「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The first protective layer-formed coated optical fiber 26a is conveyed to a second coating apparatus 29.
    第２被覆装置２９に第１保護層形成光ファイバ心線２６ａを搬送する。 - 特許庁
  • Subsequently, the first substrate is bonded to a second substrate via the adhesive layer.
    そして、前記接着層を介して前記第１の基板を、第２の基板と貼り合わせる。 - 特許庁
  • The alignment pattern 11 is a pattern for carrying out the alignment with the second layer 40.
    位置合わせパターン１１は、第２層４０との位置あわせが行われるためのパターンである。 - 特許庁
  • The rate of content of Ir in the second coating layer 4 is 0.05-10 wt%.
    第２の被膜４中におけるＩｒの含有率は、０．０５〜１０ｗｔ％である。 - 特許庁
  • The second light diffusion layer 3 is provided with a plurality of oblong protrusions 7 at its inner periphery.
    第２光拡散体３は、周面に複数の縦長状突部７を設けている。 - 特許庁
  • In addition, a metallic substrate 16 is stuck to the surface of the second insulation layer 12B.
    また、第２の絶縁層１２Ｂの表面には金属基板１６が貼着されている。 - 特許庁
  • The second current constriction layer 17 is formed in a part including the node of a standing wave.
    第２電流狭窄層１７は定在波の節を含む部位に形成されている。 - 特許庁
  • A liquid crystal layer 13 is provided between the first and the second curved surface substrates 11 and 12.
    第１及び第２曲面基板１１，１２間に液晶層１３が設けられている。 - 特許庁
  • The interposition layer 18 is located between the first ply 28 and the second ply 30.
    この介在層１８は、この第一プライ２８とこの第二プライ３０との間に位置する。 - 特許庁
  • The liquid crystal display device also includes a second metal layer 73 deposited on the gate insulating film 15 including the gate electrode 16.
    ゲート電極16を含むゲート絶縁膜15上に第２の金属層73を成膜する。 - 特許庁
  • A second barrier layer 12 is then formed on the pad electrode 3 exposed in the via hole.
    次に、ビアホール内で露出したパッド電極３上に第２のバリア層１２を形成する。 - 特許庁
  • The second protective carbon layer has very thin thickness, e.g. 0.1-1.0 nm thickness.
    第２保護炭素層は、非常に薄く、例えば、０．１乃至１．０ｎｍの厚さを有する。 - 特許庁
  • Moreover, a second projected type core waveguide 51 is formed and a top clad layer 6 is formed.
    更に、第２凸型コア導波路５１を形成して、上部クラッド層６を形成する。 - 特許庁
  • The nickel iron layer 32 is magnetized in a second direction in anti-parallel with the first direction.
    ニッケル鉄層３２は第１の方向とは反平行の第２の方向に磁化されている。 - 特許庁
  • After that, the p-Inx2Ga1-x2 As1-y2Py2 upper-part second optical waveguide layer 19 is removed, and a ridge stripe is formed.
    その後、p-In_x2Ga_1-x2As_1-y2P__y2上部第二光導波層19を除去して、リッジストライプを形成する。 - 特許庁
  • The second ferromagnetic layer is composed of CoFe, NiFe, etc. and has a negative magnetostriction constant.
    第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 - 特許庁
  • The second silicon layer 21 is etched to expose the wall face S_1 of the trench 15.
    前記トレンチ１５の壁面Ｓ_1を露出させるために、第２のシリコン層２１をエッチングする。 - 特許庁
  • Finally, a semiconductor light emitting element 560 is grown on the second semiconductor layer 550a.
    最後に、第２の半導体層５５０ａ上に半導体発光素子５６０を成長させる。 - 特許庁
  • The n-GaInN second clad layer 5 comprises n-GaInN in non-single crystal state.
    ｎ−ＧａＩｎＮ第２クラッド層５は、非単結晶状態のｎ−ＧａＩｎＮからなる。 - 特許庁
  • In addition, the 60° mirror surface glossiness of the second ink receiving layer surface is 60% or more.
    また、第2のインク受容層表面の60度鏡面光沢度は60％以上である。 - 特許庁
  • A second layer 32 has a plurality of horizontal drain grooves 322 penetrating both right and left sides.
    第二層３２は、左右両側を貫通する複数の水平排水溝３２２を有する。 - 特許庁
  • A substrate having a polysilicon layer having a first region and a second region on itself is provided.
    第１領域及び第２領域を有するポリシリコン層を上に有する基板を設ける。 - 特許庁
  • The wiring substrate 2c of a second layer holds a semiconductor chip 1b in its through hole.
    ２層目の配線基板２ｃは、その貫通口内に半導体チップ１ｂを収容する。 - 特許庁
  • The gap between the semiconductor chip 1 and the circuit board 3 is sealed with a second resin layer 5.
    半導体チップ１と回路基板３との間が第２の樹脂層５により封止される。 - 特許庁
  • The Locos oxide layer 102 includes a first region 102a and a second region 102b.
    Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２は、第１領域１０２ａと第２領域１０２ｂとを含む。 - 特許庁
  • Further, the third layer (34) transmits the light of the first wavelength and the second wavelength.
    更に、第３の層（３４）は、第１の波長の光と第２の波長の光を透過する。 - 特許庁
  • The lens structure layer has a second refractive index, which is smaller than the first refractive index.
    レンズ構造層は、第二屈折率を有し、第二屈折率は、第一屈折率より小さい。 - 特許庁
  • PROCESS FOR DOPING TWO LEVELS OF DOUBLE POLY BIPOLAR TRANSISTOR AFTER FORMATION OF SECOND POLY LAYER
    第二のポリ層の形成後に二重ポリバイポーラトランジスタの２つのレベルをドーピングするプロセス - 特許庁
  • The array substrate 2 includes a first electrode 7, a second electrode 6, and an alignment maintenance layer 8.
    アレイ基板２は、第１の電極７、第２の電極６、配向維持層８を備える。 - 特許庁
  • A UV resin 6 of a second layer is formed on the UV resin 5 by the spin coat method.
    次に、ＵＶレジン５上に第２層のＵＶレジン６をスピンコートにより形成する。 - 特許庁
  • The memory cell array part includes a first memory string, a second memory string and an element isolation insulator layer.
    メモリセルアレイ部は、第１メモリストリングと、第２メモリストリングと、素子分離絶縁層と、を含む。 - 特許庁
  • A light emitting layer 17c is formed between the first electrode 15 and the second electrode 18.
    発光層１７ｃは、第一の電極１５と第二の電極１８の間に設けられる。 - 特許庁
  • A thick and wide interconnection line is formed in the second thick dielectric layer.
    厚くて幅広い相互接続ラインは第２の厚い誘電体層内に形成される。 - 特許庁
  • A hydroxide coating 361 is formed on the surface of the second coating layer 36.
    第２コーティング層３６の表面には水酸化物被膜３６１が形成されている。 - 特許庁
  • Then, a second silicon nitride layer is formed on the whole inner wall surface of the hole by a nitriding process.
    この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 - 特許庁
  • An organic layer 16 is formed between a first electrode 13 and a second electrode 17.
    第１電極１３と第２電極１７との間に有機層１６が形成されている。 - 特許庁
  • DEVICE AND METHOD FOR MANAGING BROADBAND INTERNET PROTOCOL SERVICE IN SECOND LAYER BROADCAST NETWORK
    層２の同報ネットワークにおける広帯域インターネットプロトコルサービスを管理する装置及び方法 - 特許庁
  • The indium tin oxide film 30 is formed on the second face 22 of the non-oxide adhesive layer 20.
    酸化インジウムスズ膜３０は、非酸化物接着層２０の第二面２２に形成される。 - 特許庁
  • The wiring layer includes first wiring and second wiring along a first direction parallel to the substrate.
    配線層は、基板に平行な第１方向に沿う第１配線と、第２配線と、を含む。 - 特許庁
  • A second etching process of a semiconductor layer is performed on the condition that an inverted mesa is formed.
    半導体層の第２のエッチング工程は逆メサを形成する条件で行う。 - 特許庁
  • A second or an outer layer contains an antithrombus heparin-bioabsorbable polymer conjugator.
    第二もしくは外層は、抗血栓ヘパリン-生体吸収性ポリマー共役体を含む。 - 特許庁
  • The assembly also includes the interface layer 16 positioned between the first and second workpieces.
    アセンブリは、第１および第２のワークピースの間に位置付けられた界面層１６も含む。 - 特許庁
  • The conductive layer 52 and the second wiring 62 are arranged so that they deviate in the width direction.
    導電層５２及び第２の配線６２は、幅方向にずれるように配置されている。 - 特許庁
  • The foundation layer includes a convexoconcave provided on the second principal surface and having recesses, side parts and salients.
    下地層は、第２主面に設けられ、凹部と側部と凸部とを有する凹凸を有する。 - 特許庁
  • The inner layer has a first surface and a second surface positioned on the opposite side of the first surface.
    内層は、第一面とこの第一面の反対側に位置された第二面とを有する。 - 特許庁
  • There is a distortion generating layer on the transistors of the first and second types.
    第１のタイプのトランジスタおよび第２のタイプのトランジスタの上には、歪み発生層がある。 - 特許庁
  • At least a portion of the second layer can comprise a window which is at least partially transparent.
    この第２層の少なくとも一部分は、少なくとも部分的に透明な窓を含む。 - 特許庁
  • Thereafter, the liquid layer Z1 repeatedly gets wet and spreads to the adjacent second recessed parts 26c.
    以降、液層Ｚ１は、隣接する第２の凹部２６ｃに濡れ広がることを繰り返す。 - 特許庁
  • Further, a desiccant layer 16 is formed on the surface of the second transparent substrate 20.
    また、第２の透明基板２０の表面には乾燥剤層１６が形成されている。 - 特許庁
  • The backing fiber layer is preferably composed of the first and second backing fiber layers.
    バッキング繊維層は、第一バッキング繊維層と第二バッキング繊維層とからなるのが好ましい。 - 特許庁
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