「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 221 222 次へ＞- To set path setting time of an upper layer to be high speed when setting of a path in a lower layer is required in setting of the path of the upper layer by making it a trigger.
上位レイヤのパス設定において、それをトリガにして、下位レイヤのパス設定が必要な場合には、上位レイヤのパス設定時間を高速にする。 - 特許庁 - A circuit like a Wheatstone bridge is formed by preparing for four sets of the side of upper layer wiring (terminal) - through-hole - lower layer wiring - through-hole - upper layer wiring (terminal).
上層配線（端子）〜スルーホール〜下層配線〜スルーホール〜上層配線（端子）を一辺とし、これを四組用意してホイートストンブリッジ様の回路を構成する。 - 特許庁 - An end of an upper face of the element isolation insulating layer 51 adjacent to the floating electrode layer 32 is positioned in a level lower than the upper face of the floating electrode layer 32.
浮遊電極層３２に隣接する素子分離絶縁層５１の上面の端部は、浮遊電極層３２の上面よりも低い高さに位置する。 - 特許庁 - The overcoat layer 28 has an upper part 30 covering the green layer 27 for the spacer as an uppermost layer, and the upper part 30 has an arc-like perpendicular cross section.
オーバーコート層２８は、最上層のスペーサ用グリーン層２７を覆う上方部３０を有し、この上方部３０は、円弧状の垂直断面を有している。 - 特許庁 - An opening which is larger than the upper part of the dielectric layer (102) is formed in the upper part of the sacrificial layer (108) through sputter etching of the sacrificial layer (108).
犠牲層（１０８）をスパッタエッチングすることにより、誘電体層（１０２）の上部よりも広い開口部を、犠牲層（１０８）の上部に形成する。 - 特許庁 - Therefore a recording magnetic field conducted by the upper part core layer 26 is once converged in the magnetic intermediate layer 39 and then flows into the upper part magnetic pole layer 35.
これにより上部コア層２６からの記録磁界は、一旦前記磁性中間層３９内で集束され、その後前記上部磁極層３５に流れる。 - 特許庁 - A flattening layer 5 is provided thereon as needed and an upper electrode layer 6 and an upper protective layer 7 are film-deposited thereon to obtain the display device 100.
必要に応じて平坦化層５をその上に設け、さらに、上部電極層６及び上部保護層７を成膜して表示装置１００を得る。 - 特許庁 - The gradient composition layer 2b has a gradient composition and is so formed that the compositions of the upper and lower ends thereof coincide the compositions of the upper end layer 2c and the lower end layer 2a respectively.
傾斜組成層２ｂは、傾斜組成を有し、上下端の組成が上端層２ｃと下端層２ａとに一致するように形成する。 - 特許庁 - A semiconductor block 1 comprises a base plate 2, a semiconductor structure 3, an insulation layer 15, an upper layer insulating film 16, and an upper layer interconnect line 19.
半導体ブロック１は、ベース板２、半導体構成体３、絶縁層１５、上層絶縁膜１６、上層配線１９を含んで構成されている。 - 特許庁 - On the upper clad layer 109, a third upper clad layer 111 of the second conduction type having a stripe-like ridge structure 130 and a contact layer 113 of the second conduction type are formed.
ストライプ状のリッジ構造１３０をなす第２導電型の第三上クラッド層１１１と、第２導電型のコンタクト層１１３とを備える。 - 特許庁 - An n^--GaN layer 11 is regrown on the upper surface of the n^--GaN layer 11 and the upper surface of the p-GaN layer 13 by an MOCVD method.
ｎ^- −ＧａＮ層１１の上面、および、ｐ−ＧａＮ層１３の上面に、ｎ^- −ＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法により再成長させる。 - 特許庁 - A lower part of the tapered germanium layer contains a higher concentration of germanium than that of an upper part of the tapered germanium layer, and there exists no germanium at the upper face of the tapered germanium layer.
傾斜ゲルマニウム層の下部は、傾斜ゲルマニウム層の上部より高濃度のゲルマニウムを含み、傾斜ゲルマニウム層の上面にはゲルマニウムが存在しない。 - 特許庁 - The BAW resonator is provided with a substrate 10, a lower electrode 20 formed on an upper surface 11 of the substrate 10, a piezoelectric layer 30 formed on an upper layer 21 of the lower electrode 20, an insulating layer 40 formed on an upper surface 31 of the piezoelectric layer 30, and an upper electrode 50 formed on an upper surface 41 of the insulating layer 40.
基板１０と、基板１０の上面１１に形成された下部電極２０と、下部電極２０の上面２１に形成された圧電層３０と、圧電層３０の上面３１に形成された絶縁層４０と、絶縁層４０の上面４１に形成された上部電極５０とを備える。 - 特許庁 - The upper layer 3 has an upper-layer body 30 retaining exothermic agent 21, a second adhesive layer 22 peelably sticking the upper-layer body 30 to the upper face of the lower layer 2, and a thermal deformation member 6 whose end edge is deformable to roll back to the upper side when being heated with the heat generation of the exothermic agent 21.
上層３は、発熱剤２１を保持した上層本体３０と、上層本体３０を下層２の上面に引き剥がし可能に接着した第２粘着層２２と、発熱剤２１の発熱に伴い加熱されると、その端縁部が上方側に反り返るように変形し得る熱変形部材６とを備えている。 - 特許庁 - An upper insulation layer 9 is provided on the MR element layer 5, the electrodes 7 and the soft magnetic film via a non-magnetic upper gap layer 8, and an upper shielding layer 10 having 3 μm thickness is formed thereon.
そしてこれらのＭＲ素子層５及び電極７、軟磁性膜の上に、非磁性の上部ギャップ層８を介して上部絶縁層９が設けられ、さらにその上に上部シールド層１０が厚み３μｍで形成される。 - 特許庁 - The test upper ferroelectric layer 116 is located in the same layer with an upper ferroelectric layer 46, formed from the same material with the upper ferroelectric layer 46 and connected to a second test pad 130.
テスト用上層強誘電体層１１６は、上層強誘電体層４６と同一層に位置し、上層強誘電体層４６と同一材料により形成されており、第２テスト用パッド１３０に接続している。 - 特許庁 - Then the pad formed at the upper end part of the second inter-layer insulating layer is so wide that the upper conductive layer that the pad comes into contact with does not come into contact with another adjacent upper conductive layer.
そして、第２層間絶縁層の上端部に形成されたパッドは、それ自体が接触する上部導電層と隣接する他の上部導電層には接触しないほどの幅を有するように構成する。 - 特許庁 - The semiconductor light emitting device is provided with a lamination structure (resonator) wherein a lower DBR layer 11, a lower spacer layer 12, an active layer 13, an upper spacer layer 14, a current constriction layer 15, an upper DBR layer 16, and a contact layer 17 are stacked on a substrate 10 in sequence.
基板１０上に、下部ＤＢＲ層１１、下部スペーサ層１２、活性層１３、上部スペーサ層１４、電流狭窄層１５、上部ＤＢＲ層１６およびコンタクト層１７を順に積層した積層構造（共振器）を備える。 - 特許庁 - A lower electrode layer 2, a floating electrode layer 8 not connected with an upper electrode layer 4, and a thin film dielectric layer 9 doped with a donor are interposed in a thin film dielectric layer 3 sandwiched by the lower electrode layer 2 and the upper electrode layer 4.
下部電極層２と上部電極層４とで挟持した薄膜誘電体層３中に、下部電極層２、上部電極層４に接続しない浮き電極層８、及びドナードーパントをドープした薄膜誘電体層９を介在させた。 - 特許庁 - At least a reflection layer, a recording layer, a lower dielectric layer, an upper dielectric layer and a solid lubricant layer are laminated in this order on a baseboard so that a thermal conductivity in the upper dielectric layer is made to be larger than that in the lower dielectric layer.
基板上に少なくとも反射層、記録層、下部誘電体層、上部誘電体層および固体潤滑層をこの順に積層し、上部誘電体層の熱伝導率を下部誘電体層の熱伝導率より大きくする。 - 特許庁 - A pair of upper electrodes 12, formed on the main surface of a substrate 11, have a multilayered structure which is comprised of a first upper electrode layer 14, a second upper electrode layer 15 overlapping at least partly the first upper electrode layer 14, and a contact layer 16 overlapping the first upper electrode layer 14 and the second upper electrode layer 15.
基板１１の一主面に形成した一対の上面電極１２を、第１の上面電極層１４と、この第１の上面電極層１４に少なくとも一部が重なるように設けられた第２の上面電極層１５と、前記第１の上面電極層１４および第２の上面電極層１５に重なる密着層１６の複層構造により構成したものである。 - 特許庁 - An upper clad layer is provided with a first upper clad layer 18 having a normal mesa ridge 18a and a second upper clad layer 26 formed on the first upper clad layer 18, and the second upper clad layer 26 is arranged on the first upper clad layer 18 with the normal mesa ridge 18a and current block layers 24 formed on both sides of the normal mesa ridge 18a in between.
上クラッド層を順メサリッジ１８ａを有する第１の上クラッド層１８と第１の上クラッド層１８の上に配設された第２の上クラッド層２６とで構成するとともに、この第２の上クラッド層２６は順メサリッジ１８ａと順メサリッジ１８ａの両側に配設された電流ブロック層２４とを介して第１の上クラッド層１８の上に配設された。 - 特許庁 - The capacitance insulating film has: a first layer (7a) containing hafnium oxide; a second layer (7b) formed in an upper layer of the first layer and containing alumina; a third layer (7c) formed in a lower layer of the first layer and containing alumina; and a fourth layer (7d) formed in an upper layer of the second layer and containing hafnium oxide.
容量絶縁膜は、酸化ハフニウムを含む第１層（７ａ）と、第１層の上層に形成されており、アルミナを含む第２層（７ｂ）と、第１層の下層に形成されており、アルミナを含む第３層（７ｃ）と、第２層の上層に形成されており、酸化ハフニウムを含む第４層（７ｄ）とを有する。 - 特許庁 - On a first upper clad layer 5 on an emission surface side, a second upper clad layer 6 whose band gap energy is more powerful than that of an active layer 4, and the surface (emission surface side) of the second upper clad layer 6 is planar-doped (7) or pulse-doped with dopant of the same conductive type as the second upper clad layer 6.
発光面側の第１上クラッド層５の上に、活性層４よりもバンドギャップエネルギーが大きな第２上クラッド層６を設け、該第２上クラッド層６の表面（発光面側）を第２上クラッド層６と同じ導電型のドーパントによりプレーナードープ７又はパルスドープする。 - 特許庁 - The free layer 40 is a composite body formed by laminating a lower ferromagnetic layer 35, an NCC (Nanocurrent Channel) layer 36 and an upper ferromagnetic layer 37 in order.
フリー層４０は、下部強磁性層３５と、ＮＣＣ層３６と、上部強磁性層３７とが順に積層された複合体である。 - 特許庁 - Each of the memory cells has a resistance change layer, an upper electrode layer, a lower electrode layer, a diode layer, a first oxide film, and a second oxide film.
メモリセルは、抵抗変化層と上部電極層と下部電極層とダイオード層と第１の酸化膜と第２の酸化膜とを有する。 - 特許庁 - A mat lower layer part (3) may be piled and arranged so as to cover the whole underside part of the mat upper layer part with holding the waterproof layer between the layer parts.
また、防水層部を挟んでマット上層部の下面側全体を覆うようにマット下層部（３）を積層配置してもよい。 - 特許庁 - The laser structure is epitaxially grown on a substrate 12 with a lower cladding layer 20, an active layer 22, an upper cladding layer 24, and a contact layer 26.
基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。 - 特許庁 - A floating electrode layer 8, which is not connected to a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4, is made to be interposed in a thin-film dielectric layer 3.
薄膜誘電体層３中に、下部電極層２、上部電極層４に接続しない浮き電極層８を介在させた。 - 特許庁 - Then, a return path layer is formed on the exposed lower gap layer, upper gap layer and resist layer by plating across a plating substrate film.
そして、露出させた下部ギャップ層、上部ギャップ層及びレジスト層の上にメッキ下地膜を介してリターンパス層をメッキにより形成する。 - 特許庁 - In upper layer of the P-type layer 14, photoelectric conversion portions 24 including an N type layer 20 and an N type layer 22 are formed in an island shape.
Ｐ−型層１４の上層には、Ｎ型層２０とＮ型層２２を含む光電変換部２４が島状に形成されている。 - 特許庁 - A lower part clad layer 2, an active layer 3, an upper part first clad layer 4 and an etching stop layer 5 are laminated in order on a substrate 1.
基板１の上には、下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４およびエッチングストップ層５が順に積層されている。 - 特許庁 - An n-type source region 4 is formed to be a multilayer structure having a first layer 4a as an upper layer and a second layer 4b as a lower layer.
ｎ型ソース領域４を上層部となる第１層４ａおよび下層部となる第２層４ｂを備えた多層構造にする。 - 特許庁 - The skin for the vehicle seat includes a lower layer 4 made of an infrared reflection layer and an upper layer 5 made of an infrared permeable layer constituting the outer surface of the skin.
赤外線反射層からなる下層４と、外表面を構成する赤外線透過層からなる上層５とを備える。 - 特許庁 - The intermediate layer 53 includes an under white base layer 531 positioned on the first image layer 52, a light shielding layer 532 positioned on the under base layer 531, and an upper white base layer 533 positioned on the light shielding layer 532.
中間層５３は、第１画像層５２上に位置する下白地層５３１、下白地層５３１上に位置する遮光層５３２、および、遮光層５３２上に位置する上白地層５３３を備える。 - 特許庁 - The light emitting diode elements are formed with a high heat conductive substrate, a non-conductor type protective layer, a metal bonding layer, a mirror plane protective layer, an ohmic contact epitaxy layer, an upper coating layer, an active layer, and a lower coating layer.
発光ダイオード素子は、高導熱基板と、非導体型保護層と、金属接着層と、鏡面保護層と、オーミックコンタクトエピタキシ層と上被覆層と活性層と下被覆層とを形成してなる。 - 特許庁 - UPPER LAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING PHOTORESIST PATTERN
上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 - 特許庁 - The upper film has a higher refractive index than a liquid crystal layer.
上部膜の屈折率は液晶層の屈折率より高い。 - 特許庁 - A colored coating layer 2 is deposited on the upper surface of a substrate 1.
基材１の上面に着色塗装層２を形成する。 - 特許庁 - Thus, upper layer negotiations can be smoothly performed.
これにより、上位レイヤのネゴシエーションを円滑に行うことができる。 - 特許庁 - The upper surface of the base layer sheet is provided with a design pattern.
基層シートの上面には、意匠模様が設けられている。 - 特許庁 - To form a shield layer 14 on an upper surface of a circuit 10.
回路装置１０の上面にシールド層１４を形成する。 - 特許庁 - The p-type electrode 4 is used as an upper clad layer in common.
ｐ型電極４は、上部クラッド層として兼用される。 - 特許庁 - INDUSTRIAL WOVEN FABRIC HAVING AUXILIARY WEFT YARN ARRANGED IN UPPER LAYER WOVEN FABRIC
上層織物に補助緯糸を配置した工業用織物 - 特許庁 - UPPER LAYER COATING METHOD AND COATING APPARATUS FOR ROLLER BASE MATERIAL
ローラ基材における上層塗工方法および塗工装置 - 特許庁 - An upper paper 7 is formed on the other face of the inlet layer 3.
インレット層３の他の面には上紙７が設けられている。 - 特許庁 - The substrate upper layer 20 is formed of a woody fiber plate.
基材上面層２０は、木質繊維板により構成される。 - 特許庁 - The base material upper face layer 20 is composed of a wood fiberboard.
基材上面層２０は、木質繊維板により構成される。 - 特許庁 - An upper layer resin is applied to the fabric 6 in the rear of the device.
装置後方の布６に上層樹脂を塗布する（図１０）。 - 特許庁 - Artificial lawn 8 is laid on an upper surface 40 of the crushed stone layer B.
砕石層Ｂの上面４０に人工芝８を敷設する。 - 特許庁
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