「solid-state type」を含む例文一覧(731)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15- The Nb solid solution of a high melting point metal with a body-centered cubic lattice structure and a B2 type intermetallic compound TiNi are mixed in an optional ratio, and the mixed compound is melted and cast to form a multiphase structure in which an Nb phase serving as a superconducting phase and a TiNi phase serving as a non-superconducting phase are alternately arranged in a layer state.
体心立方格子構造を有する高融点金属のＮｂ固溶体とＢ２型金属間化合物ＴｉＮｉとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるＮｂ相と常伝導相となるＴｉＮｉ相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。 - 特許庁 - In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.
ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁 - The thermal-type infrared solid-state imaging device 10 is equipped with a substrate 11 which has transistors, an insulating film 12 coating the substrate 11, a dead space 13 bored in the insulating film 12, and a heat detector 16 demarcated in a membrane section 14 above the dead space 13 in the insulating film 12 for infrared detection, along with the transistors.
熱型赤外線固体撮像装置１０は、トランジスタが形成された基板１１と、基板１１上に形成された絶縁膜１２と、絶縁膜１２中に形成された空隙１３と、絶縁膜１２における空隙１３の上側のメンブレン部１４に形成され且つトランジスタと共に赤外線検出を行なうための熱検出部１６とを備える。 - 特許庁 - This method for producing the ink jet recording colorant aqueous dispersion comprises centrifugally separating a dispersion comprising a colorant selected from a pigment and a hydrophobic dye, a salt-producing group-having water-insoluble polymer, and water into a liquid fraction and a solid fraction with a hole-free basket type centrifugal separator, and then taking out the liquid fraction in a substantially non-bubbled state.
顔料及び疎水性染料から選ばれた着色剤、塩生成基を有する水不溶性ポリマー、及び水を含有する分散体を、無孔バスケット型遠心分離機を用いて液分と固形分とに遠心分離した後、実質的に泡立ちのない状態で前記液分を取り出すインクジェット記録用着色剤水分散体の製造法。 - 特許庁 - To provide a color solid state imaging device of an XY address type for which color filters are Bayer-arrayed, in which G pixel signals based on the G pixel signal charges of respective rows are outputted from the same output circuit, and which is capable of easily rearranging pixel signals outputted from a multiplexer according to Bayer array at a low cost.
色フィルタをベイヤー配列したＸＹアドレス型のカラー固体撮像装置にして各行のＧ画素信号電荷に基づくＧ画素信号が同じ出力回路から出力される固体撮像装置であって、マクチプレクサから出力される画素信号を、簡単安価にベイヤー配列に従って並べ変えることができるカラー固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - An insulating resin film 21, consisting of a resin composition exhibiting solid state at normal temperatures and thermofusible; and a sheet-type reinforcing material 31 consisting of one of glass cloth, aramid nonwoven fabrics, and liquid crystal polymer nonwoven fabrics; are laminated on both sides of a core board 50 to apply smoothing treatment by a plate press machine to form insulating layers 46 on both sides of the core board 50.
コア基板５０の両面に常温固形で熱溶融可能な樹脂組成物からなる絶縁樹脂フィルム２１及びガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布のいずれかからなるシート状補強材３１を積層し、平板プレス機により平滑化処理を行って、コア基板５０の両面に絶縁層４６を形成する。 - 特許庁 - The method includes: a step S2 of depositing a perovskite-type oxide precursor at least a part of which is in an amorphous state on a seed single crystal substrate to form a complex of the seed single crystal and the precursor; and a step S3 of heat-treating the complex to induce solid epitaxy in the precursor to obtain an oxide single crystal.
種子単結晶基板上に、少なくとも一部がアモルファス状態であるペロブスカイト型酸化物の前駆体を堆積させて種子単結晶と前駆体の複合体を形成する工程Ｓ２と、複合体を熱処理することにより前駆体に固相エピタキシーを生じさせて酸化物単結晶とする工程Ｓ３とを具備する。 - 特許庁 - A gate voltage of a reset means is prevented from swinging in a plus direction at the same time as usual thanks to a coupling capacity between the VDD power supply side and a gate of the reset means by extending a term to change the voltage of the VDD power supply from a low level to a high level in the MOS type solid state imaging apparatus.
ＭＯＳ型の固体撮像装置において、ＶＤＤ電源の電圧をＬｏｗレベルからＨｉｇｈレベルにする期間を長くすることで、ＶＤＤ電源側とリセット手段のゲートとの間のカップリング容量のために、従来のようにリセット手段のゲート電圧が同時にプラスの方向に振られてしまうことがなくなる。 - 特許庁 - The TEM sample having a length l and a width b is cut out from a solid state material, a flowable type curable adhesive is applied onto a surface 7 of a sample surface side, and fibers 2 of a diameter d are thereby aligned along a longitudinal direction of the sample on the sample surface 7, so as to be fixed in the substantially center as to the width b.
固相状態の材料から長さ（ｌ）および幅（ｂ）のＴＥＭ試料を切出し、この試料表側の表面（７）に対して流動タイプの硬化性接着剤を塗布することにより、直径（ｄ）の繊維（２）を、試料表面（７）上において、試料の長手方向で整列して、幅（ｂ）について実質的に中心に固定する。 - 特許庁 - A CCD type solid-state image pickup device incorporates at least voltage generating circuits (11-17) for obtaining a plurality of or a single trigger pulse and two kinds of positive and negative power supplies from the outside to drive a vertical CCD, a horizontal CCD, a reset transistor and an output circuit using a predetermined pulse voltage and a DC voltage by inputting the trigger pulse.
ＣＣＤ型固体撮像素子において、外部から複数個のまたは単一のトリガパルスと正、負の２電源の供給を得て、垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤ、リセットトランジスタおよび出力回路をトリガパルスの入力により所定のパルス電圧および直流電圧により駆動する電圧発生回路（１１〜１７）を少なくとも内蔵することとする。 - 特許庁 - The solid-state electrolytic capacitor is manufactured by forming a dielectric oxide film on a surface of a flat plate type anode body having the pore, forming a thin film layer of a conductive polymer into the pore by chemical oxidation polymerization to ≤8% of the pore volume, and then laminating a conductive polymer layer thereupon by electrolytic polymerization.
細孔を有する平板状の陽極体表面に誘電体酸化皮膜を形成し、この細孔内に、当該細孔容積の８％以下となるよう化学酸化重合による導電性高分子の薄膜層を形成し、次いで、その上に、電解重合による導電性高分子層を積層する固体電解コンデンサを作製する。 - 特許庁 - Thus, the high-optical-performance imaging lens having a retrofocus type constitution comprising three lenses having positive refractive power and two lenses having negative refractive power, realizing the reduction of cost, capable of securing an appropriate back focus, restraining an emitting angle to be small, having a wide angle of view and made bright and capable of coping with the high-density solid-state image pickup element.
これにより、正の屈折力をもつ３枚のレンズと負の屈折力をもつ２枚のレンズとからなるレトロフォーカスタイプの構成であり、コストを低減でき、適切なバックフォーカスを確保でき、射出角度を小さく抑えた、広画角で明るく、高密度の固体撮像素子にも対応できる光学性能の高い撮像レンズが得られる。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a period when both exposure adjustments by a diaphragm and by gain control are not performed when performing automatic exposure adjustment by using both exposure adjustment by the diaphragm and exposure adjustment by the gain control of an electron multiplication type solid-state imaging device.
この発明は、絞りによる露光調整と電子増倍型固体撮像素子のゲイン制御による露光調整とを併用して自動露光調整を行なう際、絞り及びゲイン制御による露光調整が共に行なわれなくなる期間が発生することを防止し得るカメラの露出制御装置及び露出制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus which comprises imaging areas of a standard part and a reference part where a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element are arrayed respectively and performs phase difference detection type automatic focus, signals output from the standard part and the reference part are output to output circuits of individual channels, which are arranged adjacently to each other.
光電変換素子を有する画素がそれぞれ複数配列された基準部と参照部の撮像領域から成り、位相差検出型オートフォーカスを行う固体撮像装置において、前記基準部と参照部から出力される信号を個別のチャンネルの出力回路に出力し、前記各出力回路は、互いに隣接して配置される。 - 特許庁 - In an amplification type solid-state image pickup device, the timing (time a') of generation and sending of a reset signal RSi for electronic shutter operation is shifted from a conventional timing (time (a)) so that the impression timing of the reset signal RSi for electronic shutter operation may not overlap the period when a pixel row is selected for read operation (period when SLn is in the high level).
増幅型固体撮像装置において、電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iを生成・送出するタイミング（時刻ａ’）を従来のタイミング（時刻ａ）からずらし、それによって電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iの印加タイミングを読み出し動作のために画素行を選択する期間（ＳＬ_nが「Ｈｉｇｈ」の期間）とは重複しないようにする。 - 特許庁 - This invention relates to a back irradiation type CMOS solid-state imaging apparatus, which has a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 each composed of a photoelectric conversion portion PD and a pixel transistor Tr are arrayed, a light shield film 39 formed in the pixel region 23, and an antireflective film 36 on a light reception portion side as compared with the light shield film 39, the antireflective film 36 having a hafnium oxide film 38.
本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９より受光部側にある反射防止膜３６とを有し、反射防止膜３６がハフニウム酸化膜３８を有している。 - 特許庁 - A method of driving a CCD type solid-state imaging device equipped with a plurality of successive transfer electrodes constituting a charge transfer path is characterized in that concurrently with the application of the readout voltage to a transfer electrode V1 serving also as the readout electrode among the transfer electrodes, a voltage having the opposite polarity from the readout voltage is applied to a transfer electrode V3 away from the readout electrode V1.
電荷転送路を構成する複数の連続する転送電極を備えるＣＣＤ型固体撮像素子の駆動方法において、転送電極のうちの読出電極を兼用する転送電極Ｖ１に読出電圧が印加されるとき、同時に、転送電極のうちの読出電極Ｖ１から離れている転送電極Ｖ３に読出電圧に対し逆極性となる電圧を印加する。 - 特許庁 - With a sufficient received light quantity obtained even at a low sensitivity by possibly increasing the area of a photo diode 101, a power source SVDD for a reset MOS transistor 102, and a source-follower amplifier 104 changes according to the ISO sensitivity to possibly hold a linearity of the received light quantity of an amplification type solid-state imaging device to the output signal level.
フォトダイオード１０１の面積を可及的に大きくして低感度でも十分な受光量を得ることができるようにしつつ、リセットＭＯＳトランジスタ１０２とソースフォロアアンプ１０４の電源ＳＶＤＤを、ＩＳＯ感度に合わせて変更するようにして、増幅型固体撮像素子の受光量と出力信号レベルとのリニアリティを可及的に保つことができるようにする。 - 特許庁 - To provide a reflection and refraction type macro projection optical system which shortens the overall length from a light beam incidence part to an image plane position, is inexpensive and easy to assemble, and can form high resolution with wide image size as a macro projection optical system which projects an image of a body on a photosensitive body such as a solid-state image pickup element and a film with high magnification of the image.
物体の像を高像倍率にて固体撮像素子、フィルム等の感光体に投影するマクロ投影光学系において、光線入射部より像面位置までの全長を短縮し、加えて安価で組立も容易であり、且つ広い像サイズで高解像度を形成できる反射屈折型マクロ投影光学系を提供することを目的としている。 - 特許庁 - To provide a ceramic sheet and its manufacturing method less prone to generate a crack and break in receiving a big lamination load and heat stress, targeting the ceramic sheet receiving a big lamination load and heat stress in a state laminating multiple layers such as an electrolytic membrane or an electrode sheet for a planner solid electrolyte type fuel cell, and capable of certainly realizing a precision electrode printing.
平板状固体電解質型燃料電池用の電解質膜や電極シートの如く、多数枚を積層した状態で大きな積層荷重や熱ストレスを受ける様なセラミックシートを対象として、大きな積層荷重や熱ストレスを受けたときでも、クラックや割れを生じ難く、しかも高精度の電極印刷を確実に実現できるセラミックシートとその製法を提供すること。 - 特許庁 - This solid-state image pickup device is an interline transfer type CCD image sensor of a progressive scan system having a four-phase driven vertical register, is provided with photodiodes 1, transfer gates 2, a vertical register 3, a horizontal register 4, a control gate 5 and a drain 6, and the drain 6 discharging unnecessary charge and the control gate 5 controlling discharge are provided adjacently to the register 4.
本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。 - 特許庁 - A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.
密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションＭＯＳトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントＭＯＳトランジスタとを有し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁 - To provide a ceramic sheet and its manufacturing method hard to generate a crack and break even when receiving a big lamination load and the heat stress, targeting the ceramic sheet receiving the big lamination load and heat stress in a state laminating multiple layers such as an electrolytic membrane or an electrode sheet for a tabular solid electrolyte type fuel cell, and also capable of certainly realizing a precision electrode printing.
平板状固体電解質型燃料電池用の電解質膜や電極シートの如く、多数枚を積層した状態で大きな積層荷重や熱ストレスを受ける様なセラミックシートを対象として、大きな積層荷重や熱ストレスを受けたときでも、クラックや割れを生じ難く、しかも高精度の電極印刷を確実に実現できるセラミックシートとその製法を提供すること。 - 特許庁 - A gadolinium-yttrium-oxyborate single crystal being a rare earth-calcium-oxyborate-based crystal can be grown by pulverizing boron oxide under an atmosphere of reduced humidity for 24 h using a ball mill, then adding a rare earth oxide and calcium carbonate, mixing the obtained mixture for 84 h for subjecting it to solid state reaction and heating/melting the reaction product by a high frequency induction heating-type Czochralski method.
湿度を低減した雰囲気でボールミルを用いて酸化硼素を２４時間粉砕後、希土類酸化物及び炭酸カルシウムを加え、８４時間混合して固相反応させた材料を高周波誘導加熱型チョクラルスキー法により加熱溶融することで、希土類・カルシウム・オキシボレート系結晶であるガドリニウム・イットリウム・オキシボレート単結晶を育成することができる。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.
シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.
固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁 - To provide a porous ceramic thin plate efficiently used as a spacer or the like for obtaining a ceramic sheet having excellent surface smoothness by suppressing wave or dimple caused by the shrinkage in degreasing and firing when the ceramic sheet such as an electrolyte membrane for a flat solid electrolyte type fuel cell which suffers large lamination load or thermal stress in a state that many ceramic sheets are laminated is manufactured by firing a green sheet.
平板状固体電解質型燃料電池用の電解質膜の如く、多数枚を積層した状態で大きな積層荷重や熱ストレスを受ける様なセラミックシートを、グリーンシートの焼成によって製造する際に、脱脂・焼成時の収縮に起因するウネリやディンプルを抑えて表面平滑性の良好なセラミックシートを得るためのスペーサーなどとして有効に使用される多孔質セラミック薄板を提供すること。 - 特許庁 - To provide a cell and a cell plate for a porous metal supporting type solid oxide fuel cell forming a thin film state battery element on a light weight, thin and low cost gas permeating metal substrate provided with reduction resistance and oxidation resistance preventing peeling or cracking of an electrolyte layer due to a difference in heat expansion and furthermore, a fuel cell using them.
耐還元性及び耐酸化性を備え、軽量、薄肉、且つ安価なガス透過性金属基板に薄膜状の電池要素を形成することができ、ヒートサイクルの繰り返しによっても熱膨張差による電解質層の剥離や割れを防止することができ、耐久性に優れた多孔質金属支持型の固体酸化物形燃料電池用セル及びセル板、さらにこれらを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁 - A boosting circuit is integrally constituted on a semiconductor substrate wherein the MOS type solid-state imaging element is constituted while the boosting circuit is constituted so as to comprise a charge pump circuit 11 for changing an input voltage into a voltage higher than the input voltage, and an LDO circuit 12 for converting the input voltage VCP inputted from the charge pump circuit 11 into a smoothed and stabilized voltage OUT and outputting the same.
ＭＯＳ型固体撮像素子が構成された半導体基板上に昇圧回路を一体に構成し、この昇圧回路を、入力電圧を該入力電圧よりも高い電圧に変換するチャージポンプ回路１１と、このチャージポンプ回路１１から入力される電圧ＶＣＰを平滑化され安定化された電圧ＯＵＴに変換して出力するＬＤＯ回路１２と、を含んで構成した固体撮像装置。 - 特許庁 - The method of producing a fine carbon fiber including feeding a gas mixture comprising CO and H_2 to a catalyst comprising a spinel-type cobalt oxide substituted with magnesium in a state of a solid solution to grow a fine carbon fiber, uses a stirred fluidized bed reactor, with its inner surface constituted of a material that does not contain a component exhibiting catalytic activity to a reaction of precipitating carbon according to the Boudouard equilibrium.
マグネシウムが置換固溶したコバルトのスピネル型酸化物を含む触媒に、ＣＯ及びＨ_２を含む混合ガスを供給して反応させ、微細な炭素繊維を成長させるにあたり、内表面がＢｏｕｄｏｕａｒｄ平衡に基づく炭素析出反応に触媒活性を有する成分を含まない材料で構成された、攪拌流動式反応装置を使用することを特徴とする微細な炭素繊維の製造方法。 - 特許庁 - In a driving method of a CCD type solid-state imaging device which transfers signal charges read out of pixels along a vertical charge transfer line 11 and stops the vertical charge transfer path 11 during transfer on a horizontal charge transfer path to hold the signal charges in a potential well formed below a prescribed vertical transfer electrode during the stop, prescribed vertical transfer electrodes V1 and V2 are alternated at each stop.
画素から読み出した信号電荷を垂直電荷転送路１１に沿って転送し、垂直電荷転送路１１を水平電荷転送路の転送中に停止させ、該停止中に所定の垂直転送電極の下に形成した電位井戸内に前記信号電荷を保持するＣＣＤ型固体撮像素子の駆動方法において、前記停止毎に、前記所定の垂直転送電極Ｖ１をＶ２，Ｖ１と交互に変更する。 - 特許庁
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