「upper layer」を含む例文一覧(11094)

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  • The adhesive agent 14 is applied to the translucent substrate 15; the applied face is directed to downward and pasted on an upper face of the display panel on which an adhesive layer is formed; the vicinity of the frame opening portion is filled with the adhesive agent without mixing voids; and the adhesive agent is cured.
    そして、透光性基板15に接着剤14を塗布し、その塗布面を下方に向けて接着層が形成された表示パネルの上面に貼り合わせ、枠体開口端部の近傍に空隙を混入することなく接着剤を充填し、接着剤を硬化する。 - 特許庁
  • To provide a chip-type electric double layer capacitor capable of miniaturizing, weight saving, surface mounting by improving an upper-plate structure, and effectively preventing the problem of leakage of electrolyte, and further, improving a coupling structure of an external terminal and a lower case.
    小型化及び軽量化が可能で、上板構造物を改善して、表面実装が可能で、電解液の液出問題を効果的に防止するチップ型電気二重層キャパシタ、及び、さらに、外部端子と下部ケースの結合構造を改善したチップ型電気二重層キャパシタの提供。 - 特許庁
  • A dummy metal pattern 6 made of a plurality of dummy metals 5 is formed only at an arrangement region of the connection wiring 3 or within a range corresponding to an area near the arrangement region thereof in at least one wiring layer of the upper and lower layers of the connection wiring 3 among the plurality of wiring layers.
    複数のダミーメタル5からなるダミーメタルパターン6を、複数の配線層のうち、接続配線3の上層と下層とのうちの少なくとも何れか1つの配線層において、接続配線3の配置領域及びその近傍と対応する範囲にのみ形成する。 - 特許庁
  • This chemical sensor includes a semiconductor layer where a body region is formed between a drain region and a source region, the sensitive film formed at the upper surface side of the body region, a gate insulation film formed at the under surface side of the body region, and a gate electrode formed at the under surface side of the gate insulation film.
    化学センサは、ドレイン領域とソース領域との間にボディ領域が形成された半導体層と、ボディ領域の上面側に形成された感応膜と、ボディ領域の下面側に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の下面側に形成されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁
  • In a method for constructing a road surface, a construction section 2 of a road 1 worn by abrasion is cleaned; sand, moisture, etc. are removed; the high-strength resin consolidated material 3 is spread and leveled, and spread and consolidated; and the high-strength resin paste 4 is applied as a surface layer with an application thickness of 3 cm or less to an upper section.
    磨耗による損耗した道路1においては、施工部分2を清掃し、砂・水分等を除去し、高強度樹脂固結物3を敷き均し、更に敷き固め、高強度樹脂ペースト4を施工厚さ3cm以下で表層として上部に施工する路面の施工法。 - 特許庁
  • Reflecting plates (13) are driven in from the vicinity of the upper surface of a subsurface layer (3) to the depth of the lower end of a footing (5) in the outer periphery of a group of structures (4), and wave-dissipating concrete blocks (12) made of concrete blocks such as tetrapods are piled up on the reflecting plates (13) to form a surface-wave bulwark against earthquake.
    構造物(4)群の外側周囲に表層地盤(3)の上表面近くから基礎版(5)下端までの深さに反射板(13)を打ち込み、反射板(13)の上にテトラポッドのようなコンクリートブロック製の消波ブロック(12)を積み重ねて地震表面波防波堤とする。 - 特許庁
  • In the stiffness treatment apparatus S with a built-in heater, a back pad layer 10a is brought into contact with the upper part of the back of a woman F from its back side back pad part, and both of left and right side shoulder and breast pad layers 10b and 10c are brought into contact with both of the left and right breasts from both of the left and right shoulders of the women F.
    ヒータ内蔵凝り治療器Sにおいて、背中当て層10aが、その裏側背中当て部から女性Fの背中の上部に当たるようにして、左右両側肩胸当て層10b、10cにて、女性Fの左右両肩から左右両胸に当てられている。 - 特許庁
  • By irradiating the recording layer 4 of only one area 132 among the plurally divided areas 131 of a medium with both of object light 6 and the reference light 71 selectively from the upper side or lower side of the medium, information is recorded as a hologram.
    物体光6及び参照光71をともに媒体130の複数に分割された領域131のうちの1つの領域132のみの記録層4に対して、選択的に、媒体の上方あるいは下方から照射することによって情報をホログラムとして記録する。 - 特許庁
  • In the liquid phase epitaxial growth method by which a semiconductor substrate 14 is vertically stood and is brought into contact with a growth solution 13 to make the epitaxial layer grow on the semiconductor substrate 14, the semiconductor substrate 14 is rotated so as to change places between the upper and the lower sides during growth.
    半導体基板14を縦置きにして成長溶液13と接触させてその半導体基板14上にエピタキシャル層を成長させる液相エピタキシャル成長方法において、成長中に上記半導体基板14を上下入れ替るように回転させる。 - 特許庁
  • The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals.
    ビアプラグ111および上層配線112では、それぞれ、第1および第2のバリアメタル膜107,108とCu膜110とが順に積層されており、第1のバリアメタル膜107は窒素を含有し、第2のバリアメタル膜108は白金族元素を含有している。 - 特許庁
  • As the resistors 9 are arranged under the electrode pad 31, infiltration of impurity ions, electric charges, moisture, hydrogen or the like to the resistors 9 from a upper layer side than the electrode pad 31 is prevented, and stability of the resistance values of the resistors 9 is improved.
    抵抗体9は電極パッド31下に配置されているので、電極パッド31よりも上層側からの抵抗体9への不純物イオンや電荷、水分、水素などの侵入を防止することができ、抵抗体9の抵抗値の安定性を向上させることができる。 - 特許庁
  • With the suction sheet 13 fitted to the electronic component module 10, the upper surfaces of some relatively high electronic components 12 are embedded in the thermosetting resin layer 14, and a clearance is formed between the suction sheet 13 and the substrate 11.
    電子部品モジュール10に吸着シート13を取り付けた状態では、比較的高さのあるいくつかの電子部品12の上面が熱硬化性樹脂層14中に埋め込まれた状態となっており、吸着シート13と基板11との間には隙間が形成されている。 - 特許庁
  • Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.
    ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁
  • At least a part of a region corresponding to a hollow portion G in a conductive pattern layer 17 is displaceable with respect to a substrate surface by means of an electrostatic actuator including a lower electrode 121, an upper electrode 122 and a drive voltage supplier 19.
    導電体パターン層17における中空部Gに対応する領域の少なくとも一部分が、下部電極121、上部電極122および駆動電圧供給部19からなる静電アクチュエータによって、基板面に対して変位可能となっているようにする。 - 特許庁
  • In this pneumatic radial tire, a composite cord composed by bundling at least two aramid lower twisting yarns made by adding lower twisting to an aramid fiber bundle, and a polyester lower twisting yarn made by adding lower twisting to a polyester fiber bundle, and adding upper twisting is used as a reinforcing cord of a carcass layer.
    空気入りラジアルタイヤは、アラミド繊維束に下撚りを加えてなる少なくとも2本のアラミド下撚り糸とポリエステル繊維束に下撚りを加えてなる1本のポリエステル下撚り糸とを束ねて上撚りを加えてなる複合コードが、カーカス層の補強コードとして用いられる。 - 特許庁
  • The resistance change layer RW is made of an amorphous film including N, and includes Si and C as main components, which can reversibly change the resistive state among a plurality of different resistive states by an electrical signal flowing from the upper electrode film TE side to the lower electrode film BE side.
    前記抵抗変化層RWは、前記上部電極膜TE側から前記下部電極膜BE側に流れる電気的信号によって、複数の異なる抵抗状態間を可逆的に変化させることが可能なSi,Cを主成分とし、Nを含むアモルファスの膜からなる。 - 特許庁
  • Further, an organic polymer material film 30 for burying the hole pattern and accelerating an etching velocity except a dye component is formed, and its upper layer is coated with an organic antireflection material film 32, thereby forming a uniform film by a multi-stage process.
    さらに、ホールパターン埋め込み用で、かつ色素成分を除いてエッチング速度を大きくしている有機系高分子材料膜30を形成し、その上層に有機系反射防止材料膜32を塗布することにより、多段階プロセスで均一な膜を形成することができる。 - 特許庁
  • The manufacturing method for the optical integrated circuit further includes a step of applying second photoresist on the optical waveguide layer and the first mask, removing the second photoresist from a position corresponding to the end face to the position corresponding to the upper end of the slant face and forming a second mask.
    光集積回路の製造方法はさらに、光導波路層及び第1のマスク上に第2のフォトレジストを塗布し、端面に対応する位置から斜面の上端に対応する位置までの第2のフォトレジストを除去して第2のマスクを形成するステップを含んでいる。 - 特許庁
  • A logic gate cell includes a special terminal structure and then when logic gate cells are arranged at specified near positions, a wiring connection is made using only first and second metal wiring layers to increase wiring re sources of an upper layer, thereby reducing the layout area.
    論理ゲートセルの端子構造を特別なものとし、論理ゲートセル同士を特定の近接位置に配置したときに、第一および第二の金属配線層のみで配線接続を完結することにより、上層の配線資源を増加させることでレイアウト面積を削減する。 - 特許庁
  • The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.
    周辺トランジスタは、第3及び第4拡散層間の第2チャネル領域上に第2ゲート絶縁膜16A,16Bを介して形成される下部電極17と、下部電極17上に第2電極間絶縁膜18を介して形成される上部電極3,19とを有する。 - 特許庁
  • The lower case part 2 includes a second inner case 2a engaged with and fixed to the first inner case 1a and a lower covering member 2b which is formed of a soft material, covers the second inner case 2a, and constitutes the surface layer portion of the holder section 3a together with the upper covering member 1b.
    下部ケース部2は、第1インナーケース1aに係合固定される第2インナーケース2aと、軟質な材料により形成され、第2インナーケース2aを被覆するとともに上部被覆部材1bと共にホルダー部3aの表層部分を構成する下部被覆部材2bとを備える。 - 特許庁
  • The resistance change film 11 is arranged in a lower part of a first contact hole 17 formed by penetrating a first interlayer insulation film 16, and the current suppression layer 13 is arranged in an upper part of the first contact hole 17 and in a position facing the resistance change film 11.
    そして、抵抗変化膜11は、第1の層間絶縁膜16を貫通して形成された第1のコンタクトホール17の下部に配置され、電流抑制層13は第1のコンタクトホール17の上部で、かつ抵抗変化膜11に対向する位置に配置されている。 - 特許庁
  • The quartz glass 7 is formed by hot forming through providing a quartz powder-coated film layer 8 on the inner wall surface of a container with which the quartz glass 7 contacts when formed by hot forming in a graphite container having a desired shape (comprising an upper plate 4, a cylindrical part 5, and a lower plate 6).
    被加工物である石英ガラス7を所望の形状を有する黒鉛製の容器(上板部4、円筒部5、下板部6で構成)内で熱間成形する際、被加工物が接触する容器の内壁面に、石英粉末からなる被覆層8が設けて石英ガラスの熱間成形を行う。 - 特許庁
  • The decorative body 10 comprises a polarizing base material 14 whose color tone changes according to the change of a visual point of a viewer, and a masking layer 16 laminated on the upper face side from the polarizing base material 14 to hinder at least partial seeing-through of the polarizing base material 14.
    装飾体10は、看者の視点の変化に対応して色調が変化する偏光基材14と、偏光基材14よりも上面側に積層され、偏光基材14の少なくとも一部の透視を妨げるマスキング層16と、を有して構成されている。 - 特許庁
  • For example, in base isolation work for providing an existing building 4 with a base isolation layer, in the case of supporting (temporarily bearing) the upper building frame structure 1 of the existing building 4 by the concrete support member 2, the release work for the support state can be executed simply, in a short time, efficiently and inexpensively.
    そして、例えば、既存建物4に免震層を設ける免震化工事等において、既存建物4の上部躯体構造物1をコンクリート製支持材2で支持(仮受け)する場合に、その支持状態の解除作業を簡単に単時間で効率良く安価に実施できるようにする。 - 特許庁
  • Alternatively, the waterproof sheet is abutted on a metal fixture having a fluororesin surface layer similar to that of the waterproof sheet, and they are induction-heated by the electromagnetic induction heater arranged on the upper waterproof sheet to melt the fluororesin surface layers, to thereby bond the fluororesin surface layers with each other.
    防水シートを、防水シートのふっ素樹脂製表層と同等のふっ素樹脂製表層を設けた金属固定金物に当接し、上方の防水シート側に配した電磁誘導加熱装置で誘導加熱し両ふっ素樹脂製表層を溶融しふっ素樹脂製表層同士を接着する。 - 特許庁
  • In this compound semiconductor epitaxial wafer, the impurity concentration in the most upper layer 15 in a unit of HBT epitaxial layers 20 to 15 is controlled to a lower concentration or an undoped state, and a plurality of HBT epitaxial layers 20-15, 13-8 are laminated in the same wafer.
    一単位のHBTエピタキシャル層(20〜15)の最上層(15)の不純物ドープ濃度を低濃度に抑え又はアンドープ層として、HBTエピタキシャル層を複数層(20〜15、13〜8)、同一ウェハ内に積層したことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。 - 特許庁
  • Reception channels are changed in order under the control of a control section 4 based on the judgment processing result to perform judgment processing on all the channels, all judgment processing results are held in a table 5, and the completion of the judgment processing is notified to the upper layer 20.
    この判定処理結果に基づいた制御部4の制御により、受信チャンネルが順に変更されてチャンネル数の全ての判定処理が行われ、この全ての判定処理結果がテーブル5に保持されると共に、判定処理の完了が上位レイヤ20へ通知される。 - 特許庁
  • In this process, in the upper of the part where the second group III nitride-based compound semiconductor 32 is grown laterally in epitaxial manner, propagation of through dislocation which group III nitride-based compound semiconductor layer 31 has is restrained and a region where through dislocation is reduced can be made in the filled steps.
    このとき第2のIII族窒化物系化合物半導体32が横方向エピタキシャル成長した部分の上部は、III族窒化物系化合物半導体層31が有する貫通転位の伝搬が抑制され、埋められた段差部分に貫通転位の軽減された領域を作ることができる。 - 特許庁
  • A semiconductor device contains a lower metallic film 2 formed on a semiconductor substrate 1, a barrier film 5 which is formed on the metallic film 2 and composed of a metal containing nitrogen in such a way that the nitrogen concentration becomes lower as going farther from the metallic film 2, and an upper metallic film 6 formed on the barrier layer 5.
    半導体基板1の上に形成された下側金属膜2と、下側金属膜2の上に形成され且つ窒素濃度が下側金属2から離れるほど低くなっている窒素含有金属よりなるバリア膜5と、バリア層5の上に形成された上側金属膜6とを含む。 - 特許庁
  • In the dryer, the splash-preventing member is arranged on the horizontal surface, which comes into contact with liquid in the liquid-concentrating portion between the drums or in the surface layer of the portion, is smooth in the upper surface and has an angle oblique or a convexly bent structure.
    ダブルドラム式のドラムドライヤーにおいて、ドラム間の液濃縮部内またはその表層部の液に接するように、少なくとも上部表面が平滑で、山形の傾斜した構造又は凸面をなして湾曲した構造を有する液跳ね飛散防止部材を水平面に設けてあるドラムドライヤー。 - 特許庁
  • The heat-resistant coating member is prepared by coating the surface of a carbonaceous material having a coefficient of thermal expansion of 2×10^-6 to 7.3×10^-6/°C with an undercoat film containing at least Y and/or Hf and an upper layer film comprising an Al-containing Y-based oxide.
    熱膨張係数が2×10^−6〜7.3×10^−6/℃の炭素質材の表面に、少なくともY及び/又はHfを含有する下地膜と、Yを主としAlを含有した酸化物からなる上層皮膜を被覆してなることを特徴とする耐熱性被覆部材である。 - 特許庁
  • When Al is deposited by 8,000-10,000 Å on the upper surface of a protrusion forming film 11 composed of SiO_2 by sputtering, crystal grains of Al grow greatly and the surface becomes irregular thus forming a surface irregular layer 12 having protrusions 12a.
    SiO_2からなる凸部形成用膜11の上面に、スパッタ法により、Alを膜厚8000〜10000Åに成膜すると、Alの結晶粒子が大きく成長し、表面が荒れて凸凹となり、凸部12aを有する表面凸凹層12が形成される。 - 特許庁
  • The electrode system comprises a first part 25 made of a metal film 31 whose thickness is 1,000Å or less; and a second part 26 having a metal foundation film 27 whose thickness is 1,000 Å or less and a metal upper layer film 28 whose thickness is at least 300 Å on the metal foundation film.
    電極系が、厚さ1000オングストローム以下の金属膜31からなる第一の部分25と、厚さ1000オングストローム以下の金属下地膜27およびこの金属下地膜上の厚さ300オングストローム以上の金属上層膜28を備える第二の部分26とを含む。 - 特許庁
  • The ultrasonic probe includes a plurality of ultrasonic transducers, a flexible printed wiring board including a plurality of first wiring portions, on the upper surface of a base member, each of which has a width smaller than the width of each ultrasonic transducer in the array direction, and a lining layer provided on the second surface of the base member.
    複数の超音波振動子と、ベース材の上面に各超音波振動子の配列方向幅よりも狭い幅を有する複数の第1の配線部を有するフレキシブル印刷配線基板と、ベース材の第2の面に設けられる裏打ち層と、を具備する超音波プローブである。 - 特許庁
  • An input and output port of a processing module PM, respective memory interfaces IF and respective memory banks are connected by connection wires wired in matrix (lattice) shape along a Y-direction (the first direction) and an X-direction (the second direction) in an arrangement area (upper layer thereof) for a plurality of memory macros.
    処理モジュールPMの入出力ポートと、各メモリインタフェースIFと、各メモリバンクとは、複数のメモリマクロの配置領域(の上層)にY方向(第1方向)およびX方向(第2方向)にマトリクス状(格子状)に配線された接続配線により接続されている。 - 特許庁
  • The ferromagnetic film 7 laminated on the intermediate layer 6 comprises a vertical orientation 16 that is arranged at the upper portion of the conductor 15, and is subjected to crystal growth nearly in the direction perpendicular to the film surface; and a non-vertical orientation 17 that is present at a part other than the vertical orientation 16.
    中間層6上に積層された強磁性体膜7は、導通部15の上方に配置され、かつ膜面に対して略垂直方向に結晶成長した垂直配向部16と、垂直配向部16以外の部分に存在する非垂直配向部17とを有する。 - 特許庁
  • The heat generation structure 1 comprises: a first sheet 3; a heat generation body 6 placed on an upper surface of the first sheet 3; a second sheet 7 adhered to the first sheet 3 in a state that it covers the heat generation body 6; and an adhesion layer 10 coated on a lower surface of the first sheet 3.
    発熱構造体1は、第1シート3と、第1シート3の上方面に配置された発熱体6と、発熱体6を覆った状態で第1シート3と接着された第2シート7と、第1シート3の下方面に塗布された粘着層10とから構成されている。 - 特許庁
  • As the legs are inserted into the layer of the ceramic balls 20, the ceramic balls 20 cover upper surfaces of the feet.
    そして、筐体の内底面上に、セラミックスを主成分とし直径5〜20mmの略球形に成形されたセラミックスボール20の多数個を少なくとも40mmの高さの層をなすように装填することにより、セラミックスボール20の層内に足を分け入れたときに足の上面にセラミックスボール20が被るようにしている。 - 特許庁
  • A conductive pattern layer 4 is formed on the upper surface 1b of a part 1a dented like a dish plate shape on the top of the substrate 1, and a light emitting chip 2 is mounted on it by an adhesion of a silver paste 5 in the light emitting side of a device on which the light emitting chip 2 is mounted.
    発光チップ2が搭載されたデバイスの発光側は、基板1の上部に形成された皿の形状に窪んでいる部分1aの上面1b上に導電パターン層4が形成され、その上に発光チップ2が銀ペースト5接着によって搭載されている。 - 特許庁
  • After a first material powder 7 is charged in a filling space 6, the communicative part 21 communicating with the filling space 6 is opened, discharging a part of the first material powder 7 from the filling space 6, and sloping the upper face 7A of the first material powder 7 layer downward toward the core rod 3.
    充填空間6に第1の原料粉末7を充填した後、充填空間6に連通する連通部21を開成し、この連通部21から第1の原料粉末7の一部を排出し、第1の原料粉末層の上面7Aを、コアロッド3側が低い傾斜とすることができる。 - 特許庁
  • In a two-stage-structured thermoelectric module 2 provided on the inner bottom surface of a package 1, lower-stage and upper-stage thermoelectric modules 3, 4 are laminated, and the uppermost-layer thermoelectric module 4 is coupled to an LD 10 by a carrier 20.
    パッケージ1の内底面上に配置された2段構造の熱電モジュール2は、下段の熱電モジュール3と上段の熱電モジュール4とが積層されており、この2段構造の熱電モジュール2は最上層の熱電モジュール4とLD10とがキャリア20により連結されている。 - 特許庁
  • To provide a method of preparation of a high internal phase emulsion (hereinafter referred to as HIPE) polymer which prevents leakage of water in oil HIPE and which thickens the resultant layer even at the both edges and keeps the thickness and which prevents insufficient polymerization caused by decrease in oxygen and which maintains sheets such as upper sheets.
    油中水型高分散相エマルション(以下、HIPEとする)の漏洩防止、両端部を含めた厚み出しと厚み保持、酸素低減による未重合防止、上部フィルム等のシートの保持をしながら、HIPE重合物を製造する方法を提供する。 - 特許庁
  • Then the upper-layer winding 22 is connected to a 12th segment S12 facing the first segment S1, and after the winding 22 is wound around the slot core 12 on the 12th segment S12 side, and the winding 22 is connected to a 13th segment adjacent to the 12th segment S12.
    次に、上層巻線22を第1セグメントS1と相対向する第12セグメントS12に結線し、該巻線22を第12セグメントS12側のスロットコア12に下層巻線19と同じ巻数の10ターンにて巻装させてから第12セグメントS12の隣接する第13セグメントS13に結線する。 - 特許庁
  • For JPO, as mentioned above, regarding to the feature of "thickness of 0.05 to 0.3 mm", both the upper and lower thickness limits of the polyethylene resin layer in the claim are only an appropriately defined number that represents a matter of design in the earlier patent documentation to be appropriately selected by a person skilled in the art.
    JPOでは、上述の通り、「厚さ0.05~0.3mm」という特徴について、請求項におけるポリエチレン樹脂層の厚さの限定は、その上限、下限とも、当業者によって適宜選択される数字を適宜に特定したものであり、先の特許文献の設計的事項を表わしたにすぎない。 - 特許庁
  • After a stress-relieving layer 26 is formed on a substrate 10 and, in addition, holes used for partially burying connecting terminals 24 in the substrate 10 are formed into the substrate 10, a foundation film 22 is formed on the upper surface of the substrate 10 and, thereafter, the connecting terminals 24 and rearranged wiring 32 are successively formed in this order.
    基板10上に応力緩和層26を形成するとともに接続端子24の一部を基板10内に埋め込むための孔部を形成した後で、基板10の上面に下地膜22を形成し、その後に接続端子24及び再配置配線32を順に形成する。 - 特許庁
  • This image display device with the touch panel is provided in such a manner that both an upper and a lower substrates of a touch panel part are made of a polymer film, and the pressure sensitive adhesive layer is formed of a pressure sensitive adhesive including acrylic polymer having a functional group concentration not more than 5 x 10^-4 mol/g as a base polymer.
    タッチパネル部の上部基板と下部基板がともに高分子フィルムであり、かつ粘着剤層が、官能基濃度が5×10^−4モル/g以下のアクリル系重合体をベースポリマーとして含有する粘着剤により形成されているタッチパネル付画像表示装置。 - 特許庁
  • In the case where a ceiling joist 1 and an upper layer story floor beam 2 are arranged in parallel, an airtight sheet 3 is stuck on the side of the floor beam 2, the lower end 19 of the airtight sheet 3 is stuck on the side of the ceiling joist 1, and a joint tape 4 is stuck on the lower face of the ceiling joist 1.
    天井野縁1と、上層階の床梁2とが平行に配置されている場合、床梁2の側面に気密シート3を貼り付け、該気密シート3の下端部19を天井野縁1の側面に貼り付け、天井野縁1の下面に目地テープ4を貼り付ける。 - 特許庁
  • This inspection element consists of a monitor element having an MR sensor film 3 in a gap 2 between an upper shielding layer 4b and a lower shielding film 1b and an inductive element arranged opposedly to the front end of this monitor element in such a manner that a magnetic field is impressed to the MR sensor film 3 of the monitor element.
    上部シールド膜4bと下部シールド膜1bの間のギャップ2中にMRセンサ膜3を有するモニタ素子と、このモニタ素子のMRセンサ膜3に磁界を印加するように、モニタ素子の先端部に対向して配置されたインダクティブ素子からなる検査素子。 - 特許庁
  • A storage coin carrying path P1 and a delivery coin carrying path P2 for respectively guiding a coin C to be stored and a coin C to be delivered in one layer and one column state to almost horizontal directions at the upper and lower parts of denomination categorized storage parts 6a to 6f configuring a storage and delivery unit.
    収納投出ユニットを構成する金種別収納部6a〜6fの上下には、収納すべき硬貨Cおよび投出すべき硬貨Cを、それぞれ略水平方向に一層一列状態で案内する収納硬貨搬送路P1および投出硬貨搬送路P2が形成されている。 - 特許庁
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