「source process」を含む例文一覧(1590)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 31 32 次へ＞- A metal wiring connecting the source wiring and the inversely-staggered thin film transistor and a metal wiring connecting a pixel electrode and the inversely-staggered thin film transistor are manufactured in the same process.
また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 - 特許庁 - If the access right is present as a result of determination, the operation request is transferred to the operating system (403), and a result thereof is returned to the request source process (406).
判定の結果、アクセス権限があれば当該操作要求通りにオペレーティングシステムに渡し（４０３）、その結果を要求元プロセスに返す（４０６）。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method, with which a shallow source/drain diffusion layer can be formed using a low temperature process, and a low resistance element can be obtained.
低温プロセスで浅いソース／ドレイン拡散層を形成でき、低抵抗な素子を得ることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁 - The purged exhaust gas obtained by the method for treating purged exhaust gas can be utilized as the hydrogen source for other production processes such as a fumed silica production process.
この処理方法で得られたパージ排ガスは、ヒュームドシリカ製造などの他の製造工程のための水素源としての利用することが可能である。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor having improved conductivity of source and drain electrodes while a manufacturing process thereof is simplified, and to provide a method for manufacturing the thin film transistor.
製造工程を簡略化しつつソース電極及びドレイン電極の導電性を向上させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Hydrofluoric acid obtained from the gaseous hydrogen fluoride can be reutilized as the one for cleaning, e.g. in a semiconductor fabrication process as the source of producing a waste liquid.
フッ化水素ガスから得られるフッ化水素酸を前記、排液発生源の半導体製造工程等の洗浄用としての再利用を可能とする。 - 特許庁 - Further, when target data of the write process executed in the source storage 10 is already copied, the target data is copied again to the destination storage 20.
さらに、移行元ストレージ１０で実行された書込処理の対象データが既に複製済みのときに、その対象データを移行先ストレージ２０へ再複製する。 - 特許庁 - To reduce a wiring resistance of an earthed wiring and a power source without enlarging a chip area in a semiconductor memory device of a process using only two metallic wiring layers.
２層の金属配線層のみを用いたプロセスの半導体記憶装置で、チップ面積を大きくせずに、電源、接地配線の配線抵抗を低くする。 - 特許庁 - To provide connectors capable of manufacturing male terminals both for a power source and for signal transmission in the same manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.
電源用雄端子、及び、信号伝送用雄端子の両方を、同様の製造プロセスにより製造できるようなコネクタ、及び、その製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the starting process of the spindle motor 125, a parameter setting unit acquires a sense time corresponding to a power source voltage value acquired from an ADC from a parameter table.
スピンドル・モータ１２５の起動処理において、パラメータ設定部は、ＡＤＣから取得した電源電圧値に対応するセンス・タイムを、パラメータ・テーブルから取得する。 - 特許庁 - A multidimensionally totalizing processing part 3 process a reference source file 1 by information 2 on the designated axis, and makes multidimensional table form data 4.
多次元に集計する処理部３は、指定された軸の情報２により、参照元のファイル１を処理し、多次元の表形式データ４を作成する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory device having a split gate type nonvolatile memory cell of source-side implantation system, which can be formed in a single-layer polysilicon process.
１層ポリシリコンプロセスで形成可能なソースサイド注入方式のスプリットゲート型不揮発性メモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - Moreover, the fuel cooling device can prevent deterioration of the battery by performing cooling process without using the battery as the drive power source during soaking.
さらに、ソーク中において、バッテリを駆動電源とせず冷却処理を行うことで、燃料冷却装置は、バッテリの劣化を防ぐことが可能となる。 - 特許庁 - To shorten a lock-in time by controlling a PLL circuit according to variations of a process, temperature, a source voltage, etc.
この発明は、ＰＬＬ回路に関し、プロセス、温度、電源電圧等の変動に合わせた回路の制御を行い、ロックイン時間を短縮させる事を目的とする。 - 特許庁 - The second electrode 27 is connected to a second power source 16 for applying the voltage of the negative potential to the second electrode, which is applied in a sputtering process.
この第二電極２７は、負電位の電圧が印加するための第二電源１６に接続され、スパッタリング時に負電位の電圧が印加される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element manufacturing apparatus capable of smooth vapor deposition of a source gas on a wafer and preventing deterioration of a process chamber and an injection part.
ウェハ上にソースガスを円滑に蒸着でき、かつ工程チャンバおよび噴射部の劣化を防止できる半導体素子製造装置を提供する。 - 特許庁 - Thus, a source/drain diffusion layer 16 is diffused so as to activate, and also damages to the gate oxide film 14 are relaxed in a preceding ions implantation process.
これにより、ソース／ドレイン拡散層１６の活性化拡散がなされると共に、先のイオン注入工程におけるゲート酸化膜１４のダメージが緩和される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing artificial zeolite from smelting reduction slag in a simple process and in a short time by using smelting reduction slag as a source material.
原料として溶融還元スラグを用い、簡易な工程かつ短時間で可能な溶融還元スラグからの人工ゼオライトの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a memory control circuit which enables stable memory access by an automatic timing control circuit even in variation in temperature, a process, or source voltage.
温度、プロセス、電源電圧変動があったとしても、自動タイミング制御回路により安定したメモリアクセスが可能なメモリ制御回路を提供する。 - 特許庁 - The blade 22 simultaneously transfers the electric charges 26 from the electrifying power source 24 to the photoconductive surface 14 of the drum 12 to repeat the electrophotographic process.
それと同時に、ブレード２２は、電子写真プロセスを繰返すために、帯電用電源２４からドラム１２の光導電面１４へと電荷２６を移送する。 - 特許庁 - A heat source and a plurality of gas control valves 107 and 108 are provided to control the flow rate and temperature of gas in a process chamber 101.
プロセスチャンバー１０１内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁１０７および１０８が備えられる。 - 特許庁 - Subsequently, Si and Ni in the gate electrode and the source/drain region are reacted through the heat treatment process of a treatment S105 to form an NiSi layer.
次に、処理Ｓ１０５の熱処理工程でゲート電極及びソース／ドレイン領域におけるＳｉとＮｉとを反応させＮｉＳｉ層を形成する。 - 特許庁 - For each target cell determined by a handover decision process, a first message is transmitted from a source base station to a target base station servicing that target cell.
ハンドオーバー決定プロセスによって決定された各ターゲットセルに対して、第１メッセージが、ソース基地局からターゲットセルをサービスするターゲット基地局に送信される。 - 特許庁 - Metal wirings connecting the source wiring and the reverse stagger type thin film transistor, and a pixel electrode and the reverse stagger type thin film transistor are formed in the same process.
また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 - 特許庁 - To reduce the number of particles adhering to a processing object when repeatedly performing a SiO_2 film formation process to the processing object using Si source gas and oxidizing species.
Ｓｉソースガスと酸化種を用いて被処理体へのＳｉＯ_２膜成膜処理を繰り返し行う際に、被処理体に付着するパーティクル数を低減すること。 - 特許庁 - An oxygen supply source is injected into soil G after finishing the soil cleaning process cleaning the contaminated soil G by oxidation decomposition.
酸化分解によって汚染土壌Gを浄化する土壌浄化工程終了後に、土壌Ｇ内に酸素を供給する酸素供給源を注入する。 - 特許庁 - In a principal process, the charge storage film and memory gate electrode are formed after ion implantation D01 for forming the memory source-drain region SDm is carried out.
本工程では、メモリソース・ドレイン領域ＳＤｍを形成するためのイオン注入Ｄ０１を施した後に、電荷蓄積膜とメモリゲート電極とを形成する。 - 特許庁 - The compound of formula (I) can be produced by a process including the reaction of a sulfide source such as a metal sulfide or disulfide with an alkyl glycidyl ether.
式（Ｉ）の化合物は、金属硫化物又は二硫化物のようなスルフィド供給源のアルキルグリシジルエーテルとの反応を含むプロセスによって製造され得る。 - 特許庁 - A silicon carbide single crystal having no process modified layer in the growth face side opposing to the sublimation source material 40 is used as the seed crystal 50.
種結晶５０として、昇華用原料４０に略対向する成長面側に加工変質層を有しない炭化ケイ素単結晶を用いる。 - 特許庁 - Since a board 1 including the light source and the resin optical element 3 are integrated, the handling in the succeeding assembling process can be facilitated.
光源を含む基板１と樹脂光学素子３が一体化されていることにより、その後の組立工程での取扱いを容易にすることができる。 - 特許庁 - To assure correct channel selection without turning off a laser light source of a system during a channel selection process in a wavelength stabilized control system.
チャネル選択プロセス中にシステムのレーザ光源をオフにせずに、波長安定化制御システムにおいて正しいチャネル選択がなされたことを保証する。 - 特許庁 - To provide a light source of another wavelength or a stronger output for a special excitation process in addition to a standard laser in a laser scanning microscope.
レーザ走査顕微鏡において、標準レーザの他に、特別な励起プロセス用に他の波長またはより強力な出力光源を提供すること。 - 特許庁 - The formaldehyde-containing product is suitable for use in a further process which requires a source of formaldehyde containing a relatively low level of water.
このホルムアルデヒド含有生成物は、比較的少量の水を含有するホルムアルデヒド源を必要とする更なる処理で使用することが適当である。 - 特許庁 - Use of complex compression containers provided with a corrosion resistant liner eliminates necessity to process gas or liquid at or near the supply source thereof.
抗腐食性のライナーを有する複合圧縮容器の使用は、供給源またはその近くでガスまたは液体を加工する必要性を除去する。 - 特許庁 - A heater for heating the silicon wafers 26 is provided in the process chamber 24, and also nitrogen gas is made to flow into it as a diluted gas from a nitrogen gas source 38.
処理室24には、シリコンウエハ26を加熱するヒータが設けてあるとともに、窒素ガス源38から窒素ガスが希釈ガスとして流入するようになっている。 - 特許庁 - The frame transfer process selects the shortest path route between the source of the DCRR and a destination node and transfers a frame to the destination node via the shortest path route.
フレーム転送プロセスは、DCRRのソースおよび宛先ノード間の最短経路ルートを選択し、最短経路ルートを介してフレームを宛先ノードに転送する。 - 特許庁 - The current source can be manufactured by the same process as that of memory cells 150, 152, and its output is varied depending on conductivity of a manufactured device.
電流源はメモリーセル１５０，１５２と同じプロセスから製造することができ、その出力は製造されたデバイスの導電率によって変化する。 - 特許庁 - Then using the gates and the upper electrodes as a mask, a source/drain 120, a channel region 122 and a lower electrode 119 are formed by an ion-doping process.
次に、ゲートおよび上部電極をマスクとして、ソース／ドレイン１２０、チャンネル部分１２２および下部電極１１９が、ドーピングにより形成される。 - 特許庁 - A vector should be described by specifying a base sequence of its DNA, a cleavage map of DNA, molecular weight, number of base pairs, source of the vector, process for producing the vector, function or characteristics of the vector, etc.
ベクターは、ＤＮＡ塩基配列、開裂地図、分子量、塩基対数、採取源、製法、その機能、性質等により特定して記載することができる。 - 特許庁 - Further, such a fuse 12 for discrimination is provided that the prescribed signal path is changed by the fuse-cut process and abnormality of a power source supply system is caused.
さらに上記ヒューズカット工程により所定の信号経路が変更され、電源供給系の異常を発生させる判定用ヒューズ１２が配備される。 - 特許庁 - A programming environment B121 has a compiling/building process part 110 for creating an executable file 111 out of the updated source file 103 and a resource file 109.
プログラミング環境Ｂ１２１は、ソースファイル改１０３とリソースファイル１０９とから実行ファイル１１１を生成するコンパイル／ビルド処理部１１０を有する。 - 特許庁 - When the holding part 23 is driven by a driving source 21 for twisting process, the cables W1, W2 are held at their other ends by a cable holder 40.
この保持部２３を駆動源２１で駆動してツイスト加工を施すに当たり、各電線Ｗ１、Ｗ２の両他端側を電線保持具４０で保持する。 - 特許庁 - To provide a light source control system with a simplified installation process and doing away with the need of installing a physical control line so as to reduce system cost.
設置工程を簡単にし、且つシステムコストを低減できるよう、物理的制御線を配設する必要がない光源制御システムを提供する。 - 特許庁 - To provide a practical process for producing a pig iron which can be used for manufacturing various types of steel having high quality, while using a variety of iron scrap as an iron source.
多種多様な鉄スクラップを鉄源として、各種の高品位鋼の製造に使用できる銑鉄を製造する実用的なプロセスを提供する。 - 特許庁 - To provide a device and a method, comprising an energy source and a substrate tube, for manufacturing an optical preform by means of an internal vapor deposition process.
内部蒸着プロセスによって光プリフォームを製造するための、エネルギー源および基材チューブを備える装置および方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a process for producing particles from a thin film having a multilayered structure that maintains the multilayered structure and provides high recovery of a source material.
多層構造を維持して材料源の高回収率を提供する、多層構造を有する薄膜から粒子を製造する方法が求められる。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering source, a sputtering-coating system and a method for the treatment of a substrate by means of which the efficiency of coating process can be increased by increasing power density.
出力密度を上げることでコーティング処理の効率を向上したマグネトロンスパッタリング源、スパッタコーティング装置及び基板の処理方法を提供する。 - 特許庁 - To allow only linear increase in process computing frequencies even if the number of rows of a program source of a comparison target is increased for realizing a stable processing time.
比較対象のプログラムソースの行数が大きくなっても、処理の演算回数は線形的にしか増加せず、安定した処理時間を実現する。 - 特許庁 - The order receiving process part 122 outputs information showing that the order has been accepted on-line to the ordering source without waiting for the result of the authorization.
注文受付処理部１２２は、オーソリゼーションの結果が出るのを待たずに、注文を受け付けたことを示す情報を、当該注文元にオンライン出力する。 - 特許庁 - The control means controls the illumination light source 21 to illuminate the light including the ultraviolet ray to the interior of the rotating drum 3 after the completion of the drying process.
制御手段は乾燥工程終了時以降に紫外線を含む光線を回転ドラム３内に照射するように照射光源２１を制御する。 - 特許庁
