「upper layer」を含む例文一覧(11093)

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  • A thermal positive type planographic original printing plate includes one or more recording layers on a surface-hydrophilic support body upper side, either one and the same layer or different layers of the recording layers comprising: a star polymer in which at least 3 polymer chains bind to a core atomic group and radially branch; and an infrared absorbing agent.
    表面親水性の支持体上側に、１層以上の記録層を有するサーマルポジ型平版印刷版原版であって、前記記録層のいずれか同じ層あるいは別の層に、核をなす原子群に３つ以上のポリマー鎖が結合して放射状に分岐している星型ポリマーと赤外線吸収剤とを含有するサーマルポジ型平版印刷版原版。 - 特許庁
  • When the code block of processing object belongs to low frequency component or a subband close to low frequency component, information of encoding path concerning the coefficients (corresponding to non-ROI) in that code block other than the coefficients corresponding to ROI is stored partially or entirely in an upper layer set to store the information of ROI.
    処理対象のコードブロックが低周波数成分もしくは低周波数成分に近いサブバンドに属している場合、そのコードブロック内のＲＯＩに対応する係数以外の係数（非ＲＯＩに対応する係数）に関する符号化パスの情報の一部もしくは全部を、ＲＯＩの情報が格納されるよう設定されている上位レイヤに格納する。 - 特許庁
  • In a ceramic package for housing an electronic component in which a lead frame 6 is joined to a ceramic base substrate 2 with a sealing glass layer 4a formed by nonlead glass, an aluminum vapor deposited film 14 is formed on entire upper and lower surfaces of an inner lead part 9 and an outer lead part 12 of the lead frame 6.
    セラミック製のベース基板２に無鉛ガラスからなる封止ガラス層４ａでリードフレーム６が接合された電子部品収納用セラミックパッケージにおいて、前記リードフレーム６のインナーリード部９とアウターリード部１２の上下全面にアルミニウム蒸着膜１４が形成されていることを特徴とする電子部品収納用セラミックパッケージ。 - 特許庁
  • A phase adjustment electrode group 50 including a positive bias electrode 53 to which positive bias voltage is applied to change the refractive index of the second branching waveguide, and first and second negative bias electrodes 55 and 57 to which negative bias voltage is applied and which sweeps a carrier from the second branching waveguide to a semiconductor layer is provided to the upper side of the second branching waveguide.
    第２分岐導波路の上側に、正バイアス電圧が印加されて、第２分岐導波路の屈折率を変える正バイアス電極５３と、負バイアス電圧が印加されて、キャリアを第２分岐導波路から半導体層に掃きだす、第１及び第２負バイアス電極５５及び５７を含む位相調整電極群５０を備えている。 - 特許庁
  • A capacitance electrode 27 in the retention capacitance 17 is made of polycrystalline silicon having ruggedness formed on an upper surface part to be an inner surface side of the lower substrate 20, and the reflection layer 26 is disposed above the capacitance electrode 27 made of the polycrystalline silicon and has ruggedness to which the ruggedness of the capacitance electrode 27 made of the polycrystalline silicon is transferred.
    保持容量１７における容量電極２７が、下基板２０の内面側となる上面部に凹凸を形成した多結晶シリコンからなり、反射層２６が、多結晶シリコンからなる容量電極２７の上方に配置されて、容量電極２７の凹凸が転写されてなる凹凸を有して形成されている。 - 特許庁
  • The anode panel of a field emission type backlight unit is provided with a substrate, an anode electrode formed on a lower surface of the substrate, a phosphor layer coated on a lower surface of the anode electrode, a transparent cover with a lens-shape bent part provided on an upper surface of the substrate and a liquid pack containing transparent liquid filled inside the bent part.
    基板と、基板の下面に形成されるアノード電極と、アノード電極の下面に塗布される蛍光体層と、基板の上面に設けられるものであり、レンズ状の屈曲部を持つ透明カバー及び屈曲部内に満たされる透明液体を含む液体パックと、を備えることを特徴とする電界放出型バックライトユニットのアノードパネル。 - 特許庁
  • A sealing film 28 is of three-layered structure composed of, in the order from a silicon board, a lower sealing film 29 having a large amount of silica particles 30 mixed in epoxy resin 29a, an intermediate sealing film 30 having a small amount of silica particles 30a mixed in the epoxy resin 29a, and an upper sealing layer 31 formed of only epoxy resin.
    封止膜２８は、シリコン基板２２側から順に、エポキシ樹脂２９ａ中にシリカ粒子２９ａが多く混入されてなる下側封止膜２９と、エポキシ樹脂３０ａ中にシリカ粒子３０ａが少し混入されてなる中間封止膜３０と、エポキシ樹脂のみからなる上側封止膜３１との３層構造となっている。 - 特許庁
  • The surface treatment method of the aluminum-based material comprises a degreasing step of degreasing a surface of a base material mainly consisting of aluminum, an oxide film forming step of forming an oxide film on the surface of the base material through hot water treatment, and a chemical conversion step of performing the chemical conversion on an upper layer of the oxide film by using a metallic salt.
    アルミニウムを主成分とする基材の表面を脱脂する脱脂工程と、基材の表面に熱水処理により酸化皮膜を形成する酸化皮膜形成工程と、前記酸化皮膜の上層に、金属塩を用いて化成処理を行う化成工程と、を有することを特徴とするアルミニウム系基材の表面処理方法。 - 特許庁
  • The semiconductor device 200 comprises a semiconductor substrate (non-illustrated), a second insulating film between wires 216 that is provided on the semiconductor substrate and is composed of ladder type siloxane hydride, a second protection film 217 provided on the second insulating film between wires 216, and upper layer wiring 270 formed in the second insulating film between wires 216 and the second protection film 217.
    半導体装置２００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に設けられ、梯子型水素化シロキサンにより構成された第二配線間絶縁膜２１６と、第二配線間絶縁膜２１６上に設けられた第二保護膜２１７と、第二配線間絶縁膜２１６および第二保護膜２１７中に形成された上層配線２７０と、を含む。 - 特許庁
  • This liquid crystal display device is provided with a pair of electrodes for generating an electric field in a direction parallel to a pair of transparent substrates in a pixel region of a liquid crystal side of one transparent substrate of the pair of transparent substrates disposed being opposed to each other through a liquid crystal and either electrode of the pair of the electrodes has two or more insulating layers laminated on its upper layer.
    液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、透明基板と水平方向に電界を発生せしめる一対の電極を備え、この一対の電極はそのいずれの電極においてもその上層に積層させた絶縁膜が２層以上となっている。 - 特許庁
  • On the upper layer side of the pixel transistor 30, a light converging optical element part 4a is formed on a position overlapped to the gap area 9s, wherein the light converging optical element part 4a converges light made incident from the counter substrate 20 side and passed through the gap area 9s on the inside of the aperture 5b of the light absorbing film 5a.
    また、画素トランジスター３０より上層側には、隙間領域９ｓと重なる位置に集光用光学素子部４ａが形成されており、かかる集光用光学素子部４ａは、対向基板２０側から入射して隙間領域９ｓを通過した光を光吸収膜５ａの開口部５ｂの内側に集光させる。 - 特許庁
  • The coating apparatus is provided for coating a substrate for a device of which a first electrode layer has a pattern preformed in a predetermined circuit form thereon, and the coating apparatus comprises an ultrasonic spray nozzle in its upper portion, a pattern mask covering a surface of the substrate for a device, and an electrical field-type mechanism mounted on the substrate for a device or a side mounting the substrate for a device.
    第１電極層が予め所定の回路状にパターンが形成された素子用基板に塗布する装置であって、上部には超音波スプレーノズルを備え、前記素子用基板の表面を覆うパターンマスクを備え、かつ、素子用基板、あるいは該素子用基板設置側には電場形機構を設けることにより解決した。 - 特許庁
  • The semiconductor device manufacturing apparatus 1 is provided with a cylindrical reaction pipe 20 which integrally forms an upper surface and a side surface with the lower surface opened, a boat which is loaded with wafers and is accommodated within the reaction pipe 20, a heater 2 for heating the internal side of the reaction pipe, and a vacuum heat insulating layer 70 which is formed to cover the periphery of the reaction pipe 20.
    半導体製造装置１は、上面および側面を一体に形成し且つ下面を開口した筒状の反応管２０と、ウエハを装填して反応管２０内に収納されるボートと、反応管の内部を加熱するヒータ２と、反応管２０の周囲を覆うように形成される真空断熱層７０とを備える。 - 特許庁
  • In the floor heating panel wherein a heating medium is circulated through a pipe installed on the lower side of the floor, foamed resin is disposed by lamination on the lower side, while at least one kind of layer selected from a group consisting of foamed resin containing a carbon material, foamed resin containing the carbon material and an inorganic material, a felt and a sound insulating sheet is disposed by lamination on the upper side.
    床下面に設置したパイプ内に熱媒体を循環させる床暖房パネルにおいて、下面に発泡樹脂、上面に炭素材料を含む発泡樹脂、炭素材料及び無機材料を含む発泡樹脂、フェルト及び遮音シートからなる群から選ばれる少なくとも１種の層を積層して配置したことを特徴とする、床暖房パネル。 - 特許庁
  • The transparent conductive film TCF is electrically connected to the wiring inspection terminal GL-P through the dent DNT and extended to the upper layer of the gate insulating film GI and the passivation film PAS on the side opposite to the scanning line GL of the wiring inspection terminal GL-P and disconnection inspection is performed using the extended part as a contact part of the inspection probe PB.
    透明導電膜ＴＣＦは凹部ＤＮＴで配線検査用端子ＧＬ−Ｐと電気的に接続し、配線検査用端子ＧＬ−Ｐの前記走査配線ＧＬとは反対側で前記ゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳの上層にまで延在して形成され、延在した部分を検査プローブＰＢの接触部として断線検査を行う。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor light-emitting device and its manufacturing method that use a ZnO-family compound semiconductor, are a vertical type that can take out an electrode from the upper and lower surfaces of a chip, having superior crystallinity of a semiconductor layer and high light emission efficiency, at the same time, which do not use a sapphire substrate, and are convenient in a manufacturing process and use.
    ＺｎＯ系化合物半導体を用い、チップの上下両面から電極を取り出すことができる垂直型で、かつ、半導体層の結晶性が優れて発光効率が高いと共に、基板にサファイア基板を用いないで製造プロセスおよび使用面で便利な半導体発光素子およびその製法を提供する。 - 特許庁
  • To provide a thin film magnetic head that causes no deterioration of insulation property between the lead against a magnetoresistance element and the upper/lower shield, even if a shield gap layer is made thinner for the purpose of improving the thermal asperity of the magnetoresistance effect type thin film magnetic head, and than also reduces the resistance of the lead so as to accurately read a minute reproducing signal.
    磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁
  • In this horizontal force dispersing bearing device 10, a reinforcing plate related to one optional layer of a plurality of reinforcing plate layers is formed of a thick reinforcing plate (middle thickness steel plate 16) thicker than reinforcing plates related to other layers (thin steel plates 13), and a stopper block 17b is provided protrusively from either one of a lower shoe 17 and an upper shoe 18.
    水平力分散支承装置１０において、複数層の補強板のうちの任意の一層に係る補強板を、他の層に係る補強板（薄鋼板１３）よりも厚い厚板補強板（中間厚鋼板１６）とし、該厚板補強板に対向する位置まで、下沓１７又は上沓１８のいずれか一方からストッパブロック１７ｂを突設する。 - 特許庁
  • A recessed part 5 in which the upper layer absorber 41 does not virtually exist and is more recessed in the thickness direction than in a peripheral part is formed across a virtual central line CL on the skin abutted surface in a disposition area of the absorbing structure 4 in the stomach side part A rather than the virtual central line CL for dividing the absorbent article 1 into two in the longitudinal direction.
    上層吸収体４１が実質的に存在しておらず且つ周辺部よりも厚み方向に凹んだ凹部５が、吸収性物品１を長手方向に二分する仮想中央線ＣＬよりも腹側部Ａ側における吸収構造体４の配置領域の肌当接面に、該仮想中央線ＣＬを跨いで形成されている。 - 特許庁
  • A non-lipophilic liquid whose specific gravity is higher than that of insulating oil containing the harmful material is supplied from the oil discharge port 201 of a transformer 2 to the transformer 2 wherein the insulating oil remains, the oil remaining at the bottom part of the transformer 2 is surfaced on the non-lipophilic liquid, and then upper layer oil inside the transformer 2 is discharged from the oil discharge port 201.
    有害物質を含んだ絶縁油を残留させた変圧器２に対して前記絶縁油よりも比重が大きい非親油性液体を変圧器２の排油口２０１から供給して変圧器２の底部に残留する油分を前記非親油性液体の上に浮上させた後に変圧器２内の上層油分を排油口２０１から排出する。 - 特許庁
  • The waveguide is characterized in that the lower and the upper clad layer are formed by the heat treatment of 800-1,000°C, that the sum of the weight concentrations of P and B elements added into the film is in the range of 8.8-15 wt%, and that the deviation of a transmitting center wavelength dependent on the polarization of the array waveguide grid device is ≤0.03 nm.
    下部及び上部クラッド層はび８００〜１０００℃以下の熱処理によって形成され、膜中に添加されているＰ元素とＢ元素の重量濃度の和は８．８ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲であり、アレー導波路格子デバイスの偏光に依存する透過中心波長のずれが０．０３ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁
  • A first and a second polarizers 14a and 14b which construct a pair of polarizers whose axes of polarization are mutually rotated are provided respectively on upper and lower part of a device consisting of the second dielectric material multi-layered film 13b/the transparent non-magnetic single crystal substrate 11/the single crystal transparent magnetic material layer 12/the first dielectric material multi-layered film 13a.
    この第２の誘電体多層膜１３ｂ／透明非磁性単結晶基板１１／単結晶透明磁性体層１２／第１の誘電体多層膜１３ａからなるデバイスの上下には、偏光軸を相互に回転させた１対の偏光子をなす第１及び第２の偏光子１４ａ、１４ｂが対向して設けられている。 - 特許庁
  • The reflection film for constituting an anode layer of the upper-emission-type organic EL element and the sputtering target used for forming the reflection film are each formed from an Al-alloy having a component composition comprising, by mass, 0.05-0.5% of Ca and 2-6% of Ni as alloy components and the balance being Al with inevitable impurities (but, ≤0.01%).
    上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜、および前記反射膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットを、合金成分として、質量％で、Ｃａ：０．０５〜０．５％、Ｎｉ：２〜６％、を含有し、残りがＡｌと不可避不純物（ただし、０．０１％以下）からなる成分組成を有するＡｌ合金で構成する。 - 特許庁
  • In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a first support plate 25 is stuck to an upper surface of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via a first adhesive layer 23, or the like thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.
    この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に第１の接着剤層２３等を介して第１のサポート板２５が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁
  • The color filter has a base member, a coloring layer formed on a pixel region of the base substance, and a wall part formed so as to surround the pixel region on the region of the pixel region, with an adhering part formed on the outer side or the upper bottom face of the wall part.
    本発明は、基材と、上記基材の画素領域上に形成された着色層と、上記画素領域の外側の領域上に、上記画素領域を囲むように形成された壁部とを有し、上記壁部の外側側面または上底面に、接着部が形成されていることを特徴とするカラーフィルタを提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
  • Then, the elements 1 are arranged so as to form semiconductor laminating structure obtained by superposing plural semiconductor layers on the surface of the board on a condition that a light emitting (active) layer is included and provided with a P electrode formed at the uppermost surface of this multilayer structure and an N electrode formed at the upper surface of a semiconductor laminated structure part whose one part is shaved by etching.
    ＧａＮ系ＬＥＤ素子１は、基板の表面上に発光（活性）層を含む形で半導体の層を複数重ね合わせた半導体積層構造を形成しており、この多層構造の最上面に形成されたＰ電極と、半導体積層構造部の一部をエッチングにより削ったその上面に形成されたＮ電極とを備える。 - 特許庁
  • The quartz chip 50 is connected to lead electrodes 16, 16 formed on an insulation layer 12 in the container part 5 and a cover 6 is joined with a joining face 18 formed to an upper edge of the container part 5 to air-tightly sealing inside of the container part 5 thereby forming a quartz vibrator in a quartz module board 2.
    そして、この収納部５内の絶縁層１２上に形成した引出電極１６，１６に対して水晶片５０を接続すると共に、収納部５の上縁部に形成した接合面１８に蓋６を接合して収納部５内を気密封止することで、水晶モジュール基板２内で水晶振動子を形成するようにしている。 - 特許庁
  • In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a support plate 24 is stuck to upper surfaces of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via an adhesive layer 23, thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.
    この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に粘着層２３を介してサポート板２４が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁
  • A plywood having the same thickness and being composed of veneer is stuck on the surface and rear of the fiber board respectively while a fiber board layer and plywood layers are constituted so that the plywood layers appear to the upper and lower sections of the tongues for joining centering around a fiber board section in the thickness direction when the tongue sections for joining are formed to four peripheral sections.
    繊維板の表裏面に、各々同一の厚さ、単板構成の合板を貼着するとともに、四周縁部に接合用実部を形成したときに、厚さ方向において前記繊維板部分を中心とした前記接合用実の上下に合板層が現れるように繊維板層および合板層を構成したことを要旨とする。 - 特許庁
  • The resin molding 1 is formed by integrally forming a hard synthetic resin base 2 formed with a plurality of hollow parts 3, and a cushion part 5 made of soft synthetic resin formed at a front face part of the synthetic resin base 2, and integrally forming a colored resin layer 4 of metallic color imitating stainless steel, for instance, on the smooth upper face part of the hard synthetic resin base 2.
    樹脂成形品１を、複数の中空部３が形成された硬質合成樹脂基板２と、上記合成樹脂基板２の前面部に形成された軟質合成樹脂製のクッション部５と、を一体成形し、かつ、硬質合成樹脂基板２の平滑な上面部に、例えば、ステンレスを模した金属色の着色樹脂層４を一体成形した。 - 特許庁
  • A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of each organic EL element of a specific color; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as a minute resonator for selecting light having a specific wavelength.
    特定色の有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁
  • The element 10 also includes: a second translucent electrode 18 arranged in the second conductive semiconductor layer 14 which is partially exposed on the upper surface of the lamination body; and a second translucent conductive part 26 extended from the second translucent electrode 18 to the lower surface of the substrate 12.
    半導体発光素子１０は、さらに、前記積層体の上面側に部分的に露出された前記第２導電型半導体層１４に設けられた第２透光性電極１８と、前記第２透光性電極１８から前記基板１２の下面まで延設された透光性の第２導電部２６と、をさらに備えることができる。 - 特許庁
  • The touch panel, having high light transmittance and good visibility and hardly deformed even when the panel is large in size, can be provided by composing the touch panel by forming a light transmitting gel layer 10, in which conducting powders 10A and insulating powders 10B having a larger particle diameter than the conducting powders 10A are dispersed between upper and lower electrode layers 1B and 2B.
    上下電極層１Ｂ，２Ｂ間に、導電粉１０Ａとこの導電粉１０Ａより粒子径の大きな絶縁粉１０Ｂが分散された光透過性ゲル層１０を形成してタッチパネルを構成することによって、光透過率が高く視認性が良好で、形状が大きくなっても変形し難いタッチパネルを得ることができる。 - 特許庁
  • Another embodiment of this invention is capacitors (296, 396) in a semiconductor device, which has two lower plates (230, 231, 330, 331) mutually separated, dielectric layers (260, 360) above the lower plate and upper plates (296, 396) above the dielectric layer which covers the lower plate, extends preferably across it.
    本発明の他の態様は、互いに間隔を置いて配置された２枚の下位プレート（２３０、２３１、３３０、３３１）、前記下位プレートの上方の誘電層（２６０、３６０）、および前記下位プレートを覆い、好ましくはこれを越えて延びる、前記誘電層の上方の上位プレート（２９６、３９６）を有する、半導体装置中のキャパシタ（２９６、３９６）である。 - 特許庁
  • The pad PDt is arranged on an upper layer of at least one of the first and second output transistors pITr, nITr so as to be overlapped to a part or all of at least one of the first and second output transistors pITr, nITr out of the operational amplifier OP and the first and second output transistors pITr, nITr.
    演算増幅器ＯＰ、第１及び第２の出力用トランジスタｐＩＴｒ、ｎＩＴｒのうち、第１及び第２の出力用トランジスタｐＩＴｒ、ｎＩＴｒの少なくとも１つの一部又は全部と重なるように、該第１及び第２の出力用トランジスタｐＩＴｒ、ｎＩＴｒの少なくとも１つの上層にパッドＰＤｔが配置される。 - 特許庁
  • The storage 30 is formed by thermalbonding of a peripheral part of a cover film, where a transparent thermosensitive adhesive layer is laminated on the backside of the transparent base film, on an upper display piece of the leaflet body 20 and on the base film 10; and the article M is stored, in a space formed in between the leaflet body 20 and the cover film.
    収納部３０は、透明の基材フィルムの裏面に透明の感熱接着剤層が積層されたカバーフィルムの周縁部を、リーフレット本体２０の上位表示片及びベースフィルム１０に熱接着することによって形成されており、リーフレット本体２０とカバーフィルムとの間に形成された空間内に物品Ｍが収容されている。 - 特許庁
  • The functions of promoting peristalsis of an alimentary canal and curing and easing atopic dermatitis which are the new pharmacological effect of hyaluronic acid are effectively given to the upper alimentary canal, the target organ by oral administration of the pharmaceutical formulation having a coating layer containing an enteric polymer and an eggshell formed around the nucleus containing the hyaluronic acid.
    ヒアルロン酸を含有する核周囲に腸溶性ポリマーと卵殻を含有する被覆層を形成させた剤型を経口投与することによって、ヒアルロン酸の新規薬理効果である消化管蠕動運動促進作用及びアトピー性皮膚炎治療及び改善作用を、標的器官である上部消化管に効率的に付与することができる。 - 特許庁
  • The ferroelectric capacitor for the FeRAM comprises an Ir film 21 for constituting a part of a lower part electrode layer of the capacitor and an IrOx film 22, a first PZT film 23 and a second PZT film 24 provided on the film 22, and an upper electrode 25 provided on the films 23 and 24.
    FeRAMにおける強誘電体キャパシタは、強誘電体キャパシタの下部電極層の一部を構成するＩｒ膜２１及びＩｒＯｘ膜２２を備え、該ＩｒＯｘ膜２２の上に設けられた第１ＰＺＴ膜２３及び第２ＰＺＴ膜４と、該第１及び第２ＰＺＴ膜２３，２４の上に設けられた上部電極２５とを備える。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the sputtering target embraces a step where, in the forming of an ingot by melting and casting a sputtering target material, a pan-shaped mold is filled with a molten metal as a raw material and unidirectional solidification is performed to localize the cavities formed in a cast metal phase in the upper surface layer.
    本発明によるスパッタリングターゲットの製造方法は、スパッタリングターゲット原料を溶解、鋳造することによって鋳造インゴットを形成するに際し、皿形鋳型に原料溶湯金属を充填し、一方向凝固を行うことによって鋳造金属相中に生成する巣を上部表面層に局在化させる工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • The metal wiring layer 6 includes a bonding pad portion 6a, which is disposed overlaying the semiconductor element portion 20 with the interlayer insulating film 5 interposed, and the interlayer insulating film 5 includes a polyimide film 5b with a flat upper surface disposed at least in a region right below the bonding pad portion 6a and a region right above the semiconductor element portion.
    金属配線層６は、ボンディングパッド部６ａを含み、ボンディングパッド部６ａは、層間絶縁膜５を介して、半導体素子部２０と重なるように配置され、層間絶縁膜５は、少なくともボンディングパッド部６ａの真下の領域、および、半導体素子部の真上の領域に配置される平坦な上面を有するポリイミド膜５ｂを含む。 - 特許庁
  • The thin-film coil is provided with a 1st coil 24A having an upper face 24AU formed in the maximum width, insulation walls 24Z formed by selectively etching an insulation layer 24ZL which embeds areas 51 among windings, while using the 1st coil 24A as a mask, and a 2nd coil 24B separated from the 1st coil 24A by the insulation walls.
    上面２４ＡＵが最大幅をなす第１コイル２４Ａと、この第１コイル２４Ａをマスクとして用い、巻線間領域５１を埋め込む絶縁層２４ＺＬを選択的にエッチングすることにより形成された絶縁壁２４Ｚと、この絶縁壁２４Ｚによって第１コイル２４Ａと隔てられた第２コイル２４Ｂとを備えるようにした。 - 特許庁
  • The electrophoretic display device has: an element substrate 2 having a display region; an electrophoretic sheet 3 having an electrophoretic layer 31 on a transparent substrate 30 and stuck to the display region of the element substrate 2; and a moisture preventing film 50 formed to cover at least the electrophoretic sheet 3 and an upper part of the element substrate 2 of an outer peripheral part of the electrophoretic sheet 3.
    本発明の電気泳動表示装置は、表示領域を有する素子基板２と、透明基板３０上に電気泳動層３１を有し、素子基板２の表示領域に貼り合わされた電気泳動シート３と、少なくとも電気泳動シート３と、電気泳動シート３の外周部の素子基板２上を覆って成膜された防湿膜５０と、を有する。 - 特許庁
  • The photon detector has such a structure that metal fine particles coated with an insulation film are two-dimensionally arranged between upper and lower electrodes, at least one of which is a transparent electrode, via an insulation layer and semiconductor fine particles coated with an insulation film are arranged adjacently to the metal fine particles.
    本願発明の上記目的は、少なくとも一方は、透明電極である上下二枚の電極間に金属微粒子を絶縁膜で被覆し、絶縁層を介して二次元的に配置させ、上記金属微粒子に隣接するように絶縁膜で覆われた半導体微粒子を配置した構成とすることによって実現することで達成することができる。 - 特許庁
  • One electrode is formed on the opposite conductivity type semiconductor layer, the other electrode is formed on the rear surface of the semiconductor substrate, the opposite conductivity type semiconductor layer additionally has light emitting layers and clad layers laminated in order, a film containing Zn is formed on an upper face, and thermal treatment is given after this to form a face given rough face treatment, thereby improving optical outside take-out efficiency.
    半導体基板上に双方の膜厚合計が１５μｍ以下になるように一導電型半導体層と逆導電型半導体層とを順次積層し、この逆導電型半導体層上に一方電極を、半導体基板の裏面に他方電極を形成し、さらに逆導電型半導体層は発光層とクラッド層とを順次積層して成り、上面にＺｎを含む膜を形成し、その後熱処理をくわえることで、粗面化処理面と成したことにより、光外部取り出し効率を向上させた。 - 特許庁
  • The electrode leads 132 has an overlapped area α in contact with the heater 130 at its upper end and formed on the upper shield layer in the layering direction and a heat radiation area β extending from the overlap in the height and track width direction.
    上下シールド層間に形成された再生素子と、上部シールド層上に積層された記録素子と、記録素子のコイル層よりも下層に形成され、通電時に発熱して再生素子を熱膨張により記録媒体側へ突出させる発熱体と、該発熱体に対する一対の電極引出線とを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上記一対の電極引出線は、発熱体のハイト方向後端に接し、上部シールド層と積層方向で重なるオーバーラップ領域と、該オーバーラップ領域からハイト方向及びトラック幅方向に延出させた放熱領域とを有する。 - 特許庁
  • The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.
    基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • A resist mask is retarded by etching to make the etching of a conductive film, and a sectional shape of gate wiring is a trapezoid having a width which can contact with an upper wiring layer, and the sectional shape of the gate electrode branched from the gate wiring is to be a shape having three internal angles, typically a triangle, to realize a width of gate of 1 μm or less.
    本発明は、レジストマスクをエッチングにより後退させて導電膜のエッチングを行い、ゲート配線の断面形状は上層配線とコンタクト可能な幅を有する台形とし、且つ、ゲート配線から分岐するゲート電極の断面形状を意図的に３つの内角をもつ形状、代表的には三角形状として１μｍ以下のゲート幅を実現する。 - 特許庁
  • After a fine opening part 12 reaching an underlayer wiring layer 9 is formed in an interlayer insulation film 10 by anisotropic etching by using a resist mask 11, a buried resist film 13 is formed within the opening part 12 to etch back the entire surface of the interlayer insulation film 10, whereby an upper part having a bowing shape of the opening part 12 is cut off to form a contact hole 14.
    層間絶縁膜１０に、レジストマスクを１１を用いた異方性エッチングにより、下地配線層９に到達する微細な開口部１２を形成した後、開口部１２内に埋め込みレジスト膜１３を形成して層間絶縁膜１０を全面エッチバックすることにより、開口部１２のボーイング形状となった上部を切除してコンタクトホール１４を形成する。 - 特許庁
  • In the electrostatic capacitance detecting type fingerprint reading sensor, the passivation film is formed into by accumulating silicone oxynitride a thick film by a PECVD method, a discharge layer is formed on the upper face of the passivation film, and a concentrated part of the electric field distribution is formed on one or two sets of discharge layers aligned in an opposed state out of discharge layers surrounding the four sides of the sensor electrodes.
    上記パシベーション膜はシリコンオキシナイトライドをＰＥＣＶＤ法により堆積させて膜厚に形成すると共に、パシベーション膜の上面に上記放電層を設け、更にセンサ電極の四辺を囲む放電層のうち対向状に並ぶ１又は２組の放電層に電界分布の集中部を形成するようにした静電気容量検知型指紋読取りセンサ。 - 特許庁
  • The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.
    本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2Ｏ-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁
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