「upper layer」を含む例文一覧(11094)
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犠牲層４８のエッチングは、下部電極４３、圧電膜４４および上部電極４５からなる積層体（複合膜）の応力が圧縮応力となるように実行され、複合膜が膨れ上がり下部電極４３と基板４１との間にドーム形状の空隙４２を形成することができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which never damages a metal film of an upper layer as a method for manufacturing a semiconductor device including an FET having a T-shaped gate structure such that the gate is both shortened in the length and reduced in resistance at the same time.
ゲート長の短縮化並びにゲート抵抗の低減化を同時に実現するＴ型ゲート構造を有するＦＥＴを含む半導体装置の製造方法において、上層の金属膜に損傷を与えることのない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The piezoelectric thin film resonator is characterized by having a piezoelectric lamination structure 14 wherein an insulator layer 13 constituted of a dielectric film whose main component is silicon oxide or silicon nitride, a lower electrode 15, a piezoelectric thin film 16 and an upper electrode 17 are laminated in this order at a position facing a viahole 20 of a substrate 12.
基板１２のビアホール２０に面する位置にて、酸化シリコンまたは窒化シリコンを主成分とする誘電体膜からなる絶縁体層１３、下部電極１５、圧電体薄膜１６および上部電極１７がこの順に積層された圧電積層構造体１４を備える。 - 特許庁 - A vertical magnetic recording medium can be realized, which is capable of forming a fine bit pattern without influencing on recording process of a vertical magnetic film of an upper layer at the time of recording by adopting the granular structure in which such soft magnetic particulates are dispersed.
このような軟磁性粒子を分散させたグラニュラー構造とすることにより、記録の際に、上層の垂直磁性膜の記録過程に影響を及ぼすことがなく、微細なビットパターンを形成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供することが可能である。 - 特許庁 - To solve the problem in which a solder enters the inside along an outside electrode, an internal electrode led out from the inside and a gold plating layer formed on the surface of an upper electrode, due to solder creeping up on the surface of the outer electrode formed on the end face of a base substrate in a reflow step.
リフロー工程で、半田がベース基板の端面に形成した外部電極表面を這い上がることで、外部電極と、内部から導出した内部電極、上部電極の表面に形成した金メッキ層を伝わって半田が内部に入る問題を解決することにある。 - 特許庁 - The receiver deletes the history, corresponding to the frame having previously received from a frame sender device of the received frame, when the history information storage section 16 stores the history, discriminates the relay to be invalid, and aborts the received notice without notification to the upper layer.
履歴情報記憶部１６に登録されているときにはこれより以前にこの受信したフレームの送信元の装置から受信したフレームに該当する履歴を履歴情報記憶部１６から除去すると共に、中継無効とし、受信したフレームを上位層に通知せず破棄する。 - 特許庁 - Then the interconnection groove is completed by etching and removing the second insulation film 107 and the intermediate stopper film 106 using the upper groove 110 as a mask and the via hole is connected with the lower interconnection 101 by etching and removing the cap layer 104 exposing at the bottom of the via hole 112.
そして、上溝１１０をマスクに第２絶縁膜１０７及び中間ストッパ膜１０６をエッチング除去して配線溝を完成すると共にビアホール１１２の底部に露出したキャップ層１０４をエッチング除去してビアホールを下層配線１０１と接続する。 - 特許庁 - To improve a waterproof property and a strength of an existing roof using the roof as it is without producing a construction demolition material while a building may be used during a period of repairing of its roof, by laying a thin cloth on a surface of the existing roof and coating a waterproofing upper layer resin thereon to impregnate the cloth with the resin.
既設の屋根の表面に薄い布を敷き、この上に防水性の上層樹脂を塗布して布に含浸させ、これにより既設の屋根をそのまま使って屋根の防水性及び強度を向上させ、建築廃材も出ず、屋根改修中も当該建造物を使用することができる。 - 特許庁 - In the method for forming the multilayer interconnection in which the multilayer interconnection 50 is formed on a semiconductor substrate 1, a first aluminum wiring 17 is formed on an ILD (inter layer dielectric) 11 so that the wiring 17 may come into contact with the upper surface of a first plug electrode 13 after the electrode 13 is formed in a contact hole H.
半導体基板１に多層配線５０を形成する方法であって、コンタクトホールＨ内に第１プラグ電極１３を形成した後、この第１プラグ電極１３の上面と接触するようにＩＬＤ１１上に第１アルミ配線１７を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor optical function element comprises an SiC substrate 1, an Al_z1Ga_1-z1N/GaN lower DBR mirror 5, a GaN core layer 6, an Al_Z1Ga_1-z1N/GaN upper DBR mirror 7 and a heater 12 made of Cr.
ＳｉＣ基板１と、該基板１上に基板１より延長して形成された、Ａｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ／ＧａＮ下部ＤＢＲミラー５、ＧａＮコア層６およびＡｌ_ｚ１Ｇａ_１−ｚ１Ｎ／ＧａＮ上部ＤＢＲミラー７とからなるミラー部８と、Ｃｒからなるヒーター１２とにより構成する。 - 特許庁 - A polyester resin sheet with a melt softening temperature of 100 to 140°C and an underlayer plywood 2 are previously bonded together with an adhesive 4; a sliced veneer 2 is disposed on the polyester resin sheet and hot pressed; and the upper layer of the polyester resin sheet and the sliced veneer 2 are melt adhered together.
予め、溶融軟化温度が１００〜１４０℃のポリエステル樹脂シートと下地合板２とを接着剤４により接着させ、さらに上記ポリエステル樹脂シートの上に突板２を載置してホットプレスを行い、ポリエステル樹脂シートの上部層と突板２とを溶融粘着させて得られた木質床材Ａ。 - 特許庁 - A ring-like second seal ring contact part 32 comprising a peripheral part of a second plating resist film 28 for forming a columnar electrode 10 is formed inside a plating connection terminal 8a on the upper surface of a base material metal layer 8 formed over the entire surface on a semiconductor wafer 21.
半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層８の上面においてメッキ用接続端子部８ａの内側には、柱状電極１０形成用の第２のメッキレジスト膜２８の周辺部からなるリング状の第２のシールリング接触部３２が形成されている。 - 特許庁 - The seed layer is formed on the side wall of the opening where at least a barrier film is formed, and on the upper surface of the insulating film by an ionization PVD device having a chuck that is subjected to RF bias application for accelerating a target where power for plasma formation is applied and an ion.
少なくともバリヤ膜が形成されたオープニングの側壁および絶縁膜の上部面にシード層を形成し、シード層はプラズマ形成用の電力が印加されるターゲットとイオンを加速するためのＲＦバイアス印加されるチャックを備えるイオン化ＰＶＤ装置を使用して形成する。 - 特許庁 - Accordingly, when performing the focus-on operation, a servo pull-in object section corresponds to that from the lower limit position to the upper limit position of the recording layer, thereby preventing the focus servo pull-in from being performed from an incorrect S-curve signal accompanying the stray light.
これにより、フォーカスオン動作を行うにあって、サーボ引き込みの対象区間が記録層の下限位置から上限位置までに対応する区間となるようにすることができ、迷光に伴う誤ったＳ字信号に基づきフォーカスサーボの引き込みが行われてしまうことを防止できる。 - 特許庁 - In the decorative body in which a foil is covered directly or indirectly on a substrate and a plurality of painted layers are formed on an upper part, a compound having two or more hydroxyl groups are added to the paint for forming at least one layer of the plural coated layers.
基材上に直接又は間接的に箔を被覆し、その上層部に複数の塗膜層を形成した装飾体において、前記複数の塗膜層の少なくとも一層を形成するための塗料に水酸基を２個以上持った化合物を添加した装飾体。 - 特許庁 - Related to the BiCMOS, the upper surface of an N-type base 104a of the LPNP is shielded with a conductive layer 107 (gate electrode material) of the same material as a gate electrode of an MISFET through an insulating film 106 thicker than a gate insulating film 105 of the MISFET.
本発明のＢｉＣＭＯＳでは、ＬＰＮＰのＮ型ベース１０４ａの上面が、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０５よりも膜厚の厚い絶縁膜１０６を介して、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と同一材質の導電層１０７（ゲート電極材料）でシールドされている。 - 特許庁 - The upper layer 9 in the thick photosensitive pattern is modified into a silica film 10 which is hardly etched when the thin photosensitive film pattern in a recess 5 of the resist is removed by etching so that the thick photosensitive film pattern can maintain its planar profile as the profile before etching.
レジスト凹部５の薄い方の感光膜パターンをエッチング除去するときに、厚い方の感光膜パターンの上層９をエッチングされにくいシリカ膜１０に改質するので、厚い方の感光膜パターンはその平面形状をエッチング前の形状に維持することができる。 - 特許庁 - In the electrolytic capacitor, anode parts of a plurality of electrolytic capacitor elements constituting the stack are stacked on the connection terminals, and the joint 51 of the connection terminal and the anode part of an electrolytic capacitor of lowermost layer is located between the lower surface 21 and the upper surface 22 of the stack.
電解コンデンサにおいては、接続端子上に、積層体を構成する複数の電解コンデンサの陽極部が積層されており、接続端子と最下層の電解コンデンサの陽極部との接続部５１が、積層体の下面２１と上面２２との間に位置している。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can form an insulating film, without generating air gaps under eaves, when the upper protective layer of wiring turns into eaves type, and bury the insulating film in a part between wirings arranged with high density, without generating air gaps by an HDP-CVD method.
配線の上部保護層がひさし状になっても、その下に空隙を生じずに絶縁膜を形成し、高密度に配置された配線間に空隙を生じずにＨＤＰ−ＣＶＤ法により絶縁膜を埋め込むことができる半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-pressure fuel gas emitting system which prevents a temperature decrease of a device by selectively supplying the fuel gas in a high-temperature region of the upper layer part inside the fuel vessel to the fuel supply line, through the use of a temperature distribution of the fuel gas inside a fuel vessel.
燃料容器内の燃料ガスの温度分布を利用して、燃料容器内の上層部の温度の高い領域の燃料ガスを燃料供給ラインに選択的に供給してデバイスの温度低下を抑制する高圧燃料ガス放出システムを提供すること。 - 特許庁 - To provide an electronic substrate capable of preventing the increase of connection resistance in a configuration wherein upper and lower conductive patterns wired through an inter-layer insulating film are connected by connection wiring after being formed, and reduing a process cycle time when manufacturing this configuration.
層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device can further reduce a mounting area as a whole, in a semiconductor device wherein a semiconductor structure is arranged under a base plate, and a semiconductor structure and a chip component are arranged on an upper-layer insulation film formed on the base plate.
ベース板下に半導体構成体が設けられ、ベース板上に設けられた上層絶縁膜上に半導体構成体およびチップ部品が設けられた半導体装置において、全体としての実装面積をより一層小さくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - When the POI icons of facilities overlap and interfere with each other, whether these facilities can be usable at present or not is read, the POI icon of the facilities usable at present is displayed on the upper layer of the POI icon of the facilities unusable at present so as to be easily viewed.
施設のＰＯＩアイコンが重なって干渉するとき、それらの施設が現在利用可能であるかをデータベースから読み込み、現在利用できる施設のＰＯＩアイコンについては、現在利用できないＰＯＩアイコンよりも上層に表示し、見やすく表示を行う。 - 特許庁 - This wiring structure 40 is constituted by a lower wiring 44 formed on a base insulating film 42, an interlayer insulating film 46 formed on the wiring 44, a contact 48 which penetrates the layer 46, an upper wiring 50 connected with the wiring 44 via the contact 48.
本配線構造４０は、下地絶縁膜４２上に形成された下層配線４４と、下層配線４４上に成膜された層間絶縁膜４６と、層間絶縁膜４６を貫通するコンタクト４８と、コンタクト４８を介して下層配線４４と接続された上層配線５０とを備える。 - 特許庁 - There are provided a first lower layer wiring (31) formed on an insulation film of a semiconductor substrate; a first via hole (61) formed on the first lower wiring; and a MIM capacitor formed on the first via hole being composed of a lower electrode (9), insulating film (8), and upper electrode (12).
半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁 - A nitride semiconductor laminate 9 including an active layer 5 formed therein with at least a light emitter is provided on an SiC substrate 1, and a pair of upper and lower electrodes 11 and 12 are provided on the rear surface of the SiC substrate 1 and on the front surface of the semiconductor laminate 9, respectively.
ＳｉＣ基板１上に、少なくとも発光部が形成される活性層５を含む窒化物半導体積層部９が設けられ、ＳｉＣ基板１の裏面および半導体積層部９の表面側に、一対の上部電極１１および下部電極１２がそれぞれ設けられている。 - 特許庁 - Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x.
次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。 - 特許庁 - The conductive member 20 for electrically interconnecting a conductive layer 44D formed on an upper side of a circuit board 24 and the rear face electrode plate 18 is arranged in a way of elastically pressing the rear face electrode plate 18 between the rear face electrode plate 18 and the circuit board 24.
回路基板２４の上面に形成された導電層４４Ｄと背面電極板１８とを電気的に接続する導電部材２０を、背面電極板１８と回路基板２４と間において背面電極板１８を弾性的に押圧するように配置する。 - 特許庁 - The tube for supplying water to plants has small water-supply holes formed for supplying water or liquid fertilizer to plants, and is provided with a light-blocking hose main body and a reflection layer to reflect heat or light from outside formed at a part corresponding to an upper surface when the tube is set up.
灌水用チューブには植栽物に向けて水乃至液肥を供給する潅水用小孔が形成されるとともに、遮光性を有するホース本体と、灌水用チューブが設置されたときに上面となる部分に、外方からの熱若しくは光を反射させる反射層を設けた。 - 特許庁 - A piezoelectric element 17 formed on the plane of a diaphragm opposite to a pressure chamber 12 includes a piezoelectric member 31, consisting of an upper piezoelectric member 34 and a lower piezoelectric member 35 stacked each other, and an electrode layer 33, 36, 37 for generating an electric field applied to the piezoelectric member 31.
圧力室１２とは反対側の振動板表面に形成された圧電素子１７は、互いに積層された上層圧電体３４及び下層圧電体３５からなる圧電体層３１と、この圧電体層３１に付与される電場を発生する電極層３３，３６，３７とを備える。 - 特許庁 - An electrically conductive film 9c made of ITO film formed simultaneously with the common electrode 9a over the whole region superimposed planarly with the contact hole 6a is formed on the upper layer of the interelectrode insulating film 8, wherein the electrically conductive film 9c is electrically separated from the common electrode 9.
電極間絶縁膜８の上層には、コンタクトホール６ａと平面的に重なる領域の全体にわたって共通電極９ａと同時形成されたＩＴＯ膜からなる導電膜９ｃが形成され、導電膜９ｃは、共通電極９ａと電気的に分離された状態にある。 - 特許庁 - To provide an electrophoretic display device and a method for manufacturing the device, for suppressing decrease in an adhesive force and improving structural durability or display durability of the electrophoretic display device even when an upper face of a structural body is adhered to a counter electrode substrate with an adhesive layer.
接着剤層を介して構造体の上面と対向電極基板とを接着する場合であっても、接着力の低下を抑制し、電気泳動表示装置の構造的耐久性や表示耐久性を向上した電気泳動表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.
水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁 - Each thickness t, t' of the chamfers 16 is 0.10 mm or more, and each chamfering angle θ, θ' of the chamfers is in the range of 30°-60°, and the upper limit value of each thickness t, t' of the chamfers is the thickness when each chamfering face is brought into contact with the coated fuel particle 12 having an overcoat layer 14.
このチャンファ１６の厚みｔ、ｔ´は、０．１０ｍｍ以上であり、チャンファの面取り角度θ、θ´は３０°〜６０°の範囲内であり、かつ、チャンファの厚みｔ、ｔ´はチャンファ面がオーバーコート層１４を有する被覆燃料粒子１２に接する時の厚みを上限値とする。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium which can avoid the crystal orientation degradation of the intermediate and recording layers caused by oxidation in the upper part of a backing layer and can achieve higher density recording than before, and also provide its manufacturing method and a magnetic recording device using this magnetic recording medium.
裏打層の上部の酸化による中間層及び記録層の結晶配向性の低下を回避でき、従来に比してより一層の高密度記録が可能な磁気記録媒体、その磁気記録媒体の製造方法、及びその磁気記録媒体を用いた磁気記録装置を提供する。 - 特許庁 - Since such a structure separates flowing-in air from upper ends of the protrusions 230 to re-contact it with the tabular body 210 then thins a film of an existing temperature interface layer to increase a friction coefficient, a cooling efficiency is further improved owing to the promotion of the heat transfer.
このような構成によれば、流入空気が乱流促進形突出物の上端から分離され平板形胴体に再接触されることにより既存の温度境界層を薄膜化して摩擦係数を増加させるので、熱伝達率の促進により冷却効率がさらに向上される。 - 特許庁 - A cavity part 27 is provided in a part of at least a surface layer of the circuit board 21 and a circuit forming material 1 formed under a wiring rule finer than that for the circuit board 21 is laminated in the cavity part 27 to obtain a structure in which an upper part of the circuit forming material 1 does not protrude.
回路基板２１の少なくとも表層の一部にキャビティ部２７を設け、そのキャビティ部２７内に、回路基板２１より高精細な配線ルールで形成された回路形成材１を積層した構成とすることにより、回路形成材１の上部が飛び出ない構造としている。 - 特許庁 - The method for producing the soymilk having the improved taste comprises treating soy milk produced from a soybean material with a high-speed centrifugal machine, separating the product into two layers after centrifugation, before removing a float in the upper layer, and collecting only the residual soy milk in the lower layers.
大豆原料から製造した豆乳を高速遠心分離機にかけ、遠心分離作用後に二層に分離したものの上層の浮遊成分を除去し、下層に残った豆乳のみを分取することを特徴とする呈味改善された豆乳の製造方法である。 - 特許庁 - Among the incident light, the light reflecting on an upper surface of a gate electrode 504 of the transfer MOS transistor, is reflected on a first layer metal 521 right above a poly silicon, and a plurality times of reflection are repeated before coming into the floating diffusion part, thereby, the light reduces sufficiently, and a false signal becomes very small.
入射光のうち、転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極５０４上面で反射した光は、ポリシリコン直上の第一層メタル５２１で反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。 - 特許庁 - And the substrate part 3, with its under face being in contact with the upper end of a terminal pin 12 protruding from a substrate mounting part 1a provided in the stem 1 toward the substrate part 3, is joined and fixed to the terminal pin 12, and in the stem 1 an insulating layer 6 is formed only in a substrate mounting part 1a.
そして、基板部３は下面をステム１に設けた基板当接部１ａより基板部３に向けて突出させた端子ピン１２の上端に当接して端子ピン１２に接合固定され、ステム１は基板搭載部１ａのみに絶縁層６を形成している。 - 特許庁 - The structure (100') for mounting the semiconductor includes: a substrate (104); a silicon substrate (103), on which side part arc-shaped dents (120) are provided; a semiconductor chip (101) that is mounted on the silicon substrate (103); and an insulating layer (105) that covers the semiconductor chip (101) and sealing an upper surface of the silicon substrate.
半導体実装構造体（１００‘）は、基板（１０４）と、側面に凹凸部（１２０）が設けられたシリコン基板（１０３）と、シリコン基板（１０３）の上に実装された半導体チップ（１０１）と、半導体チップ（１０１）と覆おうと共にシリコン基板の上面を封止する絶縁層（１０５）とを備える。 - 特許庁 - In the formation step, a lower electrode 11 is formed; a capacitor dielectric film 12, including a crystalline metal oxide at a temperature not more than the heat-resistant temperature of the substrate resin layer 3 and not less than the ambient temperature is formed; and an upper electrode 13 which faces the lower electrode 11 is formed on the top surface thereof.
その形成工程では、下部電極１１を形成し、基板樹脂層３の耐熱温度以下、室温以上で結晶質金属酸化物を含むキャパシタ誘電体膜１２を形成し、その上面で下部電極１１と対向する上部電極１３を形成する。 - 特許庁 - The oscillating element includes a supporting substrate 13, an oscillating substrate 11 which is the oscillating substrate 11 made of a non-linear optical crystal and having an upper face, a bottom face and an incident face where the pump waves enter, and an adhesive layer 12 for adhesively bonding the supporting substrate 13 and the oscillating substrate 11.
発振素子は、支持基板１３、非線形光学結晶からなる発振基板１１であって、上面、底面、および前記ポンプ波が入射する入射面を備えている発振基板１１、および支持基板１３と発振基板１１とを接合する接着層１２を備えている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a reflective mask capable of repairing a defect if a missing part is larger in a bottom part than in an upper part on the side surface of an absorber layer therefore realizing the reflecting mask with high reliability and improved yield.
本発明は、吸収層の側面において下部が上部よりも欠落している場合に、その欠陥を補修し、信頼性の高い反射型マスクを得ることが可能であり、さらには歩留まりの向上を図ることが可能な反射型マスクの製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁 - To provide a sintering machine capable of manufacturing high-strength and high-quality sintered ore safely in high yield while maintaining the blowing height of gas fuel with respect to the upper surface of a charged layer at a prescribed value, as a downward suction type sintering machine, and to provide an operation method of the sintering machine.
下方吸引式の焼結機において、装入層の上面に対する気体燃料の吹込み高さを所定値に維持して、高強度高品質の焼結鉱を、高歩留りでかつ安全に製造することができる焼結機及び焼結機の操業方法を提供する。 - 特許庁 - Upon detecting "input absent" based on the bit configuration of parallel data P, a second detection circuit 132 outputs a second control signal ctr2 for allowing the upper layer to output the power supply control signal ctr0 for turning off the power supply of each of the receiver circuit 120 and the recovery conversion circuit 122.
第２の検出回路１３２は、パラレルデータＰのビット構成に基づいて「入力無し」を検出したときに、レシーバー回路１２０とリカバリ変換回路１２２の電源をオフする電源制御信号ｃｔｒ０を上位層に出させるための第２の制御信号ｃｔｒ２を出力する。 - 特許庁 - First, an embedded light receiving element has a photoelectric conversion region with a first conductivity type for generating and accumulating signal charge in response to incident light, and a surface region with a second conductivity type provided on an upper layer of the photoelectric conversion region for preventing surface depletion.
まず、埋め込み型の受光素子は、入射光に応じて信号電荷を生成して蓄積する第１導電型の光電変換領域と、光電変換領域の上層に設けられて表面空乏化を阻止する第２導電型の表面領域とを有する。 - 特許庁 - This gas shower member 1 has a sintered aluminum-nitride base material member 10, having a thickness of 5 mm or smaller and having a plurality of through-holes 11, and has a conductive layer formed on the sintered aluminum-nitride base material member 10 as a heater circuit pattern 12 or an upper plasma electrode 14.
ガスシャワー体１は、基材の厚みが５ｍｍ以下であり、複数の貫通孔１１を有する窒化アルミニウム焼結体基材１０と、窒化アルミニウム焼結体基材１０に形成された導電層としてヒータ回路パターン１２またはプラズマ上部電極１４とを備える。 - 特許庁 - Accordingly, light from the light emitting member 11 transmits through the thin metal layer 15 having light translucency and the light translucent color member 36 in this order, an upper face side is illuminated by the colored light transmitted through the light translucent color member 36, and time can be confirmed even in the dark.
従って、発光部材１１からの光が、光透過性を有する薄膜金属層１５、および光透過性カラー部材３６を順に透過し、この光透過性カラー部材３６を透過した有色の光によりその上面側を照明することができ、暗い所でも時刻を知ることができる。 - 特許庁 - The damping material 3 is formed of a woody fiberboard of which the average density is 0.85-1.05 g/cm^3 and the densities of the upper and rear layers of the woody fiberboard are smaller than the density of the layer 5 including the central part in the thickness direction of the woody fiberboard.
制振材３は、木質繊維板で形成され、この平均密度が０．８５ｇ／ｃｍ^３から１．０５ｇ／ｃｍ^３の範囲に入る値を有し、木質繊維板の表裏層の密度が木質繊維板の厚み方向の中央を含む層５の密度よりも小さく形成される。 - 特許庁
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