「upper layer」を含む例文一覧(11093)
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ベース層１３の少なくとも一部が上面に臨んで形成された半導体メサ部ＢＭを有し、そのベース層１３にコンタクトされたベース電極１５が、半導体メサ部ＢＭより外側の空間に浮上延長する浮上延長部１５Ｆを有し、この延長浮上部１５Ｆをベース電極１３に対するベース配線４２のコンタクト部１５Ｃとする。 - 特許庁 - On the first inter-layer insulation film 112, a capacitor lower electrode 115 connected to the first plug 113, a capacity insulation film 118 composed of the ferroelectric film, and a capacity upper electrode 119 extended to the outer side of the capacity insulation film 118 and electrically connected to the second plug 114 are successively formed.
第１の層間絶縁膜１１２の上に、第１のプラグ１１３と接続する容量下部電極１１５、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜１１８、及び容量絶縁膜１１８の外側まで延び且つ第２のプラグ１１４と電気的に接続する容量上部電極１１９を順次形成する。 - 特許庁 - Scribing can be applied to a required part, that is, a desired position of even the semiconductor thin plate 2 wherein a side including a scribing reference differs from the scribed face, such as even the semiconductor thin plate 2 on the upper side of which a coating layer is formed entirely by individually or interlockingly controlling the cameras.
個々のカメラを制御、或いは相互に同調させることによって、スクライブを行う基準が存在する面とスクライブを行う面とが異なる、例えば上面に全面的に被覆層が形成された半導体薄板２に対しても、所要部すなわち所望の位置にスクライブを行うことができる。 - 特許庁 - It is realized by using noble metal of a platinum group (8 group) or an Ib group containing alkali metal oxide, alkaline earth metal compound and a transition-metal compound of 3 to 7 group from an interface with the electron acceleration layer to the surface or their laminated film, mixed film or alloy film as the upper electrode.
アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属化合物、３族〜７族の遷移金属化合物を電子加速層との界面から表面にかけて含む白金族（８族）またはＩｂ族の貴金属、あるいはそれらの積層膜、混合膜、合金膜を上部電極として用いることにより実現される。 - 特許庁 - To provide a negative charging one component nonmagnetic toner, which is a one component nonmagnetic toner formed without adding a charge control agent, wherein charge distribution can be adjusted in regulating a thin layer, and leakage of regulation, scattering of an upper sealing and photoreceptor fog are not caused during endurance, and to provide an image forming apparatus.
荷電制御剤を添加しないで形成された一成分非磁性トナーであって、薄層規制に際し帯電分布調整を可能とすると共に、耐久時にあって規制モレ、上シール飛散や感光体カブリを生じることのない負帯電性一成分非磁性トナーおよび画像形成装置の提供。 - 特許庁 - The messages indicate whether the SS and the BS are allowed to use an Upper Layer Signaling (R2) and a Dynamic Service Addition/Change (DSA/DSC) signaling (DSx) for multicast-broadcast services (MBS) for subsequent message exchanged between the SS and the BS, after the SS is admitted into the cell.
メッセージは、ＳＳがセルに入ることを認められた後に、ＳＳとＢＳとの間で交換される後続のメッセージについてのマルチキャストブロードキャストサービス（ＭＢＳ）のために、ＳＳ及びＢＳが、上位レイヤシグナリング（Ｒ２）及び動的サービス追加／変更（ＤＳＡ／ＤＳＣ）シグナリング（ＤＳｘ）を使用することを可能にされるか否かを示す。 - 特許庁 - After forming an oxidation silicon film 106 in the temperature conditions to suppress thermal oxidation of the silicon core 131, the oxidation silicon film 106 (silicon substrate 101) is heated under the high-temperature condition of 950°C or higher for starting viscous flow of silicon oxide, and an upper clad layer 161 covering the silicon core 131 is formed.
シリコンコア１３１の熱酸化が抑制できる範囲の温度条件で酸化シリコン膜１０６を形成した後、酸化シリコンの粘性流動が起こり始める９５０℃以上の高温条件で、酸化シリコン膜１０６（シリコン基板１０１）を加熱し、シリコンコア１３１を覆う上部クラッド層１６１を形成する。 - 特許庁 - When the interpolymer complex layer is formed on an upper resist pattern of a BLR using a coating composition containing a silicon contained substance such as a silicon alcoxide monomer, a silicon alcoxide oligomer, or partial hydrolysates of these, a micropattern is formed with an increased resistance property to dry etching by an increased silicon content.
シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁 - Further, the upper electrode sheet 11 and the lower electrode sheet 5 are adhered by a dot-pattern adhesion printed layer 15 made of a large number of small dots and capable of ventilating at a portion other than the embossing portion 9 so that the embossing portion 9 may be located at the outside direction of the lower contact electrode 3.
また、前記エンボス部９が前記下部接点電極３の外方に位置するように、前記上部電極シート１１と前記下部電極シート５が、前記エンボス部９以外の部分で無数の小ドットからなる通気可能なドット模様粘着印刷層１５で粘着されていることを特徴とする。 - 特許庁 - Moreover, the heating element plate 20 includes a reinforcing metal group 70 not electrically connected to a common electrode 28a on the upper surface between the common electrode 28a formed at a position closer to the circuit board 40 relative to an individual electrode 28b, and an end close to the circuit board 40 in a thermal insulation layer 22b.
また発熱体板２０は、個別電極２８ｂよりも回路基板４０に近接する位置に形成された共通電極２８ａと、保温層２２ｂにおける回路基板４０に近接する端部との間の上面に、共通電極２８ａと電気的に導通していない補強金属群７０を具備する。 - 特許庁 - In the light-emitting device, it is not necessary to form a diffraction grating in the organic EL element 3 in the process of forming the organic EL device, and a diffraction grating 6b formed with the diffraction grating 6b is formed separately from the organic EL element 3, and this diffraction grating 6b is only adhered closely to an upper face of a protection layer 4.
有機ＥＬ装置１を構造する過程で有機ＥＬ素子３内に回折格子を形成する必要がなく、回折格子６ｂが形成された回折格子フィルム６を有機ＥＬ素子３とは別個に作成し、この回折格子６ｂを保護層４の上面４ａに密接させれば済むことになる。 - 特許庁 - Furthermore, a second frame forming layer 34 is made flat likewise by ensuring that respective upper end surfaces of electrodes 21D, 21S, 21C and of a signal wire metal frame 21FC formed on the insulating film 33 between metal frames and the second insulating film Z2 formed in their exclusive regions are made flat so as to coincide with each other.
さらに、メタルフレーム間絶縁膜３３上に形成される各電極２１Ｄ，２１Ｓ，２１Ｃ、及び信号線メタルフレーム２１ＣＦと、その排他的領域に形成される第２の絶縁膜Ｚ２とのそれぞれの上端面が一致するように平坦化することで、第２フレーム形成層３４の平坦化した。 - 特許庁 - To reduce the drying of boiled rice in the upper layer in a pot due to the temperature rise of a lid heating plate and to prevent the overheat of the lid heating plate when a steam generation part provided in the lid heating plate has no water in a rice cooker improving the taste of the boiled rice using the steam of a boiling point of water or more.
水の沸点以上の蒸気を利用してご飯の食味を向上させる炊飯器において、蓋加熱板に設けた蒸気発生部に水が無いときは蓋加熱板の温度上昇による鍋内上層のご飯の乾燥を低減するとともに蓋加熱板を過加熱するのを防止する。 - 特許庁 - This journal bearing consists of a lower half-split bearing 12 receiving large radial load formed from a bearing using a resin sliding material which has low friction and is heat-resistant, though expensive, and an upper half-split bearing 11 receiving little radial load formed by coating a bearing alloy 17 of an inexpensive ordinary bearing with a resin layer 18.
大きなラジアル荷重を受ける下半割軸受１２を高価であるが低摩擦で耐熱性のある樹脂系摺動材１５を用いた軸受で構成し、ほとんどラジアル荷重を受けない上半割軸受１１は安価な通常の軸受の軸受合金１７に樹脂層１８をコーティングしたものとする。 - 特許庁 - In this powder hopper in which a lower edge of a cylindrical member 28b is connected to an upper edge of a piping member 28d formed smaller than the diameter of the cylindrical member 28b by a funnel-shaped member 28c, a bridge protective layer 28a comprising lubricant is applied to an inner wall surface of the funnel-shaped member 28c at least.
筒状部材２８ｂの下縁と、該筒状部材２８ｂの径よりも小さく形成した配管材２８ｄの上縁とを、漏斗状部材２８ｃで接続して構成される粉体ホッパーにおいて、少なくとも漏斗状部材２８ｃの内壁面に、潤滑材からなるブリッジ防止層２８ａを施している。 - 特許庁 - A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3.
基板５上に下部電極3を設け、同下部電極３を共通にして同下部電極３上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜８、下磁性層９、バリア膜１０及び上磁性層１１からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子２を独立に分離して形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an SOI wafer, with which the occurrence of voids or crystal defect, a problem of the conventional SOI wafer manufacturing step, can be suppressed by eliminating the surface roughness and an overhung shape formed by the difference in growth speeds in upper and lower layers in a silicon epitaxial growth layer.
シリコンエピタキシャル成長層における、表面ラフネスの解消と上下層の成長速度差に基づいて形成されるオーバーハング形状の解消とを図ることにより、ＳＯＩウエハ製造工程において問題となっていたボイドや結晶欠陥の発生を抑えることのできるＳＯＩウエハの製造方法の提供。 - 特許庁 - The glass ceramic board comprises wiring a conductor 3, and an ferrite layer 2 containing ferrites covering the upper surface and the lower surface of the conductor 3 and 1 wt.% or less glass formed by simultaneously burning together with an insulating base 1 made of glass ceramic sintered material in the interior and/or the surface of the base 1.
ガラスセラミックス焼結体から成る絶縁基体１の内部および／または表面に、配線導体３と、この配線導体３の上面および下面を覆うフェライトおよび１重量％以下のガラスから成るフェライト層２とが、絶縁基体１との同時焼成で形成されている配線基板である。 - 特許庁 - This printed board is provided with thin film lower part electrodes 8A, 8B which are formed on the surface of an insulating layer of a printed board and have uneven surfaces, a capacitor insulating film 12 which is partially formed on surfaces of the thin film lower part electrodes, and a thin film upper part electrode 16 formed on the surface of the capacitor insulating film.
プリント基板の絶縁層の表面に形成されて、その表面が凹凸状になされた薄膜下部電極８Ａ，８Ｂと、前記薄膜下部電極の表面に部分的に形成されたキャパシタ絶縁膜１２と、前記キャパシタ絶縁膜の表面に形成された薄膜上部電極１６とを備える。 - 特許庁 - Then phase difference plates 42 and 44 and polarizing plates 43 and 45 are provided on the external sides of the upper substrate 24 and lower substrate 23 in order from the substrate sides and the translucent reflecting layer 35 is composed of two cholesteric layers 35b and 35y which select and reflect light beams of two colors in mutually complementary color relation.
そして、上基板２４、下基板２３の外面にそれぞれ基板側から位相差板４２，４４、偏光板４３，４５がこの順に設けられ、前記半透過反射層３５が、互いに補色の関係にある２色の光をそれぞれ選択反射させる２層のコレステリック液晶層３５ｂ，３５ｙから構成されている。 - 特許庁 - This antenna has a ground conductor 7 on the bottom face of a cylindrical dielectric layer 6, and two radiating conductors 1, 2 crossing each other on the upper face, and obtains preferred gain characteristics by flowing current diagonally to the ground conductor 7, even if the angle of elevation with respect to the GPS satellite is smaller.
円蓋形状をした誘電体層６の下面に接地導体７、上面にお互いに直交し合う２つの放射導体１、２を設け、前記接地導体７に対して斜めに電流を流すことにより、ＧＰＳ衛星等との仰角が小さい方向においても良好な利得特性が得られるようにする。 - 特許庁 - This hand application film has, on its back surface, a colorless or colored transparent synthetic film 10 provided with a small width from the upper end 121, the lower end 122, and both side ends 123 and 124 of an entirely coated transparent pressure-sensitive adhesive layer 20, and a release paper or release film 30 which is superposed on the above transparent synthetic resin film 10.
裏面１２の上端１２１、下端１２２及び両側端１２３、１２４から小巾に全面塗布された透明粘着層２０を設けた無色又は有色の透明性合成樹脂フイルム１０と、前記透明性合成樹脂フイルム１０と重合する剥離紙又は剥離用フイルム３０とを備えたもの。 - 特許庁 - Specifically, the extended portion 3b is formed by bending outer peripheral portions of two high permeability electromagnetic steel sheets upward and downward nearly at right angles, respectively, in the direction nearly parallel with the magnet 5, wherein the high permeability electromagnetic steel sheets include upper and lower faces (an outermost layer) among a plurality of laminated high permeability electromagnetic steel sheets which constitute a stator 3.
この延長部３ｂは具体的には、ステータ３を構成する積層された複数の高透磁率電磁鋼板のうち、上、下面（最外層）を含む２枚の高透磁率電磁鋼板の外周部分を、前記磁石５と略平行方向にそれぞれ上、下方向に略直角に曲げることにより形成したものである。 - 特許庁 - For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.
ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁 - The hollow body 11 has a hollow air-permeable porous body 12 made of a ceramic and a non-air-permeable finished layer 33 provided on a part of this air-permeable porous body 12 positioned on the upper part side in water and only a part of the hollow body 11 positioned on the lower part side in water is air-permeable.
中空体１１は、中空状のセラミック製の通気性多孔質体１２と、この通気性多孔質体１２のうち水中で上部側に位置する部分に設けられた非通気性仕上層３３とを有し、中空体１１のうち水中で下部側に位置する部分のみが通気性となっている。 - 特許庁 - By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.
本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁 - The semiconductor device has a plurality of capacity elements 41, an upper insulating film 34 and a second layer insulating film 28 composed of different materials and formed on each capacity element 41, and a bit line contact plug 31 formed in a region between the capacity elements 41 and connected to a bit line 33.
半導体装置は、複数の容量素子４１と、各容量素子４１の上に形成された互いに異なる材料からなる上部絶縁膜３４及び第２の層間絶縁膜２８と、容量素子４１同士の間の領域に形成され、ビット線３３と接続されたビット線コンタクトプラグ３１とを備えている。 - 特許庁 - A permeation type UV (ultraviolet light) curable resin is coated and impregnated on the plywood 1 cured by the impregnation of a permeation type hydrophobic resin from the surface side, and the cured layer A of the permeation type UV curable resin is formed on the upper part of the plywood 1, and a substrate 2 is disposed on the lower part of the plywood 1.
浸透型疎水樹脂が含浸されて硬化した単板１に、表面側から浸透型ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂が塗布含浸されてその浸透型ＵＶ硬化型樹脂の硬化層Ａが単板１の上部に形成されており、この単板１の下部には基材２が配設されていることとする。 - 特許庁 - The flashing member 13 partitioning an upper external wall material 11 and a lower external wall material 12 of a building comprises a vent passage 45 allowing the air layer 31B between the lower external wall material 12 and a skeleton 10 to communicate with a space 50 outside the lower external wall material 12.
建物における上部外壁材１１と下部外壁材１２との間を仕切る水切部材１３を備え、この水切部材１３は、下部外壁材１２と躯体１０との間の空気層３１Ｂと、当該下部外壁材１２の外側の空間５０とを連通する通気路４５を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - When the discrimination is performed, the ECU 100 prohibits mixing of the fuel in the phase separation state stored in a fuel tank 310 as long as a prescribed period, pumps out a gasoline from a gasoline phase 300G in an upper layer part through an intake port 301 for a lower gravity than the gasoline, and then supplies it to an injector 214.
当該判別がなされた場合、ＥＣＵ１００は、燃料タンク３１０内に貯留される相分離状態の燃料の攪拌を所定期間禁止し、ガソリンよりも比重の小さい吸入口３０１を介して上層部にあたるガソリン相３００Ｇからガソリンを汲み出してインジェクタ２１４に供給する。 - 特許庁 - This terminal block includes: a terminal stand provided with a plurality of thermocouple connection terminals; and a metal core print substrate formed by covering with an insulating layer, an upper surface provided with at least a conductor constituting wiring, a lower surface and an outer surface of a metal plate including a through-hole into which a lead terminal of the terminal stand is inserted.
複数の熱電対接続端子が設けられる端子台と、少なくとも配線を構成する導体が設けられる上面及び下面、並びに、前記端子台のリード端子が挿入されるスルーホールを含む金属板の外面が絶縁層に覆われてなる金属コアプリント基板と、を備えているようにした。 - 特許庁 - To provide a thin film magnetic head for accurately reading a fine reproduction signal without generating any deterioration of insulating characteristics between a lead to a magnetic resistance element and upper and lower shields even when a shield gap layer is made thin by reducing the resistance of the lead for improving the thermal asperity of a magneto-resistance effect type thin film magnetic head.
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁 - The gate wiring layer (electrode film) of each transistor formed in the CMOS process is doubled and, in a pixel Tr in the vicinity of a PD 219, the gate electrodes of a transfer Tr 211 and a reset Tr 214 are formed by using the lower gate electrode film and the upper gate electrode film is utilized for the light shielding film of the FD 216.
ＣＭＯＳプロセスで形成される各トランジスタのゲート配線層（電極膜）を２層化し、ＰＤ２１９の周辺の画素Ｔｒでは、転送Ｔｒ２１１とリセットＴｒ２１４のゲート電極を下層のゲート電極膜を用いて形成し、上層のゲート電極膜をＦＤ２１６の遮光膜に利用する。 - 特許庁 - A fluid channel unit 11 is formed by bonding a plurality of plate materials and the diaphragm 15 to each other, a plurality of cavities to be pressurizing chambers 14Aa are formed to be arranged on the cavity plate adjacent to the diaphragm in the plate materials, and then a piezoelectric layer 12A is formed on the upper side of the diaphragm 15.
複数枚のプレート材および振動板１５が接合されて流路ユニット１１が構成され、前記プレート材のうち前記振動板に隣接するキャビティプレートに、圧力室１４Ａａとなる複数のキャビティが配列状態で形成され、振動板１５の上側に圧電層１２Ａが形成されている。 - 特許庁 - A laminated article 2 is made by laminating a plurality of veneers which are cut into sheets and form veneer layers 2'a within laminated cross section; wherein each veneer layer 2'a is piled so that the fiber directions a of upper and lower adjacent veneers intersect reversely slanting each other in a pitch angle of 60° to 120°.
この発明は、シート状に切削形成され積層断面内で単板層２′ａを形成する複数枚の単板を、上下に隣接する単板層２′ａの繊維方向ａが互いに逆向きに傾斜する６０°〜１２０°の傾斜角で交差するように重ね合わせて積層接着した積層材２に関する。 - 特許庁 - A multicast/broadcast method receives an Internet Protocol (IP) packet from an upper layer, determines whether a multicast destination address or a broadcast destination address is contained in the received IP packet, and transmits a packet in which a connection identifier (CID) for the multicast or the broadcast is selectively attached to the received IP packet according to a result of the determination.
マルチキャスト／ブロードキャスト方法は、上位階層からＩＰパケットを受信し、そのＩＰパケット中にマルチキャスト目的地アドレス又はブロードキャスト目的地アドレスがあるかを判断し、判断結果に従い受信されたＩＰパケットにマルチキャスト／ブロードキャストのためのＣＩＤを選択的に付けたパケットを送信する。 - 特許庁 - The magnetic memory in which the memory has the element 10 and an electrode connected to the element 10, the current in the in-face direction is made to flow into the layer 4 through the electrode when the information is recorded and the directions of the magnetizations of the layers 1 and 3 at the lower end and the upper end are changed is configured.
また、上記磁気記憶素子１０と、磁気記憶素子１０に接続された電極とを有し、情報の記録を行う際に、電極を通じて、記憶層４にその面内方向の電流が流れ、下端部及び上端部の高飽和磁束密度層１，３の磁化の向きが変化する磁気メモリを構成する。 - 特許庁 - In the transflective liquid crystal display device 50, a liquid crystal 26 is interposed between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 disposed opposite to each other, a semitransmission reflection layer 35 consisting of cholesteric liquid crystal layers 34r, 34g and 34b is provided on the lower substrate 23 and a backlight 22 is provided.
本発明の液晶表示装置５０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶層３４ｒ，３４ｇ，３４ｂからなる半透過反射層３５が設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁 - To provide a non-linear element, and an electro-optical device that uses the same, of which the resistance of the lower electrode is reduced and symmetry is improved, in both the positive and negative directions of the current-voltage non-linear characteristics, in a structure where the lower electrode, the insulating layer, and the upper electrode are stacked, in this order.
下電極、絶縁層および上電極をこの順に積層した構造において下電極の抵抗を低減でき、かつ、電流−電圧の非線形特性における正負の双方向の対称性を向上可能な非線形素子、およびこの非線形素子を用いた電気光学装置を提供すること。 - 特許庁 - In the irradiation of laser beams, the same distance is corrected at a terrace region outside the outer periphery of the SOI layer 10d with the outer periphery as a boundary B so that the distance between the condensing lens 30 and the upper surface of the support substrate 10a is reduced by the amount of correction H as compared with the SOI region in the inside.
このレーザ光の照射に際しては、ＳＯＩ層１０ｄの外周縁を境界Ｂとしてその外側のテラス領域ではその内側のＳＯＩ領域よりも集光レンズ３０と支持基板１０ａの上表面との距離が補正量Ｈだけ縮小されるように同距離を補正する。 - 特許庁 - The laminated piezoelectric ceramic body reduced in the warpage and the deformation occurring in the sintered body is made by forming a paste film 6 on the upper and under surface of a laminated body 4 using a conductive paste to be used for an inner conductor layer 3 and drying and sintering the laminated body 4a covered with the paste film 6.
内部導体層３に用いることができる導体ペーストを用いて、積層体４の上下面にペースト膜６を形成し、そのペースト膜６で覆われた積層体４ａを乾燥して焼結することで、その焼結体に生じる反りと変形とを低減した積層圧電セラミックス体にできる。 - 特許庁 - The electronic parts are provided with Cu baking electrode layers 6a, 6b which make Cu a principal component; Cu plating layers 7a, 7b formed on the Cu baking electrode layers 6a, 6b, in which a recrystallization treatment is performed; and upper layer side plating layers 9a, 9b formed on the Cu plating layers 7a, 7b.
Ｃｕを主成分とするＣｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂと、Ｃｕ焼き付け電極層６ａ，６ｂ上に形成された、再結晶化処理が施されたＣｕめっき層７ａ，７ｂと、Ｃｕめっき層７ａ，７ｂ上に形成された上層側めっき層９ａ，９ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁 - In the insulating films 4a, 4b, a polycrystalline silicon film (resistor element) 6 and a polycrystalline silicon film (lower electrode of a capacitor) 8, which have their upper end surface at a position lower than that of the single crystalline layer surface 2a of the semiconductor substrate 2, are formed and the surface of the semiconductor substrate 2 including STI is flattened.
前記絶縁膜４ａ、４ｂ中には、半導体基板２の単結晶層表面２ａよりも低い位置にその上端表面を有する多結晶シリコン膜（抵抗素子）６、及び多結晶シリコン膜（キャパシタ下部電極）８が形成され、ＳＴＩを含む半導体基板２の表面は平坦化されている。 - 特許庁 - The piezoelectric resonance stack 12 is comprised of: an oscillation area 18 in which the upper electrode 10 and the lower electrode 8 are opposite to each other via a piezoelectric layer 2 and located in accordance with the gap 4; a supporting area 22 which contacts the substrate; and a buffer area 20 located between the oscillation area 18 and the support area 22.
圧電共振スタック１２は、上部電極１０と下部電極８とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域１８と、基板に接する支持領域２２と、振動領域１８及び支持領域２２の間に位置する緩衝領域２０とからなる。 - 特許庁 - In site work, after the electric equipment box 6 has been mounted to the box subsidiary member 4 through a coupling means 5, when concrete is placed on the upper surface of the precast concrete slab 1, the precast concrete slab 1 is combined with a concrete layer 7, and a slab or a wall surface or the like can be formed in a state where the electric equipment box 6 is buried.
現場施工では、電設用ボックス６をボックス付帯部材４に結合手段５を介して取り付けた後、プレキャストコンクリート板１の上面にコンクリートを打設すれば、プレキャストコンクリート板１とコンクリート層７が一体となり、電設用ボックス６が埋め込まれた状態のスラブ或いは壁面等を形成できる。 - 特許庁 - A surface emitting type laser array 10 is provided with an intermediate layer 31 including three wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c constituted of AlxGa1-xAs (x=0.95) arranged between a lower DBR30 and a upper DBR32, and grooves 26, 27, and 28 whose depth reaching any wavelength adjusting layers 17a, 17b, and 17c is different.
面発光型レーザアレイ１０は、下側ＤＢＲ３０と上側ＤＢＲ３２との間に配設されたAl_xGa_1-xAs（ｘ＝０．９５）からなる３層の波長調整層１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む中間層３１を有し、波長調整層１７ａ，１７ｂ、１７ｃの何れかに届く深さの異なる溝２６、２７、２８を有する。 - 特許庁 - A thermal indirect moxibustion comprises a cylindrical container, which has and encircles a carbonized and shaped moxa 5, an upper tray 7 of a heat-resisting material where the carbonized and shaped moxa 5 is placed, a nutrient component 6, and a lower tray 8 with a plurality of perforations 17 where the nutrient component 6 is placed; and an adhesive layer 10 formed on a bottom 9 of the cylindrical container.
炭化成形艾５と該炭化成形艾５を置く耐熱性材料からなる上棚７と、栄養素成分６と該栄養素成分６を置く複数の小穴17のある下棚８を有し、これらを取り巻く筒状容器と、該筒状容器下端の底面９に接着層10を設けてなる温熱滋養灸。 - 特許庁 - In the pillow 1 equipped with a pillow substrate section 2 and a chip-like foam layer 3 layered in the upper part of this pillow substrate section 2, as for the pillow substrate section 2, a head support recessed part 2A, a side support section 2B around this, and the cervical vertebra support section 2C are formed by combining two or more blocking elements 20 consisting of a soft foam.
枕基体部２と、この枕基体部２の上部に積み重ねられるチップ状フォーム層３とを具えて成る枕１であって、前記枕基体部２は、軟性フォームから成るブロック要素２０が複数組み合わされて頭部支持凹部２Ａと、この周囲のサイドサポート部２Ｂと、頸椎部サポート部２Ｃとが形成される。 - 特許庁 - In an enclosure where an upper surface is covered with transparent glass or double-layer transparent glass and the other surfaces are all surrounded by a heat insulator, a heat reception panel with an air vector having an air hole and at the same time a heat-storing material such as brick are spread for achieving heat-storing effect and at the same time radiation loss is reduced and air is heated.
上面は透明ガラス又は２重透明ガラスで掩い、それ以外の面はすべて保温材で蔽囲された密閉容器内に、空気孔を有する空気ベクターを備えた受熱パネルと共に、レンガ等の蓄熱材を敷き詰め、蓄熱効果を持たせることにより、輻射損失を減らし、暖気する。 - 特許庁 - The thermal analysis sensor having the heating means is constituted, such that the sample holder can be heated uniformly by forming a thin film heater which is used as the heating means, on a diaphragm being positioned on the upper and the lower sides of the cantilever of the SOI layer and sandwiches the thin film via a gap, or by forming a thin-film heater which surrounds the thin film.
このＳＯＩ層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。 - 特許庁
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