「upper layer」を含む例文一覧(11094)
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高解像感光性ポリイミドを超伝導トンネル接合素子の上部及び下部電極の絶縁膜として用いることにより、絶縁層へのビアホール加工がリソグラフィ工程のみで達成され、従来の真空プロセスを用いる絶縁膜形成に比べて、多大なコストが軽減され、大幅に工程を簡略化できる。 - 特許庁 - Further, the upper electrode sheet 11 and the lower electrode sheet 5 are adhered and integrated by a dot-pattern adhesion printed layer 15 made of a large number of small dots and capable of ventilating at a portion other than the embossing portion 9 so that the embossing portion 9 may be located at the outside direction of the lower contact electrode 3.
また、前記エンボス部９が前記下部接点電極３の外方に位置するように、前記上部電極シート１１と前記下部電極シート５が、前記エンボス部９以外の部分で無数の小ドットからなる通気可能なドット模様粘着印刷層１５で粘着されて一体化されていることを特徴とする。 - 特許庁 - When a two-layer transfer gate electrode is formed, a preliminary gate electrode 104 is formed on a gate insulating film composed of polysilicon, a polysilicon film 105 is formed on the preliminary gate electrode 104, and then a first gate electrode having a large curvature of radius at an upper corner is formed by etching.
２層転送ゲート電極を形成するに際して、先ず、多結晶シリコンからなるゲート絶縁膜上に予備ゲート電極１０４を形成し、更に、当該予備ゲート電極１０４上に多結晶シリコン膜１０５を形成、エッチングすることによって、上側角部の曲率半径が大きい第１ゲート電極を形成する。 - 特許庁 - The piezoelectric thin film element includes an antiferroelectric film 16, disposed between upper and lower electrodes 17 and 14 and an adhesion layer 15, disposed between the lower electrode 14 and antiferroelectric film 16, and is made of a composition expressed by PbZrxTi1-xO3 (0.5≤x≤0.7).
本発明に係わる圧電体薄膜素子は、上部電極１７と下部電極１４に挟まれる反強誘電体膜１６を備える圧電体薄膜素子であって、下部電極１４と反強誘電体膜１６の間にＰｂＺｒ_xＴｉ_1-xＯ_3（０．５≦ｘ≦０．７）を組成とする密着層１５を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The apparatus for preventing the oxygen deficiency is obtained by radially arranging many blade bodies arranged from the center of rotation to the outside, between upper and lower pair of rotary parallel plates arranged in water, and connecting a suction tube extended to the bottom layer of the water area, to a sucking port formed in the center of the lower rotary parallel plates.
本発明では、水中に配設した上下一対の回転平行板間に複数の翼体を回転中心から外方へ向けて放射状に配設するとともに、下側の回転平行板の中心に形成した吸入口に水域底層へ向けて伸延させた吸入管を連通連結した。 - 特許庁 - The pile foundation structure 1 is constructed by a superstructure 2 and a plurality of existing footing piles 3, the superstructure 2 comprises an upper skeleton 2a and a foundation section 2b consisting of a footing and a footing beam, the existing footing pile 3 is a cast-in-place pile and is a supporting pile for the front end section to reach a supporting layer 4.
杭基礎構造物１は、上部構造物２と複数本の既設基礎杭３により構築されており、上部構造物２は、上部躯体２ａとフーチング及び基礎梁から構成される基礎部２ｂとからなり、既設基礎杭３は場所打ち杭で、先端部が支持層４に到達している支持杭である。 - 特許庁 - A connecting member 16 formed of conductive paste is arranged over the under surface of the silicon substrate 2 from the side surface of the silicon substrate 2, the insulating film 3, the SOI integrated circuit part 4, the upper layer insulating film 6, the protective film 8 and the sealing film 14 including this exposed other end part end surface of the wiring 10 for the grounding.
この露出されたグランド用の配線１０ｂの他端部端面を含むシリコン基板２、絶縁膜３、ＳＯＩ集積回路部４、上層絶縁膜６、保護膜８および封止膜１４の側面からシリコン基板２の下面にかけては導電性ペーストからなる接続部材１６が設けられている。 - 特許庁 - A buffer layer (12) which is an intermediate film or an oscillation plate (55) is formed on substrates (11 and 52), lower electrodes (13 and 542) are formed on the intermediate film, the ferroelectric film (24) or the piezoelectric film (543) is formed on the lower electrodes, and upper electrodes (25 and 541) are formed on the ferroelectric film or the piezoelectric film.
基板（１１、５２）の上に中間膜であるバッファ層（１２）又は振動板（５５）を形成し、前記中間膜上に下部電極（１３、５４２）を形成し、前記下部電極上に強誘電体膜（２４）又は圧電体膜（５４３）を形成し、前記強誘電体膜又は圧電体膜上に上部電極（２５、５４１）を形成する。 - 特許庁 - To provide a thermoacid generator for antireflective film formation, a composition for antireflective film formation, and an antireflective film using the composition, exhibiting excellent etching resistance characteristics and antireflective performance against short wavelength light (absorptivity for short wavelength light) and capable of suppressing generation of scum in an upper-layer photoresist film.
耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）が良好であり、さらに上層のホトレジスト膜におけるスカムの発生を抑制することができる、反射防止膜形成用熱酸発生剤、反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた反射防止膜の提供。 - 特許庁 - The diffusion region 102 has: a bent part; a groove 105 formed by etching the substrate 101 along the diffusion region 102 at the outer side of the bent part of the diffusion region 102; and a buffer layer 1 (111) having a refractive index equal to or greater than that of the substrate 101 and provided at the upper part of the diffusion region 102.
この拡散領域１０２は、曲がり部を有し、拡散領域１０２の曲がり部の外側に、拡散領域１０２に沿って基板１０１を掘り下げて形成した溝１０５と、拡散領域１０２の上部に設けられ、基板１０１の屈折率以上の屈折率を有するバッファ層１（１１１）と、を備えてなる。 - 特許庁 - A counter electrode 305 is oppositely arranged below the lower face of the long-length substrate 303 to form a plating layer, an electroconductive member 304 for suppressing film deposition is oppositely arranged above the upper face of the long-length substrate 303, and the electric potential of the electrically conductive member 304 and that of the long-length substrate 303 are made almost equal.
この長尺基板３０３の下面には、対向電極３０５を対向配置して鍍金層を形成するが、長尺基板３０３の上面には膜析出抑制用の導電部材３０４を対向配置し、該導電部材３０４と長尺基板３０３の電位をほぼ等しくしている。 - 特許庁 - To provide an efficient glass substrate regenerating device and an efficient glass substrate regenerating method for processing substrates to be regenerated, produced in the manufacturing process of a color filter substrate on the optimal alkali treatment conditions for peeling BM/RGB layers by each substrate for regeneration in a continuous regeneration process of sequentially peeling the substrates for regeneration from the upper layer part of a color filter film.
カラーフィルタ基板の製造工程で発生した再生対象基板を、カラーフィルタ膜の上層部より順に剥離する連続再生プロセスにおいて、再生対象基板毎に最適なＢＭ／ＲＧＢ層剥離用アルカリ処理条件で処理する効率的なガラス基板再生装置及び再生方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical wiring board that has an effective multi-channel cross connection structure, by installing input optical wiring and output optical wiring of N channels in two upper and lower layers regardless of the number of channels and by connecting one-to-one optical wires with layers made to differ from each other in the respective places of an inter-layer transition part.
Ｎチャンネルの入力光配線と出力光配線とをチャンネル数に依存せずに上下２層に敷設し、層間移行部の夫々の個所において１対１の光配線同士で層を違えて接続し、有効な多チャンネルのクロスコネクト構造を有する光配線基板を提供する。 - 特許庁 - The first substrate 10 is provided with pixel electrodes 15, each of which is formed in an area surrounded by scanning lines 3a and data lines 6a and transition electrodes 60, each of which is formed in a layer located upper than the scanning lines 3a and the data lines 6a and lower than the pixel electrode 15 and generates a potential difference from the pixel electrode 15.
第一基板１０には、走査線３ａ及びデータ線６ａに囲まれた領域にそれぞれ設けられる画素電極１５と、走査線３ａ及びデータ線６ａよりも上層かつ画素電極１５よりも下層に設けられ、画素電極１５との間に電位差を生じる転移電極６０と、が設けられる。 - 特許庁 - To provide a transparent conductive film capable of suppressing the decrease in light transmittance in the lamination of layers of graphene, and having light transmittance higher than the upper limit of the light transmittance of one layer of graphene, and provide a heater, a touch panel, a solar cell, an organic EL device, a liquid crystal device, and electronic paper each including the transparent conductive film.
グラフェンを積層したときに光透過率の低下を緩和したり、１層のグラフェンの光透過率の上限よりも高い光透過率を得たりすることの可能な透明導電膜、ならびにそれを備えたヒータ、タッチパネル、太陽電池、有機ＥＬ装置、液晶装置および電子ペーパを提供する。 - 特許庁 - This surface-mounted LED 10 (light emitting device) includes: an LED chip 1; a phosphor layer 19 converting the wavelength of light emitted from the LED chip 1; and a light diffusion part 6 that is structured to diffuse light at the center part on the upper side of the LED chip 1 relative to light in the other parts.
この表面実装型ＬＥＤ１０（発光装置）は、ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１から出射された光の波長を変換する蛍光体層１９と、ＬＥＤチップ１の上方中央部における光が、他の部分における光と比べてより拡散されるように構成されている光拡散部６とを備える。 - 特許庁 - The baffle preventing the direct inflow of confluent water to the screen side and throttling the flow of confluent water and increasing the velocity of the water is installed into the confluent-water control chamber while a press screen passing only the pollutant in the upper layer, downwards removing the moisture of confluent water, the velocity of which is increased, is mounted into the control chamber.
また、装置として、合流水制御室内に、合流水がスクリーン側に直接流入するのを阻止しかつ合流水の流れを絞り増速させるバッフルを備えるとともに、増速される合流水の水分を下向きに抜きながら汚濁物質のみは上層を通過させるプレスクリーンを備えてなる。 - 特許庁 - To reduce area loss due to generation of a dead space, wiring change or the like by providing a layout structure which enables a signal wiring of an upper layer to be disposed while reducing crosstalk to a bit line and a word line, and which is suitable for a signal wiring direction on a chip without being limited by block arrangement rotation.
ビット線及びワード線に対するクロストークを低減しながら上層の信号配線を配置可能とし、かつブロック配置ローテーションの制約がなくチップ上の信号配線方向に適合したレイアウト構造を有することで、デッドスペースの発生や配線乗り換えによる面積ロスを低減する。 - 特許庁 - A transfer apparatus 1 includes: a Bernoulli chuck 12 holding work-pieces 80 in a non-contact manner; a chuck base 10 to which the Bernoulli chuck 12 is attached; a parallel mechanism robot 3 moving the chuck base 10 in the air; and an air nozzle 20 blowing air to an upper layer part of the work-pieces 80 laminated on a cassette 70 from the lateral side.
移載装置１は、ワーク８０を非接触状態で保持するベルヌーイチャック１２と、ベルヌーイチャック１２が取り付けられたチャックベース１０と、チャックベース１０を空間内で移動させるパラレルメカニズムロボット３と、カセット７０に積層されたワーク８０の上層部に向けて側方からエアを吹き付けるエアノズル２０とを備える。 - 特許庁 - The door is closed from the upper of the unit 12, the unit 12 is stuck on the door frame 4 with a bonding layer 15 arranged on the mounting substrate 13, the door on which the unit 12 is stuck is closed further to a desired closing position, and the filler 14 on the mounting substrate 13 is discharged while remaining a fixed amount.
ユニット１２上からドアを閉めて、ユニット１２を取り付け基材１３に設けた接着層１５でドアフレーム４に接着し、ユニット１２が接着されたドアを所定の閉鎖位置までさらに閉めて、取り付け基材１３上の充填材１４を所定量残留した状態まで排出する。 - 特許庁 - Turning back to this case, as shown in the description of the claimed invention, the numerical limitation may merely suggest the upper and lower thicknesses of the polyethylene resin layer, for the person skilled in the art to readily implement the claimed invention with effective resistance and workability which are the common objectives in both inventions.
本事例に戻ると、請求項に係る発明の明細書に示されている通り、数値限定は、当業者が両発明の共通の目的である有効な耐性と加工性をもって、請求項に係る発明を容易に実施できるポリエチレン樹脂層の上限の厚さと下限の厚さを提示しているにすぎない。 - 特許庁 - In the seismic isolator 1, which is disposed on a foundation for a building skeleton and in which the laminated rubbers 2 by the alternate- layer structure of the rubber and a steel plate are disposed among upper-lower flange plates 3 and 3, restraining members 10 restraining the relative displacement of the flange plates 3 and 3 are installed detachably among the flange plates 3 and 3.
建物躯体の基礎に配設され、上下のフランジプレート３、３間にゴムと鋼板の互層構造による積層ゴム２を配設した免震装置１において、前記上下のフランジプレート３、３の相対的な変位を拘束する拘束部材１０をフランジプレート３、３間に取り外し可能に取り付けた。 - 特許庁 - Furthermore, since a thin film electrode 6 on the p-type GaN layer 2c is led out to the upper surface of sidewall on the circumferential edge of the recess 4 and a p-type pad electrode 17 is formed at that part, the nano-column 2 is not damaged even if wire bonding is performed with sufficient strength and optimal bonding conditions can be selected.
また、ｐ型ＧａＮ層２ｃ上の薄膜電極６を凹所４の周縁の側壁上面まで引出し、その部分にｐ型パッド電極１７を形成するので、充分な強度でワイヤボンディングを行っても、ナノコラム２にダメージを与えることはなく、ボンディング条件を最適に選択できる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a circuit pattern (4) located on a semiconductor substrate, a pair of contact holes (1) positioned in the surrounding of the circuit pattern, and a reference wiring pattern (2) located on an upper layer of an insulating film, on which the pair of contact holes is provided so as to be connected with the pair of holes.
本発明による半導体装置は、半導体基板上に設けられた回路パターン（４）と、前記回路パターンの周囲に配置されたコンタクトホール対（１）と、前記コンタクトホール対が設けられた絶縁膜の上層に前記コンタクトホール対と接続するように設けられた基準配線パターン（２）とを具備している。 - 特許庁 - Either one of the anode and cathode of the semiconductor laser element 5 is connected to the wiring pattern 2c of the flexible wiring board 2 abutted to the upper surface 1a of the base 1, and the wiring pattern 2c is electrically connected to the base 1 through an opening 7 provided on the part to be abutted to the base 1 of the insulating layer 2b.
半導体レーザ素子５のアノードまたはカソードの何れかは、基台１の上面１ａに当接されたフレキシブル配線基板２の配線パターン２ｃに接続されており、配線パターン２ｃは、絶縁層２ｂの基台１に当接する部位に設けられた開口部７を介して、基台１に電気的に接続されている。 - 特許庁 - To provide a structure, capable of increasing the latitude of design and making both the increase of display area and the miniaturization of a liquid crystal device compatible with each other by adopting a structure of an upper/lower conductive part, capable of narrowing the width of a peripheral part of a display region without being affected by the patterning accuracy of alignment layer.
配向膜のパターニング精度に影響されることなく、表示領域の周囲部分の狭幅化を図ることが可能な上下導通部の構造を採用することによって、設計の自由度を増大させ、液晶装置における表示面積の増大と小型化とを両立することができる構造を提供する。 - 特許庁 - In the cover body 113, a movable part 113c having structure where minute covers 113d shielding the upper end faces of the respective holes 111 are coupled is held by hinge parts 113c thinly drawn from fixing parts 113a fixed on the base plate 110 at both edge side parts while putting an insulating layer 112 in between.
蓋体１１３では、両縁辺部において絶縁層１１２を挟んで基板１１０に固定された固定部１１３ａから細く延伸するヒンジ部１１３ｄにより、各穴１１１の上端面を掩蔽する微小蓋１１３ｄを連結した構造を有する可動部１１３ｃが保持される。 - 特許庁 - A self-illumination type key top unit comprises plural transparent key tops 11 each having a character printed layer on a lower surface, clicks 13 connected to each other which make clicking action when an upper surface is pushed, key tops 11, and transparent releasable adhesive layers 15 formed between the key top 11 and the click.13.
本発明の自照式キートップユニットは、下面に文字印刷層を設けた複数の透明のキートップ１１と、上面が押されたときクリック動作をする互いに連結されたクリック１３と、前記キートップと前記クリックの間に形成した透明な離型粘着層１５とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - Concerning a 1-3 compound piezoelectric diaphragm 1 composed of a 1-3 compound piezoelectric body 2 composed of piezoelectric ceramics and polymeric materials and electrodes 4 formed on the upper and rear surfaces of that body, by composing that electrode 4 of a nickel layer, bonding to the electrode 4 with soldering of ground lead frame or signal lead frame is enabled.
圧電セラミックスと高分子材とからなる１−３複合圧電体と、その上面および下面に形成された電極とからなる１−３複合圧電振動子板において、その電極をニッケル層で構成することにより、電極へのグランドリードフレームやシグナルリードフレームの半田による接合を可能にする。 - 特許庁 - A conductive layer 13P for the upper electrode on the electron discharge electrode is film-formed on the whole face of an image display region, a voltage is applied between neighboring scanning electrodes 21n and 21n+1 and a current is made to flow, and the electron discharge electrode between the adjacent scanning electrodes 21n and 21n+1 is fused and separated by Joule's heat.
画像表示領域全面に電子放出電極の上電極用導電層１３Ｐを成膜し、隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間に電圧を印加して電流を流し、ジュール熱で隣接する走査電極２１ｎと２１n＋１の間の電子放出電極を溶断して分離する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.
積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The projection portion 10 is obtained by forming a liquid repelling portion 40 having a liquid repelling property to a liquid material and a hydrophilic portion 42 having higher wettability to the liquid material than that of the liquid repelling portion 40 to an upper face 20a of an insulation layer 20, and after that, spraying the liquid material to the hydrophilic portion 42 and curing the liquid material.
凸状部１０は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部４０と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部４０よりも高い親液部４２とを絶縁層２０の上面２０ａに形成した後、親液部４２に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 - 特許庁 - To provide a thin film magnetic head eliminating the generation of deterioration of the insulation property between leads and upper/lower shields for a magneto-resistive element even though the shield gap layer is thinned for improving the thermal aspirity of the magneto-resistive thin magnetic head, and also capable of accurately reading a minute reproducing signal by lowering the resistance of the lead.
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドのサーマルアスピリティを改善するために、シールドギャップ層を薄くしても磁気抵抗素子に対するリードと上下のシールドとの間の絶縁特性の劣化を生じることがなく、しかもリードの抵抗を低くして微小な再生信号を正確に読み取れる薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁 - The piezo-electric element includes the Si substrate, a piezo-electric film of niobic acid potassium sodium of perovskite structure whose general formula is (K, Na)NbO_3 formed on the upper portion of the Si substrate, and an intermediate layer formed between the Si substrate and the piezo-electric film, which makes the piezo-electric film generate stress in a compressing direction.
本発明に係る圧電素子は、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板の上方に形成され、一般式が（Ｋ，Ｎａ）ＮｂＯ_３であるペロブスカイト構造のニオブ酸カリウムナトリウムの圧電膜と、Ｓｉ基板と圧電膜との間に形成され、圧電膜に圧縮方向の応力を生じさせる中間層とを備える。 - 特許庁 - A circuit diagram editor having a function for applying a symbol name and a symbol number to elements of same configuration and for collectively describing a plurality of elements of same configuration in one element in a circuit diagram in an upper layer is configured to prepare a terminal connection table 22 for an arbitrary cell 10, and to achieve wiring expressions by using the terminal connection table 22.
上位階層の回路図において、同一構成の要素にシンボル名とシンボル番号を付与して、複数の同一構成の要素を一つの要素に一括表記する機能を有する回路図エディタに、任意のセル１０について端子接続表２２を作成し、端子接続表２２を用いた配線表現を可能とする。 - 特許庁 - To provide a machine readable information printed article effective for preventing forgery, alteration or the like, by hardly allowing a person to visually recognize a latent printed image, avoiding restrictions on a picture pattern to be formed on its upper layer and providing the image which cannot be read to inhibit recognition of the true image even if an infrared ray considered to be optimum is applied.
目視では印刷画像の潜在に気づかずに、その上層の絵柄の制限を受けにくく、さらに最適なと思い込みの赤外線を適用しても、画像を読み取れず、真の画像を認識出来ず、偽造、改ざん等の予防に有効な機械読み取り可能な情報印刷物の提供にある。 - 特許庁 - This burglar preventing element 1 is provided with a lower-side conducting route 2 consisting of a coil and an upper-side conducting route 3 consisting of a coil, which are wound in the reverse direction, overlap in at least one overlapped area, and with an additional dielectric layer 4 at the overlapped area.
防犯エレメント１は、巻線からなる下側導通経路２及び巻線からなる上側導通経路３を備え、これら２つの導通経路が逆方向に巻回され、少なくとも１つの重複領域において重複し、２つの導通経路の重複領域に追加の誘電体層４を備えている。 - 特許庁 - When any request relating to a second mobility management process and issued by an upper layer is received after the request relating to the first procedure is transmitted and before the acceptance message is received, a maintaining request to maintain the connection is transmitted to the node in response to the acceptance message.
第１の処理に関する要求が送信された後であって承認メッセージが受信される前に、第２の移動管理処理に関する上位のレイヤーによって発行された何らかの要求が受信された場合、承認メッセージに対する応答として、接続を維持する維持要求がノードへ送信される。 - 特許庁 - When a wiring trench 113 or a wiring trench and a connection hole are formed in an insulating film, in a forming process of a multilayer wiring having a metal wiring of copper or copper alloy, an edge cut region formed in a photoresist 105 for etching an upper layer insulating film 104 is shifted to the outer side of the insulating film 104.
銅又は銅合金の金属配線を有する多層配線の形成工程において、絶縁膜に配線溝１１３もしくは配線溝及び接続孔をエッチング形成する際に、上層の絶縁膜１０４のエッチング用のフォトレジスト１０５に形成されたエッジカット領域を絶縁膜１０４の外側にずらす。 - 特許庁 - The package 9 for electronic component storage includes, on an upper surface of an insulating base 1 formed by laminating a plurality of ceramic insulating layers 1a, the recess 2 for electronic component storage formed penetrating center portions of some of the ceramic insulating layers 1a along the thickness, the inner surface of the recess 2 being coated with a ceramic coating layer 3.
複数のセラミック絶縁層１ａが積層されてなる絶縁基体１の上面に、一部のセラミック絶縁層１ａの中央部が厚み方向に貫通されて形成された電子部品収納用の凹部２を有し、凹部２の内側面がセラミック被覆層３で被覆されている電子部品収納用パッケージ９である。 - 特許庁 - Further, it includes a stage for re-enforcing a diffused bonding coat on the substrate so as to re-enforce to the same thickness as the thickness enforced prior to operation of the engine; and a stage for re-enforcing the upper layer ceramic heat insulation film to the nominal thickness + Δt so as to compensate the part of the base metal substrate removed by Δt.
また、エンジン作動の前に施工されていたのとほぼ同じ厚さまで再施工されるように、拡散ボンディングコートを基体に再施工する段階と、Δｔが除去したベース金属基体の部分を補償するように上層セラミック断熱皮膜を公称厚さｔ＋Δｔまで再施工する段階とを含む。 - 特許庁 - In a dry etching process of the fine mask pattern of a membrane mask, a radical and an ion, containing at least one of nitrogen, carbon, and oxygen that do not contribute to pattering, are generated by plasma for supplying to the upper and side surfaces and foundation of the mask pattern, and a layer (membrane) for restraining the generation of stress is reliably formed on the side.
メンブレンマスクの微細マスクパターンのドライエッチング工程において、パターニングに寄与しない窒素、炭素もしくは酸素の少なくとも一つ以上を含むラジカルやイオンをプラズマにより発生させて、マスクパターンの上面、側面および下地に供給し、側面に応力発生を抑制する層（膜）を確実に形成する。 - 特許庁 - As a result, the drawing plate 25 can prevent the selected product from being accumulated on the drawing plate 25, allows the selected product to pass through the clearance h between the drawing plate 25 and the upper surface of the chaff sieve 12, and capable of making the thickness of the layer constant by dispersing the selected product to improve the material adaptability.
これにより、寄せ板２５は、該寄せ板２５上に選別物が堆積することを防ぐことができると共に、チャフシーブ１２上面との間の隙間ｈから選別物を通過させることができ、選別物を分散させ層厚を一定にすることができて、材料適応性を向上させることができる。 - 特許庁 - The projection 10 is obtained by forming a liquid repelling part 40 with a liquid repelling property to a liquid material and a hydrophilic part 42 the wettability to the liquid material of which is greater than that of the liquid repelling part 40 to an upper face 20a of an insulating layer 20, and thereafter spraying the liquid material to the hydrophilic part 42 and curing the liquid material.
凸状部１０は、前記液体材料に対して撥液性を有する撥液部４０と、該液体材料に対する濡れ性が撥液部４０よりも高い親液部４２とを絶縁層２０の上面２０ａに形成した後、親液部４２に対して該液体材料を吐出して硬化させることにより得られる。 - 特許庁 - To provide a stator of a rotary electric machine which, by reducing the number of insulation sheet layers in a route from the back part of a slot to a insertion part facing on the opening of the slot, can secure a distance from an opening end of the slot to an insertion part facing on the opening end to reduce eddy current loss in a coil on the upper layer side.
スロット奥部から、スロットの開口に臨む挿入部に至るまでの絶縁シートの層数を減らすことで、スロット開口端から、その開口端に臨む挿入部までの距離を確保して上層側コイルの渦電流損を低減させることができる回転電機のステータを提供する。 - 特許庁 - On the resin layer 109, a second insulating film 110 composed of an inorganic material is formed and on the second insulating film 110 and the mesa structure 120, an upper contact electrode 111 having an electrode opening 111a for exposing part of the top surface of the mesa structure 120 is formed.
樹脂層１０９の上には無機材料からなる第２の絶縁膜１１０が形成され、該第２の絶縁膜１１０及びメサ構造体１２０の上には、該メサ構造体１２０の上面の一部を露出する電極開口部１１１ａを有する上部コンタクト電極１１１が形成されている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of at least reducing warpage of a substrate by suppressing a temperature change on upper and lower surfaces of the substrate due to heat generation in using the semiconductor device, and accordingly capable of effectively suppressing fatigue failure of a solder layer joining the substrate and a semiconductor package.
半導体装置使用時の発熱による基板の上下面の温度変化を抑制することによって、少なくとも基板の反りを低減でき、もって、基板と半導体パッケージとを接合する半田層の疲労破壊を効果的に抑制することのできる、半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - In storing topologies in each of a plurality of services in an overlay network constructed on an upper layer of a router network (lower network) including a plurality of nodes, the network topology design apparatus 10 calculates a resource utilization amount to be consumed in each service and preferentially stores service having a larger resource utilization amount.
複数のノードを備えるルータ網（下位網）の上位のレイヤに構築されるオーバーレイネットワークにおいて、複数のサービスごとのトポロジを収容する際に、ネットワークトポロジ設計装置１０は、各サービスごとに消費するリソース利用量を算出し、リソース利用量の大きいサービスを優先的に収容する。 - 特許庁 - This method hardens resin mortar by heating and compression, after filling the resin mortar of a thermosetting resin in the upper part, by filling a water retentive material in the lower layer of the shallow plastic vessel.
浅いプラスチック製容器の下層に保水部を設け、上方に樹脂モルタル層を有するものであって、保水部の上面の高さに排水孔を設けたもの、及び浅いプラスチック製容器の下層に保水材を充填し、上方に熱硬化性樹脂の樹脂モルタルを充填した後、加熱、圧縮し樹脂モルタルを硬化させる方法。 - 特許庁 - To form a dielectric film whose principal component is PZT stabilizing a polarization property by adding rare earth ion or alkaline earth element to an upper part of wiring layers or between wiring layers made by applying a wiring layer forming process of a semiconductor device in a capacitor and a method of manufacturing the capacitor.
キャパシタ及びその製造方法に関し、半導体装置の配線層形成工程を適用して作製した配線層の上方或いは配線層間に希土類イオン、或いは、アルカリ土類元素を添加して分極特性を安定化したＰＺＴを主成分とする誘電体膜の形成を可能にしようとする。 - 特許庁
