「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 200 201 202 203 204 205 206 207 208 .... 221 222 次へ＞- An SiN film 5, having an aperture is formed between the electrodes 7s and 7d and on the upper surface of the layer 4 and a Pt film, which forms a Schottky barrier with respect to the substrate 1 and is formed into a gate electrode 9, is formed in this aperture.
そして、電極７ｓ，７ｄ間であって、ＧａＡｓ層４の上面には、開口を有したＳｉＮ膜５が形成されており、前記開口において、基板に対してショットキ障壁を形成してゲート電極９となるＰｔ膜が形成されている。 - 特許庁 - Meanwhile, the second insulating film 6 of a wiring forming region B has a second wiring W2 provided in the upper part, a second plug P2 provided in the lower part are integrated, and second layer wiring 10b integrally formed of a barrier film 8b, and a conductive film 9b.
一方、配線形成領域Ｂの第２の絶縁膜６には、上部に設けられた第２配線部Ｗ２と下部に設けられた第２プラグ部Ｐ２が一体化形成されたバリア膜８ｂと導電膜９ｂからなる第２層配線１０ｂが形成されている。 - 特許庁 - A smooth surface (a small surface with atom step density) in an atom level is formed at an upper surface section (top portion) 75a of a projection (mesa section) 75 or an exposure surface (bottom portion) 73a of a recess 73 by a heat treatment process, a buffer layer crystal growth process, or the like.
凸部（メサ部）７５の上面部（頂上部分）７５ａ、または、凹部７３の露出面（底部分）７３ａに、熱処理工程又はバッファ層結晶成長工程などにより、原子レベルで平滑な表面（原子ステップ密度の小さい表面）を形成する。 - 特許庁 - In this way, a structure for preventing overetching up to a p-type base region 3 in rounding process of corner portions of a trench 5 is formed while allowing the density of the upper layer of the n-type source region 4 to be high density to enable ohmic contact with the source region 10.
これにより、ソース電極１０とオーミック接触させられるようにｎ型ソース領域４の上層部の濃度を高濃度にしつつ、トレンチ５のコーナー部の丸め処理時にｐ型ベース領域３までオーバエッチングされることを抑制できる構造にできる。 - 特許庁 - The sliding bearing device 17 is formed on an upper side of a fixing part mounting member 18 by mounting a horizontal displacement allowing member 19 forming a layer of lubricant 21 having small shear resistance and an object to be borne mounting member 22 in this order inside a bag body 20.
固定部取付部材１８の上側に、袋体２０の内部に剪断抵抗の小さい潤滑物２１の層を形成した水平変位許容部材１９と、被支承物取付部材２２を順に取り付けてすべり支承装置１７を形成する。 - 特許庁 - The electroluminescent element 10 has a configuration in which a light-emitting layer 13 of a thin film made from a polymer or an oligomer, which is formed of the directly coupled same or different elements that are selected from Si, Ge, Sn and Pb, such as polysilane or oligosilane, is placed in between a transparent electrode 12 and an upper electrode 14.
ポリシラン又はオリゴシラン等、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂから選ばれた同種又は異種の元素が直接連結したポリマー又はオリゴマーからなる薄膜を発光層１３として透明電極１２と上部電極１４の間に配置してＥＬ素子１０を構成する。 - 特許庁 - To provide a magnetoresistance effect type reproducing head having stable head output by preventing irregularity of head output caused by the magnetic domain structure of a magnetic shield layer in the magnetoresistance effect type reproducing head provided with shield parts such as a lower shield, and an upper shield.
下部シールドおよび上部シールドといったシールド部を備えた磁気抵抗効果型再生ヘッドにおいて、磁気シールド層の磁区構造に起因するヘッド出力のばらつきを防止し、より安定したヘッド出力を有する磁気抵抗効果型再生ヘッドを提供する。 - 特許庁 - The exposed region is formed in self-matching manner at the contact hole 26 while the width of a region I where the insulating film 24 at the edge of the contact hole 26 is covered with the upper layer wiring 32 is formed by self-matching manner to the width of the contact hole 26.
また、上記露出領域はコンタクトホール２６に対して自己整合的に形成され、上層配線３２によってコンタクトホール２６の縁部の絶縁膜２４が覆われる領域Ｉの幅がコンタクトホール２６の幅に対して自己整合的に形成される。 - 特許庁 - On an Si substrate 1, a Cr-Ta film 2 as a diffusion preventive layer, a lower electrode composed of a Pt film 3, a ferroelectric film 4 composed of PZT and an upper electrode composed of a Pt film 5 are laminated in this order to compose a ferroelectric capacitor 10.
Ｓｉ基板１上に拡散防止層としてＣｒ−Ｔａ膜２と、Ｐｔ膜３からなる下部電極と、ＰＺＴからなる強誘電体膜４と、Ｐｔ膜５からなる上部電極とをこの順に積層して強誘電体キャパシタ１０を構成する。 - 特許庁 - In a micro chemical device of the present invention, an adsorbent film is bonded on an upper plate, using two circular parallel flat plates having thin layer adsorbent film and a reaction catalyst film, and a shearing flow of an eluent is generated along a circumferential direction by rotating the plate.
本発明のマイクロ化学装置は、薄層吸着剤膜や反応触媒膜を持つ２枚の円形型平行平板を用いて、上板に吸着剤膜を貼り、その板を回転させることにより円周方向に溶離剤のせん断流れを発生させる。 - 特許庁 - Two memory sub arrays MAB0 and MAB1 are provided adjacent to a write/read circuit, a pair of internal data lines IOP are connected to the write/read circuit via a pair of passage wirings FLP at the upper layer of the closer memory sub array for the farther memory sub array.
書込／読出回路に隣接して２つのメモリサブアレイ（ＭＡＢ０，ＭＡＢ１）を設け、遠い方のメモリサブアレイに対して内部データ線対（ＩＯＰ）は、近い方のメモリサブアレイ上をそれより上層の通過配線対（ＦＬＰ）を介して書込／読出回路に接続する。 - 特許庁 - To obtain a uniform surface appearance on the steel sheet provided with an organic composite coating film, when manufacturing it by forming an organic composite coating film comprising an underlayer formed through applying a liquid containing an oxide and phosphoric acid and/or a phosphate compound, and an upper layer formed of a resin coating film thereon.
下層に酸化物を含有するリン酸及び／又はリン酸化合物皮膜、その上層に樹脂皮膜からなる有機複合被覆を形成させて有機複合被覆鋼板を製造する際に、外観むらのない表面外観が得られるようにする。 - 特許庁 - The semiconductor device has a capacitance element composed of an upper electrode 33, a dielectric film 32 and a lower electrode 31, and a semiconductor element, and plugs 9 comprising a high melting-point metallic material are formed in connecting holes formed to inter-layer insulating films on the semiconductor element in the semiconductor device.
上部電極３３、誘電体膜３２、下部電極３１からなる容量素子と半導体素子とを有し、半導体素子上の層間絶縁膜に形成された接続孔内に高融点金属材料からなるプラグ９を設けた半導体装置である。 - 特許庁 - To provide a conductive sponge roller capable of preventing occurrence of a charge current leak without disposing a high resistance upper layer which causes cost overrun, etc., on a conductive elastic body, having stable charging properties, being easy to manufacture and having low price.
導電性スポンジローラとして、導電性弾性体上にコスト高等の原因となる高抵抗の上層を設けなくとも帯電電流リークの発生を防止できて、帯電特性が安定していて、しかも製造容易で安価なものを提供することを目的とする。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the fuel, a mixed glycerin solution is formed by adding with stirring, a mixed solution formed by mixing water, the surfactant, and an inorganic acid, to glycerin, subsequently adding heavy oil, kerosene or light oil to the mixed glycerin solution and stirring the mixture, and after subsequent standing, the upper layer is separated.
また、グリセリンに、水と界面活性剤と無機酸とを攪拌混合した混合溶液を加えて混合グリセリン液を作成し、続いて、この混合グリセリン液に重油、灯油若しくは軽油を加えて攪拌混合した後、静置して上層を分離する方法である。 - 特許庁 - An EL aperture part 127a that is a layered part of a lower electrode 504, an organic layer 506 and an upper electrode 508 which constitute the organic EL element 127 is extended to a light non-emitting area 127c other than a light emitting area 127b where homogeneous emitted light is obtained.
有機ＥＬ素子１２７を構成する下部電極５０４、有機層５０６、上部電極５０８の積層部分であるＥＬ開口部１２７ａを、均質な発光が得られる発光領域１２７ｂ以外の非発光領域１２７ｃにまで延在させる。 - 特許庁 - To provide an electrooptical device capable of preventing a withstand voltage from falling where an outer peripheral end of a lower electrode and an upper electrode overlap even when a dielectric layer of a retaining capacitor is made thin, and electronic equipment equipped with the electrooptical device.
保持容量の誘電体層を薄くした場合でも、下電極の外周端部と上電極とが重なっている部分での耐電圧の低下を防止することのできる電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 - 特許庁 - A multilayer wiring board 11 is provided with an inner layer conductive pattern 13 between three insulating layers 12 composed of a glass-epoxy resin, and also on upper and lower both faces with a surface conductor pattern 14 which is plated with copper on a surface of a copper foil, and further with a through-hole 15.
多層配線基板１１は、ガラス−エポキシ樹脂からなる３層の絶縁層１２間に内層導体パターン１３を備えると共に、上下両面に、銅箔の表面に銅メッキを施した表面導体パターン１４を備え、更にスルーホール１５を備える。 - 特許庁 - Next, a lens 60 is mounted on the upper side of each LED chip 50 and a dome-like color conversion member 70 is mounted on the mounting board 20 with an air layer formed between the sealing part 50 and the lens 60 to complete the assembly of each light emitting module 1.
次に封止部５０の上側にレンズ６０を実装するともに、封止部５０およびレンズ６０との間に空気層を形成した状態でドーム状の色変換部材７０を実装基板２０に実装して、個々の発光モジュール１の組立を完了する。 - 特許庁 - This magnetic memory element utilizing a current induction switching comprises: a magnetic resistance structure containing a lower electrode and a free layer disposed on the lower electrode in which the distance between two sides opposed to each other is changed; and an upper electrode disposed on the magnetic resistance structure.
下部電極と、下部電極上に形成され、対向する２辺の間隔が変化する自由層を備える磁気抵抗構造体と、磁気抵抗構造体上に形成された上部電極と、を備える電流誘導スイッチングを利用した磁気メモリ素子。 - 特許庁 - Moreover, a stepped part G is arranged on the upper end of the leading end regulating member 54, thereby displacing a sheet SB in the surface layer part of the sheet bundle SA supported by the manual feed tray 70 downstream in the sheet feeding direction when the sheet bundle SA is set in the manual feed tray 70.
そして、先端規制部材５４の上端部に段部Ｇを設けることにより、手差しトレイ７０にシート束ＳＡをセットする際、手差しトレイ７０に支持されるシート束ＳＡの表層部分シートＳＢがシート給送方向下流にずれるようにする。 - 特許庁 - The pasting sheet for printing the visiting card and the like is characterized in that the base sheet from which a frame of a visiting card size is punched is pasted on a non-adhesive sheet having an adhesive layer on the upper side, and is designed to be printable by a color laser printer of a flat path type.
上側に接着層をもつ非粘着性シートの上に名刺大の枠の型抜きをした基材シートを貼り付けたことを特徴とする名刺等印刷用貼り付けシートは、フラットパス方式のカラーレーザープリンタで印刷可能なように設計されている。 - 特許庁 - The thickness varying region 15 corresponds to a portion of the epitaxial layer 1 contacting a side surface of the well region 4 and the upper portion of the well region 4 in the vicinity of the contacting portion, and the thickness of the gate insulating film 3 in the region is thicker than the thin film part 3a.
膜厚変化領域１５は、エピタキシャル層１のウエル領域４の側面に接する部分および、当該部分近傍のウエル領域４の上部に相当する領域であり、そこでの、ゲート絶縁膜３の厚さは薄膜部３ａよりも厚くなっている。 - 特許庁 - Subsequently, a conductor film EC1 for the first wiring, which is mainly made of copper, is formed by an electroplating method using the upper barrier conductor film et1 as a sheet layer, and the conductor film EC1 for the first wiring is embedded in the hole H1 for the first wiring by a CMP method.
続いて、上部バリア導体膜ｅｔ１をシード層として、電気めっき法により、銅を主体とする第１配線用導体膜ＥＣ１を形成し、ＣＭＰ法により第１配線用導体膜ＥＣ１を第１配線用孔部Ｈ１に埋め込む。 - 特許庁 - In a tooth-missing area of a gum 4, which is formed inside an alveolar bone 3 formed on the surface layer of the alveolar bone 3 prepared on a lower jawbone 2/upper jawbone, a blood-storing section 10 is prepared for storing simulated blood which flows to the outside, when a cut is made with a scalpel M.
下顎骨２/上顎骨上に設けられる歯槽骨３、欠歯領域であり、かつ該歯槽骨３の表層部に設けられた歯肉４内に、メスＭが入れられた場合に外部に流れ出す擬似血液が貯留された血液貯留部１０を設ける。 - 特許庁 - During executing the job, if the overall resistance value R of the present resistance heating layer is determined to be smaller than the threshold value Rth ("Y" at S8), a fan drive control for cooling the paper non-passing area is executed (S10), assuming that the paper nom-passing area has reached the upper limit temperature.
ジョブ実行中に、現在の抵抗発熱層の全体抵抗値Ｒ＜閾値Ｒｔｈになったことを判断すると（Ｓ８で「Ｙ」）、非通紙領域が上限温度に達したとして、非通紙領域を冷却するためのファン駆動制御を実行する（Ｓ１０）。 - 特許庁 - On the lower side of the back electrode plate 16, a contact spring 18 elastically pressing it upward is arranged in a deflected and deformed state to bring its lower end into contact with a portion of the second conductive layer 36c on the upper surface of the annular substrate 36.
また、背面電極板１６の下方に、これを上方へ向けて弾性的に押圧するコンタクトスプリング１８を、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形させた状態で配置する。 - 特許庁 - The upper end 3202 of the second rubber sheet layer 32 is lower than 0.6×SH and higher than a bead filler 26, and the lower end 3204 is lower than the bead filler 26 to overlap with the beat filler 26 by 5 mm or more and higher than the half height of the bead filler 26.
第２ゴムシート層３２は、その上端３２０２が、０．６×ＳＨよりも低くかつビードフィラー２６よりも高く、その下端３２０４は、ビードフィラー２６と５ｍｍ以上オーバーラップするようにビードフィラー２６よりも低くかつビードフィラー２６の高さの１／２よりも高い。 - 特許庁 - This secures the thickness of the wiring 20, and reduces a cross-section area of the cross-section surface (the cross-section surface of the wiring vertical in a longitudinal direction) of the wiring, adding vulnerability to thermal stress and stress from an upper layer on the wiring 20.
これにより、欠陥検査用配線２０の厚さを確保しつつ、欠陥検査用配線の断面（配線の長手方向に垂直な断面）の断面積を小さくし、欠陥検査用配線２０に熱ストレスや上層膜からの応力の影響を受けやすくさせる。 - 特許庁 - Consequently, the etching amount of the surface of the etching stopper layer exposed in the upper part of a gate groove can be suppressed by reducing impurities such as hydrogen, chlorine, etc., contained in the silicon nitride film, and suppressing the wet etching rate of an HF system to the ≤1/4 of a thermally oxidized film.
これによって、シリコン窒化膜中の水素・塩素などの不純物を低減し、ＨＦ系のウェットエッチレートを熱酸化膜の１／４以下に抑えることにより、ゲート溝上部に露出したエッチングストッパー膜表面のエッチング量を抑えることができる。 - 特許庁 - To prevent a semiconductor wafer from being easily warped in hardening a sealing film formed of a liquid resin when manufacturing a semiconductor device with an upper surface, side surfaces and an undersurface of a silicon substrate covered with the sealing film formed of an organic resin, a side part protective film and a lower layer protective film.
シリコン基板の上面、側面および下面を有機樹脂からなる封止膜、側部保護膜および下層保護膜で覆った半導体装置の製造に際し、液状樹脂からなる封止膜を硬化させるとき、半導体ウエハが反りにくいようにする。 - 特許庁 - When a reception block 101 receives a wake-up frame from another node, an upper layer processing block 105 puts the reception block into a sleep mode until the time designated by the wake-up frame to prevent it from receiving any frames so that any collisions are prevented from occurring hereafter.
受信ブロック１０１が他ノードからのウェイクアップフレームを受信した際に、上位層処理ブロック１０５がウェイクアップフレームで指定されている時刻まで受信ブロックをスリープモードにしてフレームを受信させないようにして以降のコリジョンを発生させないようにする。 - 特許庁 - Moreover, the element has a first electrode (64) formed of silicide, electrically connected to the first conductivity-type semiconductor substrate or the semiconductor layer, covered by an upper film (59), constituting the antireflection film (57), and formed along the surface of the isolation region (55).
さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 - 特許庁 - A semiconductor built-in board 100 is such that a semiconductor device 40 is embedded in an upper part of a conductive pattern 112b inside a resin layer 120 stacked on a substrate 110 and the ceramic varistor 3 is disposed concentrically around the semiconductor device 40.
半導体内蔵基板１００は、基材１１０上に積層された樹脂層１２０内の導電パターン１１２ｂの上方に半導体装置４０が埋設配置されたものであり、セラミックバリスタ３が、半導体装置４０の周囲に同芯状に設けられている。 - 特許庁 - The second process includes a process for flowing a formed pattern by heat treatment or a process for coating a formed pattern with a resin composition containing a crosslinking agent and framing it through chemical reaction at the interface of the pattern and an upper layer film.
第２のプロセスとしては、形成されたパターンに熱処理を施してフローさせるプロセス、もしくは、形成されたパターンに架橋剤を含む樹脂組成物を塗布し、パターンと上層膜との界面での化学反応による枠付けを行なうプロセスを採用する。 - 特許庁 - After the cap layer 4 is removed and the upper surfaces of the dummy gate electrode 3 and the interlayer dielectric 9 are aligned, polishing rate of the interlayer dielectric 9 lowers extremely due to pressure dependency of the ceria based slurry and thereby polishing of the interlayer dielectric 9 is suppressed.
また、キャップ層４が除去されて、ダミーゲート電極３と層間絶縁膜９の上面位置が一致した後には、セリア系スラリーの圧力依存性により、層間絶縁膜９の研磨レートは極端に遅くなるため、層間絶縁膜９の研磨が抑制される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor element in which reliability and a high yield can be secured by securely preventing an upper-layer wire of a highly integrated semiconductor element from being broken and the size precision and productivity of a through hole can be improved.
高集積化された半導体素子における上層配線の断線を確実に防止して信頼性と高歩留りを確保するとともに、スルーホールの寸法精度及び生産性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light-emitting element array capable of preventing flow of a current from an upper electrode to an immediate below portion and ensuring conduction between a substrate electrode and a light emitting element without allowing a semiconductor multilayer mirror to employ an embedding structure requiring re-growth of an epitaxial layer.
半導体多層ミラーが、エピキタシャル層の再成長が必要な埋め込み構造をとることなく、上側電極から直下に電流が流れることを阻止でき、かつ基板電極と発光素子との導通を確保できる発光素子アレイを提供する。 - 特許庁 - The pad PDx is disposed on an upper layer of the electrostatic protective element so as to allow the arrangement direction of the pad and the rectangular direction of a region where the electrostatic protective element ESDx is formed to be in parallel and to be overlapped on a part or all of the electrostatic protective element ESDx.
パッドの配列方向と静電気保護素子ＥＳＤｘが形成される領域の長辺方向とが平行となり静電気保護素子ＥＳＤｘの一部又は全部と重なるように、該静電気保護素子の上層にパッドＰＤｘが配置される。 - 特許庁 - The display device is composed of a base plate, an EL display element arranged on the above base plate and a damage protection layer which is arranged facing an upper part of the above EL display element and is composed of a material having a hardness of a Mohs hardness 2.5 or more.
本発明は、基板、前記基板の上に設置されたＥＬ表示素子、および前記ＥＬ表示素子の上方に対応して設置され、モース硬度２.５以上の硬さを有する材料から構成される傷防止層を含むことを特徴するディスプレイ装置とした。 - 特許庁 - The manufacturing method of this IC card includes a process by which contact terminals of the antenna are exposed negative-molding a layer of the card body on the upper part of the antenna and forming a cavity in the card body, and a following process by which the electronic module is installed in the cavity 17 of the card body.
製造方法には、カード本体の層をアンテナの上部で雌型成形し、カード本体に空洞を形成してアンテナのコンタクト端子を露出させる工程並びに続いてカード本体の空洞１７に電子モジュールを設置する工程を含む。 - 特許庁 - To obtain a multilayer-type cosmetic which prevents unification and flocculation of an emulsion of an upper layer when allowed to stand, has excellent milkiness in use, improved spread to the skin, compatibility and moisture retaining property, is rapidly separated into a liquid multilayer when allowed to stand and excellent stability with time.
静置しているときの上層のエマルションの合一、凝集を防ぎ、使用時の乳濁性に優れ、肌へののび、なじみ、保湿性がよく、静置するとすみやかに液状多層に分離し、経時安定性の良好な多層型化粧料を提供する。 - 特許庁 - The stress relaxation grooves 5A are formed at the position at which the cores 2a to 2c are not formed, formed from the upper end face of an overclad layer 3b to the lower end face of an underclad 3a which compose a clad 3, and has a shape having an opening on the side end face 4S of the optical waveguide 1A.
応力緩和溝５Ａはコア２ａ〜２ｃの非形成位置に形成され、クラッド３を構成するオーバークラッド層３ｂに上端面からアンダークラッド３ａの下端面まで到達し、光導波路１Ａの側端面４Ｓに開口を有した形状である。 - 特許庁 - In order to simplify the manufacturing process, connecting pads 2, a ground layer 6 thereon via an insulating film, first to third rewinding 7, 8, and 9 thereon via a protecting film, and posts S_0, S_1, G, and D thereon are arranged on only the upper surface side of a silicon substrate 1.
シリコン基板１の上面側のみに、製造工程を簡略化するために、接続パッド２、その上に絶縁膜を介してグラウンド層６、その上に保護膜を介して第１〜第３の再配線７、８、９、その上にポストＳ_０、Ｓ_１、Ｇ、Ｄを設ける。 - 特許庁 - The regulation portion 20 is provided on the upper surface of the insulating layer 12 between an electrode 14a which is not connected to the semiconductor element 16 among the plurality of electrodes, and the semiconductor element 16 to regulate the flow of the sealing resin to the electrode 14a on an outer peripheral side.
規制部２０は、絶縁層１２の表面において、複数の電極のうち半導体素子１６と接続されていない電極１４ａと半導体素子１６との間に設けられ、封止樹脂が外周側の電極１４ａへ流れることを規制する。 - 特許庁 - Two layer encasing sections are prepared with each separate body of independent sheet of fabric, which are composed of an upper step encasing section formed with an opening portion on top of the body inside, and a lower step encasing section formed with an opening portion in an approximately middle region on one face side or another face side of the body.
別生地体で一体となった本体内部の上方に開口部を形成した上段収納部と、本体の一面側又は、他面側の略中間部位に開口部を形成した下段収納部との、二層の収納部を各々別体で設けた。 - 特許庁 - An n-clad layer is composed of an upper surface part 64a having (0001) surface, a slope part 64b having a slope of (11-22) surface, and a flat part 64c extending along (11-20) surface from the lower end of the tilted part, with a ridge structure embedded.
ｎ−クラッド層は、（０００１）面を有する上面部６４ａと、（１１−２２）面の傾斜面を有する傾斜面部６４ｂと、傾斜部の下端から（１１−２０）面に沿って延びる平坦部６４ｃとから構成されていて、リッジ構造を埋め込んでいる。 - 特許庁 - To provide a lid member capable of reducing a taste deterioration of food caused by reflected light entering from a side face of a transparent container containing the food such that the lid member having a metal foil layer is fitted over the transparent container to form a seal, thereby shielding the upper face from light, and to provide a package sealed with the lid member.
透明容器に金属箔層を有する蓋材を被せて密封して上面を遮光した食品において、側面から入る反射光で起こる風味劣化を軽減することができる蓋材及びその蓋材で密封された包装物の提供。 - 特許庁 - Separate from the bump, a projected part 56 is formed on a part opposite to a land 52 in the upper surface of a base material 51, where the land 52 and a wire 53 are formed at the lower surface, and then a thermosetting-bonding agent layer 55 is formed at the lower surface of the base material 51.
そして、これとは別に、下面にランド５２及び配線５３が形成された基材５１の上面におけるランド５２と対向する部分に突出部５６を形成し、続いて基材５１の下面に熱硬化性の接着剤層５５を形成する。 - 特許庁 - A thin-film resin board made from a polyimide is used as material for a base material 15, in a high-frequency module having a high-frequency circuit component 33 mounted on the base material 15 fitted with a wiring layer containing distributing wires 36, 37 for a high-frequency circuit formed at least on the upper surface of the base material 15.
少なくとも上面に高周波回路配線３６，３７を含む配線層が形成された基材１５に高周波回路部品３３が搭載された高周波モジュールにおいて、基材１５の材質としてポリイミドよりなる薄膜樹脂板を用いる。 - 特許庁
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