「step pattern」を含む例文一覧(2084)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 41 42 次へ＞- The optimal designing method of an antenna comprises a step for constituting a rod antenna of a prism or a circular cylinder, a step for generating an antenna element pattern on the side face of the prism or the circular cylinder, and a step for searching the antenna element pattern for optimizing antenna characteristics of the rod antenna using genetic algorithm or a random search method.
本発明に係るアンテナ最適設計方法は、多角柱又は円柱によって前記ロッド型アンテナを構成する工程と、前記多角柱又は前記円柱の側面上にアンテナ素子パターンを生成する工程と、遺伝的アルゴリズム又はランダムサーチ法を用いて、前記ロッド型アンテナのアンテナ特性が最適となる前記アンテナ素子パターンを探索する工程とを有する。 - 特許庁 - The method for producing a photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate has a film deposition step in which the film for forming a mask pattern is deposited by sputtering in a sputtering atmosphere in which at least gaseous helium is contained and a step for heating the transparent substrate during or after the film deposition step.
透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁 - The method for inspecting the pattern of the wafer is equipped with the step for inputting the inspection image of the pattern or chip of the wafer being an inspection target, comparing the inputted inspection image with a preliminarily stored reference image to judge the quality of the pattern or chip from the difference quantity of the compared image.
ウェハパターン検査方法及び装置は、検査対象であるウェハのパターン又はチップの検査画像を入力し、入力した検査画像と予め記憶されたリファレンス画像とを比較し、比較画像の相違量よりパターン又はチップの良否を判定する段階を備える。 - 特許庁 - In the case of registration correction, in a present set condition (condition where it is assumed that registration deviation does not exist), the C test pattern and the K test pattern are plotted so that a central short line forming the C pattern in each step state is superposed on the corresponding K line, and a test image 50A is formed on the paper.
レジストレーション補正時には、現在の設定状態（レジストレーションずれがないと仮定した状態）で、Ｃの各階段状パターンを形成している中央の短ラインが、対応するＫのラインと重なるように、ＣのテストパターンとＫのテストパターン描き、用紙上にテスト画像５０Ａを形成する。 - 特許庁 - When it is determined that the advance notice presentation information showing the selected advance notice presentation pattern is stored in the step S20 (YES in S20), an advance notice presentation pattern of different kind from the advance notice presentation pattern corresponding to the stored advance notice presentation information is again selected (S30).
Ｓ２０において選択された予告演出パターンを示す予告演出情報が記憶されていると判定された場合（Ｓ２０：ＹＥＳ）には、記憶されている予告演出情報に対応する予告演出パターンと異なる種類の予告演出パターンが再度選択される（Ｓ３０）。 - 特許庁 - Coincidence between a calculated pattern and a measured pattern is calculated quantitatively (step S19) by using at least one factor among (1) the number of diffraction points as a crystallographic pattern, (2) a face interval ratio as a geometric condition, (3) an angle between faces, (4) a camera constant, and (5) an average error of an angle between photographs.
計算パターンと前記実測パターンの一致度を、結晶学的条件として▲１▼回折点数、幾何学的条件として▲２▼面間隔比、▲３▼面間角度、▲４▼カメラ定数、及び▲５▼写真間角度の平均誤差のうち、少なくとも一つの因子を用いて定量的に計算する（ステップＳ１９）。 - 特許庁 - The continuous performance flag is turned on when the variation pattern of the previous time is a specified one for a losing ready-to-win state, and the main control circuit judges whether or not the setting result of a big winning pattern is a probability variable pattern in a step S41 at the time of judging the ON of the continuous performance flag.
この連続演出フラグは前回の変動パターンが外れリーチ用の特定のものであるときにオンされるものであり、メイン制御回路は連続演出フラグのオンを判断したときにはステップＳ４１で大当り図柄の設定結果が確率変動図柄であるか否かを判断する。 - 特許庁 - Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.
容量素子の下方には、ＣＭＰ工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン８ｂと、ダミーの活性領域である活性領域１ｂとが配置され、これらは配線Ｍ１〜Ｍ５からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁 - The step of correcting the defect portion includes forming a resist film on the photomask again, performing prescribed pattern drawing on a prescribed region including the defect portion, developing it to form a correction resist pattern, and removing the residual substance at the defect portion by performing etching using the resist pattern as a mask.
欠陥部分を修正する工程は、フォトマスク上に再度レジスト膜を形成し、欠陥部分を含む所定領域に所定のパターン描画を行い、現像して修正用レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを施して欠陥部分の余剰物を除去する。 - 特許庁 - In the 1st step, a printing system provided with a print head is used and the phase change material is deposited in a 1st printing pattern and consequently the 1st printing pattern remains after change of the phase change material from a liquid phase to a solid phase and the 1st printing pattern defines the gap.
第１のステップは、プリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して、相変化材料が第１のプリント・パターンで堆積し、その結果、第１のプリント・パターンが、相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存し、第１のプリント・パターンがギャップを画定する。 - 特許庁 - When a multiple board is loaded into an electronic component mounting device, a circuit pattern where electronic components are to be mounted and a defective circuit pattern are recognized respectively, and an optimal mounting system is selected out of a step repeat system and a pattern repeat system on the basis of the above recognitions or a simulation of a mounting time.
多面取り基板が電子部品実装機に搬入されたとき、実装を行う回路パターンと不良回路パターンを認識してその認識に基づき、または実装時間のシミュレーションにより、ステップリピート方式とパターンリピート方式の中から最適の実装方式を選択する。 - 特許庁 - In a step S404, plural bar intervals of the magnetic pattern are calculated from the measured peak intervals and each of the calculated bar intervals is converted into a 'wide' interval or a 'narrow' interval of the bar interval pattern on the basis of pattern conversion consisting of two steps, S405 and S412.
ステップＳ４０４において、測定した複数のピーク間隔から磁気パターンの複数バー間隔を算出し、算出した複数のバー間隔のそれぞれをステップＳ４０５及びステップＳ４１２の２段階からなるパターン変換に基づいて、バー間隔パターンの「広い」間隔または「狭い」間隔に変換する。 - 特許庁 - When it is judged that the pattern of the standby system K bytes is the pattern for reporting the erroneous connection in the step, since the pattern is transmitted only through an active system transmission line SL, it is approved that the active system transmission line SL is connected to the standby system high-speed interface part 1-1.
このステップで、予備系Ｋバイトのパターンが誤接続通知用のパターンであると判定されれば、当該パターンは現用系伝送路ＳＬを介してのみ伝送されるのであるから、予備系高速インタフェース部１−１に現用系伝送路ＳＬが接続されたと認定する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a photomask, which can prevent the occurrence of positional deviation error of a drawing pattern due to electron beam in a mask manufacturing step and the deterioration in yield due to the occurrence of the positional deviation of the pattern when a circuit pattern is transferred to a semiconductor wafer by using a photomask deflected by distortion of a glass substrate of the photomask.
フォトマスクのガラス基板の歪みなどにより撓んだフォトマスクを使用することにより、マスク製造工程での電子ビームによる描画パターンの位置ズレ誤差の発生や、回路パターンが半導体ウエハに転写される際のパターンの位置ズレ発生による歩留まりが低下するのを防ぐ。 - 特許庁 - To prevent a position of a pattern formed on a work by projection exposure from being deviated from a position of a pattern formed by previous exposure processing and a position of a mask pattern for screen printing or the like to be executed in the next step, even in the case of the occurrence of telescopic deformation on the work.
ワークに伸縮変形が生じても、投影露光によりワークに形成するパターンの位置を、それ以前の露光処理により形成されているパターンの位置と、次の工程で行うスクリーン印刷等のマスクパターンの位置との間に大きなずれを生じさせないようにすること。 - 特許庁 - Moreover, in this step S_4, a plurality of new pattern data and job decks are specified so that the stage does not move in the X and Y directions in the predetermined orientation and does not pass again the field already drawn and thereby the assembled pattern data are divided into a plurality of new pattern data which are adjacently provided with each other.
ステップＳ_4 では、ステージが、所定の向きでＸ方向及びＹ方向に移動して既に描画したフィールドを再度通過しないように、新たな複数個のパターンデータ及び新たなジョブデックを規定して、集合パターンデータを相互に隣合う新たな複数個のパターンデータに分割する。 - 特許庁 - When the remaining charged amount M lowers to less than the reference remaining amount Mref, in a step S4, a present shift pattern is determined whether it is a first pattern adopted when the remaining charged amount is sufficient or a second pattern adopted when the remaining charged amount is not sufficient.
充電残量Mが基準残量Mrefを下回っていればステップＳ４へ進み、現在の変速パターンが、充電残量が十分な場合に採用される第１パターンおよび充電残量が不十分な場合に採用される第２パターンのいずれであるかが判定される。 - 特許庁 - This molded pulp product is colored to one or more colors by adding pattern-forming components in a papermaking, dehydrating or drying step, and has a light and dark pattern of colors based on heterogeneously dispersed colored pattern-forming components on the surface.
抄紙、脱水又は乾燥工程において模様形成成分が添加されることで１色又は２色以上に着色され、着色された該模様形成成分が不均一に分散されて該模様形成成分に基づく色の濃淡模様を表面に有するパルプモールド成形体。 - 特許庁 - The pattern correction method for correcting the pattern formed on a color filter 60 comprises a heating step of locally heating ink applied to the defective portion 15 of the pattern on the color filter 60 by using radiant heat H from a heating element 7.
パターン修正方法は、カラーフィルタ６０上に形成されたパターンを修正するパターン修正方法であって、カラーフィルタ６０上におけるパターンの欠陥部分１５に塗布されたインクを発熱体７からの輻射熱Ｈにより局所的に加熱する加熱工程を含んでいる。 - 特許庁 - During the process from initial stage of firing for forming the wring pattern to the latter stage of firing, the film pattern 40 is irradiated with laser beams 50 and 53 of two optimal wavelengths exhibiting good absorption efficiency while setting a time difference depending on the absorption spectrum of the film pattern 40 varying at each step.
配線パターンが形成される焼成初期から焼成後期までの過程において、各過程で変化する膜パターン４０の吸収スペクトルに応じて、吸収効率の良い最適な２波長のレーザ光５０，５３を、膜パターン４０に時間差を持たせて照射する。 - 特許庁 - In this MRI apparatus, a control means for controlling a magnetic field generating means, a detecting means and a signal processing means according to a designated imaging sequence calculates which application time is shortest between inclined magnetic field application pattern using a one step method and application pattern using a two step method, selects an application pattern whose application time is shortest, and performs the imaging sequence according to the selected application pattern.
ＭＲＩ装置において、所定の撮像シーケンスに基づいて、磁場発生手段、検出手段及び信号処理手段を制御する制御手段は、設定手段で設定された撮像条件において、１ステップ法による傾斜磁場の印加パターンと２ステップ法による印加パターンのうち、いずれの印加時間が最短となるかを計算し、印加時間が最短時間となる印加パターンを選択し、その選択された印加パターンで撮像シーケンスを実行する。 - 特許庁 - A top surface of the step reducing pattern stepwisely or gradually decreases in height toward an opposite side from a side facing the first conductive film group.
段差緩和パターンの上面は、第１の導電膜群に対向する側とは反対側に向かって、階段状または連続的に低くなっている。 - 特許庁 - Subsequently, recording operation control information corresponding to each acquired control pattern number is acquired from a recording operation control information table shown on Fig. 6 (step S7).
取得した各制御パターン番号に対応した記録動作制御情報を、図６に示した記録動作制御情報テーブルから取得する（ステップＳ７）。 - 特許庁 - The sheet image 14 is analyzed by each area by the resolution-measuring apparatus 10, and a pattern position for specifying marker 92 is detected (step S14).
そして、解像度測定装置１０によりシート画像１４が上記エリアごとに解析され、パターン位置特定用マーカ９２が検出される（ステップＳ１４）。 - 特許庁 - The plated/shaped body is produced through a step for carrying out electroplating using a pattern formed on a substrate from the composition or the resin film as a template.
メッキ造形物は、基板上に前記組成物または樹脂膜から形成されたパターンを鋳型として電解メッキする工程を経て製造される。 - 特許庁 - In a step S108, electric energy to be supplied to the resistance pattern next is calculated according to a difference between the temperature of the holding part and the target temperature of the holding part.
ステップＳ１０８において、保持部の温度と保持部の目標温度との差に応じて、次に抵抗パターンに投入する電力量を算出する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the surface acoustic wave(SAW) element comprises the steps of coating a resist film on a protective film formed on an LBO substrate, and then pattern-forming the resist film using photolithography (step S12).
ＬＢＯ基板上に形成した保護膜上にレジスト膜を塗布した後、ホトリソグラフィ法を用いて、レジスト膜をパターン形成（工程Ｓ１２）する。 - 特許庁 - The imprint mold where the uneven pattern with a plurality of steps is formed needs to be inverted in phase difference at a corner portion of each step.
複数の段差を備えた凹凸パターンが形成されたインプリントモールドの場合、それぞれの段差のコーナー部について位相差が反転するため必要がある。 - 特許庁 - Finally, the method also comprises the step of generating a suction pattern by cross cropping (component array deciding by considering simultaneous suction) from the component type (component tape) on the real Z axis.
最後に、実Ｚ軸上の部品種（部品テープ）から、刈り上げ処理（同時吸着を考慮した部品配列決定）により、吸着パターンを生成する。 - 特許庁 - When the value of the counter CT is not less than 100 to less than 200, the scene of summer is displayed as the background display of each special pattern (step S60).
カウンタＣＴの値が１００以上２００未満の場合は、各特別図柄の背景表示として夏の風景が表示される（ステップＳ２６０）。 - 特許庁 - If the predetermined distance exists ("Yes"), a read code pattern is determined as RSS_Limited, and if the predetermined distance does not exist ("No"), read "NG" is determined (step A14).
所定の距離が存在すれば（「ＹＥＳ」）読取ったコードパターンをRSS＿Limitedとして確定し、所定の距離がなければ（「ＮＯ」）読取りを「ＮＧ」とする（ステップＡ１４）。 - 特許庁 - The interference fringe pattern is photographed with a CCD (charge-coupled device) camera 46 and the interference fringes are counted on the basis of the image information in an image processing step 50.
すなわち、干渉縞模様をＣＣＤカメラ４６で撮像し、画像処理工程５０において、画像情報に基づき干渉縞の数をカウントする。 - 特許庁 - In a step for producing a photomask, a light shielding body pattern is directly formed using a photosensitive resin composition containing a specified light absorbing compound.
フォトマスクの製造工程で、特定の光吸収化合物を含有する感光性樹脂組成物を用いて遮光体パターンを直接形成する。 - 特許庁 - In production of the beam structure 144 having the step portion 160 by wet etching, an etching substance 400 is coated with a mask pattern 450.
ステップ部１６０を有するはり構造体１４４をウエットエッチングによって製作するために、被エッチング材４００にマスクパターン４５０をコーティングする。 - 特許庁 - To provide a power supply noise reduction package capable of bypassing effectively a noise voltage by a capacitor without increasing a mask pattern and a diffusion step of a semiconductor chip.
半導体チップのマスクパタン、拡散工程の増加をすることなく、ノイズ電圧をコンデンサにより効率的にバイパスできる電源ノイズ低減パッケージを提供する。 - 特許庁 - The method includes the step of forming a pattern of concavities 186 on at least one surface 188, 178 of the stationary member or the rotating member.
本方法は、固定部材又は回転部材のうちの少なくとも１つの表面１８８，１７８上に陥凹部１８６のパターンを形成する段階を含む。 - 特許庁 - The controller controls the actuator so that a swing angle of the crus link follows a target pattern in which a temporal change for one step of an idling-leg knee angle is described.
コントローラは、下腿リンクの揺動角が、遊脚膝角度の一歩分の経時的変化を記述した目標パターンに追従するようにアクチュエータを制御する。 - 特許庁 - A synchronization pattern detection period monitoring section 18 outputs a step out notice 68 if next notice 66 is not received within L sec after receiving the notice 66.
しかし、同期パターン検出期間監視部18は、通知66の受信後Ｌ秒以内に次の通知66を受けないとき同期はずれ通知68を出力する。 - 特許庁 - The pattern formation defect region is calculated by performing convolution operation of the correspondence relation on the layout used for forming the step portion.
前記パターン形成不良領域は、前記段差部の形成に用いたレイアウトに対して前記対応関係の畳み込み演算を行うことによって算出される。 - 特許庁 - To provide an insulation pattern forming method and a resin composition capable of forming a multilayer structure easily without performing a complicated etching step, etc.
煩雑なエッチング工程等を施すことなく、簡便に多層構造が形成できる、絶縁パターン形成方法及び樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁 - This invention includes a step of forming the resist pattern by discharging a composition containing a photosensitizer on an object to be processed under reduced pressure.
本発明は、減圧下で、被加工物上に、感光剤を含む組成物を吐出してレジストパターンを形成するステップを有することを特徴とする。 - 特許庁 - Concerning the test pattern corresponding to the ratio having the highest value of a plurality of computed ratios, a focus point upon exposure is a best focusing (step S14).
算出した複数の比率のうち最も値が大きい比率に対応するテストパターンについて露光した時のフォーカスポイントをベストフォーカスとする（ステップＳ１４）。 - 特許庁 - Whether the storage value of the number of starting held balls of a pattern display device is less than four, that is, other than four, is judged (step S15).
図柄表示装置の始動保留球数の記憶値が上限値である４よりも少ない、即ち、４以外であるか否かを判定する（ステップＳ１５）。 - 特許庁 - A method for producing a color filter is also provided which includes a step of forming a pattern by applying the colored curable composition on a support, exposing it through a mask and performing development.
および該着色硬化性組成物を支持体上に塗布後マスクを通して露光し、現像してパターンを形成する工程を含むカラーフィルタの製造法。 - 特許庁 - To provide a method of forming a silicon nitride film in which a step coating can be improved even when a semiconductor device is miniaturized with more steps in a pattern.
半導体デバイスが微細化しパターンの段差が増大した場合でも、段差被覆性を高くできる窒化シリコン膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁 - After that, a stored data group is reproduced from an address used for storing each ROM data pattern using the variable step address generator.
その後、可変ステップ・アドレス発生器を使って、各々のＲＯＭデータ・パターンを記憶するのに使われたアドレスから、記憶されているデータの群を再生する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can control constriction from occurring in a resist pattern, on the step at the end of an LOCOS insulating film, and its manufacture.
ＬＯＣＯＳ絶縁膜の端部の段差部上でレジストパターンにくびれが発生するのを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method includes a step 502 for selecting at least one super-pixel in an object plane of a desired pattern, wherein the super-pixel is formed of at least two pixels.
所望パターンの物体平面で少なくとも１つのスーパーピクセルを選択するステップ５０２を含み、スーパーピクセルは少なくとも２つのピクセルから形成される。 - 特許庁 - The substrate formed with the resist film is transferred to an exposure device which is provided with a reticle formed with a pattern and a projection optical system (step ST105).
前記レジスト膜が形成された基板を、パターンが形成されたレチクルおよび投影光学系を具備する露光装置に搬送する（ステップＳＴ１０５）。 - 特許庁 - When either only the header/footer or the header/footer of woven pattern is determined, in Step S1914, a character string and font information to be printed are obtained.
ヘッダ／フッタのみであるか、又は地紋ヘッダ／フッタであると判定した場合は、ステップＳ１９１４で、印字する文字列及びフォントの情報を取得する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
