「solid-state type」を含む例文一覧(731)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 次へ＞- To reduce the load of an imaging device inspection step and an imaging device application adjustment step to reduce the cost even when the number of kinds of driving modes of a CCD type solid-state imaging device is increased.
ＣＣＤ型固体撮像素子の駆動モードの種類数が増加した場合でも、撮像素子検査工程や撮像素子アプリケーションの調整工程の負荷を減らし、コスト低減を図る。 - 特許庁 - To provide an amplifying type solid-state image-pickup device which compensates for the effects of the dispersion of threshold voltage in an amplifying transistor in a pixel, even if it occurs, by accurately reads a signal from the pixel at high speed.
画素内増幅トランジスタのしきい値電圧がばらついても、その影響を補償し、画素から信号を正確かつ高速に読み出す増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - This bathing agent 1 is a solid type one and is obtained by embedding and installing an article such as a toy 3 or a premium in a state thereof exposed when dissolving a portion 2 of a layer of the bathing agent therein.
固形タイプの入浴剤であって、その中に入浴剤層分が溶解したときに露呈する状態でおもちゃ若くは景品等品物を埋込み設けたものである。 - 特許庁 - To provide a MOS-type solid-state image pickup device where the picture quality of a light receiving part can be made high and the performance of a peripheral circuit part can be improved concurrently with a simple process and constitution.
簡単な工程および構成により、受光部の高画質化と周辺回路部の性能向上とを両立させることのできるＭＯＳ型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The CCD type solid-state imaging device, which includes a light reception section for generating signal electric charges and a storage capacity section for storing and holding the signal electric charges, has an electronic shutter-adjusting layer formed.
信号電荷を生成する受光部と、信号電荷を蓄積保持する蓄積容量部とを有するＣＭＯＳ型の固体撮像装置において、電子シャッタ調整層を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a proton conductive film which is used for a solid state polymer-type fuel cell, suitable to the use for electrolytes, and has a superior proton conductivity and mechanical strength.
固体高分子型燃料電池に用いられる、電解質用途に好適な、優れたプロトン伝導性、機械的強度を有するプロトン伝導膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology for detecting the enzyme activities for various substrate molecules in a high efficiency by stably immobilizing a membrane-binding type cytochrome P450 in a state of holding an enzyme activity on a solid substrate plate.
固体基板上に膜結合型P450を酵素活性な状態で安定に固定化することで、多様な基質分子に対する酵素活性を高効率で検出する技術を提供する。 - 特許庁 - Within a resonator structure by an end surface 13a of a solid- state laser medium 13 and a mirror surface 14a of a resonator mirror 14, a Fabry-Perot type etalon 17 is inserted to convert an oscillation mode into a single transverse mode.
固体レーザー媒質13の端面13ａと共振器ミラー14のミラー面14ａとで構成される共振器内に、ファブリー・ペロー型のエタロン17を挿入して発振モードを単一縦モード化する。 - 特許庁 - To obtain a laser having a wavelength of 501 nm by internal resonator type sum-frequency mixing using one semiconductor laser as an excitation source in a semiconductor laser-excited solid-state laser.
半導体レーザ励起固体レーザにおいて１個の半導体レーザを励起源として使用し、内部共振器型和周波混合を行うことにより波長５０１ｎｍとなるレーザを実現する。 - 特許庁 - To provide a two-CCD type color solid-state imaging apparatus having a small size at a low cost capable of imaging an image with high image quality, high sensitivity, and high resolution, while suppressing the occurrence of false signal or false color.
偽信号や偽色の発生を抑制した高画質，高感度，高解像度の画像を撮像することができる小型，低コストの２板式カラー固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To provide an all-pixel reading out type solid-state imaging device which can be improved in sensitivity and charge handling capability, to provide a method of manufacturing the same, and to provide a camera.
全画素読み出し型であって、感度の向上および取り扱い電荷量の向上を図ることができる固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラを提供する。 - 特許庁 - The color solid-state imaging device comprises a plurality of first type and second type pixels arranged in two-dimensional array on the surface of a semiconductor substrate wherein each pixel outputs two different signals independently, and spectral sensitivity (Fig. 3(a)) of the first type pixel is different from spectral sensitivity (Fig. 3(b)) of the second type pixel.
半導体基板の表面に複数の第１種及び第２種の画素が二次元アレイ状に配列形成され、各画素が夫々２つの異なる信号を独立に出力するカラー固体撮像装置であって、第１種の画素の分光感度（図３（ａ））と、第２種の画素の分光感度（図３（ｂ））とが、異なる分光感度である。 - 特許庁 - A second conductive type semiconductor region 21 is buried in a part of the inside of a sensor 11 composed of a first conductive type semiconductor region 4, and a joining capacity is formed by the second conductive type semiconductor region 21 and the first conductive type semiconductor region 4 to constitute the solid-state imaging device.
第１導電型の半導体領域４から成るセンサ部１１の内部の一部に、第２導電型の半導体領域２１が埋め込まれて形成され、この第２導電型の半導体領域２１と第１導電型の半導体領域４とにより接合容量が形成されている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - An electron endoscope 42 includes a CCD type solid-state imaging element 42, which periodically performs resetting operation for destroying signal charge after charge-voltage conversion, built therein and a processor 11 receives the output signal Vout from the solid-state imaging element 42 through the signal line 48d to form an image.
電子内視鏡４２は、電荷電圧変換後の信号電荷を破棄するリセット動作を周期的に行うＣＣＤ型の固体撮像素子４２を内蔵しており、プロセッサ装置１１は、信号線４８ｄを介して固体撮像素子４２からの出力信号Ｖｏｕｔを受信して画像を生成する。 - 特許庁 - A solid-state imaging apparatus includes a photodiode 15 composed of: the N-type region 13 formed on a semiconductor substrate 11; a first silicon carbide layer 21 formed on the N-type region 13; and P-type region 14 with a silicon layer 22 formed on the silicon carbide layer 21.
半導体基板１１に形成されたＮ型領域１３と、前記Ｎ型領域１３上に形成された第１炭化シリコン層２１と、前記炭化シリコン層２１上に形成されたシリコン層２２からなるＰ型領域１４とで構成されたフォトダイオード１５を有する。 - 特許庁 - The pixel of the amplification type solid-state imaging device has a first conductivity-type charge storage region for storing signal charge, a second conductivity-type semiconductor region adjacent to at least the back side of a semiconductor substrate out of the outer periphery of the charge storage region, and an amplifier.
本発明の増幅型固体撮像素子の画素は、信号電荷を蓄積する第１導電型の電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域の外周の内、少なくとも半導体基板の裏面側に隣接する第２導電型の半導体領域と、増幅部とを有する。 - 特許庁 - In the solid-state image pickup device, for which an n-type photoelectric conversion region 303, is formed inside a p^--type well region 302, a light-shielding film 315 and a transparent conductive film 321 are formed via a second interlayer insulation film 314 on the n-type photoelectric conversion region 303.
Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁 - In a solid-state imaging device in which an N-type photoelectric conversion region 303 is formed in a P^-type well region 302, a light-blocking film 315 and a transparent conductive film 321 are formed on the N-type photoelectric conversion region 303 through a second interlayer insulation film 314.
Ｐ^-型ウェル領域３０２内にＮ型光電変換領域３０３が形成された固体撮像装置において、Ｎ型光電変換領域３０３上に第２層間絶縁膜３１４を介して遮光膜３１５および透明導電膜３２１を形成する。 - 特許庁 - The hot-melt type adhesive composition is obtained by dispersing a modified propylene-based polymer in a granular solid state obtained by subjecting 0.1-10 wt.% unsaturated carboxylic acid or acid anhydride thereof to graft copolymerization, in a hydrocarbon-based solvent so that the solid concentration may be 5-40 wt.%.
0.1〜10重量％の不飽和カルボン酸またはその酸無水物をグラフト共重合させた変性プロピレン系重合体を、固形分濃度5〜40重量％の粒子状固体状態で炭化水素系溶剤中に分散させた熱融着型接着剤組成物。 - 特許庁 - A controller 20 reads camera information from the DPOF file to discriminate whether the solid-state image pickup element of the digital camera 22 is of a honeycomb type or a Bayer type, selects a corresponding filtering coefficient from a coefficient memory 16 and gives the selected coefficient to an image processing section 17.
コントローラ２０は、ＤＰＯＦファイルからカメラ情報を読み出してデジタルカメラ２２の固体撮像素子がハニカム型かベイヤー型かを判別し、対応するフィルタリング係数を係数メモリ１６から選択して画像処理部１７に送る。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device having a substrate structure in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.
第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.
第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a rear surface irradiation type solid-state image pickup device 1, a multilayer interconnection layer 13, a semiconductor substrate 20, a plurality of color filters 32, and a plurality of microlenses 33 are provided on a supporting substrate 11 in this order.
裏面照射型の固体撮像装置１において、支持基板１１上に多層配線層１３、半導体基板２０、複数のカラーフィルタ３２、複数のマイクロレンズ３３をこの順に設ける。 - 特許庁 - To provide an amplification type solid-state imaging apparatus whereby an image with less noise and high image quality can be obtained and a pixel size can be reduced by considerably reducing the number of transistors per pixel and to provide a driving method thereof.
ノイズの少ない高画質の画像が得られ、１画素当たりのトランジスタ数を大幅に削減して画素サイズの小型化ができる増幅型固体撮像装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁 - The extension type imaging element 10, in which a plurality of solid-state imaging elements 12, 14, 16 and 18 each having a vertical transfer passage are connected comprises two horizontal transfer passages 24, 26 having a substantially point symmetrical relation.
垂直転送路を有する複数の固体撮像素子12、14、16、18がつなぎ合わされた拡張型撮像素子10は、実質的に点対称な位置関係にある２つの水平転送路24、26を含む。 - 特許庁 - To provide an amplification type solid state imaging device in which both reset noise and after-image can be reduced through a simple arrangement, and linearity of an output signal can be sustained for an incident light signal.
簡単な構成でリセットノイズと残像の両方を低減すると共に、入射光信号に対する出力信号の直線性を保持できる増幅型固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - In a backside illumination type solid state image sensor, an alignment mark (a polysilicon layer 9 of a predetermined shape) is formed on the surface of a substrate with reference to an alignment mark identical to that for a light-receiving sensor 4.
裏面照射タイプにおいて、受光センサ４に対するアライメントマークと同一のアライメントマークを基準として基板表面に位置合わせ用マーク（所定形状のポリシリコン層９）形成する。 - 特許庁 - The EL sheet 41 emits surface light and irradiates the rear face 11b (optical incident face of the back irradiating type solid-state imaging device) of the semiconductor wafer 11 passing through the vacuum chuck 40.
ＥＬシート４１は、面発光を行い、検査光を、真空チャック４０を透過させて半導体ウエハ１１の裏面１１ｂ（裏面照射型固体撮像素子の光入射面）に照射する。 - 特許庁 - To provide a projection type display apparatus which eliminates the need for the adjustment of optical axes during the replacement of a plurality of solid state light sources, and projects videos at a level where the proper brightness of the plurality of light sources is maintained.
複数の固体光源の交換時において、光軸の調整を不要にし、かつ、複数の光源本来の明るさを維持するレベルで映像の投影が可能な投写型表示装置を得る。 - 特許庁 - To provide a radiation sensitive resin composition having high transparency to radiation, having excellent basic solid state properties as a resist such as sensitivity, resolution and pattern shape, and being useful as a chemical amplification type resist.
放射線に対する透明性が高く、感度、解像度、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁 - To suppress a problem concerned with the adhesion of foreign substances to a light receiving area of a solid imaging device in a lens replacement type digital camera in a state that there is no restriction to camera mechanisms and mounting lenses.
カメラ機構の制限や装着レンズの制限などがない状態で、レンズ交換式のデジタルカメラにおける固体撮像素子の受光領域における異物付着の問題が、抑制できるようにする。 - 特許庁 - This discharge type laser device is excited and oscillated by a circuit constituted of electronic components, such as, a transformer for stepping up pulse power output, a solid-state switch (semiconductor element) and a capacitor.
本発明は、パルス電源出力を昇圧するためのトランスと固体スイッチ（半導体素子）とコンデンサ、など電子部品で構成された回路によって励起発振する放電型レーザー装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup device capable of correcting an output value of a time-axis measurement type A/D converter (TAD) even when a plurality of circuits for outputting different reference voltages are not mounted.
異なる基準電圧を出力する複数の回路を搭載しない場合でも、時間軸計測型Ａ／Ｄ変換器（ＴＡＤ）の出力値を補正することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - This continuous casting method is drawn up to over 1/4 circle to 3/4 circle till solidifying the core part in a curving type continuous casting, and drawn out, and a hollow cast slab is formed and rolled down to fully make the solid-state.
該連続鋳造方法は湾曲式の連続鋳造において芯部が凝固するまでに１／４円を超え３／４周まで引き上げて引く抜き、中空鋳片を形成し、圧下して中実とする。 - 特許庁 - To provide a sampling circuit not affected by the unevenness of a capacity between an input and an output of an amplifying means, and an amplification type solid state image sensor having an extremely small occurrence of a fixed pattern noise and high performance.
増幅手段の入出力間容量のばらつきの影響を受けないサンプリング回路および固定パターンノイズの発生が極めて少ない高性能な増幅型固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - The high sensitivity thermal type infrared solid state image sensing device is provided with: an infrared absorption section which absorbs infrared rays and changes them into heat; and a temperature detecting section which detects the change of the temperature of the infrared absorption section using two or more thermal resistors.
赤外線を吸収し、熱に変換する赤外線吸収部と、赤外線吸収部の温度の変化を、複数の感熱抵抗体を用いて検出する温度検出部とを備える。 - 特許庁 - To provide a controller which is used in a solid cylinder type steamed leaf treatment machine, can control the condition of hot air in response to the supply state of steamed leaves supplied in the fixed cylinder and can prevent the upper dryness of the steamed leaves.
固定胴内に供給される蒸葉の供給状態に応じて熱風の条件を制御することができ、蒸葉の上乾きを防止し得る固定胴式蒸葉処理機の制御装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a back surface irradiation type solid-state imaging elementse by which a gettering sink can easily be formed in a short period of time without any risk of causing the contamination of heavy metal when forming the gettering sink.
ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない裏面照射型固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an amplification type solid-state imaging device capable of completely transferring signal electric charges from a photodiode to an electric charge detection section, so as to be capable of obtaining an image with high image quality wherein noise and after-image are less.
フォトダイオードから電荷検出部へ信号電荷を完全に転送することができて、ノイズや残像の少ない高画質の画像を得ることができる増幅型固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁 - An image pickup device 1 includes a CCD type solid-state image pickup element 11, a CDS and A/D conversion circuit 12, a matrix circuit 13, a white balance circuit 14 and a CPU 15.
撮像装置１は、ＣＣＤ型固体撮像素子と呼ぶ）１１と、ＣＤＳ及びＡ／Ｄ変換回路１２と、マトリクス回路１３と、ホワイトバランス回路１４と、ＣＰＵ１５とを含んで構成されている。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus mounted on an imaging device, such as digital camera, a ramp-type column A/D conversion circuit 106 for performing A/D conversion of a pixel signal is provided to each pixel column or to each of a plurality of pixel columns.
デジタルカメラ等の撮像装置に搭載される固体撮像装置において、１または複数の画素列ごとに、画素信号をＡ／Ｄ変換するランプ型カラムＡ／Ｄ変換回路１０６を設ける。 - 特許庁 - To suppress characteristic degradation resulting from displacement of an implantation mask in manufacturing steps, such as an increased number of white spots, an increased number of residual image electrons, and a reduced number of saturated electrons, in a MOS-type solid-state imaging device.
ＭＯＳ型固体撮像装置において、製造工程での注入マスクずれによる白キズの増加、残像電子数の増加及び飽和電子数の減少等の特性劣化を抑制する。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging apparatus for automatic focus of a phase difference detection type which achieves the speeding-up of read from two imaging areas and enhances the relative accuracy of an output circuit in a semiconductor processing stage.
２つの撮像領域の読み出しを高速化し、かつ半導体プロセス工程において出力回路の相対精度を上げる位相差検出型のオートフォーカス用固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To perform simultaneous processing of a multiplication/addition operation processing and AD conversion while suppressing an increase in area of a counter circuit in a solid-state imaging apparatus for adopting a reference signal comparison type AD conversion system.
参照信号比較型ＡＤ変換方式を採用する固体撮像装置において、カウンタ回路の面積増大を抑えつつ、積和演算処理とＡＤ変換の同時処理を実現する。 - 特許庁 - When manufacturing a solid-state image pickup element having a vertical type overflow drain structure, ions are implanted on the entire surface of a silicon substrate 1 without using a resist mask to form an overflow barrier layer 11.
縦型オーバーフロードレイン構造を有する固体撮像素子を製造するにあたり、レジストマスクを用いることなくシリコン基板１全面にイオン注入を行い、オーバーフローバリア層１１を形成する。 - 特許庁 - The solid high polymer molecule type fuel cell 1 run in a state of no humidifying, is equipped with an electrolyte film 2 which has a high polymer molecule ion exchange component, and electrodes 3, 4 which sandwich the electrolyte film 2.
固体高分子型燃料電池１は無加湿状態で運転されるもので，高分子イオン交換成分を有する電解質膜２と，その電解質膜２を挟む一対の電極３，４とを備える。 - 特許庁 - To prevent the degradation in a transmitted light quantity as much as possible at the time of continuous driving or in case of the occurrence of a temp. change with an optical shutter device of a solid-state scanning type using PLZTs as optical shutter means.
ＰＬＺＴを光シャッタ手段として用いた固体走査型の光シャッタ装置において、連続駆動時あるいは温度変化が生じた場合、透過光量の低下を極力防止すること。 - 特許庁 - To obtain an emulsion type solid cosmetic capable of suppressing increase of hardness under a low temperature or with time and having good formulation and having low irritation property to skin in the emulsion type solid cosmetic containing monoester of sucrose with ≥16C straight-chain saturated fatty acid, a glyceryl monoester of ≥16 straight-chain saturated fatty acid and oily substance exhibiting solid-like state at a normal temperature.
ショ糖と炭素数が１６以上の直鎖飽和脂肪酸とのモノエステル、炭素数が１６以上の直鎖飽和脂肪酸のグリセリルモノエステル、及び常温で固形状を呈する油性物質を含有して成る乳化型固形化粧料における低温下又は経時における硬度上昇を抑制し、製剤安定性が良好で、しかも皮膚に対し低刺激性である乳化型の固形化粧料を得る。 - 特許庁 - The solid-stage image pickup device 2 is in a wave level chip size package type, where the periphery of a solid-state image pickup element 6 formed on the upper surface of a semiconductor substrate 3 is surrounded by a spacer 4 for sealing by cover glass 5, and a number of connection terminals 7 are provided on the semiconductor substrate 3.
固体撮像装置２は、半導体基板３の上面に形成された固体撮像素子６の周囲をスペーサー４で取り囲み、カバーガラス５で封止したウエハレベルチップサイズパッケージタイプであり、半導体基板３の上に多数の接続端子７が設けられている。 - 特許庁 - In the water-cooled electromagnetic rheologic fluid control type combination fan drive unit and water pump used in a cooling system, a magnetic field is introduced into a working chamber between a drive ring and a driven ring, the state of the fluid is changed from a freely flowing state to a semi-solid state to increase the viscosity of the fluid.
冷却装置内で使用される水冷型の電磁レオロジー流体制御式組み合わせファン駆動装置及び水ポンプで、駆動リングと被駆動リングとの間で作用チャンバ内に磁界を導入すると、流体の状態を自由に流動する液体から半固体状態に変化させ、流体の粘度を増す。 - 特許庁
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