「step pattern」を含む例文一覧(2084)

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  • In the opening angle calculating step, the opening angle is calculated which extends from shape estimation position on the circuit pattern to the mask material based on the taper shape.
    また、開口角算出ステップは、前記テーパー形状に基づいて、前記回路パターン上の形状予測位置から前記マスク材に向かっての開口角を算出する。 - 特許庁
  • The main controller (main control CPU) of a pachinko machine acquires a MODE value from a variation pattern address selection table on the basis of a ready-to-win determination random number (step S502).
    パチンコ機の主制御装置(主制御CPU)は、リーチ決定乱数に基づいて変動パターンアドレス選択テーブルからMODE値を取得する(ステップS502)。 - 特許庁
  • When the user performs an expansion/reduction operation by a dedicated interface, a display information area deciding part 11 decides a display area of a specified pattern (step 21).
    専用インターフェースによる利用者の拡大/縮小操作があった場合、表示情報領域決定部11は、特定パターンでの表示領域を決定する(ステップ21)。 - 特許庁
  • In the second step, the color pattern having the joint clearance P closest to the reference value of the plurality of color patterns having different set values of the joint clearance P is selected.
    第二ステップでは、目地間隔Pの設定値が異なる複数の色柄パターンのうち前記基準値に最も近い目地間隔Pを有する色柄パターンを選択する。 - 特許庁
  • When advance notice presentation is performed in the step S40, advance notice presentation information showing the advance notice presentation pattern corresponding to the performed advance notice presentation is stored (S50).
    S40において予告演出が実行されると、実行された予告演出に対応する予告演出パターンを示す予告演出情報が記憶される(S50)。 - 特許庁
  • A staple trace pattern position discrimination part discriminates whether or not the staple trace is present at the basic position where the staple treatment can be performed by a staple treatment part (step S906).
    ステイプル跡のパターン位置判別部は、ステイプル跡の場所がステイプル処理部でそのままステイプル処理が可能な基本位置に在るか否かを判別する(ステップS906)。 - 特許庁
  • The method includes a step of providing a honeycomb pattern of an extrusion slot by machining the extrusion slot with at least one grinding wheel.
    ハニカム押出ダイをダイ本体から作製する方法は、押出スロットを少なくとも1つの砥石車で機械加工し、押出スロットのハニカムパターンを提供する工程を有してなる。 - 特許庁
  • A method for controlling the variable inlet guide vane mechanism for the compressor includes a step of pivotally actuating at least some of the plurality of vanes around the case in the unsymmetrical pattern.
    圧縮機用の可変入口ガイドベーン機構を制御する方法は、複数のベーンの少なくとも幾つかをケースの周囲で非対称のパターンで枢動させるステップを含む。 - 特許庁
  • In the pattern forming step, the plurality of apertures 53 are formed at equal pitches larger than an ideal value specified based on the pixel pitch of the display means 4.
    パターン形成工程では、複数の開口部53を、表示手段4の画素ピッチに基づいて規定される理想値よりも大きく、かつ均等なピッチで形成する。 - 特許庁
  • The overlap sections 88 and 810 are displayed in a stripe pattern by display color components of the search routes 84, 85 and 86 by the overlap section drawing processing of step S700.
    重複区間88,810は、ステップS700の重複部分描画処理により、探索経路84,85,86の表示色成分による縞模様で表示される。 - 特許庁
  • FORMING METHOD OF UPPER MAGNETIC POLE LAYER OF THIN FILM MAGNETIC HEAD, FORMING METHOD OF FINE BLOCK PATTERN OF HIGH ASPECT RATIO ON BOTTOM OF STEP ON SURFACE HAVING STEPS, AND THIN FILM MAGNETIC HEAD
    薄膜磁気ヘッドの上部磁極層の形成方法、段差を有する表面の段差底部上に高アスペクト比微細ブロックパターンを形成する方法、並びに、薄膜磁気ヘッド - 特許庁
  • In the step of forming the protective resin layer 9, the sheet type support member 1 functions as a pattern size precision maintaining means for maintaining the size precision of the wiring 7.
    保護樹脂層9を形成する工程において、シート状支持部材1は配線7の寸法精度を維持するパターン寸法精度維持手段として機能する。 - 特許庁
  • The angle high-resolution processing section 108 estimates the arrival direction of the arriving wave at the resolution higher than that of the angle step of the antenna pattern table by using the converged propagation parameter.
    角度高分解能処理部108は、収束した伝搬パラメータを用いてアンテナパターンテーブルの角度ステップよりも高い分解能で到来波の到来方向を推定する。 - 特許庁
  • In the pattern forming step, the glass substrate 2 is preferably subjected to split exposure using a plurality of photomasks corresponding to a plurality of surface regions on the glass substrate 2.
    好ましくは、パターンを形成する工程では、ガラス基板2上の複数の面領域に対応する複数のフォトマスクを用いて分割露光することが行われる。 - 特許庁
  • On the other hand, in an irregular mode operation other than the regular image forming operation, a test pattern offset value Totn is extracted as the toner consumption corresponding to the operation (step S141).
    一方、通常の画像形成動作ではない非通常モードでの動作では、動作に応じたトナー消費量としてテストパターンオフセット値Totnを抽出する(ステップS141)。 - 特許庁
  • The memory hard disk is produced through a step forming a predetermined linear pattern on the surface of the substrate for the memory hard disk by using the composition for textured finish.
    そして、このテクスチャー加工用組成物を用いてメモリーハードディスク用の基盤(サブストレート)表面に所定の筋目を形成する工程を経てメモリーハードディスクは製造される。 - 特許庁
  • A negative-electrode active material layer having an uneven pattern is formed on a surface of a copper foil as a negative-electrode current collector by applying application liquid by a nozzle-scan coating method (a step S102).
    負極集電体たる銅箔表面に対し、ノズルスキャン法により塗布液を塗布して凹凸パターンを有する負極活物質層を形成する(ステップS102)。 - 特許庁
  • By the configuration, one notice content pattern can be used for two or more kinds of variation cycle numbers of the variation cycles configuring the step notice performance.
    この構成によれば、段階予告演出を構成する変動サイクルの複数種類の変動サイクル数の間で、1つの予告内容パターンを共通使用することができる。 - 特許庁
  • Subsequently, application liquid containing a polymer electrolyte material is applied by a spin coating method, thereby forming a solid electrolyte layer in conformity with the uneven pattern (a step S103).
    次いで、高分子電解質材料を含む塗布液をスピンコート法により塗布することで、凹凸パターンに追従した固体電解質層を形成する(ステップS103)。 - 特許庁
  • To efficiently design a dummy pattern to be formed on a wiring layer for eliminating the surface step of polished surfaces after a chemical mechanical polishing(CMP) process in a production process of semiconductor device.
    半導体装置の製造過程でCMP(Chemical Mechanical Polishing)工程後の研磨面の表面段差を解消するために配線層に形成するダミーパターンを効率よく設計する。 - 特許庁
  • The above process forms a desired laminate structure on a principal plane of the substrate 1 although photolithography is limited to a single step of forming the first mask pattern 4.
    以上の工程により、フォトリソグラフィが第1マスクパターン4を形成する1回のみに制限されるも、基板1の主面に所望の積層構造が形成される。 - 特許庁
  • The sufficient quantity of wafers formed with a resist pattern is extracted in order to monitor effective variation of light exposure and focus in a lot (step S108).
    レジストパターンが形成されたウェハの中から、ロット内の実効的な露光量変動及び、フォーカス変動をモニタするために十分な量のウェハを抽出する(ステップS108)。 - 特許庁
  • This method also includes a step of performing a test among the domains and implementing a second subset of the domain of the plurality of circuits provided with the dynamic defect detection test pattern.
    本方法はまた、ドメイン間テストを実施して、動的欠陥検出テストパターンを実装する複数の回路のドメインの第2サブセットを実行する段階を含む。 - 特許庁
  • On the region including these step differences S1, S2, a first pattern difference P11 having a predetermined width over at least high and low levels is provided.
    これらの段差S1,S2を含む領域上において、少なくとも高いレベルと低いレベルに渡って所定幅を有する第1パターンP11が設けられている。 - 特許庁
  • The pattern is transferred by controlling the imaging properties of the projection optical system, considering the environmental correction coefficient, and using the projection optical system after the correction (step 421).
    そして、この環境補正係数を考慮して投影光学系の結像特性を調整し、その調整後の投影光学系を用いてパターンの転写を行なう(ステップ421)。 - 特許庁
  • Upon determining whether the pattern formed on the photomask has a defect in an inspection step 6, the defect determination reference is varied according to the attribute information.
    検査工程6において、フォトマスク上に形成されたパターンが欠陥を有するか否かを判定するときにはこの属性情報に応じて欠陥判定基準が変更される。 - 特許庁
  • A CPU 1 sends a stepping command that is a switching timing signal of a light color to step counters 7 and 8 on the basis of a display pattern via a CPU interface 2.
    CPU1は、CPUインタフェース2を介して、表示パターンに基づいて、灯色の切替タイミング信号である歩進指令をステップカウンタ7、8へ送出する。 - 特許庁
  • The second edge cut position of the protective film coincides with an edge cut position of a resist in a light exposure step at the time of forming a wiring pattern on the first low-k film.
    保護膜の第2エッジカット位置は、第1のLow−k膜上に配線パターンを形成する際の露光工程におけるレジストのエッジカット位置に一致する。 - 特許庁
  • To prevent a previously formed resist pattern from being dissolved in a solvent of a resist material applied thereon without complicating a processing step in double patterning.
    ダブルパターンニングにおいて、処理工程を煩雑化させることなく、先に形成されたレジストパターンがその上に塗布されたレジスト材料の溶剤に溶けることを防止する。 - 特許庁
  • When a vehicle travels to 500 m before a course change spot on a guide path, a vibrator motor is controlled with a vibration pattern (A) (step SA7).
    車両の移動に伴って、現在位置が誘導経路上における進行方向変更地点の500m前になると、振動パターン(A)でバイブモータを制御する(ステップSA7)。 - 特許庁
  • An excitation pattern of a motor 20 is defined as a micro step in a low-speed driving mode corresponding to the time t2 and as 1-2 phase excitation in a high-speed driving mode corresponding to the time t1.
    モータ20の励磁パターンは、時間t2に対応する低速駆動時にマイクロステップとし、時間t1に対応する高速駆動時に1−2相励磁とする。 - 特許庁
  • Thus, when a relationship Td1 >a (YES in S330) is satisfied even when the required EGR quantity Er is small, a 'single valve operation pattern 1' in a step S340 can be implemented.
    このため要求EGR量Erが少なくても、Td1>a(S330で「YES」)となる場合には、ステップS340による「1弁駆動・パターン1」が実行できる。 - 特許庁
  • In the case of the allowed transition pattern, the Jar is received (step S11).
    許容された遷移パターンの場合にはJarが受信され(ステップS11)、セキュリティを損なうために許容されていない遷移パターンの場合にはJarは受信されない(ステップS12)。 - 特許庁
  • In a step of setting specifications for inspection of a photomask, a dimensional variance specification of a line end is provided as one of dimensional variance specifications of a mask pattern to be inspected.
    フォトマスクの検査のための仕様を設定するステップにおいて、検査すべきマスクパターンの寸法ばらつき仕様の一つとしてラインエンドの寸法ばらつき仕様を設ける。 - 特許庁
  • In this case, the light emitting position of the phosphors are calculated by calculating a reference position of a coordinate system for each measurement pattern and taking this reference position as an origin (step #6).
    この際、発光螢光体の発光位置は測定パターン毎に座標系の基準位置を算出し、この基準位置を原点として算出される(ステップ#6)。 - 特許庁
  • To reduce damage to a photosensitive sheet and a support thereof in a step of developing the photosensitive sheet, and to obtain a molded object with a uniform pattern in the sheet.
    感光性シートの現像工程において、感光性シートおよびその支持体のダメージを軽減し、かつシート内のパターンが均一な成形体を得ることを課題とする。 - 特許庁
  • When the winning occurs, the process proceeds to a step S220 to output a random number, and whether the number is the value for setting a pattern to generate next-to-win condition or not is determined (S230).
    始動入賞があればS220に進んで乱数を出力させ、その値がリーチ状態となる図柄を設定させる値か否かを判定する(S230)。 - 特許庁
  • To improve reliability of electrical connections by preventing the electrical connections from failing, during and after a step of connecting the bumps of a semiconductor chip with the conductive pattern of a substrate.
    半導体チップのバンプと基板の導電パターンとの接続過程および接続後における電気的接続の不良の発生を防止し、電気的接続の信頼性を高める。 - 特許庁
  • In advance notice selection processing (Step S717), it is determined whether a fluctuation time is reduced or not from a fluctuation display pattern command sent from a main board 101.
    予告選択処理(ステップS717)において、主基板101から送信された変動表示パターンコマンドにもとづいて変動時間を短縮するか否かを判別する。 - 特許庁
  • At an advance notice selection processing (step S717), based on a variable display pattern command transmitted from the main board 101, it is judged whether the variation time should be shortened or not.
    予告選択処理(ステップS717)において、主基板101から送信された変動表示パターンコマンドにもとづいて変動時間を短縮するか否かを判別する。 - 特許庁
  • The method includes a step for pattering a substance film to form a substance film pattern after forming the substance film on a wafer having a plurality of independent patterning regions.
    独立した複数のパターニング領域を有するウェーハ上に物質膜を形成した後、物質膜をパターニングして物質膜パターンを形成する段階を含む。 - 特許庁
  • As a next step, a resist pattern 42 having an opening 47 is formed in a region corresponding to an electrode forming region 45 in the upper side surface of the amorphous AlN thin film.
    次に、アモルファスAlN薄膜の上側表面内の、電極形成領域45に対応する領域に開口部47を有するレジストパターン42を形成する。 - 特許庁
  • In a product design step, chip layout data of a product to which the CP pattern (33) is applied is created with reference to the layout of the macro cell of the cell design library (4).
    製品設計段階において、セル設計ライブラリ(4)のマクロ・セルのレイアウトを参照してCPパターン(33)を適用した製品のチップレイアウトデータを作成する。 - 特許庁
  • When the operating torque detected by a torque sensor 7 is large, driving of the motor 1 by the energization pattern drive unit 24 is stopped so as to avoid step-out.
    トルクセンサ7によって検出される操作トルクが大きいときには、脱調を回避するために、通電パターン駆動部24によるモータ1の駆動が停止される。 - 特許庁
  • The insulation layer 24 is polished along its surface pattern by using an elastic polishing cloth to loosen the inclination in the side wall of the step of the insulation layer 24.
    弾性を有する研磨布を用いることで絶縁膜24をその表面形状に沿って研磨することにより、絶縁膜24の段差側壁の傾斜を緩やかにする。 - 特許庁
  • In the step of forming the mask pattern, the first titanium nitride film 42a is formed by a sputtering method and the second titanium nitride film 43a is formed by a self-ionized plasma method.
    マスクパターンを形成する工程では、第1窒化チタン膜42aをスパッタリング法で形成し、かつ第2窒化チタン膜43aを自己イオン化プラズマ法で形成する。 - 特許庁
  • In a step 104, wiring pattern length 150 where a loop inductance in the case of the replacement of a low ESL capacitor 130 is equal to a desired loop inductance is acquired.
    ステップS104では、低ESLコンデンサ130に換えた場合のループインダクタンスが、求められたループインダクタンスと同等となる配線パターン長150が取得される。 - 特許庁
  • Then, each test pattern is displayed at the ROI position of the medical image to be displayed and the adjustment processing of the display gradation characteristic of the medical image displaying apparatus is executed (a step S4).
    次に、表示対象となる医用画像のROI位置に各テストパターンを表示し、医用画像表示装置の表示階調特性調整処理を行う(ステップS4)。 - 特許庁
  • To achieve stability of a pattern of a flow passage forming member with a simple configuration without adding a forming process of a flattening film for suppressing a step difference due to heater wiring.
    ヒータ配線による段差を抑える平坦化膜の形成工程を追加することなく、簡素な構成で流路形成型材のパターンの安定性を実現する。 - 特許庁
  • When the coating solution is diffused over the pattern of the wafer by a centrifugal force generated by the rotation of the wafer, ultraviolet rays are emitted to the applied coating solution (step S3).
    ウェハの回転による遠心力によって塗布液がウェハのパターン上の全面に拡散されると、塗布された塗布液に紫外線を照射する(ステップS3)。 - 特許庁
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