「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 212 213 214 215 216 217 218 219 220 221 222 次へ＞- The thermal analysis sensor having the heating means is constituted, such that the sample holder can be heated uniformly by forming a thin film heater which is used as the heating means, on a diaphragm being positioned on the upper and the lower sides of the cantilever of the SOI layer and sandwiches the thin film via a gap, or by forming a thin-film heater which surrounds the thin film.
このＳＯＩ層のカンチレバの上側と下側に空隙を介して薄膜を挟むダイアフラムに加熱手段としての薄膜ヒータを形成するか、または薄膜を囲む薄膜ヒータを形成して試料ホルダを一様に加熱できるように加熱手段を有する熱分析センサを構成する。 - 特許庁 - In a magnetic recording and reproducing apparatus using a perpendicular recording medium having a soft magnetic backing layer, a soft magnetic shield 40 is provided so as to surround upper parts and side planes of magnetic head elements 11, 12, 14, 15, distance between the soft magnetic shield 40 and the medium is made smaller than distance between the soft magnetic shield and the magnetic head element.
軟磁性裏打ち層を有する垂直記録媒体を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッド素子１１，１２，１４，１５の上部及び側面を取り囲むように軟磁性シールド４０を設け、軟磁性シールド４０と媒体との距離を、軟磁性シールドと磁気ヘッド素子との距離よりも小さくする。 - 特許庁 - A concrete block 1 of a fixed size is manufactured in a factory, an elastic member 2 and a sleeper 4 are assembled in a cavity section 3 provided on the upper face of the block 1, then it is transported to an execution site and temporarily arranged and positioned, and the block 1 and a roadbed 11 are bonded together by a mortar layer 10 to form a ballast.
工場内で一定の大きさのコンクリート製ブロック１を製造し、このブロック１の上面に設けた空洞部３に弾性部材２とマクラギ４を組み込んだ後、施工現場に輸送し、仮配置と位置決めをした上で、ブロック１と路盤１１をモルタル層１０で結合し道床を構築する。 - 特許庁 - Namely, if it is necessary to provide the interconnection WL which is orthogonal to the interconnection WU due to the change of the design, the interconnection WR 2 in the upper layer is connected to a redundant via hole VR, thereby providing a structure by the redundant interconnection WR1 and the redundant via hole VR which allows an orthogonal interconnection.
すなわち、設計の変更により、配線ＷＵと直行させる配線ＷＬを設ける必要が生じた場合、冗長ヴィアホールＶＲに対して上層の配線ＷＲ２の結線を行い直行配線を可能とする冗長配線ＷＲ１及び冗長ヴィアホールＶＲによる構造を備える。 - 特許庁 - The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.
上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁 - At least either one of the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 has first electrode 110, 210 having a forward tapered sidewall, and a second electrode 120, 220 adjoining the first electrode 110 through an insulating layer 150, 250 in a practically same plane and having a reversely tapered sidewall.
下側電極１３０及び上側電極２３０の少なくともいずれかは、順テーパの側壁を有する第１の電極１１０、２１０と、絶縁層１５０、２５０を介して第１の電極１１０と実質的に同じ平面内で隣接し、逆テーパの側壁を有する第２の電極１２０、２２０と、を有する。 - 特許庁 - This cutter for window glass adhesive layer is provided with an endless belt 10 having prescribed width to be driven in the desired direction in close contact with the upper surface of window shield glass G and a frame body 20 where the endless belt 10 is stretched so as to be driven back and forth by a driving pulley 11 and a pair of driven pulleys 12 and 13.
この窓ガラス接着剤層の切断器は、ウインドシールドガラスＧの上面に密着して所望方向に駆動される所定幅の無端ベルト１０と、無端ベルト１０を駆動プーリ１１及び一対の従動プーリ１２，１３によって前後方向に駆動可能に張架したフレーム本体２０を備えている。 - 特許庁 - After a resist mask 7 having a hole part 128 in an upper part of a projection part 23 of an island-like Si thin film layer 33 which turns into a source/drain and a channel region, is formed on a polycrystalline Si film 6, implantation of Si ions 10 is carried out and the bonding of atoms of an SiON film constituting a gate insulation film 5 is weakeded.
ソースドレインおよびチャネル領域となる島状Ｓｉ薄膜層３３の突出部２３の上部に開孔部１２８を有するレジストマスク７を多結晶Ｓｉ膜６上に形成した後、Ｓｉイオン１０注入を行い、ゲート絶縁膜５を構成するＳｉＯＮ膜の原子同士の結合を弱める。 - 特許庁 - In addition, as the position detecting accuracy keeping apparatus 1, a rectangular flat panel-like shielding plate 33 is used, and a lower part winding part 31 and an upper part winding part 32 in the carriage carrying belt 9, and the shielding plate 33 being the position detecting accuracy keeping apparatus 1 above them are respectively arranged horizontally to form a three-layer shielding structure.
また位置検出精度維持装置１として矩形平板状の遮蔽板３３を使用し、キャリッジ搬送用ベルト９における下部巻回部３１と上部巻回部３２、その上方に前記位置検出精度維持装置１である遮蔽板３３をそれぞれ水平に配置して３層の遮蔽構造を形成した。 - 特許庁 - The removal means is equipped with an air knife 18 installed in a manner of crossing the substrate and discharging air toward the upper face of the substrate 2 and a wave elimination member 20 for suppressing waving of the liquid layer X caused at a time of discharging air.
この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 - 特許庁 - The piezoelectric resonant stack 14 comprises a vibrating area 20 in which the upper electrode 12 and the lower electrode 10 face each other via the piezoelectric layer 2 and which is positioned in accordance with the gap 4, a supporting area 24 in contact with the substrate 8, and a buffering area 22 which is positioned between the vibrating area 20 and the supporting area 24.
圧電共振スタック１４は、上部電極１２と下部電極１０とが圧電層２を介して互いに対向し且つ空隙４に対応して位置する振動領域２０と、基板８に接する支持領域２４と、振動領域２０及び支持領域２４の間に位置する緩衝領域２２とからなる。 - 特許庁 - The CVD film 13, the SOG film 11 and the CVD film 9 are sequentially removed by dry-etching using a resist pattern as a mask, continuously a trimming window opening 15 is formed by etching a top layer portion of the multiplayer film 7 and then a part of an upper surface and a side surface of the thin film resistor 5 is exposed (B).
レジストパターン１９をマスクとして、ドライエッチングによりＣＶＤ膜１３、ＳＯＧ膜１１、ＣＶＤ膜９を順にエッチング除去し、続けて積層膜７の上層部分をエッチング除去してトリミング窓開口部１５を形成し、薄膜抵抗体５の上面及び側面の一部を露出させる（Ｂ）。 - 特許庁 - Thereafter, an emitter opening 114 is formed in an insulating layer 112 positioned on the single-crystal structure 111a and the damaged part of the single-crystal structure 111a positioned in the opening 114 is removed by thermally oxidizing the upper part of the structure 111a, and removing an oxide film 115 by wet etching.
単結晶構造部１１１ａ上に位置する絶縁膜１１２に、エミッタ開口部１１４を形成し、エミッタ開口部１１４内に位置する単結晶構造部１１１ａの上部を熱酸化して酸化膜１１５をウェットエッチングを行なうことによって除去することで単結晶構造部１１１ａのダメージを取り除く。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a fuse element 130 formed on a second insulating film 10, an alignment mark 140 for detecting the position of the fuse element 130, a passivation film 120 formed on the upper layer than the alignment mark 140, and an opening unit 122 on the alignment mark 140 formed on the passivation film 120.
第２の絶縁膜１０上に形成されたヒューズ素子１３０と、ヒューズ素子１３０の位置を検出するためのアライメントマーク１４０と、アライメントマーク１４０より上層に形成されたパッシベーション膜１２０と、アライメントマーク１４０上に位置し、パッシベーション膜１２０に形成された開口部１２２とを具備する。 - 特許庁 - To prevent weld marks on the upper face side of the core bar of a ring portion even when cover layers of a synthetic resin are injection-molded in an interspaced relation along the circumference of the ring portion in the plan each via a single gate disposed near a cover layer end.
リング部の平面周方向に沿って部分的に配置される合成樹脂製の被覆層が、被覆層の端部側に配置される１つのゲートを利用して射出成形により形成されても、リング部芯金の上面側にウエルドマークが発生することを防止することができるステアリングホイールを提供すること。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which ARL is used for processing a silicon oxide film in the upper layer of a local interconnection tungsten film and subsequently even if passing through a high temperature film forming process, a defect due to the exfoliation of a boundary face between the local interconnection tungsten film and the silicon oxide film is prevented from occur.
ローカル配線タングステン膜の上層のシリコン酸化膜の加工にＡＲＬを使用し、その後に高温の成膜プロセスを経ても、ローカル配線タングステン膜とシリコン酸化膜界面の膜剥がれによる欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The upper layer 101 is equipped with a second conductivity-type well region 102 opposite to the first conductivity, and an edge passivation zone equipped with a junction terminal expansion(JTE) depletion region 403, where the depletion region 403 is provided with an extension 406 which is separate from the well region 102 and extends under it.
上側層１０１は、第１の導電型とは逆の第２の導電型のウェル領域１０２と、接合終端拡張（ＪＴＥ）空乏領域４０３を具えるエッジパシベーションゾーンを具え、空乏領域４０３は、ウェル領域１０２から離れ、かつその下に延在する部分４０６を具える。 - 特許庁 - In the fire extinguisher, a film 15 to be a composite material which has pigments printed on the surface and a protective film formed on an upper layer of the pigment is attached on an outer peripheral surface of the fire extinguishing agent storage container 11 which has an mouth part to be an opening part and is molded by resin without seams.
消火器は、開口部となる口部を有するとともに継ぎ目のない樹脂によって成形される消火剤貯蔵容器１１の外周表面上に、表面に顔料が印刷されるとともに、顔料の上層に保護膜が形成された複合材料であるフィルム１５が装着される。 - 特許庁 - A sidewall 26 formed on a sidewall of a gate electrode 27 is different in thickness in a horizontal direction (along an upper surface of a semiconductor layer 2) between a drain side and a source side differently from a side wall 8 of a CMOS transistor 1, and a sidewall 26B on the drain side is thicker than a sidewall 26A on the source side.
ゲート電極２７の側壁に形成されるサイドウォール２６は、ＣＭＯＳトランジスタ１のサイドウォール８とは異なり、ドレイン側とソース側とで、水平方向（半導体層２の表面に沿った方向）の厚さが異なっており、ドレイン側のサイドウォール２６Ｂは、ソース側のサイドウォール２６Ａよりも厚い。 - 特許庁 - In a fuel cell 10 generating electrical energy, at least one conductive gas distributor 14 is a reticulated three dimensional structure 40 including a first ductile basic skeleton 46 made of metal or a metal alloy used under compression in its elastic region and a conductive upper layer 42 made of corrosive resistant metal or alloy.
電気エネルギーを発生する燃料電池（10）において、少なくとも１個の導電性ガス分配器（14）は、その弾性領域で圧縮下に用いた第１の金属又は金属合金製の延性基本骨格（46）と耐蝕性金属又は合金製の導電性上層（42）とを包含してなる網状三次元構造体（40）である。 - 特許庁 - In the piezoelectric element 12, part or all of an outer circumferential shape of the electrode 11 is formed to be a shape corresponding to distributions of a vibration mode of a target order or their sum and an insulation layer 13 comprising an insulating member is formed over an entire face of at least a lower face or an upper face of the electrode 11.
電極１１における外周形状の一部または全部を、着目する次数の振動モード分布またはそれらの和に対応した形状に構成する一方、電極１１の下面側または上面側の少なくとも何れか一方の全面に亘って、絶縁部材からなる絶縁層１３を形成する。 - 特許庁 - As to various shoes, between a vamp cover 2 and an inner lining 4 of sock shape which compose an upper body, a thin waterproof layer 3 is intervened which shapes a similar figure with the inner lining and does not have sewing seams, and perfectly hermetic twofold linings 6 are formed which do not cause water permeation at least inside the inner lining.
各種シューズにおいて、その甲本体を構成する外側甲被材２とソックス形状の内側裏材４との間に、内側裏材と相似形状の縫製縫い目をもたない薄い防水層３を介在し、少なくとも内側裏材内に浸水を招かない完全密封型二重ライニング６を形成するものである。 - 特許庁 - The original plate is obtained by disposing at least two positive type recording layers containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorbent and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by exposure with infrared laser light on a base and the coating weight of the upper positive type recording layer is in the range of 0.05-0.45 g/m2.
支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収剤を含み、赤外レーザの露光によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大するポジ型記録層を少なくとも２層設けてなり、上層のポジ型記録層の塗布量が０．０５〜０．４５ｇ／ｍ^2の範囲にあることを特徴とする。 - 特許庁 - This device is equipped with a receiving recessed part 3 provided in a roller conveyer 1 conveying a substrate B of a solar battery by supporting a lower surface b2 in an opposite side of an upper surface b1 formed with a transparent electrode layer A of the substrate and a delivery machine 11 reciprocating the substrate B moved over this recessed part 3 and a prescribed delivered part.
太陽電池の基板Ｂをその透明電極層Ａが形成された上面ｂ１とは反対側の下面ｂ２を支持して搬送するローラコンベア１に設けた受取り凹部３と、この凹部３と所定の被受渡し部分とにわたって基板Ｂを往復移動させる受渡し機１１とを具備する。 - 特許庁 - The pattern forming method comprises: a step of forming a coating to be etched; a step of forming a plurality of mask patterns on an upper layer of the coating by corresponding to regions being desirable to be left as a plurality of patterns; and a step of forming patterns of the coatings by performing etching treatment by using a plurality of mask patterns as masks.
本発明に係るパターン形成方法は、被エッチング膜を成膜する工程と、複数のパターンとして残したい領域に対応して被エッチング膜の上層に複数のマスクパターンを形成する工程と、複数のマスクパターンをマスクとして、エッチング処理を行うことにより被エッチング膜のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁 - In the analysis of the chemical bond of carbon by an X-ray photoelectron spectroscopic analysis method, coating layers 2 of polyphenylene ether-based organic matter are formed on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1 of 7-18% area ratio caused by carboxy groups in the C1s peak area of the surface.
Ｘ線光電子分光分析法による炭素の化学結合状態の分析で、表面のＣ１ｓピーク面積におけるカルボキシル基に起因する面積の割合が７〜１８％である液晶ポリマー層１の上下面にポリフェニレンエーテル系有機物から成る被覆層２を形成して成ることを特徴とする絶縁フィルム３。 - 特許庁 - The electrophoretic display device 1 has an electronic ink layer 6 containing many white electrified particles 4 and many black electrified particles 5 between an upper substrate 3 and a lower substrate 2 and also has a transmission display area T and reflection display area R in one pixel constituting a display pattern.
本発明の電気泳動表示装置１は、上基板３と下基板２との間に多数の白色帯電粒子４と多数の黒色帯電粒子５とを含有した電子インク層６が挟持され、表示パターンを構成する一つの画素内に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとを有している。 - 特許庁 - The embossed surface 42 of the thermoplastic resin molding 40 is constituted of rough unevenness 44 on the side of a substrate and fine unevenness 46 in an acute angle shape on the side of the upper layer, and the low glossiness or the light diffusiveness is obtained by setting the three dimensional surface roughness parameter of the embossed surface 42 in a prescribed range.
熱可塑性樹脂成形品４０のシボ表面４２は、下地側の粗い凹凸４４と上層側の鋭角形状の細かい凹凸４６からなり、該シボ表面４２の３次元表面粗さパラメータを所定範囲内に設定することで、低光沢性あるいは光拡散性が得られる。 - 特許庁 - As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.
その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁 - A narrow conductive film is longitudinally disposed on a longitudinally long transparent film 10 having an adhesive layer on its rear surface, and a longitudinally long closed rectangle is disposed on the lower part using an extended line of the conductive film as a side, thereby forming an antenna element 12, and a feeder section 14 is provided on the upper part of the antenna element 12.
裏面に接着剤層が配設された縦方向に長い透明フィルム１０に、幅の狭い導電膜を縦方向に配設するとともにその延長線を一辺として下側部分に縦方向に長い閉じた長方形を配設してアンテナエレメント１２とし、アンテナエレメント１２の上端部に給電部１４を設ける。 - 特許庁 - A Bluetooth (R) apparatus 11 is composed of a radio communication unit 12 which makes radio communication, a link control unit 13 which controls the connection/cutoff of a physical link for the radio communication unit 12, and an application unit 14 which includes the upper layer of a Bluetooth (R) protocol stack and a man-machine interface.
Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ機器１１は、無線通信を行う無線通信部１２と、無線通信部に対して物理リンクの接続／切断の制御を行うリンク制御部１３と、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈプロトコルスタックの上位レイヤやマンマシンインタフェースなどを含むアプリケーション部１４で構成されている。 - 特許庁 - According to the vibration control device 1, a contact between water and the outside air is interrupted and the evaporation of water can be prevented because the nonvolatile liquid constitutes the uppermost layer section and covers the upper section of water when the inside of the liquid storage space is filled with water, and the capacity of water in the liquid storage space can be kept constant at all times.
前述制振装置１によれば、例えば液体収容空間内に水を張った場合には、不揮発性液体が最上層部を構成して水の上部を覆うので、水と外気との接触を断って水の蒸発を防止でき、液体収容空間内の水の容量を常に一定に保つことができる。 - 特許庁 - The liquid crystal display employs the on-common storage capacitor which includes a lower storage electrode of a predetermined size provided in the same layer that a signal line is formed, and a pixel electrode provided on the lower storage electrode and functioning as an upper storage electrode.
前記の目的を達成するために本発明による液晶表示装置は、信号線が形成される層に所定の大きさで形成されるストレージ下部電極；及びストレージ下部電極上に形成され、ストレージ上部電極の役割を遂行する画素電極；を備えるオンコモン方式ストレージキャパシタを含む。 - 特許庁 - In the semiconductor device having a plurality of gate electrodes, arranged in parallel in the first direction, a gate wiring consisting of a plurality of first portions extending in the first direction and a second portion, extending in the direction perpendicular to the first direction, is provided on the upper layer of the gate electrode, the source wiring and the drain wiring.
複数のゲート電極が第１の方向に平行に配置された半導体装置において、該ゲート電極、ソース配線、およびドレイン配線より上層に設けられ、前記第１の方向に延在する複数の第１の部分、および該第１の方向と垂直な方向に延在する第２の部分からなるゲート配線を設ける。 - 特許庁 - The element includes a substrate 2 having a concave part; an electron emission part 12 positioned by filling the concave part; and a cathode electrode 6 provided on the substrate 2 so as to be electrically connected to the emission part 12; and a gate electrode 10 formed on an upper part of the cathode electrode 6 through an insulation layer separating them.
本発明の電子放出素子は，凹部を備える基板２と，凹部を満たして位置する電子放出部１２と，電子放出部１２と電気的に連結されるように基板に提供されるカソード電極６と，絶縁層を隔ててカソード電極６上部に形成されるゲート電極１０とを含む。 - 特許庁 - To provide a semiconductor element manufacturing method which forms an epitaxial layer on an upper portion of an element separating structure of a recess gate area, designs a semiconductor element of an SOI tunnel structure, thereby, reduces an ion implantation concentration in a channel area and can improve characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.
リセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The automobile member has an organic coating film (A) containing a conductive particle (α) and a rust prevention pigment (β) on at least one face of a metallic material, and an electrodeposition coating film (B) formed from the electrodeposition coating which does not substantially contain lead on the upper layer of the organic coating film (A).
本発明は、金属材の少なくとも片面に、導電性粒子（α）及び防錆顔料（β）を含有する有機塗膜（Ａ）を有し、この有機塗膜（Ａ）の上層に、鉛を実質的に含まない電着塗料から形成される電着塗膜（Ｂ）を有することを特徴とする、自動車部材である。 - 特許庁 - Upper surface portion and right and left side face portions of the semiconductor region 12 along the end of the gate electrode 15 on the drain region side is covered with a selective insulating film 171 thicker than the gate insulating film 14, and a lightly doped n^--type impurity diffusion layer 172 is formed beneath the selective insulating film 171 (offset structure 17).
ドレイン領域側のゲート電極１５の端部近傍に沿う半導体領域１２の上面及び左右側面の部分はゲート絶縁膜１４よりも厚い選択的絶縁膜１７１で覆われ、選択的絶縁膜１７１下には、低濃度Ｎ^−型不純物拡散層１７２が形成される（オフセット構造１７）。 - 特許庁 - Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.
キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁 - A packet is copied and transferred to all member links of the LAG in LAG processing in a transmission-side device and, in LAG processing in a reception-side device, the arrival situation of the packets from the LAG links is confirmed, and whether one of the packets is transferred to upper-layer processing or all of them are discarded is controlled.
本発明は、送信側装置でのＬＡＧ処理においてパケットを当該ＬＡＧの全メンバリンクにコピー転送し、受信側装置のＬＡＧ処理において当該ＬＡＧリンクからのパケットの到着状況を確認して同パケットの一つを上位レイヤ処理へ渡すか全て破棄するかを制御する。 - 特許庁 - Also, the other vegetation blocks 1 stacked upward along a slope gradient are put at the center part between the vegetation blocks 1 and 1 on the lower side, and projected parts 2 and 2 provided at the bottom parts thereof are fitted to the upper inner surface of the vegetation block 1 on the lower side so as to form a next vegetation block layer B1 of a specified width.
更に、法面勾配に沿って上方に積み上げられる他の植生ブロック１を下方の植生ブロック１，１間の中央部に載置し、且つ、その底部に設けられた突起部２，２を下方の植生ブロック１の上部内面に嵌合させて、所定幅の次の植生ブロック層Ｂ_1 を形成する。 - 特許庁 - To prevent interior of a house and household effects from being damaged by water intrusion to the inside of the building due to overflow caused by freezing or fine leakage by the presence of a snow duct at the upper layer of the inside of the building and remove anxiety and oppressive feeling of a user, in a construction method associated with a snow drop prevention roof.
無落雪屋根に関する建築工法において、スノーダクトが建物内部上層に存在することにより、結氷や「すが洩れ」から生ずる溢水による建物内部に対する浸水被害から家屋内装・調度品の損傷を防ぐと共に、入所者の心理的な不安・圧迫感を取り除くこと。 - 特許庁 - To form an upper layer having sufficient permeability in exposure wavelength of 248 nm (KrF) and 193 nm (ArF), capable of forming a coated film on a photoresist without causing intermixing with a photoresist film, further, keeping the stable coated film without causing elution into water when it is immersed in a liquid and exposed with light and readily dissolving into an alkali developer.
２４８ｎｍ（ＫｒＦ）および１９３ｎｍ（ＡｒＦ）の露光波長での十分な透過性と、フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。 - 特許庁 - To provide an organic electroluminescent display having a life time of an element secured, without generating unevenness in the luminance by a voltage drop caused by an upper-part translucent electrode even in an enlarged size, and having a high production efficiency capable of forming an organic luminescent layer, without using a deposition mask having a precision open-hole pattern.
素子の寿命を確保しつつ、上部透明電極に起因する電圧降下による発光輝度むらを大形化しても生じさせず、かつ精密な開孔パターンを持つ蒸着マスクを用いずに有機発光層形成可能な生産効率の高い有機ＥＬ表示装置を提供することである。 - 特許庁 - Through holes 13, 17 formed in the piezoelectrics 4, 12 on the upper side of the individual interconnection electrode 7 and a through hole 16 formed in the piezoelectric 8 on the under side of the individual interconnection electrode 7 are arranged while spaced apart by a length r (maximum radius of through hole) or more in the direction normal to the layer direction.
個別中継用電極７に対して上側の圧電体４，１２に形成されたスルーホール１３，１７と個別中継用電極７に対して下側の圧電体８に形成されたスルーホール１６とは、積層方向に対して垂直な方向にｒ（スルーホール最大半径）以上離れて配置されている。 - 特許庁 - An upper part of a deposited abrasive grain layer deposited on a substrate 11 immersed in nickel plating liquid M in which diamond abrasive grains are dispersed is evened by moving an evening plate 12 relatively to the substrate 11 for forming a multilayer structure of abrasive grain layers, so time required for forming the abrasive grain layers can be shortened.
ダイヤモンド砥粒を分散させたニッケルメッキ液Ｍ内に浸漬した基材１１に堆積した堆積砥粒層Ｄ２の上部を、均し板１２を基材１１に対して相対的に移動させて均しながら多層構造の砥粒層を形成させることにより、砥粒層形成に要する時間を短縮することができる。 - 特許庁 - In a standard cell and an automatic arrangement and wiring method using the same, the standard cell includes: a rectangular element region 11 wherein circuit elements are arranged; and additional rectangular wiring regions 12a and 12b which have the same width as two opposing sides of the element region 11 and are provided close to the two opposing sides, respectively, and wherein an upper layer interconnection is arranged.
本発明のスタンダードセルおよびそれを用いた自動配置配線方法は、回路素子が配置される矩形の素子領域１１と、素子領域１１の対向する２辺と同じ幅で対向する２辺に近接して設けられ、上層配線が配置される矩形の追加配線領域１２ａ、１２ｂを有する。 - 特許庁 - Further it is preferable as a constitution of the paint film to have the paint film wherein the flow region does not exist in the viscoelasticity curve expressing the relation between a logarithm of storage modulus (E') and a temperature (T) and the minimum value of an elastic modulus is ≥1.0×10^6 Pa as the uppermost paint film on an upper layer of the paint film.
また、塗膜構成としては前記塗膜の上層に最上層塗膜として、貯蔵弾性率（Ｅ’）の対数と温度（Ｔ）の関係を表す粘弾性曲線にて流動領域が無く、且つ弾性率の最小値が１．０×１０^6Ｐａ以上である塗膜を有することが好ましい。 - 特許庁 - To reduce the number of temporarily receiving members supporting an upper structure and use an installation layer of a base isolation device merely as a space required for the installation of the base isolation device to carry out the construction work while an existing building is put in a use condition when a base isolation structure of the existing building is realized by installing the base isolation device.
免震装置の設置によって既存建物を免震構造化する場合に、上部構造を支持する仮受け部材数を削減すると共に、免震装置の設置に要する空間を免震装置の設置層で済ませ、既存建物を使用状態に置いたまま工事を遂行することを可能にする。 - 特許庁 - The band sections 4 and 5 are added to at least one side of the net section 1, and are bonded to the net section 1 in the vicinity of the vertical edges of the layer-form band sections 4 and 5 with two welded lines 6 and 7, and with two lateral welded lines 8 and 9 which are respectively provided at the upper and lower sections of the bag.
バンド部（４、５）は、最小限度として網目部（１）の片側に加えられ、層状のバンド部（４、５）の垂直エッジ付近で二つの溶着線（６、７）によって、および、袋の上部および下部にそれぞれ設けられた二つの横の溶着線（８、９）によって網目部（１）に接合される。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
