「upper layer」を含む例文一覧(11093)
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注入セットは、針を、制御された高い速度で、内容物を皮膚表面の上側３ｍｍに送達する深さまで挿入することができる一体型衝撃インサータと、インサータが、皮膚表面のテンティングのリスクを有さずに針を挿入することができるように、皮膚表面を挿入部位において固定するための皮膚固定接着層とを有する。 - 特許庁 - The electrode stack has a substantially rectangular parallelopiped laminated with the plurality of electrodes 1 formed by applying the active material layer on both sides or one face of the collector, via the separator 3, and at least three sides of the electrode stack are fixed along a lamination direction from an upper face to an under face, by a fixing member 4.
集電体の両面または片面に活物質層を塗布して形成された電極１を、セパレータ３を介して複数積層した略直方体の形状を有する電極積層体であって、該電極積層体の少なくとも３つの側面が、上面から下面まで積層方向に沿って固定部材４によって固定されたことを特徴とする電極積層体等である。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the vertical power element on a silicon wafer, a second-conductivity lightly-doped epitaxial layer having such a thickness that can withstand the maximum voltage impressed upon the power element during operation is formed on the upper surface of a first-conductivity heavily-doped substrate and at least one area corresponding to the power element is divided by insulating walls in the wafer.
シリコンウェハーの上に垂直パワー素子を製造する方法に関し、第１導電形の重くドープした基板の上表面に第２導電形の軽くドープしたエピタキシャル層を成長させ、該エピタキシャル層はパワー素子の動作中に印加される最大電圧に耐える厚さを有し、ウェハーの中に少なくとも１つのパワー素子に対応する領域を絶縁壁により区切る。 - 特許庁 - The ink jet recording head comprises a pressure generating chamber 12 formed in a silicon single crystal substrate conducting with a nozzle opening, an elastic film 50 forming a part of the pressure generating chamber, a lower electrode 60 arranged on the elastic film 50, a piezoelectric layer 70 and an upper electrode 80 wherein a lower electrode thin film part 60a is formed in a region facing the pressure generating chamber 12.
ノズル開口に連通するシリコン単結晶基板に形成された圧力発生室１２と、この圧力発生室の一部を構成する弾性膜５０と、該弾性膜５０上に設けられた下電極６０、圧電体層７０及び上電極８０を備えたインクジェット式記録ヘッドにおいて、圧力発生室１２に対向する領域に下電極薄膜部６０ａを形成する。 - 特許庁 - The leadout electrode is buried at its intermediate part within a resin supporting material leaving a connecting portions at upper and lower portions in a composite material of a leadout electrode for an electric double-layer capacitor including the resin supporting material, two leadout electrodes supported by the resin supporting material, and the voltage balance equalizor circuit connected between the two leadout electrodes.
樹脂製支持体と該樹脂製支持体に支持された２つの引出電極と該引出電極間に接続された電圧バランス均等化回路を有する電気二重層キャパシタ用引出電極複合体において、該引出電極は上下に接続部を残して該樹脂製支持体に中間部が埋め込まれた構造になっている、電気二重層キャパシタ用引出電極複合体。 - 特許庁 - This method for dispersing the ceramic short fibers is provided by adding the ceramic short fibers into an organic solvent dissolving a small amount of a metal alkoxide and not miscible with water, dispersing uniformly, adding water, an aqueous solution or an aqueous slurry containing ceramic powder to the mixture, agitating, then separating an aqueous phase and organic phase, removing the upper layer organic phase and obtaining the aqueous phase dispersed with the ceramic short fibers.
少量の金属アルコキシドを溶解した水と混ざらない有機溶媒中に、セラミック短繊維を加えて均一に分散させ、それに水、水溶液、あるいはセラミック粉末を含有した水性スラリーを加えて撹拌した後、水相と有機溶媒相に分離させたうえで、上層の有機溶媒相を除いて、セラミック短繊維の分散した水相を得る。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device has the steps of: introducing a second p type impurity into an n well containing a gate electrode and the resistance element to form a p channel type MOSFET and adjust the resistance value of the resistance element; and introducing a third n type impurity into an upper layer electrode of a capacity element containing a first p type impurity to convert into an n type.
ゲート電極を含むｎウエルと抵抗素子とに第二ｐ型不純物を導入してｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴの形成と抵抗素子の抵抗値の調整とをそれぞれ行う工程と、第一ｐ型不純物を含有する容量素子の上層電極に第三ｎ型不純物を導入してｎ型に変換する工程を有する半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁 - The multilayer printed wiring board with a plurality of individual wiring boards is provided with failure confirmation pads corresponding to those individual wiring boards in each layer, and the failure confirmation pads are formed so as to be arranged while their positions are shifted like a zigzag pattern in an upper layer and a lower layer.
下層の回路形成と同時に当該個別配線板に対応した不良確認パッドを形成する第１ステップと、層間絶縁層を介して上層の回路形成を行うと同時に当該個別配線板に対応した不良確認パッドを下層に設けた不良確認パッドと千鳥足状となるように位置をずらして配置形成する第２ステップと、上層から当該層間絶縁層を透過して下層の不良確認パッドの有無を確認し、当該下層の不良確認パッドが確認できなかった場合に上層の不良確認パッドを除去する第３ステップと、当該第２ステップと第３ステップを必要層数分繰り返し行うことによって、内層の個別配線板の不良情報を外層に反映せしめて識別する第４ステップからなる個別配線板の不良特定方法。 - 特許庁 - In the sheet composite body, the surface layer of the concrete structure is formed by impregnating the internal surface of forms with previously manufactured resin cement mortar or cement mortar or placing concrete from the upper section of resin cement mortar or cement mortar after the impregnation of resin cement mortar or cement mortar on the forms when the concrete structure is formed.
具体的にはコンクリート構造体を形成する際に、型枠内面に予め作製しておいた樹脂系セメントモルタルまたはセメントモルタルを含浸させた補強用シート複合体を配置するか、または型枠上で樹脂系セメントモルタルまたはセメントモルタルを含浸させた補強用シート複合体を形成させた後、その上からコンクリートを打設することにより形成されるコンクリート構造体表層構造。 - 特許庁 - To provide a method for generating artificial rainfall or the like, making artificial rain fall anytime anywhere by loading an artificial rainfall generating device on a moving means followed by making always movable to an area requiring rainfall, and especially, surely generating a large amount of artificial rainfall by combining a plurality of moving means in further preferable positional relation so as to surely raise a swirling flow to a further upper layer.
移動手段に人工降雨発生装置を搭載していつでも降雨を必要とする地域に移動可能にしていつでもどこにでも人工雨を降らせるようにし、特に、移動手段の複数をより好ましい位置関係に組み合わせることにより渦巻流をより上層へ確実に上昇させて人工降雨を確実かつ多量に発生させ得るようにした人工降雨等発生方法を提供すること。 - 特許庁 - By forming the cross section shape of the upper surface of the inorganic pixel defining film in the curved shape having no discontinuous point, adhesion between the first electrode and an organic film layer is increased in a transfer process, transfer is made possible even with the laser beams having low energy, transfer efficiency is enhanced and moreover, the light emitting efficiency and the life of the organic electroluminescence element are increased.
無機画素定義膜の上面の断面形態が不連続点のない曲線形態を持つように形成することにより、転写工程の際に第１の電極と有機膜層との密着を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写が可能であり、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。 - 特許庁 - The display element displaying full colors with two liquid crystal layers laminated with each other, comprises two upper coloring regions containing pigments, assuming respectively different hue values and placed optically in parallel to one another in one out of the two liquid crystal layers and two lower coloring regions containing pigments, assuming respectively different hue values and placed optically in parallel to one another in the other liquid crystal layer.
フルカラーを表示する表示素子であって、積層された２つの液晶層と、２つの液晶層のうち一方の液晶層には、色素を含有してそれぞれ異なる色相をあらわす２つの上方着色領域が光学的に並列に配置され、他方の液晶層には、色相を含有してそれぞれ異なる色相をあらわす２つの下方着色領域が光学的に並列に配置されている。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material of a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer that prevents wiggling in substrate etching and prevents a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, to provide a process for forming the resist underlayer film, and to provide a patterning process and a fullerene derivative.
本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a delivery slip which is two-ply delivery slip consisting of the lower layer slip paper and upper one, wherein a part or design not be altered individually is printed beforehand, which is easy to be used for circulation enterprisers, or users of the delivery slip, and is easy to be checked for customers, and wherein all the information can be checked efficiently at a first glance, with cost reduction and environmental protection.
本発明は、下層伝票用紙と上層伝票用紙との二枚重ねの配送伝票であって、個別に変更する必要のない箇所やデザインを予め印刷しておき、配送伝票を使用する流通事業者にとっては使い易く、お客様にとっては見易く、あらゆる情報を効率的に一覧で得られるようにした配送伝票を提供して、コスト削減と環境保護を図る。 - 特許庁 - The electrooptical device includes: transistors (30) provided for respective pixels; pixel electrodes (9) provided corresponding to the transistors; and a storage capacitance (70) electrically connected to the pixel electrodes and made of a first capacitance electrode (2), a second capacitance electrode (5) disposed opposite to the first capacitance electrode from an upper layer side and the capacitance insulating film (7) formed between the first and second capacitance electrodes.
電気光学装置は、画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極に電気的に接続されており、第１容量電極（２）、第１容量電極に上層側から対向配置された第２容量電極（５）、及び第１容量電極及び第２容量電極間に形成された容量絶縁膜（７）からなる蓄積容量（７０）とを備える。 - 特許庁 - The low-temperature co-fired ceramic substrate comprises a ceramic body in which one or more first dielectric layers having a diopside-based crystallized glass are laminated, and a second dielectric layer which is formed on at least one surface of the upper surface and the lower surface of the ceramic body, fired with the first dielectric layers at a firing temperature for the first dielectric layers, and contains ≥10 wt.% of amorphous substances.
本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。 - 特許庁 - The manager 11 includes a reprodata storing unit 321 for storing a rewriting program of ECUs 111 and 112; an alternate signal storing unit 322 for storing alternate signals to signals output by the ECUs 111 and 112; and an arithmetic operation unit 31 for transferring the rewriting program to the ECUs 111 and 112, acquiring the alternate signal from the alternate signal storing unit 322 and transmitting the alternate signal to the upper layer network 10.
マネージャー１１にはＥＣＵ１１１，１１２の書き換え用プログラムを記憶しておくリプロデータ記憶部３２１と、ＥＣＵ１１１，１１２が出力する信号に対する代替信号を記憶しておく代替信号記憶部３２２と、ＥＣＵ１１１，１１２に書き換え用プログラムを転送するとともに代替信号を代替信号記憶部３２２から取得して上層ネットワーク１０に送信する演算部３１とが設けられている。 - 特許庁 - The method of manufacturing the ZnO-based semiconductor device includes the processes of: preparing a substrate; supplying Zn, O and N on the upper side of the substrate; supplying an element which is added to ZnO when necessary to change a band gap; and forming a ZnO-based semiconductor layer doped with N to exhibit n-type conductivity with increased n-type carrier concentration as compared with the case that doping with N is not performed.
ＺｎＯ系半導体装置の製造方法は、基板を準備する工程と、基板上方に、Ｚｎ、Ｏ、及びＮを供給するとともに、必要に応じて、ＺｎＯに添加することによりバンドギャップを変化させる元素を供給し、Ｎをドープすることにより、Ｎをドープしない場合に比べてｎ型キャリア濃度が増したｎ型伝導性を示すＺｎＯ系半導体層を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - In the semiconductor device having an insulation film structure where an organic insulation film is laid on an inorganic insulation film, the insulation film structure has a moisture absorbing first insulation film 12, a second insulation film 13 formed on the first insulation film 12 in order to reduce permeation of moisture to the upper layer, and an organic insulation film 14 formed on the second insulation film 13.
無機絶縁膜上に有機絶縁膜を積層した絶縁膜構造を有する半導体装置において、絶縁膜構造は、吸湿性を有する第１の絶縁膜１２と、前記第１の絶縁膜１２上に形成された上層への水の透過を減少させる第２の絶縁膜１３と、前記第２の絶縁膜１３上に形成された有機絶縁膜１４とを有する半導体装置である。 - 特許庁 - In this case, cut portions 22b obtained by partially cutting a conductive layer 22B and through holes 122d vertically penetrated into the body substrate aggregate 122 are formed on positions opposed to first adhesive areas 124a on the upper surface of the body substrate aggregate 122 as first adhesive storing portions for storing the adhesive leaked out from the first adhesive areas 124a during the adhesive fixing.
その際、ボディ基板集合体１２２の上面における第１の接着領域１２４ａと対向する位置に、接着固定の際に第１の接着領域１２４ａから溢れ出す接着剤を収容するための第１の接着剤収容部として、導電層２２Ｂの一部を切除した切除部２２ｂと、ボディ基板集合体１２２を上下方向に貫通する貫通孔１２２ｄとを形成しておく。 - 特許庁 - This photosensitive paste composition improves the contrast by forming a black layer on the upper end of the barrier plate of PDP preventing the electric and optical crosstalk between the discharge cells, wherein the photosensitive paste composition comprises nano-particles of a black pigment for improving the contrast and a cyclic acid anhydride for preventing fundamentally the gelation of the paste composition.
放電セル間の電気的及び光学的クロストークを防止するＰＤＰの隔壁の上端部に黒色層を形成してコントラストを向上させる感光性ペースト組成物において、感光性ペースト組成物がコントラスト向上のためのナノ粒子の黒色顔料を含み、また、ペースト組成物のゲル化を根本的に防止するための環型酸無水物を含むことを特徴とする感光性ペースト組成物である。 - 特許庁 - In the scraper conveyor method and the device thereof for scraping/conveying many small blocks S supplied by a scraper 1, many small blocks S supplied are deposited to the same surface height as a scraping surface of the scraper 1 and many small blocks S supplied to the upper surface are scraped/conveyed by the scraper 1 making the small blocks layer deposited as a scraper scraping guide surface.
供給される多数の小塊Ｓをスクレーパ１により掻き取り搬送するスクレーパコンベヤ方法とその装置において、供給される多数の小塊Ｓをスクレーパ１の掻き取り面と面一高さまで堆積し、堆積した小塊層をスクレーパ掻き取り案内面としてその上面に供給される多数の小塊Ｓをスクレーパ１により掻き取り搬送することを特徴とするスクレーパコンベヤ方法とその装置。 - 特許庁 - In the earthquake-resistant building layer adapted to interrupt seismic vibration to an upper building by introducing a fluid bed parallel to the ground to the building across the building, vibration energy of earthquake is converted to rotating energy of a spherical body 1 or a cylindrical support column 2, and its periphery is filled with a filler 4 to fluidize the whole body, whereby the vibration energy is prevented from being transferred to the building.
建造物に地面に平行な前記建造物を横断する流動層を導入して地振動を上部の建造物に伝達するのを遮断する為、地震の振動エネルギーを球体１又は円筒体の支柱２の自転エネルギーに変換すると同時にその周辺をフィル４で埋めて全体を流動させ、振動エネルギーが建造物に伝達されるのを遮断する耐震建築層。 - 特許庁 - In the photoelectric conversion device 1 which has a stacked structure of a lower electrode 20, a photoelectric conversion layer 30, and an upper electrode 50 on the anodic oxidation substrate 10 formed with an anodic oxidation film 12 on at least one face of a metal base 11 having Al as a main component, the anodic oxidation substrate 10 is formed by doping at least one kind of alkaline metal onto the anodic oxidation film 12.
Ａｌを主成分とする金属基材１１の少なくとも一方の面側に陽極酸化膜１２が形成された陽極酸化基板１０上に、下部電極２０、光電変換層３０および上部電極５０の積層構造を有する光電変換素子１において、陽極酸化基板１０が、陽極酸化膜１２に少なくとも１種のアルカリ金属がドープされたものとする。 - 特許庁 - As an upper layer, a main audio channel 16 and a sub-audio channel 17 each comprising a set of two audio channels for stereo recording are provided, an area management unit 18 referred to main AV data channel comprising video + two audio channels suitable for ordinary camera input is provided further thereon, and an uppermost area management unit 19 for all channel simultaneous recording area or all channel unrecorded area is provided.
その上の階層として、ステレオ記録を行うための音声２チャネルずつを組としたメインオーディオチャネル１６およびサブオーディオチャネル１７を設け、さらにその上に、通常のカメラ入力に好適な映像＋音声２チャネルのメインＡＶデータチャネルという領域管理単位１８を設け、最上位に、全チャネル同時記録もしくは全チャネル未記録な領域のための領域管理単位１９を設ける。 - 特許庁 - This embroidered art object is obtained by forming a water- repelling layer on the upper surface of a heat transfer-printed design formed on a sheet web, embroidering a single color embroidering yarn along the design, and then coloring the embroidered yarn with dyes so as to coincide with the colors of the design.
上記の課題は、下絵が熱転写されたシート地に単色の刺繍糸を縫い付けて成る刺繍工芸品であって、熱転写された前記下絵の上面には撥水層が形成されており、前記下絵に沿って縫い付けられた前記単色の刺繍糸は、前記下絵の色に合うように染料で着色されていることを特徴とする刺繍工芸品とすることによって解決できることを見いだした。 - 特許庁 - The method for manufacturing the organic electroluminescence element includes a stage in which a donor substrate 130 is laminated on the upper surface of a substrate 110 having pixel electrodes, and a stage in which a predetermined area of the donor substrate 130 is irradiated with laser beams 250, 255 by using a laser irradiation apparatus 200 equipped with a diffraction optical element 280 to form an organic film layer pattern 120 on the substrate 110.
本発明に係る有機電界発光素子の製造方法は，画素電極が設けられた基板１１０の上面にドナー基板１３０がラミネートされる段階と，回折光学素子２８０を備えたレーザー照射装置２００を用いてドナー基板１３０の所定領域にレーザービーム２５０，２５５が照射され，基板１１０上に有機膜層パターン１２０が形成される段階と，を含む。 - 特許庁 - The multilayered heat-shrinkable film is constituted by laminating at least three layers, that is, upper and back surface film layers based on a resin composition prepared by blending 60-150 pts.wt. of straight chain polyethylene with 100 pts.wt. of a cyclic olefinic resin and an intermediate film layer formed from a propylene/α-olefin random copolymer or a resin composition based on this copolymer.
環状オレフィン系樹脂１００重量部に直鎖状低密度ポリエチレン６０〜１５０重量部をブレンドした樹脂組成物を主成分とする表裏フィルム層と、プロピレン−α−オレフィンランダム共重合体又は該共重合体を主成分とする樹脂組成物にて形成せしめた中間フィルム層とを有する少なくとも３層以上積層された多層熱収縮性フィルムを構成する。 - 特許庁 - The apparatus of the floating filter medium is composed of a tank having a tapered part where a fluidization part of the upper floating medium is formed and of a straight cylindrical part where a filter layer comprising a packed layer of the floating filter medium is formed following the lower part of the fluidization part.
上部の浮上ろ材の流動部を形成するテーパ部と、前記流動部の下部に続く浮上ろ材の充填層からなるろ過層を形成する直胴部を有する槽からなり、前記テーパ部の頂部に配備した原水流入部と、テーパ部の浮上ろ材流動部から浮上ろ材を吸引するろ材吸引管、前記吸引管から吸引ポンプを経由して送られた浮上ろ材を導入する、前記ろ過層の下方に配設した上部開口排水チャンバと、前記槽の底部に配備したろ過水排出部と、前記上部開口排水チャンバの下部に設置した洗浄排水排出管とを有する浮上ろ材を用いたろ過装置。 - 特許庁 - The screened materials are mixed with each other at a specified ratio and then water content is controlled by spraying water thereon to recycle the upper layer bed material.
本発明は、掘削土に、建設廃棄物のコンクリート塊またはアスファルト塊あるいはコンクリート塊とアスファルト塊の混合物を加えて破砕して、これに生石灰を加えてふるいにかけその粒径が４０ｍｍ〜２０ｍｍのものと、その粒径が２０ｍｍ〜２．５ｍｍのものと、その粒径が２．５ｍｍ〜０ｍｍのものにふるい分けてこれを所定の比率で混合した後、水を噴射し含水率を調整することにより上層路盤材に再生するようにしたものである。 - 特許庁 - The light emitting element is characterized by having: a semiconductor laminated material having a light-emitting layer; a transparent electrode having a first plane with a protruded area in a shape of island or net and a second plane in ohmic contact with the semiconductor laminated material; and a pad electrode provided at least in any one of the upper surface of the protruded area and the bottom surface in the circumference of the protruded area on the first plane.
発光層を有する半導体積層体と、島状または網状の凸部が設けられた第１の面と、前記半導体積層体との間でオーミックコンタクトを可能とする第２の面と、を有する透明電極と、前記第１の面における前記凸部の上面および前記凸部の周囲の底面のうちの、少なくともいずれかの上に設けられたパッド電極と、を備えたことを特徴とする発光素子が提供される。 - 特許庁 - In the semiconductor integrated circuit device having a through-hole electrode, when a through-via is formed after forming a pre-metal wiring layer, a silicon nitride type insulation film is used as a metal diffusion prevention film at an interface of an interlayer insulation film located at the upper end of the through-hole electrode, and a silicon carbide type insulation film is used as the metal diffusion prevention film at other interfaces of the interlayer insulation films.
本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 - 特許庁 - As mentioned above, in regards to the above difference, both upper and lower thickness limits of the polyethylene resin layer in the claimed invention are only an appropriately defined number that represents a matter of design in the earlier application invention to be appropriately selected by a person skilled in the art. And, as any specific technical meaning or critical importance cannot be found in the definition of the thickness, the claimed invention is substantially identical with the invention stated in the earlier application description.
以上によれば、上記相違点について、請求項に係る発明におけるポリエチレン樹脂層の厚さの限定は、その上限、下限とも、先行技術が実施者の適宜の選択にゆだねていた設計的事項について適宜数値を特定してみたものにすぎず、その限定に格別の技術的意義ないし臨界的意義を見いだすことができないから、請求項に係る発明は、先行技術と実質的に同一である。 - 特許庁 - To provide a resist underlayer film material for a multilayer resist film used in lithography for forming a resist underlayer film which has very excellent dry etching resistance, highly prevents twisting during substrate etching, and avoids a poisoning problem in forming an upper layer pattern using a chemically amplified resist, a method for forming the resist underlayer film, a patterning method, and a fullerene derivative.
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The method according to the present invention includes stages of: resetting the MAC-ehs entity; delivering all reordering PDUs (protocol data units) stored in the plurality of reordering queues to a plurality of reassembly entities for performing a reassembly process to deliver complete PDUs to an upper layer entity; and discarding all PDU segments still existing in the plurality of reassembly entities.
本発明による方法は、リセット要求指令を受信し、ＭＡＣ−ｅｈｓプロトコルエンティティーをリセットする段階と、前記複数のリオーダー待ち行列に保存されたすべてのリオーダーＰＤＵ（プロトコルデータユニット）を前記複数の再組み立てプロトコルエンティティーに伝送して再組み立てをし、完全なＰＤＵを上位層プロトコルエンティティーに伝送する段階と、前記複数の再組み立てプロトコルエンティティーの中で残存のＰＤＵセグメントをすべて廃棄する段階とを含む。 - 特許庁 - The method for performing integrity protection includes receiving a concatenated message including a NAS message, a first MAC code of the NAS message, a RRC message and a second MAC code of the concatenated message, performing an integrity protection procedure for the concatenated message, and discarding the RRC message and NAS message and not delivering the NAS message to an upper layer when the second MAC code does not pass the integrity protection procedure.
方法は、ＮＡＳメッセージと、該ＮＡＳメッセージの第一ＭＡＣコードと、ＲＲＣメッセージと、連結メッセージの第二ＭＡＣコードを含んだ連結メッセージを受信する段階と、上記連結メッセージに対して完全性保護プロセスを実行する段階と、上記第二ＭＡＣコードが完全性保護プロセスを通過しなかった場合にＲＲＣメッセージとＮＡＳメッセージを削除し、ＮＡＳメッセージを上位層に送信しない段階とを含む。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a connected part formed on a substrate; an insulation film having a predetermined opening pattern formed on the upper layer of the connected part; a wiring having a predetermined wiring pattern formed on the insulation film; and a via having a pattern included in a pattern comprising the logic product of the predetermined opening pattern and the predetermined wiring pattern for connecting the connected part and the wiring.
本発明の実施の形態による半導体装置は、半導体基板上に形成された被接続部と、前記被接続部の上層に形成された所定の開口パターンを有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された所定の配線パターンを有する配線と、前記所定の開口パターンと前記所定の配線パターンとの論理積からなるパターンに含まれるパターンを有し、前記被接続部と前記配線とを接続するビアと、を含む。 - 特許庁 - The liquid crystal display element including upper and lower substrates provided so as to be opposed to each other, electrodes and alignment layers successively formed respectively on the substrates, a liquid crystal layer inserted between the alignment layers formed on the two substrate and spacers controlling the interval between the two substrates, is characterized in that coating films consisting of an ion absorbing substance are formed on the surface of the spacers.
お互い対向するように備えられている上下基板、前記二枚の基板上部に各々順次に形成された電極と配向膜、前記二枚の基板上に形成された配向膜間に挿入されている液晶層及び前記二枚の基板間の間隔を制御するスペーサを含む液晶表示素子において、前記スペーサの表面にイオン吸収物質よりなるコーティング膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁 - To contrive to equalize an adhesion layer by isolating the adsorption of a disk and both exhaust passages of the suction of the central part and by extending the upper limit of the number of revolutions to be worked a stronger centrifugal force when rotating two disks overlapped through liquid adhesive with high-speed to equalize and expand the thickness of the liquid adhesive to the designated area and shorten processing time by speeding up rotating.
液体状接着剤を介して重ね合わされた２枚のディスクを高速回転させて、その液体状接着剤の厚さを均一化して所定領域まで広げる際に、ディスクの吸着と中央部の吸気の双方の排気流路を独立させつつ、回転数の上限を延ばすことにより、さらに強い遠心力を作用させて接着層の均一化を図ることや回転高速化による処理時間の短縮化を図る。 - 特許庁 - In the piezoelectric element, a diaphragm 103, adhesion layers 104 and 105, a lower electrode 106, a piezoelectric body layer 107 and an upper electrode 108 are constituted in this order.
少なくとも振動板１０３と、密着層１０４，１０５、下電極１０６、圧電体層１０７、上電極１０８がこの順に構成された圧電素子において、上電極１０８の幅Ａ、圧電体１０７の幅Ｂ、下電極１０６の幅ＣがＡ＜ＢかつＡ＜Ｃの関係であり、かつ密着層１０４，１０５の厚さが圧電体層１０７に対応する領域において、上電極１０８と対応する領域より上電極１０８と対応しない領域の少なくとも一部分の方が厚いことを特徴とする。 - 特許庁 - The metal silicide layer is so formed as to enable the upper end of the inter-electrode insulating film to protrude.
、電極間絶縁膜で囲まれ、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、前記電極間絶縁膜の上端よりも下方に上端が位置するように絶縁分離される多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を加熱し、シリサイド化を行う工程と、シリサイド化されずに残った金属膜を選択的に除去する工程とを含み、前記電極間絶縁膜の上端が突出するように金属シリサイド層を形成するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁 - A ferroelectric nonvolatile memory 80 includes a plurality of memory cells 70 each composed of a MOS or MIS transistor 50 formed from a gate electrode 13 through a predetermined insulating film 12 on a predetermined semiconductor wafer 11 and a pair of ferroelectric capacitors 60 each composed of the gate electrode 13, a ferroelectric thin film 17 formed on the gate electrode 13 and an upper electrode layer 16 formed on the ferroelectric thin film 17.
強誘電体不揮発性メモリ８０は、所定の半導体基板１１上において、所定の絶縁膜１２を介してゲート電極１３形成されてなるＭＯＳ型又はＭＩＳ型のトランジスタ５０と、ゲート電極１３、このゲート電極１３上に形成された強誘電体薄膜１７、及び強誘電体薄膜１７上に形成された上部電極層１６で構成される一対の強誘電体キャパシタ６０とから構成される、複数のメモリセル７０を含んでいる。 - 特許庁 - A lower core layer 7 has a bottom magnetic pole end part 7a and a top magnetic pole end part 7b, which is formed so as to project from the upper part of the bottom magnetic pole end part 7a to a magnetic gap G side.
下部コア層７が、底磁極端部７ａと前記底磁極端部７ａ上から磁気ギャップＧ側に突出するように形成された頂磁極端部７ｂとを有し、媒体対向面側において、下部コア層７の磁極端部と上部コア層６８の磁極端部６８ａの磁気ギャップＧの突き合わせ部分の磁気抵抗Ｒ_gと、磁気ギャップＧの周囲の部分の全漏洩磁気抵抗Ｒ_lとが、前記磁気ギャップＧの厚さをｇ、トラック幅ｗ１をｗ、前記頂磁極端部７ｂの厚さをｔ、 前記上部コア層６８の厚さをｐとしたとき、下記の数式で示される関係であるものとする。 - 特許庁
