「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 208 209 210 211 212 213 214 215 216 .... 221 222 次へ＞- The groove H1200 is arranged so that the bottom surface thereof may be located on the upper surface of the electrical wiring H1210 constituting the wiring layer located closest to the one surface H1120 of the substrate H1110, and also, the bottom surface of the groove H1200 may not overlap the edge part of the electrical wiring H1210.
溝Ｈ１２００の底面が基板Ｈ１１１０の一の面Ｈ１１２０に最も近い配線層を構成する電気配線Ｈ１２１０の上面に位置し、かつ前記底面が該電気配線Ｈ１２１０の縁部にかからないように、溝Ｈ１２００は配置されている。 - 特許庁 - At least either of a lower part magnetic core and an upper part magnetic core has a magnetic pole layer of saturation magnetic flux density of 23,000 gauss or more consisting of a magnetic film including elements of two kinds or more out of Co, Ni, and Fe prepared by an electroplating method in a range of a plating bath of pH2 or less.
下部磁気コア、上部磁気コアのうち少なくとも一方は、めっき浴のｐＨ２以下の範囲で電気めっき法により作製したＣｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有する磁性膜からなる飽和磁束密度２３０００ガウス以上の磁極層を有する。 - 特許庁 - The card base material 2 having a magnetic recording layer 3, an IC module 4 and the like is constituted of a plastic sheet A having high heat resistance at upper sheets 21, 21' and of a plastic sheet B having low heat resistance at core sheets 22, 22' and/or the ratio of the thickness occupying the sheet A is set to 0.1 to 0.9.
磁気記録層３、ＩＣモジュール４等を有するカード基材２を、オーバーシート２１、２１’を耐熱性の高いプラスチックシート（Ａ）、コアシート２２、２２’を耐熱性の低いプラスチックシート（Ｂ）で構成するか、および／またはプラスチックシート（Ａ）が占める厚みの割合を０．１〜０．９として課題を解決した。 - 特許庁 - The microwave cooking container includes a cooking container 2 made of a microwave-permeable material, a lid 3 provided at an upper opening of the cooking container 2, and a heat-insulating container 8 which is disposed on the outside of a side face of the cooking container 2 and provided with a heat-insulating layer 6 between an inner wall 4 and an outer wall 5.
マイクロ波透過性材料からなる調理用容器２と、この調理用容器２の上部開口に設けられる蓋３と、調理用容器２の側面外側に着脱自在に配置され内壁４と外壁５との間に断熱層６を設けた断熱容器８とを備える。 - 特許庁 - This electromagnetic wave-suppressing heat-radiating sheet is an electromagnetic wave-suppressing heat-radiating sheet 10 in which on both upper and lower surfaces of a thin plate-shaped ferrite sintered compact 12, a gel heat radiating layer having slight adherence and having a thermal conductivity of 0.7 W/mK or more is provided and both of these gel heat radiating layers are gel sheets 14, 16.
薄板状のフェライト焼結体１２の上下両面に、微粘着性を有し熱伝導率０．７Ｗ／ｍ・Ｋ以上のゲル状放熱層が設けられており、それら両方のゲル状放熱層が共にゲル状シート１４、１６である電磁波抑制放熱シート１０である。 - 特許庁 - The construction management device is also equipped with a swelling height dimension management rod 4 which can be connected in a serial state to an upper end of the rolling thickness dimension management rod 3 for managing the rolling thickness dimension of the uppermost layer, and which is provided with a scale 14 for measuring the swelling height dimension on the top surface of the improvement body.
最上層の転圧厚さ寸法を管理する転圧厚さ寸法管理棒３の上端部に直列状態に連結可能で、かつ、改良体上面の膨張高さ寸法測定用の目盛り１４の付いた膨張高さ寸法管理棒４も備えられている。 - 特許庁 - To easily mold a container which is a foamed resin molded container having a skin layer on the inner face of the container, and a step by at least one of a recess and a projection, and holds an enough shape holding strength even at the step at the upper end of the projection, or at the step at the lower end of the recess or the like.
容器内面に表皮層を有しかつ凹部及び凸部の少なくとも一方による段差部を有する発泡樹脂成形容器で、凸部上端の段部あるいは凹部下端の段部等においても充分な保形強度を保有できる容器を容易に成形できるようにする。 - 特許庁 - The steel sheet is preferably characterized by a chromate film without including at least organic resin, which is formed under the chromate film including the organic resin and the phosphoric acid, and which has the total Cr coating weight of the upper and lower layer of 10-40 mg/m2 and the phosphoric acid coating weight of PO4/Cr=0.5-4.0.
また好ましくは、有機樹脂及びリン酸を含むクロメート皮膜の下層に少なくとも有機樹脂を含まないクロメート皮膜を形成し、下層及び上層の合計のＣｒ付着量を１０〜４０ｍｇ／ｍ^２、リン酸付着量をＰＯ_４／Ｃｒ＝０．５〜４．０とする。 - 特許庁 - The method includes steps of positioning a macro region 1b in which a macro is to be stored in an upper layer, and positioning a wiring path 2" so as to be passed through the macro region 1b to transmit a transmission signal from a first position 4a outside of the macro region 1b to a second position 4d.
上位レイヤに、マクロが格納されるマクロ領域１ｂを配置するステップと、マクロ領域１ｂの外側にある第１位置４ａから、第２位置４ｄに伝送信号を伝送するための配線経路２”を、マクロ領域１ｂを通るように配置するステップとを備えている。 - 特許庁 - After the capacity element comprising an upper part electrode 106A, a crystallized capacity insulating film 107B, and a lower part electrode 108A is formed on a semiconductor substrate 101, an aluminum oxide layer 109 containing such impurities as is removed by thermal treatment is so deposited as to cover the capacity element.
半導体基板１０１上に、上部電極１０６Ａ、結晶化容量絶縁膜１０７Ｂ及び下部電極１０８Ａよりなる容量素子を形成した後、熱処理によって除去可能な不純物を含有するアルミニウム酸化物層１０９を容量素子を覆うように堆積する。 - 特許庁 - The nitriding layer 2 with HV 700 or more and the hard film 4 by ion plating are provided while mutually separating and not contacted near at least one side corner of the corner part formed by the upper/lower surfaces and outer periphery surface and its separating interval is a range of 0.001-0.3 mm.
ＨＶ７００以上の窒化層２とイオンプレーティングによる硬質皮膜４は、上下面と外周面とで形成されるコーナ部の少なくとも片方のコーナ部付近で、接しておらず、互いに離間して設け、その離間間隔は、０．００１〜０．３ｍｍの範囲にある。 - 特許庁 - An annular seal ring contact 26 made of the same material as a first plating resist film 23 for forming wiring 8 is formed inside a connection terminal 7a, for plating on the upper surface of a substrate metal layer 7 formed on the entire surface of a semiconductor wafer 21.
半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層７の上面においてメッキ用接続端子部７ａの内側には、配線８形成用の第１のメッキレジスト膜２３と同一の材料からなるリング状のシールリング接触部２６が形成されている。 - 特許庁 - The magnetic recording and reproducing device using a vertical recording medium 30 with a soft magnetic backing layer 32 is provided with a soft magnetic shield 22 on the upper part and side face of a slider 12 for mounting a magnetic head thereon, and the distance C between the shield and the medium is made smaller than the distances A, B between the shield and the slider.
軟磁性裏打ち層３２を有する垂直記録媒体３０を用いた磁気記録再生装置において、磁気ヘッドを搭載するスライダ１２の上部及び側面に軟磁性シールド２２を設け、シールドと媒体との距離Ｃを、シールドとスライダとの距離Ａ，Ｂよりも小さくする。 - 特許庁 - An opening 20b for formation of an upper electrode 24b of the capacitor is made in an interlayer insulating film 19 simultaneously with a via hole 20a, a silicon nitride film 19a as the lowermost layer film of the interlayer insulating film 19 is left on the bottom of the opening to be used for a dielectric film 25 of the capacitor.
キャパシタの上部電極２４ｂ形成の為の開口部２０ｂはビアホール２０ａと同時に層間絶縁膜１９に開口し、その底部に層間絶縁膜１９の最下層膜であるシリコン窒化膜１９ａを残してキャパシタの誘電体膜２５に用いる。 - 特許庁 - The piezoelectric film 16 contains aluminum nitride as a principal component, the lower electrode 15 and the upper electrode 17 contain molybdenum as a principal component, and the vibrating part 121 includes at least a part of an insulating layer 13, bonded to the piezoelectric layered body structure 14, containing silicon nitride as a principal component.
圧電体膜１６は窒化アルミニウムを主成分とするものであり、下部電極１５および上部電極１７がモリブデンを主成分とするものであり、振動部１２１は圧電積層構造体１４に接合された窒化シリコンを主成分とする絶縁層１３の少なくとも一部を含んでなる。 - 特許庁 - A vulcanized inner nucleus 19 is held within an injection mold 1 having upper and lower molds 2, 3 so that a spherical shell-shaped gap is provided between the inner nucleus and the inner surface of a mold cavity and an unvulcanized rubber material 21 is injected in the gap to mold a spherical intermediate product wherein an unvulcanized rubber layer 22 is laminated to the inner nucleus 19.
上型２と下型３を有する射出成形用金型１内に、加硫済みの内核19を、キャビティ内面との間に球殻状空隙をもって保持しつつ、未加硫のゴム材料21を空隙に射出成形して、内核19に未加硫ゴム層22を積層して球状中間品23を形成する。 - 特許庁 - The container 2 opened at its upper part, to which dried objects 3 composed of tablets or powder and granular material are charged, is stored in a vacuum chamber 1, and the air is slightly leaked to a lower area of a lamination layer of the dried object 3 in the container 2 while keeping the vacuum chamber 1 in a vacuum state.
錠剤又は粉粒体からなる被乾燥物３が投入された上部開口の容器２を真空室１内に収容し、真空室１内を真空状態に保ちながら前記容器２の被乾燥物３の積層内の下部領域にエアーを僅かにリークさせる。 - 特許庁 - The method specifies an optimum position of a starting point to which the on-top wire is contacted with a long mesh wire and an initial dewatering curved line on the long mesh wire, and forms a paper layer within upper and lower limits (-7logX+19Y≤Y≤-7logX+21) of the curved line (Y=-alogX+b).
オントップワイヤーが長網ワイヤーに接する開始点の最適な位置及び長網ワイヤー上での初期脱水曲線を特定し、その初期脱水曲線（Ｙ＝−ａｌｏｇＸ＋ｂ）の上限と下限の範囲内（Ｙ≦−７ｌｏｇＸ＋２１、Ｙ≧−７ｌｏｇＸ＋１９ ）で紙層を形成する。 - 特許庁 - The sub-critical water dissolution layer is withdrawn through any of outlets 101-106 arranged in the upper part and side part of the reaction vessel 3 to adjust the residence time of sub-critical water and adjust the reaction time of the object which is to be treated and is subjected to the sub-critical water decomposition.
亜臨界水溶解層は、反応容器３の上部および側部に設けられた排出口１０１〜１０６のいずれかを選択して亜臨界水溶解層を取り出すことで、亜臨界水の滞留時間を調整し、被処理物の亜臨界水分解反応時間を調整する。 - 特許庁 - Then a barrier metal film 32 which is an upper wiring layer and a Cu film 33 (Cu dual damascene wiring) are formed so as to fill up the void 26, and the increase of the contact resistance between the plug of the Cu dual damascene wiring and the Cu wiring 31 is suppressed by increasing the contact area between the plug and wiring 31.
この空隙２６を埋め込むように上層配線層であるバリアメタル膜３２およびＣｕ膜３３（Ｃｕデュアルダマシン配線）を形成し、このＣｕデュアルダマシン配線のプラグとＣｕ配線３１とのコンタクト面積を大きくし、コンタクト抵抗の増加を抑制する。 - 特許庁 - In the other vias and wiring regions, the capacitive insulating film 15 is removed, and a wiring member of the upper electrode 16 is embedded, and although an ordinary wiring layer without the capacitive insulating film 15 is constructed after the flattening, a desired portion for a capacitive element includes the capacitive insulating film 15.
他のビアや配線領域では容量絶縁膜１５を除去して上部電極１６の配線部材が埋め込まれ、平坦化後、容量絶縁膜１５のない通常の配線層が構成されるが、容量素子所望の箇所は容量絶縁膜１５が含まれる。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel according to the present invention comprises: a switching element 20; a transparent pixel electrode 14; and a transparent common electrode 15 in which a predetermined area is disposed so as to be superposed on the upper layer of the transparent pixel electrode 14 via an insulation film, and which drives liquid crystals 50 together with the transparent pixel electrode 14.
本発明に係る液晶表示パネルは、スイッチング素子２０と、透明画素電極１４と、透明画素電極１４の上層に絶縁膜を介して所定領域が重畳配置され、透明画素電極１４とともに液晶５０を駆動する透明コモン電極１５とを具備する。 - 特許庁 - The wiring pattern 22 is connected electrically to the fixed electrodes 9a, 9b, 11c, 11d through an opening part 30 and an anchor part 28a for the fixed electrodes, and a lower electrode is connected electrically to the beam structured through the opening part in the upper layer side insulator thin film and the anchor part of the beam structure.
開口部３０および固定電極のアンカー部２８ａを通して配線パターン２２と固定電極９ａ，９ｂ，１１ｃ，１１ｄが電気的に接続され、上層側絶縁体薄膜における開口部および梁構造体のアンカー部を通して下部電極と梁構造体とが電気的に接続されている。 - 特許庁 - The gate insulating film 13 of the NMOS transistor 11 and the gate insulating film 23 of the PMOS transistor 21 are formed of different materials, and the gate insulating film 13 of the NMOS transistor 11 and the upper layer film 33a of the gate insulating film 33 of the NMOS transistor 31 are formed of the same materials.
ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＰＭＯＳトランジスタ２１のゲート絶縁膜２３とは異なる材料から成り、ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＮＭＯＳトランジスタ３１におけるゲート絶縁膜３３の上層膜３３ａとは同じ材料から成る。 - 特許庁 - Then, the iridium oxide film 135, the iridium film 133 and the titanium nitride film 131 are etched into a prescribed shape, and the local wiring 130 of a three-layer structure is formed from the upper electrode of the ferroelectric capacitor 120 exposed from the contact hole to the second interlayer insulating film 143.
そして、この酸化イリジウム膜１３５と、イリジウム膜１３３と、窒化チタン膜１３１とを所定形状にエッチングし、コンタクトホールから露出した強誘電体キャパシタ１２０の上部電極上から第２層間絶縁膜１４３上にかけて３層構造の局所配線１３０を形成する。 - 特許庁 - After the defect has been relieved by having the fuse irradiated with a laser beam, an organic passiation film (photosensitive polyimide resin film) 5 is filled inside a fuse opening hole part 11 and thereafter, the re-wiring 2, a bump land 2A, a top layer protective film 12 and a solder bump 14 are formed on the upper part of the organic passivation film 5.
ヒューズにレーザビームを照射して欠陥救済を行った後、ヒューズ開孔部１１の内部に有機パッシベーション膜（感光性ポリイミド樹脂膜）５を充填し、その後、有機パッシベーション膜５の上部に再配線２、バンプランド２Ａ、最上層保護膜１２、半田バンプ１４を形成する。 - 特許庁 - To provide a paper feeder which prevents problems such as a paper sheet in the upper layer being detached from a separation claw, eliminate the paper sheets from being fed superimposedly, and stably feed the paper sheet even if the loading form of the loaded and stored paper sheets is changed with reduction in the loaded and stored paper sheets.
積載収容された用紙の減少と共に、積載収容された用紙の積載形態が変化しても、上層部の用紙が分離爪から外れるといった問題を防止し、用紙の重送等を無くし、安定した用紙供給をする給紙装置を提供する。 - 特許庁 - Next, after forming an insulation material 12 on the substrate 1 covering this laminated body, the conductor material 11 and insulation material 12 are polished to form, on the substrate 1, a heat sink 2, both electrodes 3 and insulation layer 4 of which upper surfaces are flat.
次いで、この積層体を覆うように基板１上に絶縁材料１２を成膜した後、導体材料１１と絶縁材料１２を研磨することにより、基板１上に上面が平坦化されたヒートシンク部２と両電極部３および絶縁体層４を形成する。 - 特許庁 - A memory element 100 has a metal oxide layer 102 composed of bismuth (Bi), titanium (Ti) and oxygen and having a film thickness of 30-200 nm, and an upper electrode 103 formed on a semiconductor substrate 101; and has an ohmic contact 104 at a part of the semiconductor substrate 101.
メモリ素子１００は、半導体基板１０１の上に、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された例えば膜厚３０〜２００ｎｍの金属酸化物層１０２と、上部電極１０３とを備え、また、半導体基板１０１の一部にオーミックコンタクト１０４を備える。 - 特許庁 - In this case, the interval of the columnar electrodes 12 arranged on the second virtual circulating line from the inner side is such an interval that one of upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first virtual circulating line from the inner side can be put around.
この場合、内側から２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を１本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁 - Furthermore, the protective wear for chain saw work, as an inner type upper wear to be worn in the inside of an outer wear, having no thick face cloth layer with durability, and equipped with a chain saw incision-resisting protective pad set on the whole front side of the trunk of a wearer is also provided.
アウター衣類の内側に着用されるインナー型の上衣であり、耐久性のある厚手の表地層を有しないチェーンソー作業用防護衣であって、着用者の胴体の正面側全体に設けられたチェーンソー用耐切創防護パッドを備えるチェーンソー作業用防護衣。 - 特許庁 - The solar cell generator comprises sequentially from an upper layer: a surface member 1 through which light is transmitted; many solar battery cells 2 planarly arranged; an insulation sheet 3; a reflection plate 4 such as an aluminum foil; an insulation sheet 5; the light emitting element 6 comprising many light emitting diodes; and a backside member 7 through which light is transmitted.
上層から光を透過する表面材１、平面的に配列した多数個の太陽電池セル２、絶縁シート３、アルミ箔等の反射板４、絶縁シート５、多数個の発光ダイオードから成る発光素子６、光を透過する裏面材７が順次に配置されている。 - 特許庁 - An LED element 12 provided with bumps 12a and 12b on the mounting surface is mounted at a predetermined position on the wiring layers 11c and 11d of a substrate 11, and the gap between its lower surface and the upper surface of the substrate 11 is filled with an insulation layer 13 of silicone to bury the bumps 12a and 12b.
基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁 - The top end of a water collecting pipe 9 of which the bottom end communicates with the water permeation layer 7 on the lower side thereof and a raw water supply port 6 disposed on the upper side of the reforming tank 18 are communicated with a raw water path, drain path, a treated water outlet and a regenerated water tank 11 via a selector valve 5.
該通水層７の下方において下端が連通する集水管９の上端と前記改質槽１８の上部側に設けた原水供給口６を、原水路、排水路、処理水出口および再生水槽１１に切替弁５を介して連通する。 - 特許庁 - Alternatively, the upper surface of the through-hole 20 provided on the support 5 is covered with a barrier layer 7 serving as an opening 40 of a diameter smaller than the diameter of the through-hole 20, thereby eliminating or reducing the reflected light reaching the forming region of the light-receiving element 1 from the through-hole side wall 13.
または、支持体５に設けた貫通孔２０の上面を貫通孔２０の口径より小さな開口４０等となる障壁層７等でカバーすることにより、受光素子１の形成領域上に到達する貫通孔側壁１３からの反射光の解消または低減を図る。 - 特許庁 - The active particles are characterized by each having a second metal layer containing the second metal on the upper part of the shell and the first metal includes one or more metals selected from Group III to VIII, Group X to XIV, and Group XVI.
前記活性粒子は、シェル上部に、第２金属を含む第２金属層をさらに含有することを特徴とし、前記第１金属は、３ないし８族金属、１０ないし１４族金属及び１６族金属のうちから選択された一つ以上であることを特徴とする。 - 特許庁 - In the package for electronic components, each periphery section pressurized and energized by the rotary contact of the roller electrode for seam welding in the lid body is formed, in a wavy shape having amplitude dimensions with the width dimension of a metal layer formed at the top of the sidewall of a vessel as the upper limit.
電子部品用パッケージにおいて、蓋体におけるシーム溶接用ローラ電極が回転接触し加圧通電する各々の辺縁部の形状を、容器側壁頂部に形成した金属層の幅寸法を上限とする振幅寸法の波状形状にした電子部品用パッケージである。 - 特許庁 - If the magnetic field exceeds the upper limit, the y-direction velocity component of electrons in the active layer no more varies with the intensity of the applied magnetic field.
磁界がこの上限よりも小さければ、活性層内の電子のｙ方向の速度成分は、印加される磁界の強度の増減に対応して増減するが、磁界がこの上限を上回る場合、活性層内の電子のｙ方向の速度成分は、印加される磁界の強度に対応しなくなる。 - 特許庁 - A barrier film 9 composed of a silicon nitride film is not formed on the upper surface and the side wall of a metal semiconductor alloy layer 8 composed of a cobalt silicide film, and formed along the side wall surface of a polycrystal silicon film of a control gate electrode 6, an integrate insulating film 5 and a floating gate electrode 4.
シリコン窒化膜からなるバリア膜９はコバルトシリサイド膜からなる金属半導体合金層８の上面および側壁には形成されておらず浮遊ゲート電極４およびゲート間絶縁膜５並びに制御ゲート電極６の多結晶シリコン膜の側壁面に沿って形成されている。 - 特許庁 - A thermoplastic sheet 19 is arranged on the upper substrate 15 so as to cover a through-hole 18, the thermoplastic sheet 19 is deformed by being pressed by the heated pin 20 to the cantilever 17, and the switch 10 is closed by maintaining the connection state to the second wiring layer 13 of the cantilever 17.
上部基板１５上には、貫通穴１８を覆うように熱可塑性シート１９を配置し、熱可塑性シート１９を加熱したピン２０でカンチレバー１７に押圧することで変形させてカンチレバー１７の第２の配線層１３への接続状態を維持させてスイッチ１０を閉じる。 - 特許庁 - The thermal expansion coefficient of the buffer layer 12 and the thermal expansion coefficient of the upper clad 14 are set to be almost equal, and thus, the stresses applied to the cores 13a, 13b become isotropic substantially, therefore, the occurrence of birefringence can be suppressed effectively.
本発明では、バッファ層１２の熱膨張率と上部クラッド１４の熱膨張率とがほぼ等しく設定されており、これによりコア１３ａ，１３ｂにかかる応力が実質的に等方性となることから、複屈折の発生を効果的に抑制することが可能となる。 - 特許庁 - The third insulating film (150) is formed to be used as a top oxide film of a dielectric film between the floating gate and the control gate of a NAND flash device, and in a production process of a capacitor, as an interlayer insulating film between the lower electrode of the capacitor and the upper electrode of the capacitor, preferably formed of an HTO oxide layer.
第3の絶縁膜(150)は、NANDフラッシュ素子のフローティングゲートとコントロールゲートとの間の誘電体膜の上部酸化膜、キャパシタ製造工程ではキャパシタの下部電極とキャパシタの上部電極との間の層間絶縁膜として用いるために形成され、望ましくはHTO酸化膜で形成する。 - 特許庁 - A light transmissive window 3 is formed at an upper part of the sample chamber 1, light from a light irradiation section 20 is transmitted through the light transmissive window 3, is polarized by a wire grid polarizing element 10 provided between the light transmissive window 3 and the work stage and irradiates the optical alignment layer 31 on the work stage 32.
試料室１の上部には、光透過窓３が設けられ、光照射部２０からの光は光透過膜３を透過し、光透過窓３とワークステージとの間に設けたワイヤーグリッド偏光素子１０により偏光され、ワークステージ３２上の光配向膜３１に照射される。 - 特許庁 - To obtain a thin, flexible and soft composite tray of a molded pulp product or the like, the tray capable of adapting to a shape of a fruit and being easily manufactured by placing a thin and flat sheet on the tray of the molded pulp product or the like and simply plastering the upper and lower layers by only pressing the thin layer with a protrusive member.
本発明はパルプモウルド等によるトレーを用い、その上に薄いフラットシートを突起部材で押圧するのみで上下層を簡便に貼着により製造し、かつ薄く柔軟で柔らかい果実の形に順応し易いパルプモウルド等との複合トレーを簡便に得ることを目的とする。 - 特許庁 - In the chip-mounting substrates 4 on second or more layers, a joint 5b to a second terminal 11 that is provided on the substrate-mounting surface 10a among chip connection wiring lines 5 formed on the chip-mounting surface 4a is removed from the upper side of the lower-layer chip-mounting substrate 4.
２層目以上のチップ搭載基材４は、チップ搭載面４ａ上に設けられているチップ接続配線５のうち基材実装面１０ａ上に設けられている第２の端子１１との接続部５ｂを、下層のチップ搭載基材４の上方から外されている。 - 特許庁 - When installing a caisson 11 for building a marine structural body 10, in an accumulation layer 3 of the upper part of the sea bottom ground 1 an impermeable ground improvement part 4 into which a hardener or the like is mixed is built, and an excavated groove section 5 is built in a place where the caisson 11 is set up.
ケーソン１１を設置して海洋構造物１０を構築するに際して、海底地盤１の上部の堆積層３に対して、硬化材等を混入して不透水性地盤改良部４を構築し、ケーソン１１を設置する部分に掘削溝部５を構築する。 - 特許庁 - The respective scan lines are electrically connected to the respective gate electrode films of the n transistors arranged along a first direction out of the plurality of transistors, and includes a gate auxiliary wiring film (26) arranged by superposing on an upper layer side of the gate electrode film with an insulating film (28) sandwiched therebetween.
各走査線は、複数のトランジスタのうち、第１方向に沿って並んだｎ個のトランジスタの各々のゲート電極膜と電気的に接続され、かつ絶縁膜(28)を挟んで当該ゲート電極膜の上層側に重畳して配置されたゲート補助配線膜(26)を含む。 - 特許庁 - The actuator device includes the vibration diaphragm and a piezoelectric element on the diaphragm, which includes a lower electrode, a piezoelectric material layer, and an upper electrode, and the vibration diaphragm contains a least an insulator film comprising zirconium oxide (ZrO_2) wherein crystal of the insulator film has the (-111) face preferentially oriented.
振動板と、振動板上に下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置であって、振動板が、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_2）からなる絶縁体膜を少なくとも含み、絶縁体膜の結晶は（−１１１）面が優先配向しているようにする。 - 特許庁 - A piezoelectric actuator unit 3 is equipped with: a lower actuator unit 3a fixed on the bulkhead 10a to close the pressure chamber 14; an intermediate layer 3c including a bulkhead 34c holding the lower actuator unit 3a together with the bulkhead 10a; and an upper actuator unit 3b fixed on the bulkhead 34c.
圧電アクチュエータユニット３が、隔壁１０ａに固定されて圧力室１４を閉塞する下側アクチュエータユニット３ａと、隔壁１０ａと共に下側アクチュエータユニット３ａを挟み込む隔壁３４ｃを含む中間層３ｃと、隔壁３４ｃに固定された上側アクチュエータユニット３ｂとを有している。 - 特許庁 - An adhesive film consisting of titanium nitride (TiN) is formed in a contact hole where an upper electrode of the ferroelectric capacitor is exposed after thermal treatment is performed on it in an oxidation atmosphere, and the contact hole is filled by depositing a W layer with the CVD process while using the TiN film as a hydrogen barrier.
強誘電体キャパシタの上部電極を露出するコンタクトホールに、酸化雰囲気での熱処理の後、ＴｉＮよりなる密着膜を形成し、かかるＴｉＮ密着膜を水素バリアとして使いながら、Ｗ層をＣＶＤ法により堆積し、コンタクトホールを充填する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
