「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 196 197 198 199 200 201 202 203 204 .... 221 222 次へ＞- It also includes a source region 4 selectively formed in an upper part of the well region 3 and a gate electrode 7 formed on a gate insulating film 6 covering the surface of the well region 3 sandwiched between the source region 4 and the epitaxial crystal growth layer 2.
そして、ウェル領域３上部に選択的に形成されたソース領域４と、ソース領域４とエピタキシャル結晶成長層２とに挟まれたウェル領域３の表面を覆うゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極７とを備える。 - 特許庁 - To provide a technology for surely connecting a plug and wiring in a process for forming a connecting hole reaching an interlayer dielectric film formed on the upper layer of the wiring having Al as a principal component, and forming a plug in the connecting hole.
Ａｌを主成分とする配線の上層に形成された層間絶縁膜に、その配線に達する接続孔を形成し、その接続孔内にプラグを形成する工程において、プラグと配線とを確実に接続できる技術を提供する。 - 特許庁 - An organic resin coated layer is formed on the upper surface of a silicon rubber forming the base material of a push-button switch cover member by applying an organic resin paint in which an ultraviolet absorber and a hindered amine light stabilizer (HALS) are added.
押釦スイッチ用カバー部材の基材を成形するシリコーンゴムの上表面に、紫外線吸収剤とヒンダードアミン系光安定剤（ＨＡＬＳ）とが添加された有機系樹脂塗料を塗布することにより有機系樹脂コート層を形成する。 - 特許庁 - After a sealing film 34 is formed, a surface-processing layer 35 for preventing oxidation is formed on the upper surface of the column type electrode 2, by conducting electrolytic plaing using the auxiliary wiring 32, connection line 33 and re-wiring 31 as the plating current path.
そして、封止膜３４を形成した後に、補助配線３２、接続線３３及び再配線３１をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、柱状電極２９の上面に酸化防止用の表面処理層３５を形成する。 - 特許庁 - To provide a radio communication terminal, a radio communication system capable of reducing interference of communication by disturbance wave even without having a means for notifying change of a carrier to which a control channel is assigned by an upper layer of communication.
制御チャネルを割り当てるキャリアの変更を通信の上位階層によって通知する手段を持たなくても妨害波による通信の妨害を軽減することが出来る無線通信端末、無線通信システムを提供することを目的とする。 - 特許庁 - This method of manufacturing the semiconductor element includes preparing a substrate having a non-flat three-dimensional shape and having a main surface including a substantial topography variation and forming a first cap layer having an upper surface and an under surface on the main surface.
半導体素子を製造する方法は、非平坦な立体形状を有し、実質的な地形変動を含む主面を備えた基板を用意することと、上面および下面を有する第１キャップ層を主面の上に形成することとを含む。 - 特許庁 - The illuminated display is mounted on a component carrier by a lot of spatially-variable, elastic and electrically conductive materials, wherein a material layer thereof provides a required variable distance and an electrical connection from the upper surface to the undersurface as a contact.
点灯表示器は、空間的に可変の、弾性のおよび導電性の多数の材料によってコンポーネントキャリアに取り付けられ、この材料層は、必要とされる可変距離、および接点としての上面から下面までの電気接続部を提供する。 - 特許庁 - A piezoelectric element 7 is directly formed by anodically bonding the vibrating plate 6 formed of glass to the passage substrate 1 with pressure generation chambers 2 and nozzle openings 3, and by sequentially stacking a lower electrode 9a, a piezoelectric layer 8 and an upper electrode 9b thereon.
圧力発生室２およびノズル開口３を有する流路基板１にガラス製の振動板６を陽極接合し、その上に下電極９ａ、圧電層８、上電極９ｂを順次積層することで、圧電素子７を直接形成する。 - 特許庁 - In this case, a plurality of low dielectric constant film layers and the same number of wiring layers are alternately laminated on a semiconductor wafer, and the column electrode 14 is formed on a connection pad of an upper layer wiring formed via an insulating film.
この場合、半導体ウエハ上に複数層の低誘電率膜と同数層の配線とを交互に積層して形成し、その上に絶縁膜を介して形成された上層配線の接続パッド部上に柱状電極１４を形成する。 - 特許庁 - A dry cutter 11 coated with a Ti series film is immersed into an aqueous solution 10 containing an alkali hydroxide and hydrogen peroxide to peel the upper layer of the Ti series film, and next, the dry cutter 11 is coated with a Ti series film.
Ｔi系被膜がコーティングされたドライカッタ１１を水酸化アルカリおよび過酸化水素を含有する水溶液１０に浸漬して前記Ｔi系被膜の上部層を剥離し、次に、同ドライカッタ１１にＴi系被膜をコーティングすることを特徴とする。 - 特許庁 - Consequently, the columnar mesa portion 18 is formed which has the diameter equal to the diameter L3 of the mask layer M2, and portions (including oxidation portions 11A and 16A) of the upper portion of the semiconductor stack structure 20D other than the mesa portion 18 are selectively removed.
これにより、マスク層Ｍ２の直径Ｌ３と等しい直径の柱状のメサ部１８が形成されると共に、半導体積層構造２０Ｄの上部のうちメサ部１８以外の部分（酸化部分１１Ａ，１６Ａを含む）が選択的に除去される。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a base plate with a semiconductor framework referred to as a CSP arranged on it and a second upper layer wiring for test provided for a function test, and capable of downsizing overall planar size.
ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体をベース板上に配置し、その上に、ファンクションテストのために設けられたテスト用の第２の上層配線を有する半導体装置において、全体としての平面サイズを小さくする半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A photoelectric conversion type thin-film transistor 3 having a semiconductor thin film 41 made of an amorphous silicon is provided at an upper layer side rather than CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit having semiconductor thin films 25 and 26 made of a polysilicon.
アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を有する光電気変換型の薄膜トランジスタ３は、ポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を有する駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２よりも上層側に設けられている。 - 特許庁 - In the display of the POI icons, facilities are divided into facilities unusable at present and the facilities usable at present, and after displaying the icon of the facilities unusable at present, the icon of the facilities usable at present is displayed on the upper layer.
その表示に際しては、現在利用できない施設と現在利用できる施設とに分け、現在利用できない施設のアイコンを表示した後、その上層に現在利用できる施設のアイコンを表示することにより実施可能である。 - 特許庁 - Thus, the p-type upper epitaxial layer 5 becomes a gate area between the source area 7 and the drain area 9.
そして、ゲート電極１１が、ｐ型下エピタキシャル層３およびｐ^＋型領域６を介して、ｐ型上エピタキシャル層５と電気的に接続されることにより、ソース領域７とドレイン領域９との間のｐ型上エピタキシャル層５は、ゲート領域となっている。 - 特許庁 - This plasma display panel includes: a front panel in which a magnesium oxide protective layer containing an element of the halogen group is formed on an upper part of a dielectric material; and a rear panel which is separated from the front panel at a given distance and coalesced with the front panel.
本発明によるプラズマディスプレイパネルは誘電体上部にハロゲン族元素を含んだ酸化マグネシウム保護層が形成された前面パネル及び前記前面パネルと一定間隔離隔されて前記前面パネルと合着された背面パネルを含む。 - 特許庁 - A piezoelectric vibration piece 15 is joined on mount electrodes 4a, 4b provided on one part of the shelf portion on the second layer 1b via a conductive adhesive 100, and is almost horizontally supported in cantilever while being positioned on the upper part of the circuit module 60.
第二層１ｂの棚部の一部に設けられたマウント電極４ａ，４ｂには、導電性接着剤１００によって圧電振動片１５が接合され、回路モジュール６０の上方に位置しながら略水平に片持ち支持されている。 - 特許庁 - To provide a paper for wallpaper not only readily peelable during repapering, but also leaving a uniform paper layer on the wall surface after peeling and easily newly pasted from the upper part thereof even without especially carrying out surface treatment and affording an excellent volume feeling.
張り替え時に剥がし易いだけでなく、剥がした後に壁面に残る紙層が均一であって、特に下地処理をしなくても容易にその上から新たに貼ることができ、しかもボリューム感に優れたものとなる、紙壁紙を提供する。 - 特許庁 - The basic organic compound has at least one acidic group and at least one basic group in the molecule and so the volatility is suppressed when heated in baking of the coating film and, thereby, migration into the upper layer coating film is suppressed.
この塩基性有機化合物は、分子内に少なくとも一つの酸性基と少なくとも一つの塩基性基とを備えることにより、塗膜の焼き付け時の加熱による揮発性が抑制され、このため上層塗膜への移行が抑制されている。 - 特許庁 - A plurality of semiconductor layers including a resonator structure including an active layer, and a lower semiconductor DBR 103 and an upper semiconductor DBR 107, which are formed through the resonator structure, are laminated on an inclined substrate 101.
傾斜基板１０１上に活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ１０３及び上部半導体ＤＢＲ１０７を含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁 - To provide a process for forming a nitride based semiconductor capable of forming a nitride based semiconductor layer of good crystallinity with little dislocation and little crystal defect caused by detachment on the upper surface of a substrate with small number of growth steps.
基板の上面に、少ない成長工程の回数で、転位が少なく、かつ、離脱に起因する結晶欠陥の少ない結晶性の良好な窒化物系半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。 - 特許庁 - Preferably, a pigment coated with an organic compound is dispersed in the base material organic compound with the hydrophilicity-imparting material, placed on the upper layer of the base material composed of aluminum or aluminum alloy, and baked to form the hydrophilic color coating.
好適には、有機化合物でコーティングした顔料を親水性付与材とともに母材有機化合物に分散させ、これをアルミニウム又はアルミニウム合金からなる基材の上層に置いて焼き付けを行って親水性着色皮膜を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor integrated circuit device comprises level shift diodes D1 and D2 etc., formed on a substrate S_1 and the resistance loss compensating capacitor C_s formed in an upper layer facing at least parts of the level shift diodes D1 and D2, etc.
基板Ｓ_１ 上に形成されたレベル・シフト・ダイオードＤ１及びＤ２など、並びに、レベル・シフト・ダイオードＤ１及びＤ２などの少なくとも一部と対向する上層に形成された抵抗損失補償用キャパシタＣ_ｓ を含む構成になっている。 - 特許庁 - A manganese silicate film 22 formed by a reaction with a silicon oxide-based insulation film 21 formed on a conductor 14 formed in a concave portion 12 formed on an insulation film 11 is formed on the upper layer of the conductor 14.
絶縁膜１１に設けられた凹部１２の内部に形成された導電体１４上面に、該導電体１４上に形成された酸化シリコン系絶縁膜２１との反応により生成されたマンガンシリケート膜２２が形成されているものである。 - 特許庁 - An upper main electrode region of a 3D pillar SGT includes a selective epitaxial growth semiconductor layer, and at least two adjacent 3D pillar SGTs are connected in parallel by bringing the respective selective epitaxial growth semiconductor layers into contact with each other.
３Ｄピラー型ＳＧＴの上部主電極領域が選択エピタキシャル成長半導体層を含み、少なくとも２つの隣接する３Ｄピラー型ＳＧＴを、各々の選択エピタキシャル成長半導体層を接触させて並列接続する。 - 特許庁 - Plural semiconductor mesa structural bodies 401 and 402 with an Al oxide layer 407 interposed are arranged in parallel in a base part, and the upper parts of the mesa structural bodies 401 and 402 are mechanically and electrically connected.
この発明では、基部にＡｌ酸化層４０７が挟まれた複数の半導体メサ構造体４０１、４０２を並列し、かつ該メサ構造体の上部同士を半導体接合層４０５により機械的かつ電気的に接合させることにより解決する。 - 特許庁 - A covering film 24 made of novolak resin containing no photosensitizer is formed on the upper surface of a base metal layer 7 including the wiring 8, and a plating resist 25 for forming polar electrode made of a negative type dry film resist containing acrylic resin is formed.
次に、配線８を含む下地金属層７の上面に、感光剤を含まないノボラック樹脂からなる被覆膜２４を形成し、次いでアクリル樹脂を含むネガ型のドライフィルムレジストからなる柱状電極形成用メッキレジスト膜２５を形成する。 - 特許庁 - To provide a hot water storage type electric water heater capable of suppressing mixing of flowing-in water with hot water (high-temperature water) of an upper layer, and roughly uniformly expanding the flowing-in water at a bottom portion of a flat box-shaped hot water storage tank.
本発明は、流入する水が上層の湯（高温水）と混合することを抑制することができ、かつ、流入する水を扁平箱形の貯湯タンクの底部にほぼ均一に広げることができる貯湯式電気温水器を提供する。 - 特許庁 - To improve the voltage-resistance of a composite insulator comprising a core 1 composed of a glass fiber reinforced resin, metal parts respectively attached to the upper and lower end of the core, and insulation layer 4 of polymer applied to the outside of the core.
ガラス繊維強化樹脂よりなる芯材１と、この芯材１の上端及び下端に装着された金具２、３と、芯材１の外周に被覆された高分子材料の絶縁被覆部４とからなる複合碍管の、耐電圧特性を向上させる。 - 特許庁 - After depositing an Ni film 205 on the entire surface of a substrate containing a silicon gate 202, the silicon gate 202 is removed partially by CMP treatment, or the like, thus allowing an Ni layer 206 that has a flat upper surface and is uniform in thickness to remain directly above the silicon gate 202.
シリコンゲート２０２を含む基板全面上にＮｉ膜２０５を堆積後、ＣＭＰ処理等によってシリコンゲート２０２の一部を除去し、上面が平坦で膜厚が均一なＮｉ層２０６をシリコンゲート２０２の直上に残す。 - 特許庁 - The first filling section 18 is a layer of particulates 18a made of a conductive material that extends downward from the position separated from the aperture 16a of the upper electrode 16 and is provided in a column shape so that the lower end may contact the lower electrode 12.
第１の充填部１８は、上部電極１６の孔部１６ａより離間した位置から下方に延出し、下面が下部電極１２に接するように、柱状に設けられた導電性材料からなる微粒子１８ａの層である。 - 特許庁 - An air nozzle for combustion has its outer surface covered with and protected by the same thermal spraying film as described of an Al or an Al-Si alloy (a thermal spraying film of a heat resisting alloy having a composition similar to one described in the upper layer film, as required).
燃焼用空気ノズルはその外表面に、上記と同じＡｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金の溶射膜（所望によりこれに前記上層膜と同様組成の耐熱合金の溶射皮膜が積層形成される）で被覆保護されている。 - 特許庁 - A platen 60 is arranged to a rear surface of the conveyer belt 28, in the platen 60, a sinking comb-like electrode plate 62A and a sinking comb-like earth plate 62B are arranged in a nested shape with spacing, and a dielectric layer 66 is formed in an upper section of them.
搬送ベルト２８の裏面側にはプラテン６０が配設されており、プラテン６０には、櫛歯状電極板６２Ａと櫛歯状アース板６２Ｂが間隔をあけて入れ子状に配置され、これらの上部に誘電層６６が設けられている。 - 特許庁 - In this woody decorative flooring, a mounting material 4 is stacked and joined to the upper surface of a woody base plate 2 such as a plywood through a re-peelable adhesive agent allowing the re-peeling of a member to be adhered, particularly, a hot-melt adhesive agent layer 3.
合板等の木質基板２の上面に、被着材の再剥離を可能とするような再剥離性接着剤、特に、ホットメルト型接着剤層３を介して表装材４を再剥離可能に積層接着一体化したものとする。 - 特許庁 - In addition, in the sheet-like material 1 for umbrella gore, the surface side (upper side of Fig. 1) of the base fabric 2 is coated with an adhesive, wherein the integrated layer is formed by laminating the transparent film 3 on the surface of the base fabric 2 before the adhesive is hardened.
また、傘布用シート状物１は、ベース生地２の表面側（図１上側）には接着剤が塗布され、この接着剤が硬化する前にベース生地２の表面に透明フィルム３がラミネーションされて一体積層されたものである。 - 特許庁 - The shape measuring device S for measuring the shape of the belt 1 in the widthwise direction is provided with both a water chamber 10 for housing water with an upper opening part 10a and a float member 12 for making the belt 1 float in an intermediate layer of the water.
ベルト１の幅方向の形状を計測する形状計測装置Ｓは、水を収容し、上方に開口部１０ａを有する水槽１０と、ベルト１に接続し、ベルト１を水の中層に浮かせる浮き部材１２とを備えている。 - 特許庁 - A low frictional cover layer 17 consisting of a fluorine system resin is stuck to the surface of the sliding door 5 responding to the side edge 4 of the gateway 2 and arranged to the position except the upper/lower edges of this surface and the downside from a breast height position.
また、フッ素系樹脂からなる低摩擦性被覆層１７を引き戸５の出入口２の側縁部４に対応する表面に被着し、この表面の上縁部及び下縁部を除いた位置であって胸高位置から下方に配置する。 - 特許庁 - In the consumable electrode 1, it is desirable that the outer peripheral parts 2c provided over the whole circumferences of the upper ends and lower ends of the external layer parts 2c of the briquettes 2 are composed of sponge titanium only and the connection of the briquettes is executed by welding them in the circumferential direction.
上記の消耗電極において、ブリケットの外層部の上端および下端の全円周にわたって設けられた外縁部はスポンジチタンのみで構成し、ブリケットの連結は円周方向の溶接によって行うのが望ましい。 - 特許庁 - To provide a simplified mask, which seals a gap between an upper part of the mask and the face surface and prevents breath from leaking upward when having the mask on by a multi-layered structure of a main body's top layer part thereof so as to prevent glasses from steaming up.
本発明は、マスク上部と顔面の隙間を塞ぎ、さらに、マスク本体の上層部を多層構造化することで、マスク着用時に発生する上方への息漏れを防ぎ、ひいてはメガネの曇りを防ぐ、簡易マスクを提供するものである。 - 特許庁 - In an element main body formation process in a process (2), an element main body 5 having an element layer constituted of a compound semiconductor is epitaxially grown in all the holes 4 or a portion of them in a status that the element main body 5 does not project from the upper part of the holes 4.
次に、工程（２）の素子本体部形成工程にて、全ての孔部４またはその一部に、化合物半導体からなる素子層を有する素子本体部５を孔部４の上部から突出しない形でエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - To provide a high strength galvannealed steel sheet having excellent adhesion of hot-dip galvanizing as an upper layer even if a steel sheet as a basis material contains large amounts of Si and Mn and also having excellent corrosion resistance of plated steel sheet, and also to provide its manufacturing method.
下地鋼板がＳｉ、Ｍｎを多量に含んでいても、上層溶融亜鉛めっきの密着性に優れ、めっき鋼板として耐食性に優れた高強度合金化溶融亜鉛めっき鋼板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The reproducing head is provided with a GMR element 5, a lower and an upper shielding layers 3 and 8 for shielding the GMR element 5, a conductive layer 6 connected to the GMR element 5 and shielding gap films 4a, 4b, 7a and 7b formed between the shielding layers 3 and 8.
再生ヘッドは、ＧＭＲ素子５と、ＧＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層８と、ＧＭＲ素子５に接続された導電層６と、シールド層３，８の間に形成されたシールドギャップ膜４ａ，４ｂ，７ａ，７ｂを備えている。 - 特許庁 - The silicon oxide film 12 exposed on the upper trenches 20 of storage electrodes 22 of the capacitors C are etched, trench diameter enlarging parts 25 are formed, and buried straps 23 are buried in the parts 25 in such a manner that only lower surfaces of the straps 23 are in contact with the P-type silicon layer 13.
キャパシタＣの蓄積電極２２の上部の溝２０に露出するシリコン酸化膜１２をエッチングして溝径拡大部２５を形成し、ここに埋め込みストラップ２３をｐ型シリコン層１３に対してその下面のみに接するように埋め込む。 - 特許庁 - A sidewall spacer is formed on the sidewall of a reset gate opposing the selection gate and on the sidewall of the selection gate, the upper part of the diode region is covered, and the blocking, which expands to the active region to cover the transfer gate and the floating diffusion layer, is formed.
選択ゲートに対向するリセットゲートの側壁及び選択ゲートの側壁上に側壁スペーサを形成し、ダイオード領域の上部を覆い、活性領域まで拡張してトランスファゲート及び浮遊拡散層を覆うブロッキングを形成する。 - 特許庁 - A high-resistance layer 5 is provided at the connection between the side face of the lower wiring 2 and the via plug 4 in case the via plug 4 extending from the upper surface of the interlayer insulating film 3 to the lower wire 2 fails to be formed correctly landing on the lower wiring 2.
層間絶縁膜３の上面から下層配線２に至るビアプラグ４が、下層配線２に対して踏み外して形成され場合において、下層配線２の側面部とビアプラグ４とが接続している部分に高抵抗層５を備える。 - 特許庁 - Consequently, the resist pattern width for upper magnetic core plating can be made narrow irrelevantly to the waving of an insulating resin layer due to the thin-film coil and the composition at the time of the plating can be made uniform, so that the thin-film magnetic head having stable magnetic characteristics can be obtained.
このことによって、薄膜コイルによる絶縁樹脂層のうねりにもかかわらず、上部磁気コアメッキ用レジストパターン幅を狭く作ることができて、メッキ時の組成の均一化が図られ、磁気特性の安定した薄膜磁気ヘッドが得られた。 - 特許庁 - The piezoelectric drive type MEMS switch 10 has a structure in which, an opposing pair of cantilevers 20, 22, in which a ground (a lower electrode) 14 and an upper electrode 18 are formed at the front and the rear of a piezoelectric layer 16 are supported on a base board 12 in cantilever form.
圧電駆動型ＭＥＭＳスイッチ１０は、圧電体層１６の表裏にグランド（下部電極）１４及び上部電極１８が形成された対向する一対のカンチレバー２０，２２が、基板１２に片持ち梁状に支持された構造である。 - 特許庁 - Since etching rate of the upper layer Au is higher, lateral etching rate of Au is also high when a multilayer film of Au/Pt is etched using an aqua regia based solution and a tapering angle larger than two times the film thickness of Pt is formed.
上層のＡｕの方がエッチングレートが大きいことから、Ａｕ／Ｐｔ積層膜を王水系の溶液でエッチングした際、エッチングレートの速いＡｕの横方向へのエッチングレートも大きく、Ｐｔの２倍膜厚よりもテーパー角度が大きく形成される。 - 特許庁 - The rib sections 7 induce a secondary three-dimensional turbulence flow in upper and lower directions to the main current of fluid (heat radiation water) flowing through the channel 125a at the downstream side to improve heat transfer characteristics by releasing the boundary layer on the bottom surface of the channel.
リブ部７０は、その下流側において、流路１２５ａを流れてくる流体（放熱水）の主流に対して上下方向の二次的な三次元攪乱流を誘起せしめ、流路底面で境界層を剥がして熱伝達特性を向上させる。 - 特許庁 - At the contact hole part 18, organic EL layers 15, 16, 17 of three colors are formed so as to be superimposed on one another and, as the result, short-circuiting between the upper electrode 19 and the pixel electrode 13 due to the disconnection caused by the step of the organic EL layer 15 can be avoided.
コンタクトホール部１８においては、３色の有機ＥＬ層１５、１６、１７が重畳して形成されており、有機ＥＬ層１５の段切れによる上部電極１９と画素電極１３のショートを回避することが出来る。 - 特許庁
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