「solid-state type」を含む例文一覧(731)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 次へ＞- To provide a back irradiation type solid-state imaging device that generates a high-definition image by preventing shading due to variations in the amount of saturated electric charges or blooming upon high-brightness light irradiation.
飽和電荷量のバラツキによるシェーディングや高輝度光照射時のブルーミングを防止し、高画質な画像が得られる裏面照射型の固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state polymer type water electrolyzer which suppresses the content of impurities in circulating water, reduces the consumption of water and makes the apparatus compact.
循環水中の不純物含有量を抑えるとともに、水の消費量も少なくし、しかも、装置をコンパクトなものとした固体高分子型水電解装置を提供する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has a floating diffusion region FD of the second conductivity type formed in a region isolated by the element isolation region 28 in the first semiconductor region.
第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型のフローティングディフージョン領域ＦＤを有する。 - 特許庁 - To enhance sensitivity while reducing a dark current and the number of white blemishes in a MOS type solid-state imaging device employing copper wiring, and a manufacturing method thereof.
銅配線を用いるＭＯＳ型等の固体撮像装置及びその製造方法において、暗電流及び白キズ数の低減と、感度の向上を実現する。 - 特許庁 - To provide an amplification type solid state imaging apparatus which can provide an image of high picture quality having reduced noise while reducing a pixel size by reducing the number of transistors per pixel.
１画素当たりのトランジスタ数を削減して画素サイズの小型化を図りつつ、ノイズの少ない高画質の画像を得ることができる増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - This solid-state imaging device 1 is of a rear surface incident type, and images an object to be imaged by photoelectrically converting light coming into the rear surface S1 of the semiconductor substrate 10.
この固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ１に入射した光を光電変換することにより被撮像体を撮像する。 - 特許庁 - The exposure is performed by using solid state laser for generating a pulse oscillation type laser beam of oscillation frequency of 1 MHz or more as an exposure source in a photolithographic process.
フォトリソグラフィ工程における露光用光源として発振周波数が１ＭＨｚ以上のパルス発振型のレーザ光を出力する固体レーザを用いて露光を行う。 - 特許庁 - To provide a highly versatile image processing apparatus that is able to detect a flicker component of an image taken by an XY address scan-type solid-state image pick-up device.
ＸＹアドレス走査型の固体撮像素子で撮像された画像のフリッカ成分を高精度に検出できる、汎用性の高い画像処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a multi-chip package type imaging device capable of preventing the influence of inclination and the temperatures of a solid-state imaging element, as well as reducing the manufacturing cost.
固体撮像素子の傾斜や温度の影響を防止することができ、かつ生産コストの低減を図ることができるマルチチップパッケージ型の撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an imaging apparatus or the like which can sufficiently correct a smear even if a time interval of vertical transfer in a charge transfer-type solid-state imaging element is not constant.
電荷転送型固体撮像素子における垂直転送の時間間隔が一定でない場合でも、スミアを良好に補正することができる撮像装置等を提供する。 - 特許庁 - To provide an image forming device provided with a solid-state scanning type exposure section, that can output a stable image with less unevenness in the luminous quantity over a long period.
長期にわたって光量むらの少ない安定した画像を出力することができる、固体走査型露光部を備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 1 is a back incident type, and images a subject to be imaged by photoelectrically converting light incident on a back surface S1 of the semiconductor substrate 10.
この固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ１に入射した光を光電変換することにより被撮像体を撮像する。 - 特許庁 - A MOS type solid-state imaging apparatus is provided with a signal processing part 23 for performing conversion processing amplifying the signal of pixel and obtaining the difference from the reference voltage and maintaining.
ＭＯＳ型固体撮像装置は、画素の信号を増幅して基準電圧との差分を求める変換処理を行い、保持する信号処理部２３を備えている。 - 特許庁 - To provide a CMOS type solid-state imaging apparatus which can be made compact and manufactured without applying high pressure, and can suppress the occurrence of a void.
小型化が可能であると共に、高圧力を印加することなく製造することができ、ボイドの発生をも抑制することができるＣＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - Electric signal charges of a plurality of photo diodes 1 in the amplification type solid-state imaging apparatus are summed at an input side of a switched capacitor amplifier section 20 via a transfer transistor 2.
この増幅型固体撮像装置では、複数のフォトダイオード１の信号電荷が、転送トランジスタ２を介して、スイッチトキャパシタアンプ部２０の入力側にて加算される。 - 特許庁 - To provide a technology capable of simply reading a manufacturing number and flaw data or the like from a solid-state imaging apparatus of the WLCSP type and easily identifying a position of a No.1 terminal.
ＷＬＣＳＰタイプの固体撮像装置から簡単に製造番号や傷データ等を読み取れるようにし、かつ１番端子の位置が容易に識別できるようにする。 - 特許庁 - The solid-state imaging element 11 is a MOS-type image sensor, and has a light-sensitive section 13; a shift register section; and the amplification section 15 formed at one surface side of an Si substrate 12.
固体撮像素子１１は、ＭＯＳ型イメージセンサであって、Ｓｉ基板１２の一方面側に形成された、光感応部１３、シフトレジスタ部及び増幅部１５を有する。 - 特許庁 - To provide a CMOS type solid-state image pickup element capable of respectively impressing different bias potentials to a well for a photoelectric conversion part and a well for a charge transfer part.
光電変換部用ウェルと電荷転送部用ウェルとに異なるバイアス電位をそれぞれ印加することができるＣＭＯＳ型固体撮像素子を提供すること。 - 特許庁 - To provide a solid medical composition containing a Chinese medicine extract, potassium hydrogencarbonate and/or potassium carbonate and a starch, swelling of a packaging container of which is restrained, even if the solid medical composition is preserved in a state that the solid medical composition is filled in a pouch type packaging container.
漢方エキス、炭酸水素カリウム及び／又は炭酸カリウム、ならびにデンプンを含有する固形医薬組成物であって、該固形医薬組成物をパウチ型包装容器に充填した状態で保存しても、包装容器の膨張が抑制された固形医薬組成物を提供すること。 - 特許庁 - The solid state imaging apparatus has an N type region 7 provided on the surface side of an N type substrate 6 and constituting a photodiode, a second P type region 17 provided under the N type region 7, and a first P type region 9 provided in the N type substrate 6 on the inside of the second P type region 17 while spaced apart therefrom.
本発明の固体撮像装置は、Ｎ型基板６の表面側に設けられたフォトダイオードを構成するＮ型領域７と、Ｎ型領域７の下に設けられた第二のＰ型領域１７と、第二のＰ型領域１７よりもＮ型基板６の内部に、かつ第二のＰ型領域１７と離間して設けられた第一のＰ型領域９とを備えている。 - 特許庁 - To provide an apparatus for driving a solid-state image sensor and driving method thereof in which the solid-state image sensor of an electronic multiplication type can be driven so as to obtain a stable multiplication gain at all the time even when a gain variation occurs in accordance with the passage of time or conditions for practical use.
この発明は、時間経過や実使用条件等に応じてゲイン変動が発生しても、常に安定な増倍ゲインが得られるように電子増倍型の固体撮像素子を駆動することができる固体撮像素子の駆動装置及びその駆動方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide an imaging element unit in which a solid-state imaging element is pasted to a phase grating type optical low-pass filter to form one unit, capable of keeping a good imaging performance at all times by eliminating blurring on counter surfaces of the low-pass filter and the solid-state imaging element which is caused by temperature changes.
固体撮像素子と位相格子型光学ローパスフィルタとを貼合わせて１つのユニットとしたものでありながら、温度変化による固体撮像素子及びローパスフィルタの対向面の曇りを無くして常に良好な撮像性能を維持することができる撮像素子ユニットを提供する。 - 特許庁 - To solve the problem of a solid state imaging device being produced by packaging an image sensor, i.e., cost reduction and thinning are required to meet the expanding purposes but a packaging method for easily obtaining such thin-type solid-state imaging device at a low cost has not been developed.
イメージセンサチップをパッケージングして固体撮像装置を得るにあたっては、固体撮像装置の用途の拡大に伴って、低コスト化および薄型化が望まれるようになってきているが、薄型の固体撮像装置を低コストの下に得ることが容易なパッケージング法は未だ開発されていない。 - 特許庁 - To provide a driver of a solid-state image pickup element capable of driving an electron multiplication type solid-state image pickup element so that a normal multiplication gain can be obtained continuously even if the gain varies according to a lapse of time, real use conditions, or the like, and to provide a drive method of the driver.
この発明は、時間経過や実使用条件等に応じてゲイン変動が発生しても、常に正常な増倍ゲインが得られるように電子増倍型の固体撮像素子を駆動することができる固体撮像素子の駆動装置及びその駆動方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - The porous solid-state electrolytic capacitor element, formed by compacting valve-acting metal powder including an anode lead into a thin plate and baking it, is characterized in that a lattice or plate type metal reinforcing body, constituted of a valve-acting metal body is embedded and disposed in the solid-state electrolytic capacitor element.
陽極リードを備えた弁作用金属粉末を薄板状に成形し、焼結してなる多孔質の固体電解コンデンサ素子において、弁作用金属体で構成された格子状または板状の金属補強体を前記固体電解コンデンサ素子内に埋設・配備したことを特徴とする。 - 特許庁 - To propose a solid-state imaging element for preventing the light entering through a gap between photoelectric conversion elements and reflected by a wiring layer from being received by the photoelectric conversion elements, and not causing such problems as noise and color mixture in a backside-illuminated type solid-state imaging element, and to propose a method of manufacturing the same.
裏面照射型の固体撮像素子において、光電変換素子間の隙間を通して入射し配線層で反射する光が光電変換素子に受光されることを防ぎ、ノイズや混色の問題を生じさせない固体撮像素子とその製造方法を提案すること。 - 特許庁 - The composite texture-type oral ingestion material comprises an oily liquid part 3 positioned at the center thereof, a gel-state elastic part 5 containing a plasticizer and enclosing the liquid part 3 and a solid part 7 covering the gel-state elastic part 5, and allows a user to enjoy three kinds of palatability such as liquid, elastic and solid one.
センターに位置する油性液状部３と、可塑剤を含み、液状部３を包囲するゲル状弾性部５と、ゲル状弾性部５を覆う固形部７とで構成され、液状、弾性及び固形の３種類の食感が同時に楽しめる複合テクスチャー型経口摂取物。 - 特許庁 - In a curving type or a vertical curving type continuous caster, the operation is performed under the state of applying compression along the longitudinal direction to whole cast slab at the upstream side from a position reaching an internal crack developing limit solid phase ratio.
湾曲型または垂直曲げ型連続鋳造機において、内部割れ発生限界固相率に到達する位置より上流側の鋳片全体に長手方向に沿って圧縮を加えた状態で操業する。 - 特許庁 - The CCD solid-state imaging module includes: a CCD area sensor including an n-type substrate and a p-well formed to the n-type substrate; and an overcurrent prevention means for preventing a forward bias from being applied to a junction between the n-type substrate and the p-well.
ＣＣＤ固体撮像モジュールは、ｎ型基板と前記ｎ型基板に形成されるｐウェルとを有するＣＣＤエリアセンサと、前記ｎ型基板と前記ｐウェルとの間の接合に順バイアスが印加されることを防止する過電流防止手段とを有する。 - 特許庁 - To achieve high-speed photographing while the occurrence of spherical aberration and shading by an imaging lens is greatly released even on the imaging surface of any element in a lamination type solid-state image pickup device, where a number of solid-stage image pickup element units are laminated.
多数枚の固体撮像素子単位を積層した積層型固体撮像素子において、いずれの素子の受像面においても撮像レンズによる球面収差やシェーディングの発生を大幅に緩和した状態で、高速撮影可能とする。 - 特許庁 - This solid state water-in-oil type emulsion cosmetic contains 5-70 pt.mass liquid oil component, 2-20 pt.mass solid oil component, 1-65 pt.mass water, 1-10 mass% surfactant, and 1-25 mass% spherical powdery material based on the total amount.
全量に対し、液状油分５〜７０質量部、固形状油分２〜２０質量部、水１〜６５質量部、界面活性剤１〜１０質量％、球状粉体１〜２５質量％を含有する固形状油中水型乳化化粧料を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state polymer type water electrolyzing device which has more improved safety upon the occurrence of abnormality by detecting the abnormality at real time when an abnormal state due to failure of a water electrolyzer, deterioration with age or the like occurs.
水電解槽の故障や経年劣化等による異常状態が発生した際に、リアルタイムに異常を検知することで、異常発生時の安全性をより一層向上させた固体高分子型水電解装置を提供する。 - 特許庁 - To improve noise characteristic in a photoelectric conversion device and improve an image quality, by effectively utilizing a semiconductor metal compound for field effect transistor, in an amplification type solid-state image sensing element (CMOS image sensor) of a so-called backside illumination type.
いわゆる裏面照射型の増幅型固体撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ）において、電界効果トランジスタ用の半導体金属化合物を有効利用し、光電変換素子におけるノイズ特性の改善、画質の向上を図る。 - 特許庁 - Polycrystal silicon to which a p-type impurity is doped is used for a gate electrode of either of n-type MOS transistors 109a, 109b included in a pixel out of MOS transistors constituting the solid state imaging apparatus.
固体撮像装置を構成するＭＯＳトランジスタの内、画素に含まれるＮ型ＭＯＳトランジスタ１０９ａ及び１０９ｂの少なくともいずれか一方のゲート電極にＰ型不純物を導入した多結晶シリコンを用いる。 - 特許庁 - This epoxy resin composition for the casting comprises a bisphenol F type epoxy resin which is a solid state at a normal temperature as an essential component, a bisphenol type epoxy resin used as combination therewith, an acid anhydride and a fused silica having a specific mean particle diameter.
常温で固形のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を必須成分として含有し、ビスフェノール型エポキシ樹脂と併用し、酸無水物及び特定の平均粒径の溶融シリカからなる注型用エポキシ樹脂組成物である。 - 特許庁 - To provide an amplifying type solid-state imaging device, capable of taking images with little reset noise and a high S/N ratio, as well as taking even an image having motion, without distortion.
動きのある被写体でも歪むことなく撮像することができると共に、リセットノイズが小さくてＳ／Ｎの良い画像を得ることができる増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To increase an A-D conversion processing speed and reduce power consumption while suppressing the increase of a circuit area, in a solid-state imaging apparatus employing a reference signal comparison type A-D conversion system.
参照信号比較型ＡＤ変換方式を採用する固体撮像装置において、回路面積の増大を抑えつつ、ＡＤ変換処理の高速化や消費電力低減を図る。 - 特許庁 - To provide a CMOS type solid-state semiconductor imaging apparatus and a manufacturing method thereof, in which airtight sealing using a metal seal is extremely easily carried out without reducing the manufacturing yield.
製造歩留りを低下させることなく、極めて容易に金属シールを用いた気密封止を行なうことができるＣＭＯＳ型固体撮像装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A solid-state laser medium 6 and an aerospace type etalon 7 are stuck to each other by an adhesive 8, and reflecting coatings 13 and 15 for a resonator mirror and an output mirror are made at both its end faces.
固体レーザ媒質６とエアロスペース型エタロン７とを接着剤８で貼り合わせ、その両端面に共振器ミラー及び出力ミラー用の反射コーティング１３、１５を形成する。 - 特許庁 - In a solid-state image pickup element, an overflow barrier layer 20 is formed on an n-type silicon substrate 10, which serves as the lower- layer substrate of the element and a high-resistance epitaxially grown layer 30, is formed on the barrier layer 20.
下層基板となるｎ型シリコン基板１０の上に、オーバーフローバリア層２０が形成されており、その上層に高抵抗エピタキシャル成長層３０が形成されている。 - 特許庁 - To disclose an overflow drain structure in an amplification type solid-state image pickup device which prevents variations in manufacturing process from substantially influencing transfer characteristics and overflow characteristics of signal charge.
増幅型固体撮像素子において、製造工程でのばらつきが信号電荷の転送特性、及びオーバーフロー特性に大きく影響しないオーバーフロードレイン構造を開示する。 - 特許庁 - A solid-state image pickup device has a first conductive type semiconductor well region and a plurality of pixels which are formed in the semiconductor well region and comprise photoelectric conversion sections PD and pixel transistors Tr1 to Tr4.
第１導電型の半導体ウェル領域と、半導体ウェル領域に形成された、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４から成る複数の画素を有する。 - 特許庁 - The amplification type solid-state imaging apparatus includes a semiconductor substrate 2, a first conductivity well region 3, a second conductivity photodiode, a read transistor, an amplifying transistor, and a reset transistor.
増幅型固体撮像装置は、半導体基板２と、第１導電型のウェル領域３と、第２導電型のフォトダイオードと、読み出しトランジスタ、増幅トランジスタ及びリセットトランジスタとを有する。 - 特許庁 - A potential slope where potential on the electric signal sequentially changes from a photodiode 2 to a gate electrode 3 is arranged in the CCD-type solid-state image pickup element (CCD) 1.
ＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）１において、フォトダイオード２からゲート電極３に向かって電気信号に関するポテンシャルが逐次に変化するポテンシャル勾配を設ける。 - 特許庁 - To provide an amplification type solid-state imaging apparatus capable of obtaining an image with high image quality and less noise wherein the pixel size can be downsized by decreasing the number of transistors per one pixel.
ノイズの少ない高画質の画像を得ることができると共に、１画素当たりのトランジスタ数を削減して画素サイズの小型化ができる増幅型固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - To obtain a solid state scanning type optical writing unit in which a streak noise occurring in the main scanning direction can be reduced or eliminated without causing increase of driving voltage or damage of image reproducibility.
駆動電圧の上昇や画像再現性を損なうことなく、主走査方向に発生する筋状のノイズを低減ないし解消できる固体走査型光書込み装置を得る。 - 特許庁 - To provide a projection type display device which uses plural solid- state light sources as illumination light sources, is high in light utilization efficiency, and makes it possible to obtain bright and high-grade projected videos.
複数の固体光源を照明光源として用い、光利用効率が高く、明るく高品位の投射映像が得られるようにした投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁 - The laser generation device has a slab type solid-state laser oscillation medium 1, a side rail 2 disposed in contact with both edge faces thereof in a widthwise direction, an optical resonator and an excitation LD.
レーザ発生装置は、スラブ型固体レーザ発振媒体１と、その幅方向の両端面部に接触して配置されるサイドレール２と、光共振器と、励起用ＬＤを備える。 - 特許庁 - To provide a MOS type color solid-state imaging device which is manufactured easily, and by which the area of the light-receiving section of the surface of a semiconductor substrate can be taken widely and the quality of the image is improved.
製造が容易で半導体基板表面の受光部面積を広くとることができ、撮像画像の高画質化を図れるＭＯＳ型カラー固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To prevent the secular reduction of the quantity of transmission light with a simple constitution in a solid-state scan type picture recorder using PLZT as an optical shutter means.
ＰＬＺＴを光シャッタ手段として用いた固体走査型の画像記録装置において、簡単な構成によって経時的な透過光量の低下を未然に防止すること。 - 特許庁
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