「solid-state type」を含む例文一覧(731)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 次へ＞- In a conventional CCD solid-state imaging device, the potential of an n-type impurity zone of a vertical charge transfer (charge transfer region) is pulled up at its both sides with round shapes, which becomes a cause of deterioration of a transfer characteristic.
従来のＣＣＤ固体撮像素子において、垂直電荷転送部（電荷転送領域）のｎ型不純物領域のポテンシャルは、隣接するｐ型不純物領域の影響によって両側が丸みを帯びた状態で引き上げられ、転送特性劣化の要因となる。 - 特許庁 - At least one vertical type filtration body 9 comprising a material formed by vertically combining hollow and flat plates 9A provided with a filter cloth in a multistage state, is dipped for setting in a biological reaction tank 6, and the biologically reacted solution in the biological reaction tank 6 is solid-liquid separated by the filtration body 9 by making use of water head difference.
濾布を設けた複数枚の中空平板９Ａを上下多段に組み合わせたものからなる少なくとも１つの縦型濾過体９を生物反応槽６内に浸漬配置し、濾過体９により水頭差を利用して、生物反応槽６内の生物反応液を固液分離する。 - 特許庁 - The melting part (1) comprises a screw (10) and a vertical type heating tube (2) which is composed of the first area part (2a) where the metallic material in the solid state is heated and the second area part (2b, 3) where a molten metallic material is stored and the heated metallic material is melted.
溶融部（１）は、縦型の加熱筒（２）と、スクリュ（１０）とからなり、加熱筒（２）は固体状の金属材料を加熱する第１の領域部（２ａ）と、溶融金属材料を貯え、加熱された金属材料を溶融する第２の領域部（２ｂ、３）とから構成する。 - 特許庁 - In other words, in a state in which the solid polymer type fuel cell 10 is connected to an external load, and that fuel is supplied to the fuel electrode 2, the process of supplying the air having oxygen utilization rate of 85% or more to the air electrode 1 for a prescribed period is included.
つまり、固体高分子形燃料電池１０が外部負荷に接続され、燃料電極２に燃料が供給されている状態において、所定の期間、酸素利用率が８５％以上である空気を空気電極１に供給する工程を含ませる。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device 1 is in a back incidence type, photoelectrically converts light from a body to be imaged entering the back S2 in the semiconductor substrate 10 inside the semiconductor substrate 10, and receives charge generated by the photoelectric conversion using the light reception section 14 for imaging the body to be imaged.
固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。 - 特許庁 - To provide a film laminate with the adhesive resin layer of which an organic EL element is sealed by a lamination process, namely, the top emission type organic EL element is sealed in a solid state, while keeping a uniform gap between them without mixing air bubbles in the gap and to provide a sealing material and methods for producing the film laminate and the sealing material.
上面発光型有機ＥＬ素子の固体封止において、接着性樹脂層をラミネート法にて、均一なギャップで、気泡の混入のなく有機ＥＬ素子を封止するためのフィルム積層体、封止材及びそれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The type solid state image sensor comprises a sealing glass 4 for securing a lead frame onto a base 2 arranged with photoelectric conversion elements, in line, along the main scanning direction, a window frame 6 on the sealing glass 4, and a transparent cover glass 7 on the window frame 6.
光電変換素子が主走査方向に沿ってライン状に配列されているベース２上に、リードフレームを固定するための封止ガラス４、封止ガラス４上のウインドフレーム６及びウインドフレーム６上の透明なカバーガラス７が積層されているサーディップ型固体撮像素子に関する。 - 特許庁 - To solve a problem that, in a CCD-type solid-state image sensor comprising a charge transfer device having a so-called overlay transfer electrode structure and a micro lens, the focal position of the micro lens gets away from a photoelectric conversion device accompanied by the high integration of the photoelectric conversion device and sensitivity is deteriorated.
いわゆる重ね合わせ転送電極構造を有する電荷転送素子とマイクロレンズとを備えたＣＣＤ型の固体撮像素子では、光電変換素子の高集積化に伴ってマイクロレンズの焦点位置が光電変換素子から遠のき、感度の低下をもたらす。 - 特許庁 - To provide a CCD-type solid-state imaging device capable of reducing noises, such as dark current and white lines caused by a vertical CCD, capable of stopping the deterioration of smears and decreasing an electric field in the vicinity of the outside of a side surface of a reading electrode, without causing complexity related to manufacturing.
製造上の煩雑さを伴うことなく、スミアを悪化させず、且つ、読出電極の側面外側の周辺部における電界を低下させ、暗電流および白線などの垂直ＣＣＤに起因するノイズの低減を図ることが可能なＣＣＤ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The solid state image sensor is configured as a rear surface irradiation type where photoelectric conversion takes place in the organic material layer 13, generated charges are moved through the semiconductor layer 12 and introduced to a charge storage region 26, and light hν impinges on a surface opposite from the surface where the pixel transistor is formed.
そして、有機物質層１３で光電変換が行われ、生成した電荷が半導体層１２内を移動して電荷蓄積領域２６へ導かれるように構成され、画素トランジスタが形成された面とは反対の面から光ｈνが入射される裏面照射型に構成される。 - 特許庁 - A signal from an image pickup means 1 provided with a solid state image pickup device and a color difference sequential type color filter array is supplied to a camera signal processing IC 100 through a front end circuit 2 and then supplied to a camera signal processing block 4 through the high speed continuous photographing contact (a) of a change-over switch 3.
固体撮像素子と色差順次方式の色フィルタアレイとが設けられた撮像手段１からの信号がフロントエンド回路２を通じてカメラ信号処理ＩＣ１００に供給され、切り換えスイッチ３の高速連写側接点ａを通じてカメラ信号処理ブロック４に供給される。 - 特許庁 - In a CCD-type single plate system color solid-state imaging element 10 where pixels 2 formed by stacking color filters R, G and B are arranged and formed on a light-receiving region, color filter arrangement is formed which can be read by executing pixel mixture, without thinning a plurality of pixels in which the same or different color filters are stacked.
カラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂが積層された画素２が受光領域に配列形成されたＣＣＤ型単板式カラー固体撮像素子１０において、同色または異色のカラーフィルタが積層された複数の画素を画素間引きせずに画素混合して読み出せるカラーフィルタ配列とする。 - 特許庁 - To realize a CCD solid-state image pickup element, which is of vertical overflow drain type and sensitive in a near-infrared region, where pixels are more lessened in size without deteriorating image pickup element in characteristics, a leakage current is prevented from generating at a scribe line, and a protective transistor is prevented from deteriorating in protective capacity.
縦型オーバーフロードレイン方式で近赤外線領域にも感度を有するＣＣＤ固体撮像素子において、特性を損なうことなく画素の微細化を図り、且つスクライブライン上でのリーク電流の発生阻止、保護トランジスタの保護能力の低下防止等を図る。 - 特許庁 - A CMOS solid-state imaging apparatus of a backside irradiation type has a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 each comprising a photoelectric conversion unit PD and a pixel transistor Tr are arrayed and light shielding films 39 formed on the pixel region 23, wherein each light shielding film 39 is grounded.
裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９とを有し、遮光膜３９が接地されている。 - 特許庁 - To provide a direct methanol type fuel battery system supplying methanol as gas, with the use of solid methanol extremely safe in a fuel cartridge state, and solving such problems as liquid leak, crossover, degradation of outputs in the case of use of liquid fuel as a system.
燃料カートリッジの状態では非常に安全である固体状メタノールを利用し、システムとしても液体燃料を使用する場合の液漏れ、クロスオーバー、出力低下等の問題を解決したメタノールを気体として供給する方式の直接メタノール形燃料電池システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a solid electrolyte type carbon dioxide sensor element for measuring highly accurately even when the operation temperature is lowered to a low temperature, for example, 200°C, with shortened response time, and causing no change of an electromotive force even when left for long hours in the non-heated state.
動作温度を例えば２００℃という低い温度に下げても高精度での計測が可能で、また応答時間が短縮され、さらにまた非加熱の状態で長時間放置されても起電力の変化を生じることがない固体電解質型炭酸ガスセンサ素子を提供する。 - 特許庁 - The apparatus has a frame 3 for fixing relative positions of a light source 1 and a CCD type solid-state image sensing device (CCD) 2, scans a surface to be inspected W_S of the substrate W while fixing the relative positions by using the frame 3, and inspects the existence of the foreign matter on the substrate W.
光源１とＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）２との相対的な位置を固定するフレーム３を備え、そのフレーム３によって上述した相対的な位置を固定しながら基板Ｗの検査面Ｗ_S上を走査して、基板Ｗ上の異物の有無を検査する。 - 特許庁 - The MOS type solid state imaging device comprises a dummy counter circuit 5 being driven by a horizontal select circuit driving pulse and beginning to operate upon receiving the final output from the horizontal select circuit 3, and a pulse generation circuit 6 for generating vertical select circuit driving pulse using the output from the dummy counter circuit 5.
水平選択回路駆動パルスによって駆動され水平選択回路部３の最終出力が入力となり動作し始めるダミーカウンタ回路５と、ダミーカウンタ回路５の出力を用いて垂直選択回路駆動パルスを生成するパルス生成回路６とを設ける。 - 特許庁 - To provide an inter-line transfer type solid-state imaging device, together with a method for manufacturing it, of wide dynamic range, high sensitivity, and low smear wherein the dispersion in signal-reading characteristics from a photo-electric conversion part to a charge transfer part is less while a dark current and white blemish occurring at the photoelectric transfer part is suppressed.
光電変換部から電荷転送部への信号読み出し特性のバラツキが少なく、光電変換部で発生する暗電流や白キズを抑制した、広ダイナミックレンジ、高感度、低スミアのインターライン転送型の固体撮像装置及びその製法を提供する。 - 特許庁 - To suppress the generation of faulty connection and improve a yield by surely connecting a capacitor element with an anode lead frame and a cathode lead frame, in a solid-state electrolytic capacitor equipped with the capacitor element, a flat sheet type anode lead frame and a cathode lead frame.
コンデンサ素子と平板状の陽極リードフレーム及び陰極リードフレームを具えた固体電解コンデンサにおいて、コンデンサ素子と該陽極リードフレーム及び陰極リードフレームが確実に接続されることにより、接続不良の発生を抑制し、歩留まりを向上させることを目的とする。 - 特許庁 - To provide a polymer electrolyte fuel cell advantageous for achieving further improvement in gaseous diffusion and drainage capability in the downstream region of a gaseous diffusion layer, a gaseous diffusion layer for the polymer electrolyte fuel cell, and a manufacturing method for a solid-state polymer electrolyte type gaseous diffusion layer thereof.
ガス拡散層の下流領域におけるガス拡散性や排水性の更なる向上を図るのに有利な固体高分子電解質形の燃料電池、固体高分子電解質形の燃料電池用のガス拡散層、固体高分子電解質形のガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the amplifying type solid-state image pick-up apparatus having a pixel array comprising a plurality of pixel portions arranged in a matrix, each of the pixel portions being subjected to a 3TR constitution, each reset drain wiring 702 is so disposed above the pixel array as to traverse the middle of the space between the respective pixel portions U0, U2 (single unit).
複数の画素部をマトリクス状に配列してなる画素アレイを備え、各画素部を３ＴＲ構成とした増幅型固体撮像装置において、該画素アレイ上でリセットドレイン配線７０２を、各画素部（単位ユニット）Ｕ０、Ｕ２の中央を横切るように配置した。 - 特許庁 - To prevent a picture displayed on a self light emitting type picture display board from being hardly viewable because of ambient brightness without increasing power consumption in a digital camera obtaining picture data expressing a subject image by forming the subject image on a solid-state image sensor.
固体撮像素子上に被写体像を結像させてその被写体像を表す画像データを得るディジタルカメラに関し、消費電力の増大を伴わずに、自発光式の画像表示板に表示された画像が、周囲の明るさによって見えにくくなることを防止する。 - 特許庁 - This image pickup device 1 is configured to drive an MOS type solid-state image pickup device 10 having a plurality of pixel cells for outputting signals corresponding to light receiving quantities, and each pixel cell is provided with a photo-diode and a charge holding part for holding a charge read from the photo-diode.
撮像装置１は、受光量に応じた信号を出力する複数の画素セルを有するＭＯＳ型固体撮像素子１０を駆動する撮像装置１であって、各画素セルは、フォトダイオードと、フォトダイオードから読み出された電荷を保持する電荷保持部とを有する。 - 特許庁 - The integration means integrates signal values outputted from pixels in an effective pixel region in a solid-state imaging device including color filters, for each of predetermined pixel columns disposed in a longitudinal direction of the effective pixel region and for each type of pixels determined according to an array method of color filters.
積算手段は、カラーフィルタを有する固体撮像素子における有効画素領域の画素が出力する信号値を、有効画素領域の縦方向に並んだ所定の画素列毎に、かつカラーフィルタの配列方法により定められた画素の種類毎に積算する。 - 特許庁 - A lead frame comprises a positive electrode terminal forming portion 21 and a negative electrode terminal forming portion 22 in which solder forming portions 24a and 24b are provided in such a manner that the solder forming portions cut across cut surfaces 23a and 23b exposed to the exterior side surfaces of the positive electrode side and the negative electrode side of a bottom-surface electrode type solid-state electrolytic capacitor.
下面電極型固体電解コンデンサの陽極側および陰極側の外側面に露出する切断面２３ａ，２３ｂを横切るように半田形成部２４ａ，２４ｂが設けられた陽極端子形成部２１および陰極端子形成部２２を備えたリードフレームである。 - 特許庁 - To provide a highly stable amplification type solid-state imaging apparatus in which a potential difference is sufficiently secured between signal voltage and reset voltage in transferring signal charges, and full transfer of the signal charges from a photoelectric conversion element to an FD part is easily performed in pixels of 3TR configuration.
３ＴＲ構成の画素にて、信号電荷の転送時に信号電圧とリセット電圧との間で電位差を十分確保でき、光電変換素子からＦＤ部への信号電荷の完全転送を容易にでき、かつ安定性のよい増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - In a threshold modulation type solid-state imaging element which has a transfer transistor having a transfer gate electrode 21 and a transistor for signal output having a ring-shaped gate electrode 15, the voltage of a drain region 18 of the transistor for signal output is made temporarily higher than a last value in a period wherein the transfer transistor is ON.
転送ゲート電極２１を有する転送トランジスタと、リング状ゲート電極１５を有する信号出力用トランジスタとを持つ閾値変調型固体撮像素子において、転送トランジスタがオン状態である期間に、信号出力用トランジスタのドレイン領域１８の電圧を一時的に直前の値よりも高くする。 - 特許庁 - To materialize a laser equipment for producing a coherent beam with a wavelength of about 488 nm, and for simultaneously producing two coherent beams with wavelengths of 488 nm and 515 nm by using a semiconductor laser as an induction source in a semiconductor laser pumped solid-state laser to do internal resonator-type sum frequency mixing.
半導体レーザ励起固体レーザにおいて、１個の半導体レーザを励起源として使用し、内部共振器型和周波混合をおこなうことにより波長が約４８８ｎｍのコヒーレント光を発生するレーザ装置や波長４８８ｎｍと波長５１５ｎｍの２つのコヒーレント光を同時に発生するレーザ装置を実現する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a naphthoquinone diazide type photosensitive agent, which reduces the amount of waste water produced and the process time, which has sufficient concentration of the solid content and which is stable for a long time in a solution state.
フェノール性水酸基を有する化合物をナフトキノンジアジドスルホニルハライドとエステル化してナフトキノンジアジド系感光剤を得るに際し、廃水の発生量を少なくし、工程時間を短くするとともに、充分な固形分濃度を有し、溶液状態で長期間安定な該ナフトキノンジアジド系感光剤を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁 - The chloride dioxide type sterilizing/deodorizing apparatus comprises a container 6 for containing a solid or gel state chlorine dioxide 5, a heater 7 for heating directly the chlorine dioxide 5 directly from the outside of the container 6, and a fan 2 for generating an air flow for carrying out the chlorine dioxide gas evaporated by heating the chlorine dioxide 5.
二酸化塩素式殺菌消臭装置は、固形またはゲル状の二酸化塩素５を収納する容器６と、この二酸化塩素５を容器６の外側から直接的に加熱するヒータ７と、二酸化塩素５の加熱によって蒸発した二酸化塩素ガスを運び去る空気流を発生するためのファン２とを備えている。 - 特許庁 - A method for driving imaging device is applied to a CCD-type solid-state imaging device in which vertical transfer parts 22 arranged along vertical rows of a plurality of light receiving devices arranged vertically and horizontally read charges accumulated in the adjacent light receiving devices 21, and transfer the read charge in the vertical direction.
垂直方向及び水平方向に複数配置した受光素子の垂直方向の列に沿って配置された垂直転送部２２で、隣接した受光素子２１に蓄積した電荷を読み出すと共に、その読み出した電荷を垂直方向に転送する垂直転送処理を行う撮像装置に適用される。 - 特許庁 - To obtain suppression of temperature drift due to the variation in element temperature and an offset distribution by voltage drop in the driving line, by carrying out a feedback of an output of a reference picture element, in a thermal type infrared solid-state imaging element, and to prevent decrease in the manufacturing yield and increase in cost, even if defective pixels are produced in reference pixels.
参照画素の出力をフィードバックすることにより、駆動線での電圧降下によるオフセット分布と、素子温度変動による温度ドリフトの抑制を実現する、熱型赤外線固体撮像素子において、参照画素に欠陥画素が生じても、製造歩留りの低下・コスト増大を引き起こさないようにする。 - 特許庁 - The optimum conditions in which a solid matter e is hardly produced in an object tower are found by properly changing the various aspects of the tray model, the heating degree of the liquid-phase part, the circulation quantity, the heating of the tray model 120, the cooling degree, the raw material liquid, the gas composition, the polymerization suppressing agent type, and the surface state of the tray.
トレイモデルの各種態様、及び液相部の加熱度合、循環量、トレイモデル１２０の加熱、冷却度合、原料液、気組成、重合抑制剤種、トレーの表面状態などを適宜の条件で行い、対象塔における、固形物ｅが生成されにくい、最適な条件を見い出す。 - 特許庁 - A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.
ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁 - To provide a solid electrolyte type carbon dioxide gas sensor element not almost generating a change in electromotive force even if allowed to stand for a long time in an unheated state within an atmosphere high in moisture content such as a high humidity or dewing atmosphere and shortened in the time from the start of operation to a time when electromotive force is stabilized.
高湿度や結露などのように、水分濃度の高い雰囲気中に非加熱の状態で長時間放置されても起電力の変化をほとんど生じることがなく、また、作動開始から起電力が安定化するまでの時間が短縮された固体電解質型炭酸ガスセンサ素子を提供する。 - 特許庁 - To provide an information provision system which realizes a user terminal having free curving property, low electric power consumption, and high visibility, and enables optical information communication between the user terminal by using an organic EL device which is a current type semiconductor light emitting material based on an organic solid state device and a solar cell.
有機固体素子に基づく電流型半導体発光材料である有機ＥＬ素子と太陽電池を利用することにより、湾曲自在性、低消費電力、高視認性を有するユーザ端末を実現し、このユーザ端末との間の光情報通信が可能になる情報提供システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pick-up device of a structure wherein transfer electrodes forming CCD type vertical charge transfer paths are mutually overlapped, and which can prevent generation of a dark signal output and reduction of an S/N ratio when each of photoelectric conversion elements is made of a buried photodiode.
ＣＣＤ型の垂直電荷転送路を構成する転送電極の各々が互いに重ね合わせ構造をなす固体撮像装置においては、光電変換素子の各々を埋め込み型のフォトダイオードで形成した場合でもなお暗時出力が発生し、Ｓ／Ｎ比低下の支配要因となっている。 - 特許庁 - A light-emitting part 71 of the solid-state light source 7A is composed of a light-emitting layer 712, a reflecting electrode layer 713 and a reflecting type polarized light layer 715, which is arranged on an opposite side of the reflection electrode layer 713 with the light-emitting layer 712 in-between and transmits a polarized light in one direction and reflects polarized lights in other directions.
固体光源７Ａの発光部７１を、発光層７１２と、反射電極層７１３と、発光層７１２を挟んで反射電極層７１３とは反対側に配置され、一方向の偏光光を透過し、かつ、他方向の偏光光を反射する反射型偏光層７１５とを含んで構成した。 - 特許庁 - The CCD-type solid-state imaging device of a honeycomb pixel array is so structured that a primary pixel line, with which an R pixel and a B pixel are abreast and a secondary pixel line adjacent to this, with which a G pixel is abreast share a primary vertical electric charge transmission path 2 adjacent to the primary pixel line and a secondary vertical electric charge transmission path adjacent to the secondary pixel line.
ハニカム画素配列のＣＣＤ型固体撮像素子において、Ｒ画素とＢ画素が並ぶ第１画素列と、これに隣接するＧ画素が並ぶ第２画素列とが、第１画素列に隣接する第１垂直電荷転送路２と第２画素列に隣接する第２垂直電荷転送路とを共用する構成とする。 - 特許庁 - In the collapsible mount type optical unit where a 2nd group lens frame 13 can move in an optical axis direction with respect to a fixed ring 15 and a rear lens barrel 17 and which is equipped with a solid-state image pickup element 24 behind the frame 13, the movable frame 13 is provided with the position detection means for detecting the position of the frame 13.
固定環１５及び後部鏡筒１７に対して２群レンズ枠１３が光軸方向に沿って移動可能であり、２群レンズ枠１３の背後に固体撮像素子２４を備えた沈胴式の光学ユニットにおいて、移動可能な２群レンズ枠１３に、２群レンズ枠１３の位置を検出する位置検出手段を設ける。 - 特許庁 - This capsule type medical device is provided with the optical units 4 and 7 for respectively image-forming the image of the inside of the object on the light receiving surfaces of solid-state imaging elements 5 and 8, and the illumination substrates 19a and 19f where the openings for inserting the respective lens frames 4d and 7d of the optical units 4 and 7 are respectively formed.
本発明にかかるカプセル型医療装置は、被検体内部の画像を固体撮像素子５，８の受光面にそれぞれ結像する光学ユニット４，７と、光学ユニット４，７の各レンズ枠４ｄ，７ｄを挿入する開口部がそれぞれ形成された照明基板１９ａ，１９ｆと、を備える。 - 特許庁 - This rear surface irradiation type solid-state imaging element 54 is provided with a semiconductor substrate 1 having an oxide film 2 of 1-50 nm in thickness on it rear surface; a light-receiving section 44 and a charge transfer section 46 formed on the front surface of the semiconductor substrate 1; and a color filter 19 and microlenses 22 formed on the oxide film 44.
本発明の裏面照射型固体撮像素子５４は、裏面に膜厚１〜５０ｎｍの酸化膜２を備えた半導体基板１と、半導体基板１の表面側に形成された受光部４４と電荷転送部４６と、酸化膜４４上に形成されたカラーフィルター１９とマイクロレンズ２２を備える。 - 特許庁 - This solid-state image sensor 1 has a rear surface irradiated type structure, and comprises the lenses 7 in the rear surface of a silicon layer 2 in which the light-receiving sensor section PD is formed, and an insulating layer 13, used as an alignment mark which, is embedded and formed in the silicon layer 2 in the periphery of an imaging region 20.
裏面照射型構造を有し、受光センサ部ＰＤが形成されたシリコン層２の裏面側にレンズ７を有し、撮像領域２０の周辺においてシリコン層２に位置合わせマークとして用いられる絶縁層１３が埋め込まれて形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - A cassette type radiation image solid-state detector includes: a flat housing which is irradiated with radiation; a detector unit which is incorporated in the housing and converts the radiation made incident through the housing into an electric signal; and a plurality of rechargeable batteries which are incorporated in the housing and for supplying power to the detector unit.
このカセッテ型放射線画像固体検出器には、放射線が照射される扁平状のハウジングと、ハウジングに内蔵されて、当該ハウジングを介して入射した放射線を電気信号に変換する検出器ユニットと、ハウジングに内蔵されて、検出器ユニットに給電するための複数の充電池とが設けられている。 - 特許庁 - A solid-state imaging device comprises: a pixel region 11 disposed on a semiconductor substrate 20; a first diffusion layer 21 of a first conductivity type that is provided in the semiconductor substrate and constitutes at least the pixel region; and a second diffusion layer 22 of a second conductivity type provided between the first diffusion layer and a dicing line in the semiconductor substrate so as to contact the first diffusion layer.
実施形態によれば、固体撮像装置は、半導体基板２０に配置される画素領域１１と、前記半導体基板中に設けられ少なくとも前記画素領域を構成する第１導電型の第１拡散層２１と、前記半導体基板中に前記第１拡散層と接して前記第１拡散層とダイシングラインとの間に設けられる第２導電型の第２拡散層２２とを具備する。 - 特許庁 - In the polycarboxylic acid type copolymer for the cement admixture containing a polyalkylene glycol ether side chain containing an unsaturated polyalkylene glycol ether type monomer unit (A) and an unsaturated polycarboxylic acid type monomer unit (B) as essential ingredients, viscosity at 20°C is more than 100 mPa s and less than 300 mPa s in the state of an aqueous solution having a solid content of 40 mass% and a pH of 7.0.
不飽和ポリアルキレングリコールエーテル系単量体単位（Ａ）と不飽和モノカルボン酸系単量体単位（Ｂ）とを必須とするセメント混和剤用ポリアルキレングリコールエーテル側鎖含有ポリカルボン酸系共重合体であって、上記セメント混和剤用ポリアルキレングリコールエーテル側鎖含有ポリカルボン酸系共重合体は、固形分４０質量％でｐＨ７．０の水溶液としたときの２０℃での粘度が１００ｍＰａ・ｓを超え、３００ｍＰａ・ｓ未満であるセメント混和剤用ポリアルキレングリコールエーテル側鎖含有ポリカルボン酸系共重合体。 - 特許庁 - The lamination-type gas sensor 20 comprises the ceramic heater 12, including ceramic bases 122 and 123, in which heating resistors are embedded and the plate-like element main body including the solid-state electrolyte layer 111 overlying this ceramic heater 12 and provided with a pair of electrodes at the tip, extending in the longitudinal direction.
積層型ガスセンサ素子２０は、セラミック基体１２２，１２３の内部に発熱抵抗体が埋設されたセラミックヒータ１２と、このセラミックヒータ１２に積層されるとともに、先端側に一対の電極を配設した検出部が形成された固体電解質層１１１とを含む素子本体であって、長手方向に延びる板状の素子本体を備える。 - 特許庁 - The array type chip for gene detection prevents mutual contamination between specimens, is highly integrated and has excellent operability and economic efficiency by making a reaction mixed phase for carrying out an enzymatic amplification reaction exhibit a liquid, a gel-like or a solid state in amplification and detection of a gene.
遺伝子の増幅・検出を行なう際、酵素的増幅反応を行う反応混合相を操作温度によって液状、ゲル状、又は固体状を呈するようにすることにより、検体間の相互汚染が防止され高集積化された、操作性及び経済性に優れたアレー型の遺伝子検出用チップを提供することが可能となる。 - 特許庁 - The Q-switch solid-state laser has a pumping light source 10 focused to a laser crystal 4 by a focusing optical system 12 and a pumping light source 1 in which each one laser crystal 4 and acousto-optic type switch 6 for Q switching and other frequency multiplication crystal by selection are arranged.
ポンピング光線１１が集束光学系１２によってレーザ結晶４に集束されるポンピング光源１０およびその内部にそれぞれ一つのレーザ結晶４およびＱスイッチングのための音響光学式スイッチ６が、そのほか選択により周波数増倍結晶が配置されているポンピング光源１０を持つＱスイッチ固体レーザ。 - 特許庁
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