「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 91 92 93 94 95 96 97 98 99 .... 429 430 次へ＞- The first imaginary wiring is connected to the second layer 2 only via a through-hole to be added to the through-hole layer and can be corrected.
第１虚配線は、スルーホール層に追加されるスルーホールのみにより第２配線層２に接続されて修正され得る。 - 特許庁 - The contact hole (282), connecting the first conductive layer and the second conductive layer, is made through the bonding interface (201).
第１導電層と第２導電層とを接続するコンタクトホール（２８２）が、貼り合わせ界面（２０１）を貫通して開孔されている。 - 特許庁 - The light absorbing layer and the cap layer 4 under the second region surrounding the first region are of the first conductivity.
第１の領域を取り囲む第２の領域の下方の光吸収層及びキャップ層が、第１導電型とされている。 - 特許庁 - A contact layer 92 is provided in the through-hole 62, and a second interconnection layer 94 is provided in the interconnection trench 64.
スルーホール６２においてコンタクト層９２が設けられ、配線溝６４において第２の配線層９４が設けられている。 - 特許庁 - It is preferable that the first doubly refracting layer has a thickness of 0.5 to 5 μm and the second doubly refracting layer has a thickness of 0.3 to 3 μm.
好ましくは、第１の複屈折層の厚みは０．５〜５μｍであり、第２の複屈折層の厚みは０．３〜３μｍである。 - 特許庁 - The third source layer 2c is so buried over the recess 3 and in the gate opening that the bottom portion thereof is brought into contact with the second source layer 2b.
第３のソース層２ｃは、下部が第２のソース層２ｂと接するように、凹部３上及びゲート開口部に埋設される。 - 特許庁 - Here, a sintered layer 123 of the second raw material powder has a higher brazeability than a sintered layer 122 of the first raw material powder.
前記第２の原料粉末焼結層123を第１の原料粉末焼結層122よりろう付け性に優れたものにする。 - 特許庁 - The surface of the second hard coat layer 3 is provided with a low refractive index layer 4 having a refractive index of 1.30 to 1.45, so as to form the antireflection film.
この第２ハードコート層３の表面に屈折率が１．３０〜１．４５の低屈折率層４を設けて形成されている。 - 特許庁 - The first elastic layer 58a and second elastic layer 58b have 20 to 70° asker C hardness.
第１の弾性体層５８ａ及び第２の弾性体層５８ｂのアスカーＣ硬度はいずれも２０度乃至７０度の範囲内である。 - 特許庁 - The electrical connection to the first shading film is provided easily, via the low resistance layer of the second shading layer.
これにより、第１遮光膜の電気的接続も第２遮光膜の低抵抗層を介することで容易に行うことができる。 - 特許庁 - In this time, a joint 21B of the first coating layer 21 and a joint 22B of the second coating layer 22 are arranged so as not to overlap each other.
このとき、第１被覆層２１の目地２１Ｂと第２被覆層２２の目地２２Ｂとが、互いに重ならないように配置する。 - 特許庁 - A fluorine coated layer 12e is provided on the inner side of the second heat conductive layer 12d and a peeling property with a cooked object is improved.
第２の熱伝導層１２ｄの内側にはフッ素コート層１２ｅを設け被調理物との剥離性を向上させている。 - 特許庁 - Display of the non-transmissive portion of the screen of the second layer is made to coincide with display of a range including the target area of the first layer.
第２レイヤの画面の非透過部分の表示を、第１レイヤの注目領域を含む範囲の表示に一致させる。 - 特許庁 - A P+type contact layer 11 is formed on the surface of the P-type body layer 6 exposed to a bottom surface of the second contact hole 10.
第２のコンタクトホール１０の底面に露出したＰ型ボディ層６の表面にＰ＋型コンタクト層１１を形成する。 - 特許庁 - First vias (30) are created in the first or second layer to expose a predefined area of the mechanical layer of silicon.
シリコンの機械層の予め定められた領域を露出させるために、第１のビア（３０）が第１または第２の層に作られる。 - 特許庁 - The refractive index nd1 of the first dielectric layer 14a is practically equal to the refractive index nd2 of the second dielectric layer 14b.
第１の誘電体層１４ａの屈折率ｎ_d1と、第２の誘電体層１４ｂの屈折率ｎ_d2とは実質的に等しい。 - 特許庁 - When the formation of the light emitting layer is completed, the material of the electronic transport layer is evaporated from a second deposit source 64.
発光層の形成が終了すると、つづいて電子輸送層の材料が第二蒸着源６４において蒸発される。 - 特許庁 - In order to reduce gas leaking passages between the container and the external environment, the thickness of the second layer is made thinner than that of the first layer.
容器と外側環境の間の気体漏出路を少なくするために、第２層の厚さは第１層の厚さより小さい。 - 特許庁 - The fiber body 230 has a laminate structure comprising a first fiber layer 232 and a second fiber layer 234 which have conductivity.
繊維体２３０は、導電性を有する第１の繊維層２３２および第２の繊維層２３４からなる積層構造を有する。 - 特許庁 - Furthermore, the sealing face is connected to a second sealing face allocated to the layer of the connection device using a connection layer.
さらに、このシール面は、接続層を用いて接続デバイスの層の割り当てられた第２シール面に対して接続されている。 - 特許庁 - The resistance element 50 has a first layer 51 composed of an insulator material and a second layer 52 composed of a semiconductor material.
抵抗素子５０は、絶縁体材料からなる第１の層５１と、半導体材料からなる第２の層５２を有する。 - 特許庁 - The second wire 8 is superposed on the insulating layer 7, and the core wire 12 is jointed to the conductor layer 4 through ultrasonic welding.
第２電線８は絶縁層７に重ねられて超音波溶着によって芯線１２が導体層４に接合されている。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of cracks at a non-magnetic layer arranged between an end face of a second layer of a shield and a medium opposite face.
シールドの第２層の端面と媒体対向面との間に配置された非磁性層にクラックが発生することを防止する。 - 特許庁 - The wiring is electrically connected to the first land penetrating through the third insulation layer and the second insulation layer.
前記配線は、前記第３の絶縁層および前記第２の絶縁層を貫通して、前記第１のランドと電気的に接続される。 - 特許庁 - On the outer periphery of this thin layer 5, a coating layer (consisting of a second and a third coating layers 7a, 7b) 7 is formed.
この薄層５の外周に被覆層（２層目の被覆層７ａと３層目の被覆層７ｂとから成る）７が形成されている。 - 特許庁 - These first solar battery layer and second solar battery layer are connected in parallel with electrode connecting members 360a and 360b.
これら第１太陽電池層と第２太陽電池層とは、電極連結部３６０ａ，３６０ｂにより並列接続される。 - 特許庁 - The electrochromic module includes a first substrate, a second substrate, at least one electrochromic layer and at least one ion layer.
電気変色モジュールは第１基板、第２基板、少なくとも一つの電気変色層と少なくとも一つのイオン層を備える。 - 特許庁 - The second layer on the first layer is a transparent sheet as a whole and the portion covering the hole is also transparent, so that the skin is visible therethrough.
また、その上の第２層は、全体に透明なシートであって、穴を覆う部分も透明なので皮膚を見ることができる。 - 特許庁 - An ink supply channel orifice layer wall 545b of the orifice layer 545 determines the shape of a second part of each ink supply channel 546.
オリフィス層５４５のインク供給チャネルオリフィス層壁５４５ｂは、各インク供給チャネル５４６の第２の部分の形を定める。 - 特許庁 - The second Al_X2Ga_1-X2N layer 21 is positioned between the group III nitride semiconductor substrate 13 and the light-emitting layer 15.
第２のＡｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２Ｎ層２１は、III族窒化物半導体基板１３と発光層１５との間に位置している。 - 特許庁 - A second metallic layer 20 made of Ti silicide is formed on the surface of the first metallic layer and the insulating film 17.
第１金属層１９および絶縁膜１７の表面上にＴｉシリサイドからなる第２金属層２０を形成する。 - 特許庁 - The first insulating layer 3 used for the formation of the second wiring layer 5 is formed without the use of resist and photolithographic technique.
第２配線層５を形成するために用いられている第１絶縁層３は、レジスト、フォトリソグラフィーを用いないで形成される。 - 特許庁 - The cantilevered element has a second layer adhered to the first layer and composed of a dielectric material having a low coefficient of thermal expansion.
カンチレバー素子は、第一層に接着され、低い熱膨張率を有する誘電材料で構成された第二層を有する。 - 特許庁 - Steps (S30 and S40) of forming the second mask layer formed of the film are performed by removing the first mask layer.
第１のマスク層を除去することにより、上記膜からなる第２のマスク層を形成する工程（Ｓ３０，Ｓ４０）を実施する。 - 特許庁 - On the GaInP etching stop layer 7, there is formed a ridge 17 including a p-type AlGaInP second top cladding layer 8.
ＧａＩｎＰエッチングストップ層７上には、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層８を含むリッジ１７が形成されている。 - 特許庁 - A second layer 31 is a transparent layer of about 20 μm in thickness and comprises an acrylic resin 31c as an organic binder component.
第２層３１は厚みが約２０μｍの透明層であり、有機バインダ成分としては、アクリル系の樹脂３１ｃを用いる。 - 特許庁 - The nucleic acid-amplifying substrate 10 is obtained by laminating a first layer 11 comprising a glass plate and a second layer 12 comprising a silicone rubber.
核酸増幅基板１０は、ガラス板からなる第一層１１とシリコンゴムからなる第二層１２が積層されたものである。 - 特許庁 - A second stage of etching of the electrode layer 4a is executed by a wet etching method to expose the heating resistor layer 3.
次に、ウエットエッチング法により、電極層４ａの第２段階目のエッチングを行い、発熱抵抗層３が露出するようにする。 - 特許庁 - The width of the second conducting layer 16b located on the field oxide film 13 is smaller than the width of the first conducting layer 16a.
フィールド酸化膜１３上に位置する第２の導電層１６ｂの幅は第１の導電層１６ａの幅より小さい。 - 特許庁 - At this time, the second group III-V compound semiconductor layer may be laminated on the first group III-V compound semiconductor layer.
このとき、第２のIII−V族化合物半導体層は、第１のIII−V族化合物半導体層上に積層されていても良い。 - 特許庁 - The circuit layer is configured as a second thin film buried in the tire, and processes a signal provided from the sensor layer.
回路レイヤーはタイヤに埋め込まれた第２の薄膜フィルムとして構成され、センサレイヤーから提供された信号を処理する。 - 特許庁 - The anode electrode layer 300 is arranged in a first direction, and a cathode electrode layer 302 is arranged in a second direction different from the first direction.
アノード電極層300は第１方向に配列され、カソード電極層302は第１方向と異なる第２方向に配列される。 - 特許庁 - The number of linear parts of the first semiconductor layer 12n is smaller than the number of linear parts of the second semiconductor layer 13p.
第１の半導体層１２ｎの線状部の本数は、第２の半導体層１３ｐの線状部の本数よりも少ない。 - 特許庁 - The fixing belt is characterized in that a fluorocarbon resin layer is formed on the second polyimide resin layer of the endless belt.
上記無端ベルトの第２のポリイミド樹脂層上に、フッ素樹脂層が設けられてなることを特徴とする定着ベルトである。 - 特許庁 - The method for manufacturing the microlens array includes a process for forming a second light pervious layer 36 on a first light pervious layer 26.
マイクロレンズアレイの製造方法は、第１の光透過性層２６上に第２の光透過性層３６を形成することを含む。 - 特許庁 - Immediately above the second upper clad layer 109 of the mesa stripe geometry near a front end face of the resonator, a cap layer 110 is formed.
共振器前端面近傍のメサストライプ形状の第二上クラッド層１０９直上にはキャップ層１１０が設けられる。 - 特許庁 - Then, a second semiconductor layer 12 composed of GaAs is grown on the first semiconductor layer 11, without adding magnesium.
続いて、第１の半導体層１１の上にＧａＡｓからなる第２の半導体層１２をマグネシウムを添加せずに成長させる。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element comprises a light emitter, a first electrode layer, a second electrode layer, a pad electrode, and auxiliary electrode portions.
半導体発光素子は、発光体と、第１電極層と、第２電極層と、パッド電極と、補助電極部と、を備える。 - 特許庁 - Further, with the oxidized layer as a mask, a second trench reaching the semiconductor substrate from the surface of the insulating layer is formed.
さらに、前記酸化層をマスクとして、前記絶縁層の表面から前記半導体基板に達する第２のトレンチを形成する。 - 特許庁 - The drive transistor Tr1 controls a voltage applied between the first electrode layer 13 and the second electrode layer 16.
駆動トランジスタＴｒ１は、第１電極層１３と第２電極層１６との間に印加される電圧を制御するものである。 - 特許庁
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