「upper layer」を含む例文一覧(11094)
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半導体基板上にスタックキャパシタを有するＤＲＡＭ領域と、ロジック領域とを有する半導体装置の製造方法において、セルプレートパターン形成時に、ロジック領域にも少なくとも部分的に上部キャパシタ電極層１２４を残してエッチングする。 - 特許庁 - Even if the alignment of the upper layer wiring A to the via hole is deviated, since the area in contact with the wiring A on the side face of the plug B is hard to be reduced, the increase of resistance at the via part is suppressed and the local increase of the current density can be suppressed.
ビア孔に対する上層配線Ａのアライメントがずれても、プラグＢの側面で配線Ａに接触している面積は低下し難いので、ビア部における抵抗の増大を抑え、電流密度の局所的な上昇を抑えることができる。 - 特許庁 - The second metal film 24 is etched anisotropically, by using the second resist 33 as a mask to form the bonding pad having the first metal film 20 and second metal film 24, and the upper-layer wire 22 which has the second metal film 24 but does not have the first metal film 20.
第２レジスト３３をマスクとして第２金属膜２４を異方性エッチングして、第１金属膜２０と第２金属膜２４とを有するボンディングパッドと、第２金属膜２４を有するが第１金属膜２０を有しない上層配線２２とを形成する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable optical element, wherein distance between lower and upper electrodes is reduced as much as possible, voltage applied to a core layer is efficiently and satisfactorily secured to reduce voltage consumption, and optical loss of an optical waveguide is reduced.
下部電極と上部電極との距離を可及的に小さく抑え、コア層に印加する電圧を効率良く十分に確保して消費電圧を低減させると共に、光導波路の光損失量を小さく抑える信頼性の高い光学素子を提供する。 - 特許庁 - The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.
単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁 - To provide a solar water heater, in which the forward end part of a hot-water collecting pipe is prevented from sinking due to floating of a float on the hot water surface in a hot-water storage tank and high temperature hot water, can be taken out and delivered at all times, from the upper layer of the hot-water storage tank.
フロートが貯湯槽内の温水の水面上に浮き上がることにより採湯管の先端部が沈み込むことを防止し、常に貯湯槽の上層の温度の高い温水を取り出して出湯することを可能とする太陽熱温水器を提供する。 - 特許庁 - The semiconductor device has a structure comprising an active element provided with an ohmic electrode and an MIM capacitor having a dielectric layer interposed between a lower electrode and an upper electrode, on a semiconductor substrate, wherein the lower electrode and the ohmic electrode have the same structure.
半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。 - 特許庁 - Alternatively, from a water base organic composite coating material obtained by adding at least one or more corrosion inhibitors selected from tiosulfuric ions, sulfurous ions and hydrogen sulfite ions to the above coating material, an organic composite film is formed on the upper layer of a plated metallic sheet.
あるいは、上記の塗料に、チオ硫酸イオン、亜硫酸イオンおよび亜硫酸水素イオンから選ばれる少なくとも１種類以上の腐食抑制剤を加えた水性有機複合塗料から、めっき金属板の上層に有機複合皮膜を形成する。 - 特許庁 - The capacitor of a semiconductor device is characterized by a lower electrode 43 of a single layer formed of noble metal alloy or oxide thereof, a dielectric film 44 arranged on the lower electrode 43, and an upper electrode 46 arranged on the dielectric film 44.
貴金属合金またはその酸化物よりなる単層の下部電極４３と、この下部電極４３上に配置された誘電膜４４と、この誘電膜４４上に配置された上部電極４６とを含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ。 - 特許庁 - In the nonslip tape manufactured by using the metallic foil as the base, a transparent resin film is mounted on the upper surface of a metallic foil base, and the display layer composed of the pattern, etc., is formed in the rear surface of the resin film, that is, the surface facing the metallic foil base.
金属箔をベースとして滑り防止テープを製造するとともに、その金属箔ベースの上面に、透明な樹脂フィルムを設けるとともに、樹脂フィルムの裏面、すなわち、金属箔ベースに対向する面に、模様等からなる表示層を形成する。 - 特許庁 - A rectangular block 1 of foamed synthetic resin is fixed in place on top of a leveling layer 29 and an upper block 1A is laid on top of the block 1 via a framed joint member 9, with their piled condition provided over a predetermined spread in the horizontal direction as well.
レベリング層２９の上にまず矩形状発泡合成樹脂製ブロック１が配設固定され、更にこの上に枠状接合部材９を介して上位ブロック１Ａが積層され、この積層状態が水平方向にも所定の広さにわたって施工される。 - 特許庁 - The upper tank part and the lower tank part form the layer of the thermal insulation material on the inner surface before joining or after joining.
温水タンク内面に断熱材の層を形成したこと、温水タンクは、下面開口の上タンク部と上面開口の下タンク部とがそれぞれ接合して一体化される構成であり、上タンク部と下タンク部は、接合前または接合後に内面に断熱材の層を形成すること。 - 特許庁 - In the phosphor forming process, a nozzle 200 is positioned at the upper part of the guide barrier rib 127, and a phosphor paste is made to contact the guide barrier rib 127, then, the nozzle 200 is moved to form the end part of the phosphor layer on the guide barrier rib 127.
蛍光体形成工程において、ノズル２００をガイド隔壁１２７の上方に位置させ、蛍光体ペーストをまずガイド隔壁１２７に接触させてから、ノズル２００を移動させることにより、蛍光体層の端部をガイド隔壁１２７上に形成した。 - 特許庁 - Silicon nitride film 5 is deposited on the silicon oxide film 4, silicon oxide film 6 is formed on the surface of silicon nitride film 5 (Fig.(c)) by using a method, by which the surface of the silicon nitride film 5 is oxidized, and the like, and upper layer electrode 7 is formed thereon (Fig.(d)).
そして、そのシリコン酸化膜４上にシリコン窒化膜５を堆積し、そのシリコン窒化膜５の表面を酸化させる方法などにより、シリコン窒化膜５の表面にシリコン酸化膜６を形成し（図（ｃ））、その上に上層電極７を形成する（図（ｄ））ものである。 - 特許庁 - In a clean room being of three-layer structure comprising a main clean room, a return space combined with utility being the lower part of the main clean room, and a plenum chamber being the upper part of the main clean room, cooling coils are installed at the return space combined with the utility and the plenum chamber.
メインクリーンルームと、このメインクリーンルームの下部のユーティリティ兼リターン空間と、前記メインクリーンルームの上部のプレナムチャンバの３層構造から成るクリーンルームにおいて、前記ユーティリティ兼リターン空間と、前記プレナムチャンバとに、冷却コイルを設置して成る。 - 特許庁 - To provide a tape cartridge which always keeps a magnetic tape in an appropriate state by dissolving damage of a tape edge due to that the vicinity of the latter half outer edge of a tape winding layer conflicts to a case wall when drop impact is caused in a state in which the upper side and the lower side are reversed.
上下に反転した状態で落下衝撃を受ける場合に、テープ巻層の後半外縁付近がケース壁と衝突してテープ縁が傷付くのを解消し、以て磁気テープを常に好適な状態に維持できるテープカートリッジを提供する。 - 特許庁 - Then, since the projection part 34 is inserted to the through-hole 18 and deformed, a portion of the projection part 34 is engaged with the substrate 10, and the reflection frame body 30 is fixed on the substrate 10 in a state of being in thermal contact with the upper surface side conductor layer 14.
そして、突出部３４が貫通孔１８に挿入されて変形することにより、突出部３４の一部が基板１０と係合し、反射枠体３０が上面側導体層１４と熱接触した状態で基板１０上に固定されている。 - 特許庁 - To provide an optical waveguide manufacturing method capable of matching optical characteristics in TE and TM polarizations, by suppressing mismatch of the stresses in the horizontal and in the vertical directions caused by the difference of a thermal expansion coefficient in an upper and a lower clad layer.
上部クラッド層、下部クラッド層の熱膨張係数差に起因する応力の水平方向、垂直方向での不整合を抑圧し、光学特性をＴＥ偏波及びＴＭ偏波で整合させることができる光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device for precisely carrying out formation by recognizing an alignment mark for aligning a pattern to be formed in the upper layer even if a CMP(chemical mechanical polishing) method is used for forming buried wiring.
ＣＭＰ（化学機械的研磨）法を用いて埋め込み配線を形成する場合であっても、その上層に形成するパターンを位置合わせするためのアライメントマークを認識できるかたちで的確に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The finish layer 4 includes a tread face finish portion 4a which covers an upper surface 2a of the base plate 2, and a front surface finish portion 4b which is adjacent to the tread surface finish portion 4a and covers a front surface 2b on a side of a stair edge D of the base plate 2.
前記仕上げ層４は、前記基板部２の上面部２ａを覆う踏み面仕上げ部４ａと、この踏み面仕上げ部４ａに連なりかつ前記基板部２の段鼻Ｄ側の前面部２ｂを覆う前面仕上げ部４ｂとを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - Then, an interlayer insulating film is formed at the upper layer of the etching stopper film, and a contact hole for exposing the etching stopper film is opened by such etching as the interlayer insulating film is selectively removed from the etching stopper film, before the etching stopper film at the bottom of the contact hole is removed.
次に、エッチングストッパ膜の上層に層間絶縁膜を形成し、エッチングストッパ膜に対して選択的に層間絶縁膜を除去するエッチングによりエッチングストッパ膜を露出させるコンタクトホールを開口し、次に、コンタクトホール底部のエッチングストッパ膜を除去する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor comprises the steps of the forming an n+ type epitaxial layer 2a first on a substrate, forming a SiO_2 film on the substrate and opening a capacitor dielectric film region and an upper electrode contact region by means of photo lithography and etching.
このキャパシタの製法は、まずＳｉ基板１上にｎ型エピタキシァル層２ａを形成し、次に基板１の表面にＳｉＯ_２膜を形成し、フォトリソ工程とエツチ工程により、キャパシタ誘電体膜領域と上側電極コンタクト領域を開口する。 - 特許庁 - On a semiconductor device 1, a primary interlayer dielectric film 50 overlies the upper layer side of a gate electrode 15, while source-drain electrodes 20 and 40 are electrically connected with source-drain regions 12 and 13 respectively through contact holes 51 and 52 on a primary interlayer dielectric film 60.
半導体装置１では、ゲート電極１５の上層側に第１層間絶縁膜５０が形成され、ソース・ドレイン電極２０、４０は各々、第１層間絶縁膜６０のコンタクトホール５１、５２を介してソース・ドレイン領域１２、１３に電気的に接続されている。 - 特許庁 - In a step before mounting a first Y driver IC14 after attaching the resin layer 24 for adhesion to the electrode 22, the ACF 23 having the nonadhesive film is kept in a condition scarcely causing adhesion of impurities such as dust by the nonadhesive film 26 provided on the upper surface.
接着用樹脂層２４を電極２２に貼り付けた後で第１のＹドライバＩＣ１４を実装する前の段階において、非粘着膜付きＡＣＦ２３は、上面の非粘着膜２６によって、ゴミなどの不純物が付着しずらい状態になっている。 - 特許庁 - The levelling method of the present invention is constituted of disintegrating process loosening the upper layer part of the ground by a rake 1 having a plurality of vibrating tines (protrusions) 14, a rolling process by a roller, and a levelling process to level the surface by a leveling brush or a smoothing mat.
本発明のグラウンド整地方法は、揺動する複数のタイン（突起）１４を有するレイキ１でグラウンド１００の上層部をほぐすほぐし工程と、ローラーをかける転圧工程と、整地ブラシや整地マットで表面をならすならし工程とを有する。 - 特許庁 - A common electrode 21 is formed on a wide region of an upper side electrode layer 4a constituting the liquid crystal display, and antennae 22a, 22b are formed on a region of an end edge portion where the common electrode 21 is not formed inside a region of a surface side glass 2.
液晶表示器を構成する上部電極層４ａの広い領域に共通電極２１が形成され、共通電極２１が形成されていない端縁部の領域で表面側ガラス２の領域内には、アンテナ２２ａ、２２ｂが形成されている。 - 特許庁 - This cosmetics impregnated sheet is made by impregnating cosmetics into a fiber structure body with at least three layers of fiber structure comprising an inner layer comprising mainly hydrophobic fiber aggregate and upper and lower outer layers comprising mainly hydrophilic fiber aggregate.
疎水性繊維を主成分とする繊維集合体からなる内層と、親水性繊維を主成分とする繊維集合体からなる上下外層で構成された少なくとも３層の構造を有する繊維構造体に、化粧料を含浸してなる化粧料含浸シート。 - 特許庁 - A 2nd grounding section 7 is arranged so as to surround an electrode terminal 11, connected to a solder ball 2 of the radio communication module provided on an upper face of a mother board 8, and the wiring pattern from the electrode terminal 11 is provided in the internal layer of the mother board 8.
マザーボード８の上面に設けられた無線通信モジュールの半田ボール２と接続する電極端子１１を囲むように第二のアース部７を設けるとともに、電極端子１１からの配線パターンをマザーボード８の内層に設けた構成を有している。 - 特許庁 - An upper groove 110 is formed by etching and removing only a third insulation film 108 among a cap layer 104 deposited on a lower interconnection 101, a first insulation film 105, an intermediate stopper film 10, a second insulation film 107 and the third insulation film.
下層配線１０１上に積層されたキャップ層１０４、第１の絶縁膜１０５、中間ストッパ膜１０６、第２の絶縁膜１０７及び第３の絶縁膜１０８のうち、第３の絶縁膜１０８のみをエッチング除去して上溝１１０を形成する。 - 特許庁 - Thereby current poured from an electrode of the emission surface side is diffused efficiently, and luminous efficiency is improved, without deteriorating crystal quality of the whole pn junction by film-thickening/heavily doping the whole second upper clad layer 6.
これにより、第２上クラッド層６全体を厚膜化・高濃度化することによるｐｎ接合全体の結晶品質の低下を伴うことなく、発光面側の電極から注入された電流を効率よく拡散し、発光効率を向上させることができる。 - 特許庁 - Particularly, the insulation coating layer is formed by being protrusively dotted on a surface of the upper substrate or the lower substrate on the side laminated and stuck on the inter-substrate connection sheet, and the area of the opening of the inter-substrate connection sheet is formed larger than that of the opening of the upper substrate, thereby this multilayer circuit board having a cavity structure and a full-thickness IVH structure having high interlayer connection reliability can be manufactured.
特に、絶縁被膜層は、上側基板または下側基板の基板間接続シートと積層接着する側の面に凸状に点在して形成され、基板間接続シートの開口部の面積を上側基板の開口部の面積より大きく形成することにより、キャビティ構造および高い層間接続信頼性を備えた全層ＩＶＨ構造を有する多層の回路基板を製造することができる。 - 特許庁 - Since the RIE process is ended when the first and second RIE stopper layers 36 and 42 located at the substantially same height are exposed, variation in height of the upper surface of a lamination 22 and the upper surface of a region where the bias layer 41 is formed to spread to the opposite sides thereof can be reduced and variation in distance between shields can be reduced as compared with prior art.
このＲＩＥ工程を、ほぼ同じ高さ位置にある第１のＲＩＥストッパ層３６と第２のＲＩＥストッパ層４２が露出したときに終了することで、積層体２２の上面と、その両側に広がるバイアス層４１が形成されている領域の上面との高さ寸法のばらつきを小さくでき、従来に比べて、シールド間距離のばらつきを小さくすることが可能である。 - 特許庁 - Furthermore, a shield cover 2 made of metallic plate is adhered to the upper surface of the insulative protection layer 6 by using a conductive adhesive agent 7, and the adhesive agent 7 is also applied to the earth pattern 5, thereby connecting electrically the shield pattern 5 and earth pattern 5 by means of the adhesive agent 7.
そして、この絶縁性保護層６の上面に金属板製のシールドカバー２を導電性接着剤７を用いて貼着し、この導電性接着剤７をアースパターン５上にも塗布することにより、シールドカバー２とアースパターン５を導電性接着剤７を介して電気的に接続する。 - 特許庁 - Also, the elastic spacers 6 are sealed while both ends in its longitudinal direction are arranged in a direction (X-axis direction) that orthogonally crosses one gas channel 7 and is pressed against the upper surface of the hollow bodies 4 for forming a gas channel of the lower stage (lower layer) to form the other gas channel 10.
また、弾性スペーサー６は、一方の気体流路７と直交する方向（Ｘ軸方向）にその長手方向の両端を配するように固着され、かつ、これが下段（下層）の気体流路形成用中空体４の上面に対して押し付けられて他方の気体流路６を形成している。 - 特許庁 - Since troubles such as release of surface layer of the bread, occurrence of many creases on the surface or recessing phenomenon of the upper side surface does not occur even when the bread cooled to normal temperature is frozen after carrying out the cooling treatment, high-quality bread can be provided.
この冷却処理を行なった後、常温まで冷却された食パンを冷凍しても、食パンの表層の剥離、表面上に生じる多数のシワや上側表面の落ち窪み現象等の不具合を生じることないので、高品質な食パンを提供することができる。 - 特許庁 - Remaining ions (cores of mist generated by charged particles of natural radiations or the like) inside the observation vessel 2 are removed by a direct-current high voltage applied between a heater 26 provided in an observation window plate 25 comprising double-layer type film glass for blocking the upper part of an observation box 1, and a bottom plate 3.
観察ボックス１の上部を閉塞する２層式フィルムガラスから成る観察窓板２５内に設けたヒーター２６と底部プレート３との間に印加した直流高電圧で観察槽２内部に残存するイオン（自然放射線等の荷電粒子によって生じた霧滴の核）を除去する。 - 特許庁 - In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.
液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁 - By the state of mixed rice relating to the lower marking part 99A or the upper marking part 99B, the judgement of suitability of the layer thickness of mixed rice spread on the oscillating sorting plate can be easily made and a high- accuracy oscillation sorting of mixed rice is made possible.
この層厚マーカー９９の下段マーク部９９Ａあるいは上段マーク部９９Ｂに対する混合米の係合状態によって、揺動選別板７４上に拡がる混合米の層厚の適否判断を容易に行うことができ、混合米の高精度な揺動選別が可能になる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can control a generation of a crack and peeling on a resin BM and control a deterioration of coverage of an upper layer of the resin BM, even though a black resin is used as a material for the resin BM in order to improve a brightness contrast and a color contrast.
明るさのコントラスト又は色のコントラストを向上させるために黒色樹脂を樹脂ＢＭの材料として用いても、樹脂ＢＭにクラックやピーリングの発生を抑制できるとともに樹脂ＢＭの上層のカバレージの悪化を抑制できる半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁 - A protective film, which is made of a dielectric film which is transparent with respect to the laser beam and having a film thickness within the range of 10 nm-λ/4n (λ is oscillation wavelength, n is refractive index), is provided on an upper multilayer reflection mirror directly or via another compound semiconductor layer.
そして、レーザ光に対して透明で、かつ膜厚が１０ｎｍ以上λ／４ｎ（λ＝発振波長、ｎ＝屈折率）以下の範囲の誘電体膜からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 - 特許庁 - Next, by electrolytically plating copper using the backing metal layer 11 as a plating current path, a columnar electrode composed of a lower columnar electrode 12a and an upper columnar electrode portion 12b is formed on the connection pad portion of the wire 8 in the opening 10 of the overcoat film 9.
次に、下地金属層１１をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、オーバーコート膜９の開口部内１０における配線８の接続パッド部上に下部柱状電極１２ａおよび上部柱状電極部１２ｂからなる柱状電極を形成する。 - 特許庁 - An oscillating area of the laser diode is made to coincide with the height of the core of the optical waveguide without thickening or thinning the lower clad layer of the optical waveguide excessively by setting the difference between the height and the lowness of the upper surface of the substrate in consideration of the height of the laser diode and a fixing bump.
レーザダイオードおよび固定用バンプの高さを考慮して基板上面の高低差を設定することで、光導波路の下部クラッド層を過度に厚くしたり薄くしたりすることなく、レーザダイオードの発振領域と光導波路のコアの高さを一致させる。 - 特許庁 - A semiconductor chip 102 is bonded to the upper surface of a hard wiring board 100A via an adhesive layer 101, and the electrode pads in the peripheral edge section of the chip 102 are connected electrically to the connecting electrodes in the peripheral edge section of the board 100A through bonding wires 103.
硬質の配線基板１００上面には接着層１０１を介して半導体チップ１０２が接合されており、配線基板１００の周縁部の接続電極と半導体チップ１０２の周縁部の電極パッドとはボンデングワイヤ１０３によって電気的に接続されている。 - 特許庁 - The storage capacitance electrode 51 and the pixel electrode 31 are connected via a conductive through-hole 33 penetrating through the upper insulating layer, and the storage capacitance electrode 51 and a source electrode 43 of a thin film transistor part 40 are integrally formed out of the same metallic film via wiring 53.
蓄積容量電極５１と画素電極３１とが上層絶縁層を貫通する導電性貫通孔３３により接続され、かつ蓄積容量電極５１と薄膜トランジスタ部４０のソース電極４３とが配線５３を介して同一金属膜で一体に形成されている。 - 特許庁 - The c-MUT cell 31a mainly composed of a lower electrode 37d, as a signal input/output electrode, a silicon membrane 38, and an upper electrode 37u, or a ground electrode, formed on a silicone substrate 35 and a vacuum clearance part 40 is served as a braking layer of the silicon membrane 38.
ｃ−ＭＵＴセル３１ａは、シリコン基板３５上に形成された、信号入出力用電極である下部電極３７ｄ、シリコンメンブレン３８及び接地電極である上部電極３７ｕで主に構成され、真空空隙部４０はシリコンメンブレン３８の制動層になっている。 - 特許庁 - The upper substrate, which is combined to a lower substrate having a display region and a driving region formed to surround the display region, provides the display region with a drive signal, is interposed with a liquid crystal layer therebetween and displays an image, includes a transparent electrode and a first spacer.
表示領域と前記表示領域の周辺に形成され、前記表示領域に駆動信号を提供する駆動領域を有する下部基板と結合し、その間に液晶層を介在して画像を表示するための上部基板は、透明電極及び第１スペーサを具備する。 - 特許庁 - An interlayer insulation film 13 is formed to cover the emitter electrode 12E and the base electrode 12B, and bonding pads 14E and 14B are formed on the upper layer of a device to be in contact with the emitter electrode 12E and the base electrode 12B respectively by means of the interlayer insulation film 13.
そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 - 特許庁 - The notched hole 50 is provided to discharge an air flow generated in the disk lower surface thereof when the disk 20 is rotated, and the recessed and projecting pattern is provided for making smooth peeling of an air layer from the disk upper surface thereof when the disk 20 is rotated.
前記切り欠き穴５０は、ディスク２０が回転される際にそのディスク下面に発生する空気流を流出するために設けられ、また、凹凸パターンは、ディスク２０が回転される際にそのディスク上面からの空気層の剥離をスムーズとする為に設けられている。 - 特許庁 - The first configuration of the reflection transmission liquid crystal display device comprises a structure forming the buffer layer on an upper substrate corresponding to a reflection section in order to vary the thickness of color filters and forming a difference in level on a lower substrate corresponding a transmission section in order to vary cell gaps.
本発明による反射透過型液晶表示裝置の第1構成は、カラーフィルタの厚みを異なるようにするために、反射部に対応する上部基板にバッファ層を形成し、また、セルキャップを異なるようにするために透過部に対応する下部基板に段差を形成する構造とする。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises a light receiver 5 formed in a substrate 10; a micro lens 50 formed in the upper layer of the substrate 10 with respect to the light receiver 5; and a transparent protecting film 60 which covers the micro lens 50 and is lower than the micro lens 50 in refractive index.
本実施形態に係る固体撮像装置は、基板１０に形成された受光部５と、基板１０の上層であって受光部５に対応して形成されたマイクロレンズ５０と、マイクロレンズ５０を被覆し、マイクロレンズ５０よりも屈折率の低い透明保護膜６０とを有する。 - 特許庁
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