「source process」を含む例文一覧(1590)
＜前へ 1 2 .... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 .... 31 32 次へ＞- By the transcription processing program 6, inputting process 8 of a transcription source data 3 is carried out for reading the transcription source data 3, a reading process 7 for obtaining information necessary for transcription processing is carried out, a storage position of the transcription destination data 4 is set after performing necessary processing on the read data, and then, an output process 9 is carried out.
転記処理プログラム６は転記元データ３の入力処理８を実行し転記元データ３を読み込み、転記処理を行うために必要な情報を取得するための読込処理７を実行し、読み込んだデータに必要な処理を施した後に転記先データ４の格納位置を設定して、出力処理９を実行する。 - 特許庁 - When a recovery request is detected by a recovery trigger detection circuit 56, the auxiliary control part determines whether a requested process needs the operation of the power source part or is operated by the bus power, and executes the requested process without operating the main control part nor the power source part when the requested process is operated by the bus power.
また、副制御部は、復帰トリガ検出回路５６により復帰要求が検出されると、要求された処理が電源部の動作を必要とする処理であるかバス電力で動作可能な処理であるかを判定し、バス電力で動作可能な処理であれば、主制御部及び電源部を動作させずに要求された処理を実行する。 - 特許庁 - The load is averaged in each unit of packet in both of a product assembling process and a source process to be a bottleneck on the basis of order receiving information necessary for preparing a production plan 11 consisting of plural processes, basic data of a product included in the order receiving information, the basic data of a unit 10 constituting the product and source process information for preparing the unit 10.
複数工程の生産計画を作成する際に必要な受注情報と、受注情報に含まれる製品に関する基礎データと、製品を構成するユニットに関する基礎データと、ユニットを生産する源泉工程情報をもとに、製品組立工程とボトルネックとなる源泉工程の両方でバケット単位の負荷平準化を図る。 - 特許庁 - When the compound oxide catalyst containing at least Mo and Si is manufactured by a process including the integration and heating of supply source compounds of the respective component elements, a process for applying dispersion treatment to flocculated particles in an aqueous suspension, to which the Si supply source compound is added, is included in the integration process.
少なくともＭｏ及びＳｉを含有する複合酸化物触媒を、各成分元素の供給源化合物の水性系での一体化及び加熱を含む工程によって製造する際に、一体化工程中において、Ｓｉの供給源化合物を加えた水性懸濁液中の凝集粒子に分散処理を施す工程を含む。 - 特許庁 - The manufacturing method of the cathode substrate includes a process of forming a cathode electrode 3 on the substrate 1, a process of forming a conductive layer 5 by coating a conductive composition containing an Si-containing matter on the cathode electrode 3, and a process of forming the electron emission source 7 by coating an electron emission source composition containing carbon nanotube on the conductive layer.
本発明に係るカソード基板の製造方法は，基板１に，カソード電極３を形成する工程と，カソード電極３上にＳｉ含有物質を含む導電性組成物を塗布して，導電層５を形成する工程と，導電層５上にカーボンナノチューブを含む電子放出源組成物を塗布して，電子放出源７を形成する工程と，含む。 - 特許庁 - This method comprises a process of forming a first silicon layer, a process of imparting a second silicon layer superposed on the first silicon layer, a process of oxidizing the second silicon layer at a temperature of <400°C, by using an inductively coupled plasma source, and a process of forming an oxide layer superposed on the first silicon layer.
本発明の方法は、第１のシリコン層を形成する工程と、第１のシリコン層の上に重なる第２のシリコン層を付与する工程と、誘導結合プラズマソースを用いて、４００℃未満の温度で、第２のシリコン層を酸化する工程と、第１のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程とを含む。 - 特許庁 - In these treatments, LDD width WD11, WD13 are each set separately, by setting a source region/drain region implantation process of the Tr 33 after the formation of the first sidewall, and a source region/drain region implantation process of the Tr 35 after the formation of the second sidewall, respectively.
これらの処理において、第１のサイドウォール形成後にＴｒ３３のソース領域／ドレイン領域インプラ工程を、第２のサイドウォール形成後にＴｒ３５のソース領域／ドレイン領域インプラ工程を、それぞれ打ち込むことにより、各ＬＤＤ幅ＷＤ１１，ＷＤ１３を別個に設定する。 - 特許庁 - This method includes a process of adhering a film 11, containing ≥70 wt.% zinc oxide and silicon oxide onto compound semiconductor layers 2 to 8 from a diffusion source, and a process of diffusing zinc in the compound semiconductor layers 2 to 8 by heating from the diffusion source.
酸化亜鉛を７０重量％以上含有する酸化亜鉛と酸化シリコンを含有する膜１１を拡散源を化合物半導体層２〜８上に被着する工程と、加熱により前記拡散源より前記化合物半導体層２〜８内に亜鉛を拡散する工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a voltage controlled current source capable of reducing transport conductance variations with respect to temperature variations and process variations, and a variable gain amplifier capable of obtaining a stable gain property, even in temperature variations and process variations, using the voltage controlled current source.
温度変動およびプロセス変動に対する伝達コンダクタンスの変動を低減し得る電圧制御電流源と、前記電圧制御電流源を用いて温度変動およびプロセス変動に対しても安定した利得特性が得られる可変利得増幅器を提供する。 - 特許庁 - The method for producing the chlorella having high chlorophyl and carotinoid contents by a synchronous culture method comprises (1) a process for heterotrophically culturing chlorella in a culture medium containing an organic carbon source and (2) a process for culturing the heterotrophically cultured chlorella in a culture medium not containing an organic carbon source.
（１）有機炭素源を含有する培地で、クロレラを従属栄養的に培養する工程、及び（２）該従属栄養的に培養したクロレラを、有機炭素源を含有しない培地で培養する工程、を含む同調培養方法による、高クロロフィル及び高カロテノイド含有性のクロレラの製造方法。 - 特許庁 - This method for manufacturing a printer head comprises the process of deforming a lens array 5 so as to focus emission light from the light source array 4 to a prescribed position on a photosensitive drum 3, and the process of fixing a relative position between the lens array 5 and the light source array 4 in the condition that the lens array 5 is deformed.
光源アレイ４からの出射光を感光体ドラム３の所定位置に結像させるべくレンズアレイ５を変形させる工程と、レンズアレイ５を変形させた状態で、レンズアレイ５と光源アレイ４との相対位置を固定する工程とを有するようにした。 - 特許庁 - To provide an image forming apparatus which is highly adaptable in function process terms for performing shutdown of a commercial power source according to a state of an apparatus, without any inconvenience for an inside device and with high safety without carrying out an unneeded process when the commercial power source is turned off based on a detection result by an illuminance sensor.
照度センサの検知結果に基づいて商用電源を切る場合に無駄な処理を行わず、装置状態に応じて内部デバイスに対して支障なく安全性高く商用電源遮断を実行できる機能処理面での対応性に富んだ画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - The process forming the source-contact electrode 16 includes the processes of: forming a conductor layer to be used as the source-contact electrode 16 on the main surface of the n^-SiC layer 12; and thermally treating the conductor layer as the source-contact electrode 16.
ソースコンタクト電極１６を形成する工程は、ソースコンタクト電極１６となるべき導電体層をｎ^−ＳｉＣ層１２の主表面上に形成する工程と、導電体層をソースコンタクト電極１６とするため熱処理する工程とを含む。 - 特許庁 - Moreover, a light source control part 140 makes the first light source 121 whose power is small in two light sources to be in a lighting state throughout respective processes and the second light source 122 whose power is large to be in a lighting state only in the second alignment process.
光源制御部１４０は、２つの光源のうち、パワーの小さな第１の光源１２１については各工程を通じて点灯状態とし、パワーの大きな第２の光源１２２については第２の位置合わせ工程においてのみ点灯状態とする。 - 特許庁 - The magnitude of the voltage applied between the drain and the source of the field effect transistor in the process read out data is set in a range, in which the current between the drain and the source of the field effect transistor is increased, accompanying the increase of voltage between a drain and a source.
データを読み出す工程において電界効果型トランジスタのドレイン・ソース間に印加する電圧の大きさは、電界効果型トランジスタのドレイン・ソース間の電流がドレイン・ソース間の電圧の増加に伴って増加するような範囲内に設定する。 - 特許庁 - As the Li source, the Fe source, and the P source, the raw material is used in which remaining elements is C when elements which become gas or steam under a temperature of the reaction process are further taken out from residual elements when Li, Fe and PO_4 are taken out from constituting elements of the raw material.
Ｌｉ源、Ｆｅ源及びＰ源としては、構成元素からＬｉ、Ｆｅ、及びＰＯ_4を差し引いた残りの元素から、反応工程の温度下においてガス又は蒸気となる元素をさらに差し引いた残りの元素がＣとなるような原料を用いる。 - 特許庁 - To property set the starting time of the warming-up process at the time of remote-starting of a warming-up process in a warming-up device 50 comprising constituent elements 51-54 for carrying out a warming-up process without the need of starting a power source 1 loaded on a vehicle.
車両に搭載される動力源１を始動することなく暖機する処理を実行するための構成要素５１〜５４を有する暖機装置５０において、暖機処理を遠隔始動させる際に、暖機処理の始動時期を適切に設定可能とする。 - 特許庁 - To provide a method of disposing a thermoelectric generation module, and converting thermal energy to electric energy and collecting it by utilizing a temperature difference between a heat source temperature in a process and an atmospheric temperature around the process in collecting sensible heat and waste heat generated in the manufacturing process.
製造プロセスにおいて発生する顕熱や廃熱の回収するに際し、熱電発電モジュールを設置して、プロセス内の熱源温度とプロセス周辺の雰囲気温度との温度差を利用し、熱エネルギーを電気エネルギーに変換して回収する方法を提供する。 - 特許庁 - An order receiving process part 122 performs a process for receiving the on-line input of order information regarding a specific transaction from an ordering source and a process for obtaining payment certificate information showing that money has been paid for the order.
注文受付処理部１２２により、注文元からの、特定の取引に関する注文情報のオンライン入力を受け付ける処理と、当該注文について代金の支払いを証明するための支払証明情報を取得する処理とを行う。 - 特許庁 - At the start of using the process cartridge 1, a photoreceptor drum 10 and the developing roller 12 are rotated, simultaneously, a high voltage is applied by a high voltage power source.
プロセスカートリッジ１の始用開始に当って、感光ドラム１０、現像ローラ１２を回転して同時に高圧電源から高電圧を加える。 - 特許庁 - An approximate function for expressing the lag time of the representative cell as a function of the electric power source voltage is prepared in an approximate function preparing process F1.
近似関数作成工程Ｆ１では、代表セルの遅延時間を電源電圧の関数として表現した近似関数を作成する。 - 特許庁 - To supply appropriate internal power source voltage so that performance of a semiconductor memory can be brought out to the utmost limit even when process variation is caused.
プロセス変動が発生した場合でも、半導体装置の性能を最大限に引き出せるように、適切な内部電源電圧を供給する。 - 特許庁 - A log output instruction generation and insertion part 20 inserts a log output instruction, for recording the execution process of the relative places into the source codes.
ログ出力命令生成・挿入部２０が、関係箇所について実行過程を記録するためのログ出力命令をソースコードに挿入する。 - 特許庁 - To reduce contaminated source which exists in a mini-environment pod through a process of manufacturing a microelectronic component or a microelectronic machine system.
微小電子コンポーネントまたは微小電気機械システムを製造する過程を通じて、ミニエンバイロンメントポッドに存在する汚染源を減少させる。 - 特許庁 - To activate a thread or a process without correcting a source in a processing system comprising embedded software which cannot invoke any processes.
プロセス起動ができない組み込みソフトウェアよりなる処理システムにおいて、ソースを修正することなくスレッド起動或いはプロセス起動を可能にする。 - 特許庁 - Thus, the power source shutting off process is prevented from being performed when the game machine is under the unstable state, and commands can be surely received.
よって、遊技機が不安定な状態で電源断処理が実行されることを防止することができ、コマンドを確実に受信できるようになる。 - 特許庁 - A process gas supplied from a supply source 2 is ionized into plasma in a plasma discharging space 1a and blown upon the semiconductor substrate 90 coated with the tungsten film to be etched.
供給源２のプロセスガスをプラズマ放電空間１ａにてプラズマ化し、エッチングすべきタングステンが被膜された基材９０に吹付ける。 - 特許庁 - In a voice CODEC processing process 32, voice data whose transmission source is identified are extended in accordance with a voice compression scheme of each of transmission sources.
音声コーデック処理プロセス３２は、送信元が識別された音声データを各送信元の音声圧縮方式に応じて伸長処理する。 - 特許庁 - To form a semiconductor island and a source drain electrode just by a single exposure process, and control an optical leakage current that leads to image degradation.
半導体アイランドとソース・ドレイン電極を１回の露光工程で形成し、かつ画質の劣化につながる光リーク電流を抑制する。 - 特許庁 - A back surface exposure process is executed and a photoresist layer 212 is patterned on this passivation layer with the use of the gate and the source/drain terminal as a mask.
裏面露光プロセスを実行して、このパシベーション層上に、前記ゲート、ソース／ドレイン端子をマスクとして用いて、フォトレジスト層２１２をパターン化する。 - 特許庁 - This process is executed by a gateway, and formed by a source device, and includes the reception of a request transmitted via a first data link.
このプロセスはゲートウェイによって実行され、ソースデバイスによって生成され、かつ第１のデータリンクで伝送される要求を受信することを含む。 - 特許庁 - To provide a squelch detector which is strong in a fluctuation of a temperature, a process and a power source voltage, and can output a stable squelch detection signal.
温度、プロセス、電源電圧の変動に強く、安定したスケルチ検出信号を出力することができるスケルチ検出回路を提供する。 - 特許庁 - An oblique halogen implantation process is carried out to form a halogen implantation region under the gate, on the side of the extension source/drain region 310a on the substrate 300.
基板内の延長ソース／ドレインの側のゲートの下に、ハロゲン注入領域を形成するため、斜めハロゲン注入工程が実施される。 - 特許庁 - Then, an implanting process for selectively implanting impurities to the semiconductor thin film and forming a source area and a drain region is executed.
この後、半導体薄膜に不純物を選択的に注入してソース領域及びドレイン領域を形成する注入工程を行なう。 - 特許庁 - To provide a method for forming xylitol from a carbon source, which has more excellent energy efficiency than a conventional method and has a simple production process.
炭素源からキシリトールを生成する方法であって、従来法よりもエネルギー効率に優れ、製造工程が簡略な方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a MOS transistor for applying a self-alignment contact process while reducing the sheet resistance and contact resistance of source/drain regions.
ソース／ドレイン領域のシート抵抗とコンタクト抵抗を低減させながら自己整合コンタクト・プロセスが適用できるＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁 - To produce molten steel by effectively utilizing Mn-containing dust generated in a production process of ferro-manganese as Mn source in an alloy component for steel.
フェロマンガンの製造工程で発生するＭｎ含有ダストを、鋼の合金成分のＭｎ源として有効利用して溶鋼を製造する。 - 特許庁 - The voltage impressing region 17 is formed in the same process as a source region 25a and a drain 27a of the PMOS transistor 20.
電圧印加領域１７はＰＭＯＳトランジスタ２０のソース領域２５ａおよびドレイン領域２７ａと同一工程により形成される。 - 特許庁 - A dynamic call profile processing calling process insertion part 19 generates a profile processing-containing source program including dynamic call profile processing.
動的呼出しプロファイル処理呼出し処理挿入部１９は、動的呼出しプロファイル処理を含むプロファイル処理入りソースプログラムを生成する。 - 特許庁 - The address learning process checks a source MAC address in the individual received frames to learn the shortest path route as to the individual MAC addresses.
アドレス学習プロセスは、それぞれの受信されたフレームにおいてソースMACアドレスを検査し、それぞれのMACアドレスについて最短経路ルートを学習する。 - 特許庁 - Specifically disclosed is a metal material 10 mainly composed of iron whose surface layer is carburized by a process using a fullerene as a carbon source.
フラーレン類を炭素源として用いる処理により、その表面層が浸炭処理されている、鉄を主成分とする金属材料１０とする。 - 特許庁 - The projection optics are sometimes broadly referred to as "lenses", and therefore the optimization process may be termed source mask lens optimization (SMLO).
投影光学系は、「レンズ」と広義に称されることがあり、したがって、最適化プロセスは、光源、マスク、レンズの最適化（SMLO）と称されることがある。 - 特許庁 - The conductance of the passage extending from the gas source via the process chamber is matched with the conductance of the passage extending via the exhaust line.
またガス発生源から処理容器を経由するときの流路のコンダクタンスと排気路を経由するときの流路のコンダクタンスとを揃えておく。 - 特許庁 - As a determination result, if it is determined that the access right is present, the access right is transferred to the operating system as the operation request and a result is returned to a request source process.
判定の結果、アクセス権限があれば当該操作要求通りにオペレーティングシステムに渡し、その結果を要求元プロセスに返す。 - 特許庁 - It is determined in a step 1 whether a power source of a navigation system is ON, and a move process determination processing is performed in a step 2.
ステップＳ１において、ナビゲーション装置の電源がONであるか否かが判断され、ステップＳ２において、移動方法判断処理が実行される。 - 特許庁 - To reduce to the utmost a space occupied by control equipment and wiring, because a large number of accessories such as a process electric power source device are required in a semiconductor manufacturing device.
半導体製造装置はプロセス電源装置などの補機類が多く、制御機器や配線が占有するスペースを極力低減させたい。 - 特許庁 - When the source material (14, 24) is eroded during the process of physical vapor deposition, the target (10, 20) can be repaired by applying coating again.
物理的蒸着工程の間ソース材料（１４、２４）が侵食すると再度コーティングを付与することによってターゲット（１０、２０）を改修する。 - 特許庁 - An execution reproducing part 116 processes reproduction based on the execution records after the end of the transfer, and acquires synchronization in process between a transfer source and a transfer destination.
実行再生部１１６は転送終了後に実行記録をもとに再生処理を行って転送元と転送先プロセスの同期をとる。 - 特許庁 - To provide a full silicide field effect transistor capable of being manufactured through silicide process of one time and provided with small source and drain resistance.
一度のシリサイド化工程により製造でき、かつ小さなソース及びドレイン抵抗を有するフルシリサイド型電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁 - The process gas of the supply source 2 of a normal pressure plasma etching apparatus M is converted to the plasma gas within a plasma discharge space 1a, and this plasma is blown to a processing object W.
常圧プラズマエッチング装置Ｍの供給源２のプロセスガスをプラズマ放電空間１ａにてプラズマ化し、被処理物Ｗに吹付ける。 - 特許庁
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