on the free ferromagnetic layer, a pinned ferromagnetic layer arranged on the nonmagnetic intermediate layer, an antiferromagnetic layer arranged on the pinned ferromagnetic layer and a second conductor layer arranged on the antiferromagnetic layer.
スピンバルブ磁気抵抗センサであって、第１の導体層と、該第１の導体層上に配置されたフリー強磁性層と、該フリー強磁性層上に配置された非磁性中間層と、該非磁性中間層上に配置されたピンド強磁性層と、該ピンド強磁性層上に配置された反強磁性層と、該反強磁性層上に配置された第２の導体層を含んでいる。 - 特許庁 - The phosphor protective film 26 has a two-layer structure, comprising a first layer 261, containing MeF_2 as a first material and a second layer 262 of a mixed phase containing MeF_2 and MeO as a second material.
蛍光体保護膜２６は、第１物質としてのＭｅＦ_2からなる第１層２６１と、ＭｅＦ_2と第２物質としてのＭｅＯとの混合相からなる第２層２６２との２層構造を有する。 - 特許庁 - On a substrate, a first transfer layer containing a first organic material and a second transfer layer containing a second organic material are pattern-formed by a printing method, at least via a photothermal conversion layer.
基板上に少なくとも光熱変換層を介して、第１の有機材料を含有する第１転写層および第２の有機材料を含有する第２転写層を印刷法によりパターン形成する。 - 特許庁 - The second metal layer 32 includes: a portion contacting with the secondary region 20 of the first metal layer 16 through the aperture 30; and a portion located on the primary part 26 of the second insulating layer 24.
第２の金属層３２は、開口３０を介して第１の金属層１６の第２の領域２０と接触する部分と、第２の絶縁層２４の第１の部分２６の上に位置する部分と、を含む。 - 特許庁 - A first diffusing layer region and a second diffusing layer region 17, 18 are formed on a semiconductor substrate 10, and a channel forming region 31 is also formed to couple the first and second diffusing layer regions 17, 18.
半導体基板１０上に第１,第２の拡散層領域１７,１８を形成し、その第１,第２の拡散層領域１７,１８を連結するようにチャネル形成領域３１を形成する。 - 特許庁 - The second N-type semiconductor layer 44 is comprised of a protruding portion 47 closer to the first P-type semiconductor layer 43 in a thickness direction Z and a saved portion 46 closer to the second P-type semiconductor layer 45.
第２のＮ型半導体層４４は、厚み方向Ｚにおいて第１のＰ型半導体層４３寄りの突出部４７と、第２のＰ型半導体層４５寄りの退避部４６とから成る。 - 特許庁 - The first insulating layer 226 of a dielectric material is brought into contact with the first and second side faces of the pole chip 216, and located between the first coil layer 206 and the second coil layer 230.
誘電体の第１の絶縁層２２６が、ポール・チップ２１６の第１の側面と第２の側面に接触するとともに、第１のコイル層２０６と第２のコイル層２３０との間に位置している。 - 特許庁 - The thin-film resonator 10 is such that n layers (n is a natural number of 3 or above) of piezoelectric layers (first piezoelectric layer 111, second piezoelectric layer 112, third piezoelectric layer...) are provided between a first electrode 121 and a second electrode 122.
薄膜共振子１０は、第１電極１２１と第２電極１２２の間にn層（nは3以上の自然数）の圧電体層（第１圧電体層１１１、第２圧電体層１１２、第３圧電体層. - 特許庁 - First and second electrodes are provided on the protective film layer, the first electrode is connected with the n-type layer through an opening formed in the protective film layer, and the second electrode is connected with the p-type isolation belt.
保護膜層上に第１および第２の電極を設け、保護膜層に形成した開口を介して、第１の電極をｎ型層に接続し、第２の電極をｐ型の分離帯に接続する。 - 特許庁 - Furthermore, a second wiring layer 7 is formed to fill the through hole 3 and to touch the first wiring layer 5 through a plurality of openings 6a in the second insulating layer 6.
さらに、貫通孔３内に第２の配線層７が充填・形成され、この第２の配線層７は第２の絶縁層６の複数の開口６ａを介して第１の配線層５に内接している。 - 特許庁 - Unevenness is formed on the surface of the second semiconductor layer 4, and the Schottky metal layer 5 comes into Schottky-contact with both recessed and projected sections of the unevenness formed in the second semiconductor layer 4.
第２の半導体層４の表面に凹凸が形成されており、ショットキー金属層５が第２の半導体層４内に形成された凹凸の凹部および凸部との双方にショットキー接触している。 - 特許庁 - The optical layer is provided with a first optical layer formed on a first main surface of the wavelength selective reflection film and a second optical layer formed on a second main surface of the wavelength selective reflection film.
光学層が、波長選択反射膜の第１の主面上に形成された第１の光学層と、波長選択反射膜の第２の主面上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - This light emitting element includes: a first layer 311, a second layer 312 and a third layer 313 between a first electrode 301 and a second electrode 302 formed to face each other.
対向するように設けられた第１の電極３０１と第２の電極３０２との間に、第１の層３１１と、第２の層３１２と、第３の層３１３とを有する発光素子を提供する。 - 特許庁 - The thickness t1 of a first guide layer 13, and the total thickness t2 of a second guide layer 15 and a second clad layer 18 are each 100 nm to 500 nm, for example, preferably.
第１ガイド層１３の厚みｔ１、並びに第２ガイド層１５および第２クラッド層１８の合計厚みｔ２は、それぞれ例えば１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。 - 特許庁 - The cover layer 30 formed a plurality of openings 32a, 32b, 34a, and 34b to expose parts of first and second transition layer electrodes 26, 28, is provided to cover the first and second transition layer electrodes 26, 28.
カバー層３０には、第１及び第２の遷移層電極２６，２８の一部を露出するために、複数の開口３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂが形成され、第１及び第２の遷移層電極２６，２８を覆って設けられている。 - 特許庁 - A second information printing layer 27 provided on the reverse side face of the aluminum foil and a heat sealing layer 30 covering the reverse side face of the aluminum foil and the obverse of the second information printing layer 27 are provided.
アルミニウム箔の裏側の面に設けられた第二の情報印刷層２７と、アルミニウム箔の裏側の面及び第二の情報印刷層２７の表面を覆うヒートシール層３０を備える。 - 特許庁 - A second information signal layer 4 is formed on the middle layer 3 and ultraviolet curing resin 12 is applied on the second information signal layer 4 and a light transmissive sheet 13 is placed on the applied ultraviolet curing resin 12.
中間層上に第２の情報信号層を形成し、第２の情報信号層４上に紫外線硬化樹脂を塗布し、塗布された紫外線硬化樹脂上に光透過性シートを載置する。 - 特許庁 - An element layer 30 composed of a group III nitride-based compound semiconductor layer is formed on a sapphire substrate 10, and a second separating groove 22 is formed on a second surface 12 on a side where the element layer is formed.
サファイア基板１０上にIII族窒化物系化合物半導体層から成る素子層３０を形成し、素子層が形成されている側の第２の面１２に第２の分離溝２２が形成される。 - 特許庁 - After a pattern forming layer 21 is formed on the uppermost layer on a first main surface J of a second substrate 1 made of silicon single crystal, an ion implantation layer 4 for peeling is formed with respect to the second substrate 1.
シリコン単結晶からなる第二基板１の第一主表面Ｊ上の最表層にパターン形成用層２１を形成した後、第二基板１に対して剥離用イオン注入層４を形成する。 - 特許庁 - A first region 17a of the first semiconductor spacer layer 17 is located on the first area 15b of the active layer 15, and a second region 17b is located on a second area 15c of the active layer 15.
第１の半導体スペーサ層１７の第１の領域１７ａは、活性層１５の第１のエリア１５ｂ上に位置し、また第２の領域１７ｂは活性層１５の第２のエリア１５ｃ上に位置する。 - 特許庁 - Thus, such a state that the conductor layer and the second insulation layer are brought into contact with each other is securely obtained even when the second insulation layer is thinned, and a magnetic flux of the coil is prevented from being completely divided.
従って、第２の絶縁体層を薄くしても導電体層と第２の絶縁体層とが接触した状態が確実に得られ、また、コイルの磁束が完全に分断されることを防止できる。 - 特許庁 - The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.
該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁 - In the second region B, the second insulating layer 112 is selectively removed, and the silicon monocrystalline layer (including 121, 123) on the first insulating layer 111 is used for the substantial device formation.
第２領域Ｂは、第２の絶縁層１１２が選択的に除去され、第１の絶縁層１１１上のシリコン単結晶層（１２１、１２３を含む）が実質的なデバイス形成に用いられる。 - 特許庁 - A gate electrode 5 has a trench structure 4 which is in contact with the p-type layer 7, a second p-type layer 6 and the second n-type layer 8, and an insulating film 4a and an electrode are provided in the trench.
ゲート電極５は、ｐ型層７と第２ｐ型層６と第２ｎ型層８に接するトレンチ構造４とし、トレンチ内部に絶縁膜４ａと電極とを備えたものとすることができる。 - 特許庁 - The portion between the rubber intermediate layer 2 and the second fiber reinforced layer 20 and the portion between the second fiber reinforced layer 20 and the rubber outer skin 3 are bonded using an adhesive comprising triazinethiol and a diene based rubber.
ゴム中間層２と第二繊維補強層２０との間、第二繊維補強層２０とゴム外皮３との間が、トリアジンチオール及びジエン系ゴムからなる接着剤を用いて接着されている。 - 特許庁 - The angle limiting filter 40 is formed by at least a first plug corresponding to a first insulating layer and a second plug corresponding to a second insulating layer which is above the first insulating layer.
角度制限フィルター４０は、少なくとも、第１の絶縁層に対応する第１のプラグと、第１の絶縁層よりも上層の第２の絶縁層に対応する第２のプラグにより形成される。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a semiconductor layer 1 of a first conductive type, a first semiconductor layer 2 of a first conductive type, and a second semiconductor layer 3 of a second conductive type.
本発明の実施形態の半導体装置は、第１導電形の半導体層１と、第１導電形の第１の半導体層２と、第２導電形の第２の半導体層３とを備える。 - 特許庁 - The laser further comprises a ridge stripe-like second conductivity type second clad layer formed on the first clad layer, and a first conductivity type current block layer formed so as to embed its ridge side face.
そして、この第１クラッド層上にリッジストライプ状の第２導電型の第２クラッド層が形成され、そのリッジ側面を埋め込むように第１導電型の電流ブロック層が形成されている。 - 特許庁 - One of the light emitting elements comprises a first layer contacting with a first electrode and a second layer contacting with the first layer between a first electrode and a second electrode.
本発明の発光素子の一は、第１の電極と第２の電極との間に、前記第１の電極に接して設けられた第１の層と、前記第１の層に接して設けられた第２の層とを有する。 - 特許庁 - The light emitting element includes a layer containing an organic substance between a first electrode and a second electrode, further includes a layer containing a metal oxide between the second electrode and the layer containing the organic substance.
また、スパッタリング法による成膜時に有機物を含む層へ生じる損傷を抑制できると共に、電極間のショート（短絡）等も抑制できる発光素子を提供することを課題とする。 - 特許庁 - What is more, the first diamond layer 1 is composed of, for example, an undoped diamond, and the second diamond layer 2 is doped with, for example, boron (B), and the second diamond layer 2 is a p-type semiconductor.
なお、第１のダイヤモンド層１は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第２のダイヤモンド層２には、例えばボロン（Ｂ）がドーピングされ、第２のダイヤモンド層２はｐ型半導体となっている。 - 特許庁 - A composition containing a liquid material for forming a second mask layer is applied to fill the space on the inside of the first framelike mask layer, thus forming a second mask layer.
マスク層を形成する際、形成したいパターンの外側（パターンの輪郭、端部に相当する）に液状のマスク層形成材料を含む組成物を付着させ、枠状の第１のマスク層を形成する。 - 特許庁 - A common first metal cap layer 16 for covering a second interlayer dielectric 11 and a first wiring 13 (first barrier layer 14 and a first wiring layer 15) is laminated on the surface of a second interlayer dielectric 11.
第２層間絶縁膜１１の表面に、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３（第１バリア層１４及び第１配線層１５）と、を覆う共通の第１メタルキャップ層１６を積層した。 - 特許庁 - An endless belt is molded by joining the mutual tapered surfaces 11S and 11T and mutual both end surfaces 12F and 12G of the second layer 12, and adhering the separated first layer 11 to the second layer 12.
テーパー面１１Ｓ、１１Ｔ同士、第２の層１２の両端面１２Ｆ、１２Ｇ同士を接合するとともに、剥離された第１の層１１を第２の層１２に接着し、無端状ベルトを成形する。 - 特許庁 - The second insulating layer 13 is formed by winding the bond-treated mica tape that is folded in half to the semi-conductive layer by nine winding turns, and low-resistance and high-resistance corona shield layers 16, 17 are formed at the external periphery of the second insulating layer.
その上にボンド処理マイカテープを１／２重ね巻にて９回巻回して第二の絶縁層１３を形成し、その外周部に低抵抗及び高抵抗コロナシールド層１６，１７を設ける。 - 特許庁 - A liquid crystal display device 100 is equipped with a first substrate 10, a second substrate 20, a liquid crystal layer 30 held between the first and the second substrates 10, 20 and a color filter layer 12 provided on the liquid crystal layer side of the first substrate 10.
液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層と、第１基板の該液晶層側に設けられたカラーフィルタ層とを有する。 - 特許庁 - On the second insulating film 16, a second metal layer 17 is formed which is connected to the first metal layer 15 in the opening part 16A and extends wider than the first metal layer 15.
第２の絶縁膜１６上には、開口部１６Ａ内で第１の金属層１５と接続されると共に、当該第１の金属層１５よりも広く延在する第２の金属層１７が形成されている。 - 特許庁 - A first aluminum nitride layer is vapor deposited on a substrate at a first chamber pressure, and then a second aluminum nitride layer is vapor deposited on the resultant aluminum nitride nucleation layer at a higher second chamber pressure.
第１の窒化アルミニウム層を第１のチャンバ圧力で基板上に蒸着し、次いでその窒化アルミニウム核生成層上により高い第２のチャンバ圧力で第２の窒化アルミニウム層を蒸着する。 - 特許庁 - The resistance change element includes a first electrode 11, a second electrode 13, a resistance changing layer 12 laminated between the first electrode 11 and the second electrode 14, and an insulating layer (tunnel barrier layer 14).
第１の電極１１と、第２の電極１３と、第１の電極１１と第２の電極１４との間に積層された抵抗変化層１２および絶縁層（トンネルバリア層１４）とを含む。 - 特許庁 - An infrared absorption film 2 comprises a first layer 21 containing TiN and a second layer containing an Si-based compound, thereby converting energy of infrared ray made incident from the side of the second layer 22 to heat.
赤外線吸収膜２は、ＴｉＮを含む第１の層２１と、Ｓｉ系化合物を含む第２の層２２とを備え、第２の層２２側から入射する赤外線のエネルギを熱に変換する。 - 特許庁 - As a result, with proton conductivity upon occurrence of catalyst layer breakage on the second catalyst layer 42 ensured, catalyst breakage due to a temperature change is caused on the second catalyst layer 42 separated from the electrolyte film 22.
これにより、第２の触媒層４２での触媒層破壊時のプロトン伝導性を確保した上で、温度変化による触媒破壊を電解質膜２２から離れた第２の触媒層４２に起こす。 - 特許庁
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