「step pattern」を含む例文一覧(2084)

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  • Everytime the pattern is changed at the step (S 350), the working roller during its ascent is rotated so as to set to the head of the pattern worked therewith at the steps (S 315 to S 330) in order to form successively patterns on a sheet material in the working order.
    そして、模様が変わるたびに（Ｓ３５０）、上昇中の加工ローラが加工に用いる模様ので先頭に合わせて回転され（Ｓ３１５〜Ｓ３３０）、加工順序に沿って順次模様がシート材料に形成される。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing an inductance part by which the variance of film thickness and quality of a plating film such as a coil pattern can be suppressed in an electroplating step and a highly homogeneous coil pattern can be formed.
    電気めっき工程において、コイルパターンなどのめっき膜の膜厚および品質ばらつきを抑制するとともに高均質なコイルパターンが形成できるインダクタンス部品の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
  • In the case of neither the big hit nor the ready-to-win state and in the case that the storage value of the number of starting held balls is the upper limit value, a simultaneous stop variation pattern is selected (step S19), and the patterns of each row are simultaneously stopped to determine the pattern.
    そして、大当りでなく、かつ、リーチでもない場合に、前記始動保留球数の記憶値が上限値の場合に同時停止変動パターンを選択し（ステップＳ１９）、各列の図柄を同時に停止させて図柄を確定する。 - 特許庁
  • To obtain a printed wiring board having a structure wherein the tone of color of the appearance of the board is less affected, even if a change occurs temporarily in the surface conditions of a core wiring pattern layer, as a result of modifications made to the wiring pattern formation and its pretreatment step.
    配線パターン形成やその前処理工程が変更されて、コア配線パターン層表面状態に仮に変化が生じても、基板の外観色調に影響が及びにくい構造を有するプリント配線基板を提供する。 - 特許庁
  • At this time, it is preferable that arithmetic average roughness Ra on the surface of the servo pattern area 21 is 0.3nm or more and it is preferable that the irregularity existing on the surface of the servo pattern area 21 has a step with 6nm or less.
    このとき、サーボパターン領域２１の表面の算術平均粗さＲａが０．３ｎｍ以上であることが好ましく、サーボパターン領域２１の表面に存在する凹凸が６ｎｍ以下の段差を有することが好ましい。 - 特許庁
  • To obtain a method for forming a pattern, which surely forms a pattern having a stencil shape by a simple method, without being effected due to exposure systems, a high-step substrate, or a resist solution, which is used for the method.
    基板上に、ステンシル形状を有するパターンを、露光方式や高段差基板による影響を受けずに、簡単な方法によって、確実に形成するパターン形成法及びその方法に使用するレジスト溶液を提供すること。 - 特許庁
  • To surely obtain an anisotropic shape in a film to be etched by preventing a resist from being tilted down in a step of etching by using a resist pattern made of a resist material for photosensing via an ArF excimer laser, and to enable a pattern size to be controlled.
    ＡｒＦエキシマレーザ感光用のレジスト材からなるレジストパターンを用いるエッチング工程において、レジスト倒れを防止して被エッチング膜に異方性形状を確実に得ると共に、パターン寸法を制御できるようにする。 - 特許庁
  • In the local alignment step, a local alignment unit carries out the local alignment of a pattern image of a detection object and a reference pattern image of a detection reference in the local area, and obtains a shift amount being the alignment result.
    局所アライメントステップでは、局所アライメント部が、前記局所領域において、検査対象のパターン画像と検査基準の基準パターン画像との前記局所アライメントを行い、局所アライメント結果であるシフト量を得る。 - 特許庁
  • When the color registration adjusting pattern is not detected by the color registration detection sensor, and also, when the density of the density adjusting pattern detected by the density sensor is within the normal extent, information that abnormality occurs in the printing controller is given to the printing controller (step 118).
    カラーレジ検知センサがカラーレジ調整用のパターンを検知せず、かつ濃度センサが検知する濃度調整用パターンの濃度が正常範囲の場合は、プリントコントローラに異常が発生したことをプリントコントローラに通知する（ステップ１１８）。 - 特許庁
  • The electronic component manufacturing method includes a step of forming a composite ink pattern layer on the mold releasing surface of a transfer board using a letterpress offset process, followed by simultaneous inversion transfer of the composite ink pattern layer onto a matter to be printed.
    凸版オフセット法を用いて転写板の離型性面上に、複合インキパターン層を形成した後、該複合インキパターン層を被印刷体上に同時に反転転写する工程を有する電子部品の製造方法。 - 特許庁
  • In the background pattern direction calculating step ST4, the comparison of inspection data with respective comparison data is performed while moving the respective comparison data in a scanning direction and the background pattern direction of a taken image is calculated on the basis of the comparison results.
    背景パターン方向算出工程ＳＴ４は、検査データおよび各比較データの比較を、各比較データを前記走査方向に移動しながら行い、その比較結果に基づいて撮像画像の背景パターン方向を算出する。 - 特許庁
  • The performance indication operator 1 consists of 16 switches 11 to 116, and the performance indication operator 1 functions as an operator indicating a position of musical sound pattern data when musical sound pattern data is generated by step input or is edited.
    演奏指示操作子１は、１６個のスイッチ１_1〜１_16によって構成され、楽音パターンデータをステップ入力で作成したり、エディットしたりするときには、演奏指示操作子１は、楽音パターンデータの位置を指示する操作子として機能する。 - 特許庁
  • A process for preparing a flexible device having a superoleophobic surface is used, comprising: a step of providing a flexible substrate; a step of disposing a silicon layer 10 on the flexible substrate 12; a step of using photolithography to create a textured pattern in the silicon layer 10 on the substrate wherein the textured pattern comprises a groove structure 16; and a step of chemically modifying the textured surface by disposing an insulation protective oleophobic coating thereon.
    可撓性基板を設けるステップと、可撓性基板１２上にシリコン層１０を施すステップと、写真平板法を用いて基板上のシリコン層１０にテクスチャー加工されたパターンを作成するステップと、この際テクスチャー加工されたパターンは溝構造１６を含むステップと、テクスチャー加工された表面を、その上に絶縁保護的な疎油性被膜を施すことにより化学的に修飾するステップと、を含む超疎油性表面を有する可撓性デバイスを作製するための方法を用いる。 - 特許庁
  • The manufacturing method of the plated substrate includes a step of providing a catalyst layer 32 in other area than a predetermined pattern on a substrate 10, a step of providing a first metal layer 34 of a predetermined pattern by depositing a metal on the substrate by immersing the substrate in a first electroless plating liquid, a step of removing the catalyst layer, and a step of providing a second metal layer on the first metal layer.
    本発明にかかるめっき基板の製造方法は、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、触媒層を除去する工程と、第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上方に第２の金属層を設ける工程と、を含む。 - 特許庁
  • The paying-in data input processing method comprises a step which detects a predetermined operation by a user, a step which provides an input screen which is an adequate user interface corresponding to a pattern of various types of paying-in data input processes, and a step which saves a paying-in data for each of the pattern, the paying-in data inputting in the input screen.
    入金データ入力処理方法は、ユーザによる所定の指定操作を検出するステップと；前記所定の指定操作を検出したとき、多種多様な形態の入金データの入力処理対応のパターン毎に最適なユーザインタフェースとしての入力画面の１つを提供するステップと；提供した前記入力画面の１つを通して入力された入金データを前記パターン毎に保存するステップとを備える。 - 特許庁
  • The graft polymer pattern forming method includes: (a) a step of forming a photocurable resin composition layer on a substrate; (b) a step of forming a photoreactive layer containing a compound having a polymerizable double bond on the photocurable resin composition layer; and (c) a step of patternwise exposing the photoreactive layer to produce a graft polymer in the exposed area, whereby a graft polymer pattern is formed.
    （ａ）基材上に光硬化性樹脂組成物層を形成する工程、（ｂ）該光硬化性樹脂組成物層上に、重合性の二重結合を有する化合物を含有する光反応性層を形成する工程、及び、（ｃ）該光反応性層をパターン状に露光して、露光した領域にグラフトポリマーを生成させて、グラフトポリマーパターンを形成する工程を有することを特徴とするグラフトポリマーパターン形成方法。 - 特許庁
  • The inspection method for a photomask group for forming a drawing pattern by use of a plurality of photomasks includes: a photomask image obtaining step of obtaining photomask images of a plurality of photomasks; an image superimposing step of superimposing the photomask images to obtain a superimposed image; and an inspection step of inspecting influences of the superimposed image on the drawing pattern.
    複数のフォトマスクを使って描画パターンを形成するためのフォトマスク群の検査方法であって、複数のフォトマスクについてフォトマスク画像を取得するフォトマスク画像取得工程と、フォトマスク画像を重ね合わせ、重ね合わせ画像を取得する画像重ね合わせ工程と、重ね合わせ画像から描画パターンへの影響を検査する検査工程と、を備えることを特徴とするフォトマスク群の検査方法。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the structure having the uneven pattern includes a coating step of coating to a processing object a liquid (a) containing first particles and a matrix material composed of a material different from the first particles; a removal step of removing the first particles; and an etching step of forming the uneven pattern by etching a processing object with the matrix material as an etching mask.
    本発明の凹凸パターンを有する構造体の製造方法は、第一の粒子と、前記第一の粒子と異なる材料からなるマトリクス材とを含む液体（ａ）を被加工体上に塗布する塗布工程と、前記第一の粒子を除去する除去工程と、前記マトリクス材をエッチングマスクとして前記被加工体をエッチングして凹凸パターンを形成するエッチング工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁
  • The system stores a model pattern introduced by analyzing the requirement specifications according to the predetermined method (step S11), generates program modules specifying the respective functions following the user instructions (step S12, S13), converts the generated program modules and the functions specified for them into the information that conforms with the model pattern (step S14), and generates software codes based on the information converted.
    所定の手法に従って要求仕様を分析して導かれるモデルパターンを記憶し（ステップＳ１１）、ユーザの指示により、プログラム構成要素を生成し、その機能を指定し（ステップＳ１２、Ｓ１３）、生成されたプログラム構成要素と、これに対して指示された機能とを、前記モデルパターンに則った情報へ変換し（ステップＳ１４）、変換された情報に基づいてソフトウエアコードを生成する（ステップＳ１６）。 - 特許庁
  • The method of measuring volume of the ink droplet is composed of following steps: a step for repeatedly forming a printing pattern composed of a plurality of droplets by the ink jet head; a step for image taking only the ink droplets having mutually corresponding jetting order among the ink droplets composing the printing pattern repeatedly formed; and a step for measuring the volume of the ink droplets whose images are taken.
    インクジェットヘッドにより複数個のインク液滴で構成されたプリンティングパターンを反復的に形成するステップと、反復的に形成されたプリンティングパターンを構成するインク液滴のうち、互いに対応する吐出順序を有するインク液滴のみを写真撮影するステップと、写真撮影されたインク液滴の体積を測定するステップと、を含むインク液滴の体積測定方法である。 - 特許庁
  • The resist pattern forming method includes: at least a resist film forming step of forming a resist film by applying and heating the resist composition on a surface to be processed; an irradiation step of selectively irradiating the resist film with ionizing radiation; a heating step of hating the resist film irradiated with the ionizing radiation; and a development step of developing the resist film.
    本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に、本発明の前記レジスト組成物を塗布し加熱してレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対して、電離放射線を選択的に照射する電離放射線照射工程と、電離放射線が照射された該レジスト膜を加熱する加熱工程と、現像する現像工程とを少なくとも含む。 - 特許庁
  • The method of manufacturing image sensor includes a step of forming a photo sensitive film for forming a microlens on a color filter, a step of forming a pattern having a predetermined depth from upper plane by exposing the photosensitive film, a step of forming a backup microlens by heat treating the photosensitive film, and a step of forming a microlens by etching the backup microlens.
    実施例に係るイメージセンサの製造方法は、カラーフィルタ層の上にマイクロレンズ形成のための感光膜を形成するステップと、前記感光膜に露光を行って、上部面から所定深さを有するパターンを形成するステップと、前記感光膜に熱処理を行って、予備マイクロレンズを形成するステップと、前記予備マイクロレンズにエッチングを行って、マイクロレンズを形成するステップとを備える。 - 特許庁
  • The process for manufacturing a semiconductor device comprises a step for forming a resist 6 containing a thermally crosslinking material on the surface of a semiconductor substrate 5, a step for pressing a mold 1 provided with a pattern 4 against the resist 6, a step for heating the resist 6 while pressing the mold 1 against the resist 6, and a step for patterning the resist 6 by removing it.
    本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板５の表面上に、加熱により架橋する材料を含むレジスト６を形成する工程と、パターン４の形成されたモールド１をレジスト６に押し付ける工程と、モールド１をレジスト６に押し付けた状態で、レジスト６を加熱する工程と、レジスト６を除去することにより、レジスト６をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁
  • A plurality of divided contour lines 8 divided by a pattern 5 in a right side of the coarsely detected film region are acquired in step S4, a plurality of smooth contour lines 9 are acquired by feature extraction in step S5, a folded portion of coordinates is removed in step S6, and the smooth contour lines 9 are coupled to acquire an entire contour line 10 in step S7.
    工程Ｓ４で粗検出フィルム領域の右辺においてパターン５によって分断された複数の分断等高線８を取得し、工程Ｓ５で特徴抽出によって複数の平滑等高線９を取得し、工程Ｓ６で座標の折り返しを除去し、工程Ｓ７で複数の平滑等高線９を結合して全体等高線１０を取得する。 - 特許庁
  • A semiconductor device comprises a polyorganosiloxane-cured relief pattern obtained by a method comprising a step of applying a certain polyorganosiloxane composition to obtain a coating film on a substrate; a step of irradiating the coating film with an active ray through a patterning mask to photo-cure an exposure part; a step of removing an uncured part of the coating film by using a developer; and a step of heating each of the substrates.
    基材上に、特定のポリオルガノシロキサン組成物を塗布して塗布膜を得る工程、 パターニングマスクを介して該塗布膜に活性光線を照射し露光部を光硬化させる工程、現像液を用いて該塗布膜の未硬化の部分を除去する工程該基材ごと加熱する工程からなる方法によって得られるポリオルガノシロキサン硬化レリーフパターンを含む半導体装置。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the plate having micro openings each having the predetermined size and arranged at predetermined intervals includes a step of forming a UV curable resin layer on a substrate, a step of performing UV exposure to the UV curable resin layer to form a pattern corresponding to the micro openings, a step of performing development and a step of peeling off the UV curable resin layer from the substrate to obtain the plate.
    本発明による、所定の間隔で配置された、所定のサイズの微細開口部を有するプレートの製造方法は、基板上に紫外線硬化樹脂層を形成するステップと、紫外線硬化樹脂層に、微細開口部に対応したパターンの、紫外線露光を行うステップと、現像を行うステップと、紫外線硬化樹脂層を基板から剥離させてプレートを得るステップと、を含む。 - 特許庁
  • A repairing method for a discontinued wire of a wiring board is constituted to provide a step of forming resist 6 at a circuit pattern excepting the discontinued wiring part, a step of applying conductive paste 7 at the discontinued part on the resist 6 formed, a step of hardening the conductive paste 7 and a step of eliminating the resist 6 from the wiring board.
    配線基板の断線部分を修正する方法において、前記断線部分を含む回路パターン以外の部分にレジストを形成する工程と、前記レジストを形成した上から前記断線部分に導電ペーストを塗布する工程と、前記導電ペーストを固化させる工程と、前記配線基板から前記レジストを除去する工程と、を具えるように構成する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the laminated electronic component includes: a step of preparing an inside green sheet 10a; a step of preparing an outside green sheet 11a; a step of laminating outside green sheets to form an outer layer part; and a step of laminating inside green sheets 10a through an inner electrode pattern layer 12a to form an inner laminating part 13a continuous with the outer layer part.
    内側グリーンシート１０ａを準備する工程と、外側グリーンシート１１ａを準備する工程と、外側グリーンシートを積層して外層部を形成する工程と、内部電極パターン層１２ａを介して内側グリーンシート１０ａを積層して、外層部に連続する内層積層部１３ａを形成する工程と、を有する積層型電子部品の製造方法である。 - 特許庁
  • The method includes: a step of bringing a main pattern part 20 formed on a template 2 into contact with a resist material 5 arranged on a film 4 to be processed; and a step of adjusting a distance so that the distance between a surface of the film 4 and the surface opposed to the film 4 of the main pattern part 20 becomes a predetermined distance while the main pattern part 20 is brought into contact with the resist material 5.
    半導体装置の製造方法は、テンプレート２に形成された主要パターン部２０と被加工膜４上に配置されたレジスト材５とを接触させる工程と、主要パターン部２０とレジスト材５との接触状態において、被加工膜４の表面と主要パターン部２０の被加工膜４に対向する表面との距離が所望の距離となるように距離を調整する工程と、を含む。 - 特許庁
  • A wiring pattern forming method for forming a wiring pattern on a liquid-repellent substrate P includes a step of forming a lyophilic region H1 by discharging and locating a lyophilic material X2 by means of a drip discharging method, and a step of providing a functional liquid containing conductive particles on the lyophilic region to form the wiring pattern by drying and baking.
    撥液性を有する基板Ｐ上に配線パターンを形成する配線パターン形成方法であって、液滴吐出法によって親液性材料Ｘ２を上記基板上に吐出配置することによって親液領域Ｈ１を形成する工程と、上記親液領域上に導電性微粒子を含む機能液を配置し乾燥、焼成させることによって上記配線パターンを形成する工程とを有する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a resist pattern on a surface to be processed by forming a resist film on the surface using the resist composition for immersion exposure, irradiating the resist film with exposure light by immersion exposure, and developing it, and a step of transferring the pattern to the surface to be processed by etching through the resist pattern as a mask.
    本発明の半導体装置の製造方法は、被加工面上に、本発明の前記液浸露光用レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対して液浸露光により露光光を照射し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工面にパターンを転写するパターン転写工程とを少なくとも含む。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the semiconductor device includes: a step of coating a semiconductor substrate, having a wiring pattern formed, with an oxide film; a step of covering the oxide film with the film to be etched made of a conductive material; and a step of patterning the film to be etched through plasma etching while giving selectivity to the oxide film by adding a compound containing no carbon and containing sulfur.
    配線パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を被覆する工程と、酸化膜上に導電材料の被エッチング膜を被覆する工程と、炭素を含まず硫黄を含む化合物を添加して、被エッチング膜を酸化膜に対して選択性を持たせつつプラズマエッチングしてパターニングする工程とを含む。 - 特許庁
  • The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.
    本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁
  • In the color image forming apparatus equipped with an intermediate transfer member or a carrying belt moving in a circulatory manner, the intermediate transfer member or the carrying belt is idly rotated for a required time (step 1), and a color slurring detection pattern is formed on the intermediate transfer member or the carrying belt (step 4) after performing step 1.
    周回移動する中間転写体または搬送ベルトを備えたカラー画像形成装置において、中間転写体または搬送ベルトを所要時間だけ空回転させ（ステップ１）、前記ステップ１の実行後に、前記中間転写体上または前記搬送ベルト上に色ずれ検出パターン形成する（ステップ４）。 - 特許庁
  • Until entirely covered with a test pattern with effective test patterns mapped to the state transition (step 5), the operation of determining a state transition series having a predetermined length for covering the test patterns according to a predetermined standard, and of adding them to the test series (step 7) and performing X-extraction (step) is repeated.
    状態遷移にマッピングされた有効テストパターンが生成されたテスト系列にすべて被覆されるまで（ｓｔｅｐ５）、所定の基準に従ってテストパターンを被覆する所定長の状態遷移系列を決定してテスト系列に追加し（ｓｔｅｐ７）Ｘ抽出する操作（ｓｔｅｐ）を繰り返す。 - 特許庁
  • A physical evaluation value/parameter map memory determines an image processing parameter corresponding to the selected physical evaluation value (step 112), the image processing parameter, which corresponds to the determined image processing pattern, is outputted to the parameter setting section (step 114), and the parameter setting section sets each image processing parameter (step 116).
    物理評価値／パラメータマップメモリが、前記選択された物理評価値に対応する画像処理パラメータを決定し（ステップ１１２）、決定された画像処理パターンに対応する画像処理パラメータをパラメータ設定部に出力し（ステップ１１４）、パラメータ設定部が各画像処理パラメータを設定する（ステップ１１６）。 - 特許庁
  • The method of forming an oxide film pattern includes a step of forming an oxide film on a semiconductor substrate, a step of implanting boron ions of 1.0×10^16 pieces/cm^2 or more into the oxide film in a predetermined region, and a step of wet-etching a region where no boron ion is implanted in the oxide film.
    半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、所定領域の酸化膜上に１．０×１０^１６個／ｃｍ^２以上のボロンイオンを注入する工程と、前記酸化膜における前記ボロンイオンの注入されなかった領域を湿式エッチングする工程と、を含む酸化膜パターンの形成方法とした。 - 特許庁
  • A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming a (first) mask material film 13 on the film 12 to be worked, a step of making a tapered opening pattern 18 on the film 13, and a step of etching the film 12 by using the film 13 as a mask.
    被加工膜１２上に（第１の）マスク材料膜１３を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３にテーパ形状の開口パターン１８を形成する工程と、前記（第１の）マスク材料膜１３をマスクに用いて前記被加工膜１２をエッチング加工する工程とを備えた半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the housing includes: a step to provide a mold in which a fine uneven pattern for imparting the matte effect is formed; a step to provide a sheet and arrange the sheet in the mold; and a step in which a molding material is injected into the mold and a base material layer is molded on the sheet.
    本発明のハウジングの製造方法は、艶消し効果を付与する微細凹凸模様が形成された金型を提供するステップと、薄板を提供し、前記薄板を前記金型内に配置するステップと、前記金型内に成形材料を注入して、前記薄板の上に基材層を成形するステップと、を含む。 - 特許庁
  • Functional verification between a net list 12 generated by the test synthesis and a timing verified net list by the static timing analysis is verified (step S15), the function verified net list is released to a manufacturing section (step S17) and a test pattern is automatically generated by using the net list 15 by an ATPG tool (step S18).
    テスト合成により生成されたネットリスト１２と、静的タイミング解析によるタイミング検証済みのネットリストとのファンクション検証をおこない（ステップＳ１５）、ファンクション検証済みのネットリストを製造部門へリリースし（ステップＳ１７）、そのネットリスト１５を用いてＡＴＰＧツールによりテスト・パターンを自動生成する（ステップＳ１８）。 - 特許庁
  • In the method of manufacturing a conductor pattern, a step of printing mask portions on a board by using a printing material containing a solvent-soluble resin as a main component, a step of laminating a conductive member upon the whole surface of the substrate, and a step of removing the printing material with a solvent, are successively performed in this order.
    支持体上に溶剤溶解性の樹脂を主成分とする印刷材料でマスク部分を印刷する工程と、導電性部材を全面に積層する工程と、前記印刷材料を溶剤で除去する工程とをこの順に有することを特徴とする導電性パターン製造方法。 - 特許庁
  • Another method of manufacturing the wiring board includes a step 1 of forming a conductor agent film by using a conductor agent including fine conductor particles having a mean particle diameter of ≤300 nm and/or fine heated conductor particles, a step 2 of forming a conductor film by heating the conductor agent film, and the step 6 of forming the conductor pattern (12).
    本他方法は、同配線板の製造方法において、平均粒径３００ｎｍ以下の導電性微粒子及び／又は加熱導電化微粒子を含有する導電化剤を用いて同導電化剤膜を形成する工程１と、導電化剤膜を加熱して導電化膜とする工程２と、同工程６と、を備える。 - 特許庁
  • The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.
    基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁
  • Further, the method for manufacturing the mask comprises a step of forming the transfer pattern on an upper single-crystal silicon wafer of the substrate for the mask, a step of forming an opening at a lower single- crystal silicon wafer, and a step of removing a silicon oxide film of the opening, at least after both the previous steps.
    更に、上記転写マスク用基板の上部単結晶シリコンウェハに転写パターンを形成する工程と、下部単結晶シリコンウェハに開口部を形成する工程とを有し、少なくともこの両工程の後に、開口部の該シリコン酸化膜を除去する工程を含むこととした転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the structure includes: a step of preparing a conductive material 101 containing tungsten(W); a step of forming a mask layer 103 having a pattern on the material 101; and a step of allowing to flow anode-current through the material 101 on which the mask layer 103 is formed in a molten salt 20.
    構造体の製造方法は、タングステン（Ｗ）を含む導電性の材料１０１を準備する工程と、材料１０１にパターンを有するマスク層１０３を形成する工程と、溶融塩２０中でマスク層１０３が形成された材料１０１にアノード電流を流す工程とを備えている。 - 特許庁
  • The method for forming the fine pattern comprises a step of cooling a single crystal substrate to -50°C to -273°C, a step of implanting charged particles of a dosage of 1×1014 cm-2 to 5×1016 cm-2 at a predetermined acceleration voltage, and a step of returning the substrate to the ambient temperature.
    単結晶基板１を−５０℃以下−２７３℃以上の低温に冷却する工程と、単結晶基板の表面に荷電粒子を１×１０^14ｃｍ^-2以上５×１０^16ｃｍ^-2以下のドーズ量にて、所定の加速電圧で注入する工程と、単結晶基板を室温に戻す工程とから少なくともなる。 - 特許庁
  • To provide a decorate board and manufacturing method thereof which forms a sealing surface and the like with a uniform pattern while no gap or step at a joint part is obvious.
    一様な模様で天井面等を形成できるとともに、継ぎ目における隙間や段差が目立たない化粧板およびその製造方法を提供することにある。 - 特許庁
  • Further, in the step S9, remaining balls are removed, and the solder balls with which the opening pattern of the mask is filled up can be pressed and closely attached to flux.
    また、ステップＳ９においては、残ボールを除去すると共に、マスクの開口パターンに充填された半田ボールをフラックスに押し付けて密着させることができる。 - 特許庁
  • A control part 10 prepares correspondence relation in which actual measurement levels J1, J2, ..., J7 of pattern images G1, G2, ..., G7 are associated with target levels K1, K2, ..., K7 (a step S4).
    制御部１０は、パターン画像Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇ７の実測レベルＪ１，Ｊ２，…，Ｊ７と目標レベルＫ１，Ｋ２，…，Ｋ７とを関連付けた対応関係を作成する（ステップＳ４）。 - 特許庁
  • As regards a game machine such as a Pachinko game machine, special figures are stopped once (step S76) after showing on a special pattern display device (display part) that a ready-for-win state takes place (S74).
    パチンコ機等の遊技機に関し、特別図柄表示器（表示部）にリーチになったことを表示した後（ステップＳ７４）、特別図柄を一旦停止させる（ステップＳ７６）。 - 特許庁
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