「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 192 193 194 195 196 197 198 199 200 .... 221 222 次へ＞- The positive electrode 2, the organic light-emitting layer 3, and the negative electrode 4 are laminated in order on the upper face of the main body part 1a, and the end fringe portions of the positive electrode 2 and the negative electrode 4 are respectively arranged at the projected wall part 1b.
この本体部１ａの上面には、陽極電極２、有機発光層３及び陰極電極４が順次積層され、陽極電極２及び陰極電極４の端縁部分は、それぞれ突壁部１ｂに配置されている。 - 特許庁 - On the upper part of each piezoelement C-F, a metal film 19 is placed in a facing position via an insulating layer and in a planar view the metal film 19 is formed in a size projecting outside of the facing piezoelements C-F.
各ピエゾ素子Ｃ〜Ｆの上方には絶縁層を介して個別に金属膜１９が対向配置されており、平面視にて、各金属膜１９は、対向するピエゾ素子Ｃ〜Ｆよりも外方向にはみ出す大きさで形成されている。 - 特許庁 - This hose is a floating hose having a sinking preventive mechanism on which closed cell belt-like sponges 1, 2 are wound around on a base hose in a plural number of layers with no clearance and the outermost layer upper surfaces of the belt type sponges 1, 2 are covered with outer surface rubber.
浮力材として独立気泡の帯状スポンジ１、２がベースホース上に隙間なく複数層巻回され、該帯状スポンジの最外層上面を外面ゴムで被覆してなる、沈下防止機構を有するフローティングホースである。 - 特許庁 - To provide a method for filling the holes of a flat body in which reliability of the product and flatness of the upper layer are enhanced without causing any problem of contamination by preventing formation of a significant recess on or under a filler.
充填物の上や下にさほど大きな凹みができないようにして，製品の信頼性や上層の平坦性の向上を図り，また汚染の問題も生じないようにした板状体の穴埋め方法を提供すること。 - 特許庁 - Moreover, a through-hole 55 is formed at an outside region of the pressure chamber-forming hole 53a of the first cavity plate 41 which is an upper layer among the two cavity plates 41 and 42 and has the diaphragm 70 joined to its surface.
さらに、前記２枚のキャビティプレート４１，４２のうち、上層に位置してその表面に振動板７０が接合される第１キャビティプレート４１の、圧力室形成孔５３ａの外側領域には、貫通孔５５が形成されている。 - 特許庁 - The R-plane sapphire substrate 2 is scribed to cause it to cleave, a lower electrode 8 is formed on the exposed part of the ZnO film 3, and the top face of the p-type GaN clad layer 6 is covered with an upper electrode 9 via the SiO2 film 7.
この後、Ｒ面サファイア基板２をスクライブしてへき開させ、ＺｎＯ膜３の露出部分の上に下部電極８を形成し、ＳｉＯ_2膜７を介してｐ型ＧａＮクラッド層６の上面を上部電極９で覆う。 - 特許庁 - To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.
金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁 - The ratio of the average enrichment e (wt%) of the outermost layer to the average enrichment x (wt%) of the cross section of the fuel assembly 1 is 1.19 in the upper region and 1.22 in the lower region and satisfies the shown expression (1).
燃料集合体１における横断面の平均濃縮度ｘ（ｗｔ％）に対する最外層の平均濃縮度ｅ（ｗｔ％）の比ｅ／ｘは、上部領域で１．１９、下部領域で１．２２となり、（１）式を満足する。 - 特許庁 - The pad PD is arranged on an upper layer of at least one of the first and second transistors NTr1 and PTr1 so that the pad PD overlaps one part or the entire part of at least one of the first and second transistors NTr1 and PTr1.
第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１の少なくとも一方の一部又は全部と重なるように、該第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１の少なくとも一方の上層にパッドＰＤが配置される。 - 特許庁 - The while bubble delivery port 4 is provided in the upper part of the circumferential wall face of the case 9, and the white bubble delivered from the white bubble discharge port 4 is delivered toward a water surface of the hot water tub to form the white bubble layer on the hot water tub surface.
白濁泡吐出口４をケース９の周壁面の上部に設け、白濁泡吐出口４から吐出する白濁泡を湯水槽の水面表面に向けて吐出して湯水槽表面に白濁泡層を形成する。 - 特許庁 - A lower end part of the plug 112 is connected to a side face exposed to the contact hole 111 in the metal film 106, a side face exposed to the contact hole 111 in the barrier metal layer 105, and an upper face of the polysilicon film 104.
プラグ１１２の下端部は、金属膜１０６におけるコンタクトホール１１１に露出する側面、バリアメタル層１０５におけるコンタクトホール１１１に露出する側面及びポリシリコン膜１０４の上面とそれぞれ接続している。 - 特許庁 - An edge 31 of the semiconductor chip is more protruded than a side wall 12s being an edge of an upper insulating layer 12 with respect to the direction to which a circuit forming surface on which electrode pads 10 are formed extends, in the semiconductor chip 2.
また、半導体チップ２における、電極パッド１０が形成された回路形成面が伸びている方向に関し、半導体チップの縁３１が、上層絶縁層１２の縁である側壁部１２ｓよりも突出している。 - 特許庁 - Aqueous solution containing metal ion of a metal for metal-complexing tropolones and/or phenols is brought into contact with a plant essential oil by stirring, and then only a plant essential oil separated in an upper layer of the aqueous solution is collected.
トロポロン類及び／又はフェノール類を金属錯体化する金属の金属イオンが含まれた水溶液と植物精油とを攪拌より接触させた後、前記水溶液の上層に分離した植物精油をのみを採取する。 - 特許庁 - The optical waveguide formed by laminating a lower clad (3D), a core (4), and an upper clad (3U) on a substrate (2) in this order has at least one thin-film type grating layer (5) formed on the core (4) along its length direction.
基板（２）上に、下部クラッド（３Ｄ）、コア（４）及び上部クラッド（３Ｕ）を順次積層して形成された光導波路において、前記コア（４）にその長手方向に沿って少なくとも一の薄膜状グレーティング層（５）を形成した。 - 特許庁 - The tip of the side of the track width defining part of the upper magnetic pole layer 13 opposite to an air bearing surface 30 is arranged on the air bearing surface 30 side more than the tip of the side of the second part 8b opposite to the air bearing surface 30.
上部磁極層１３のトラック幅規定部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部は、第２の部分８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部よりもエアベアリング面３０側に配置されている。 - 特許庁 - In this way, when the molten metal is poured from the sprue 12, the decomposed material floated up on the upper layer of the molten metal is discharged to molten metal pool part 20 through the flowing outlet 18 to prevent the generation of the carbon defect caused by the decomposed material in the finish product.
これにより、湯口１２から注湯すると、湯の上層に浮遊する分解物が流出口１８を介して湯溜まり２０に流出し、分解物による炭素欠陥等を最終製品に発生させない。 - 特許庁 - A first insulation layer 51 which is thick enough to make an upper surface flat and wherein a first via leading to the electrode terminal 2T is formed is formed on one surface of the substrate 1 and a formation surface of the electrode terminal 2T of the LSI chip 2.
基板１の一面とＬＳＩチップ２の電極端子２Ｔ形成面との上に、上面が平坦となるような層厚で、電極端子２Ｔに至る第１のヴィアが形成された第１の絶縁層５１が形成される。 - 特許庁 - An exposed portion of the seed layer 12 is removed from a second resist film 19 after the second resist film 19 is formed so that a side surface 17B and upper surface 17A of the plating film 17 for forming the base metal of the wiring 10 are covered.
配線１０の母材となるめっき膜１７の側面１７Ｂ及び上面１７Ａを覆うように第２のレジスト膜１９を形成した後、第２のレジスト膜１９から露出された部分のシード層１２を除去する。 - 特許庁 - The method includes steps of: preparing a substrate 31 for growing GaN; forming a GaN epitaxial layer on the substrate 31; forming a mask 33 on the GaN epitaxial layer 32 so as to expose a part of the upper face of the GaN epitaxial layer 32; and overgrowing GaN to predetermined thickness on the GaN epitaxial layer including the mask 33 by doping with a predetermined amount of In.
本発明は、ＧａＮを成長させるための基板３１を用意する段階と、上記基板３１上にＧａＮエピ層３２を形成する段階と、上記ＧａＮエピ層３２上に上記ＧａＮエピ層３２の上面の一部が露出するようマスク３３を形成する段階と、上記マスク３３を含むＧａＮエピ層３２上に所定量のＩｎをドーピングしてＧａＮを所定の厚さに再成長させる段階とを含むことを特徴とするＩｎドーピングを通したＧａＮ側面成長方法を提供する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device is characterized by having a diffusion plate 20 equipped on the liquid crystal layer 16 side or on the side opposite to the liquid crystal layer 16 of the lower substrate 11 and further having an upper diffusion plate 26 on the observer's side of the upper substrate 1.
上基板１上および下基板１１上のそれぞれに電極を有し、上基板１と下基板１１とを所定の間隔をもって対向し、上基板１と下基板１１との間に封入する液晶１６とを備え、上基板１を観察者側に配置した液晶表示装置であって、下基板１１における液晶層１６側あるいは、液晶層１６と反対側には拡散板２０を備え、さらに上基板１の観察者側にも、上拡散板２６を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The multiaxial fabric used for a paper machine also includes: the upper layer having multiple interwoven MD yarns in a machine direction and CD yarns, which has an inside and outside; and the lower layer having multiple interwoven MD yarns and CD yarns, which has an inside and outside, wherein the insides of the upper and lower layers are flattened by a prescribed technique.
また本発明は、複数の織り交ぜられた機械方向ＭＤヤーン及びＣＤヤーンを有する上部層であって、内側及び外側を有する上部層と、複数の織り交ぜられたＭＤヤーン及びＣＤヤーンを有する下部層であって、内側及び外側を有する下部層とを有する抄紙機に使用する多軸布であって、前記上部層の前記内側及び前記下部層の前記内側は、所定の技術により、平坦化されることを特徴とする多軸布を提供する。 - 特許庁 - The original plate has an underlayer containing a water-insoluble and alkali-soluble resin and an upper heat sensitive layer containing a water- insoluble and alkali-soluble resin and an IR absorbing dye and having solubility in an alkaline aqueous solution increased by heating in order on a hydrophilic support, both the underlayer and upper heat sensitive layer separately contain different IR absorbing dyes and the original plate is imagewise exposed and then developed with an alkali developing solution.
親水性支持体上に、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂を含む下層と、水不溶性且つアルカリ可溶性樹脂及び赤外線吸収染料を含有し、加熱によりアルカリ性水溶液に対する溶解性が増大する上部感熱層とを、順次積層して有し、前記下層及び上部感熱層の両方にそれぞれ異なる赤外線吸収染料を含有することを特徴とし、画像様に露光した後、アルカリ現像液で現像することを特徴とする。 - 特許庁 - A method for manufacturing the integrated circuit device including a ferroelectric structure having the passivation layer includes a process for providing a deposition chamber, a process for providing the ferroelectric structure including the ferroelectric material positioned between an upper electrode and a lower electrode to the deposition chamber, a process for providing aluminum and titanium to the deposition chamber, and a process for forming titanium doped aluminum oxide passivation layer on the upper electrode.
また、本発明によるパッシベーション層を有する強誘電体構造を含む集積回路デバイスを製造する方法は、堆積チャンバを提供する工程と、上部電極と下部電極との間に位置する強誘電体材料を含む強誘電体構造を堆積チャンバに提供する工程と、堆積チャンバにアルミニウムとチタンとを提供する工程と、アルミニウムおよびチタンをスパッタリングして、上部電極上にチタンドープトアルミニウム酸化物パッシベーション層を形成する工程とを包含する。 - 特許庁 - A semiconductor integrated circuit device (MMIC) has HFET 19 including a groups III-V nitride semiconductor layer 15 formed on a partial area on a substrate 11 including sapphire, and a dielectric film 20 formed such that it covers a top, sides, and corners of upper ends of the groups III-V nitride semiconductor layer 15.
半導体集積回路装置（ＭＭＩＣ）は、サファイアからなる基板１１上の一部の領域に形成されたIII-Ｖ族窒化物半導体層１５からなるＨＦＥＴ１９と、基板１１の上に、III-Ｖ族窒化物半導体層１５の上面、側面及び上端の角部を覆うように形成された誘電体膜２０とを有している。 - 特許庁 - This unit cell for solid oxide fuel cell has a layered structure wherein the solid electrolyte layer is sandwiched between upper and lower electrode layers, the electrolyte layer has a dense structure part, and a buffer part is disposed on the structure part, the buffer part comprising substantially independent columnar grains of a solid electrolyte material and/or an electrode material.
固体電解質層を上部電極層と下部電極層で狭持した積層構造をなし、固体電解質層が緻密構造部を有し、この緻密構造部に、固体電解質材料及び／又は電極材料の略独立な柱状粒より構成されたバッファ部を配設して成る固体酸化物形燃料電池用単セルである。 - 特許庁 - The printed circuit board which has the connection hole formed by the laser to connect the upper and lower layers and also has the conductor formed in the connection hole, is provided with a trench-shaped copper deficit portion at a solid wiring part of an inner copper layer provided in the lower layer at a periphery near a bottom of the connection hole.
レーザーにより上下の層間を接続する接続用穴を形成し、この接続用穴内に導通体を形成するプリント配線板にあって、前記下の層に設けた内層銅の、べた状配線部分において、前記接続用穴底部分の近傍周辺部分に、濠状銅欠損部を設けるプリント配線板を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a display device in which formation of an organic layer onto an auxiliary wiring can be prevented without reducing an aperture ratio of a pixel at pattern-forming the organic layer on the lower part electrode by a contact transcription method, and in which improvement of display performance is enabled to be improved by preventing voltage drop of the upper part electrode by this.
接触転写法によって下部電極上に有機層をパターン形成する際に、画素の開口率を低下させずに補助配線上への有機層の形成を防止でき、これにより上部電極の電圧降下を防止して表示性能の向上を図ることを可能とした表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed.
銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。 - 特許庁 - The supporting substrate 3 forming the metallized layer 3c and the upper substrate 4 forming the metallized layer 4a are fixed by joining to the solder since the solder 8 is wet along the respective metallized layers and the optical fibers 2 grasped therebetween are surely fixed by the grasping force from both top and under surfaces as there are no metallized layers and there is no joining force to the solder.
メタライズ層３ｃを形成する支持基板３とメタライズ層４ａを形成する上基板４とは、半田８が各々のメタライズ層に沿って濡れているので半田との接合により固定されるとともに、その間に挟持される光ファイバ２は、メタライズ層が無く半田との接合力が無く上下の両面からの挟持力により確実に固定される。 - 特許庁 - Then, by forming the concrete layer 3 by placing concrete so as to bury the mold 4 for concrete gap formation on the upper side of the bottom steel plat 2, the composite slab 1, for which the bottom steel plate 2 and the concrete layer 3 having a concrete gap by the mold 4 for concrete gap formation on the lower surface side are integrally joined, is manufactured.
次いで、底鋼板２の上側に、コンクリート空隙形成用型枠４を埋没させるようにコンクリートを打設してコンクリート層３を形成することにより、底鋼板２と、下面側にコンクリート空隙形成用型枠４によるコンクリート空隙を備えたコンクリート層３とを一体に接合した構成の合成床版１を製造する。 - 特許庁 - When a prescribed AC voltage is impressed between the both electrode layers 2, 7 by a power supply part 8, ultraviolet emission is generated in the ultraviolet luminous layer 5, and this ultraviolet emission is converted into visible light emission in the fluorescent thin layers 4, 6, and the generated visible light emission is directly or, by being reflected by the upper electrode layer 7, outputted through the glass substrate 1.
電源部８により両電極層２、７間に所定の交流電圧が印加されると、紫外発光層５において紫外発光が発生し、この紫外発光は蛍光薄層４、６において可視発光に変換され、生成された可視発光は直接および上部電極層７に反射されて、ガラス基板１を介し出力される。 - 特許庁 - The diode element 24 comprises a P-type well 21 formed in the semiconductor substrate 1, an N-type diffusion layer 8 formed on a P-type well 21 in the semiconductor substrate 1, an N-type second polysilicon film 9 formed in an upper side of the N-type diffusion layer 8 on the semiconductor substrate 1 and a nickel cilicide 12 formed on the second polysilicon film 9.
ダイオード素子２４は、半導体基板１に形成されたＰ型ウェル２１と、半導体基板１におけるＰ型ウェル２１の上に形成されたＮ型拡散層８と、半導体基板１上におけるＮ型拡散層８の上側に形成されたＮ型の第２のポリシリコン膜９と、第２のポリシリコン膜９の上に形成されたニッケルシリサイド１２とを含む。 - 特許庁 - A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.
窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁 - In the patterned aluminum sheet, an aluminum substrate of a lower layer and an aluminum perforated sheet of an upper layer having opening parts consist of a clad sheet integrated by the clad rolling, and a pattern is formed over the entire surface of the clad sheet by providing an anodically oxidized film of different tone on the surface of the perforated sheet and the surface of the substrate exposed in the opening parts.
下層のアルミニウム基板と開口部を備えた上層のアルミニウム開口板とがクラッド圧延により一体化されたクラッド板から成り、開口板の表面および開口部内に露出した基板の表面に、異なる色調の陽極酸化皮膜を備えたことにより、クラッド板の表面全体に模様が形成されている模様付アルミニウム板。 - 特許庁 - This tube container 1 includes: a body portion 2 with a laminated structure including a metal foil as a barrier layer; a head portion 4 continuously provided at the upper end of the body portion 2 and having a spout 3 for a content; and a sheet-like shoulder pad 5 containing the barrier layer consisting of metal for covering the inner face of the head portion 4 and closing the spout 3.
このチューブ容器１は、金属箔をバリア層として含む積層構造の胴部２と、該胴部２の上端に連設され、内容物の注出口３を有するヘッド部４と、金属材料からなるバリア層を含み、前記ヘッド部４の内面を被覆するとともに、前記注出口３を閉鎖するシート状の肩パッド５と、を備える。 - 特許庁 - In an Si capacitor 10, a capacitor 40, which is composed of a lower electrode 42, dielectric layer 44, and lower electrode 46, can expand the area of the lower electrode 42-dielectric layer 44-upper electrode 46 and can obtain a high capacitance because of being formed on a wall surface of a trench 30 formed on an Si substrate 20.
Ｓｉコンデンサ１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、Ｓｉ基板２０に形成されたトレンチ３０の壁面上に形成されているめ、下部電極４２−誘電体層４４−上部電極４６の面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。 - 特許庁 - A gas fuel feeding device 12i is arranged in a hood 21 surrounding the upper part of the charged layer 9 arranged on the downstream side of the ignition furnace, and gas fuel is ejected from a plurality of gas fuel ejection nozzles Nj extended in the moving direction of the pallet, is mixed with air and is fed to the charged layer as diluted gas fuel.
前記点火炉の下流側に配置した前記装入層９の上部を囲むフード２１内に気体燃料供給装置１２ｉを配設し、前記パレットの移動方向に延長する複数の気体燃料噴射ノズルＮｊから気体燃料を噴射し、空気と混合して希釈気体燃料として当該装入層に供給する。 - 特許庁 - The semiconductor device 1 includes: an insulating film 11; a barrier layer 16 formed on the insulating film 11; an aluminum wiring 12 arranged on the barrier layer 16; a cap metal 18 or preservative treatment part 21 that is provided on an upper part of the aluminum wiring 12; and sidewalls 17 provided on lateral parts of the aluminum wiring 12.
本発明による半導体装置１は、絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されるバリア層１６と、バリア層１６上に配されるアルミ配線１２と、アルミ配線１２の上部に設けられるキャップメタル１８又は防腐処理部２１と、アルミ配線１２の側部に設けられるサイドウォール１７と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a chromium-free surface-treated galvanized steel sheet having a surface treatment film comprising an underlayer as a bonding layer formed by an organic coating agent containing a silane coupling agent and an upper coating layer thereon, and having a superior corrosion resistance and adhesiveness of the surface treatment film to a base plated steel sheet.
シランカップリング剤を含む有機系コーティング剤で形成した下層接着層と、その上の上層被覆層とから構成される表面処理皮膜を有し、耐食性に優れ且つ表面処理皮膜の下地めっき鋼板への密着性にも優れた非クロム型処理亜鉛系めっき鋼板を製造する新しい方法を提供すること。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a semiconductor chip 11, with electrodes 16 formed on the upper surface thereof, a substrate 21 having a die bonding region to which an adhesive material layer actually contacts out of an area for die-bonding the semiconductor chip thereto via the adhesive material layer 18, and a wire bonding region electrically connected to the electrodes via wires 17.
上面に電極１６が設けられた半導体チップ１１と、半導体チップが接着材層１８を介してダイボンディングされるエリアのうち当該接着材層が実際に接しているダイボンディング領域、及び、電極とワイヤ１７を介して電気的に接続されるワイヤボンディング領域を有する基板２１とを備えた半導体装置。 - 特許庁 - A method and apparatus 20 for connecting a solar cells connects an electrically conductive adhesive layer 16 on a front surface electrode 13 and a wiring member 17, and an electrically conductive adhesive layer 16 on a rear surface electrode 15 and a wiring member 17, respectively, by thermocompression-bonding simultaneously at front and rear sides using a lower-side thermocompression-bonding head 25 and an upper-side thermocompression-bonding head 26.
この太陽電池セルの接続方法及び接続装置２０では、表面電極１３上の導電性接着剤層１６と配線部材１７、及び裏面電極１５上の導電性接着剤層１６と配線部材１７を、下側熱圧着ヘッド２５及び上側熱圧着ヘッド２６によって表裏同時に熱圧着する。 - 特許庁 - The inkjet recording medium is constituted by a method wherein a lower-layer coating composition containing a water-absorbing inorganic pigment and at least one kind of polymer selected from a nitrile/butadiene copolymer and a chloroprene polymer, as a binder, and an upper-layer coating composition containing a submicrometer pigment and a binder are provided sequentially by coating on an air-permeable substrate.
透気性の支持体上に、吸水性無機顔料と、バインダーとしてニトリルブタジエン共重合体、クロロプレン重合体から選ばれる少なくとも１種類の重合体を含有する下層塗工組成物と、サブミクロン顔料及びバインダーを含有する上層塗工組成物を順次塗工することによってなるインクジェット記録媒体。 - 特許庁 - This liquid crystal display element is constituted of a lower substrate 2, an upper substrate 1 disposed oppositely to the substrate 2 and a liquid crystal/polymer composite layer 7 disposed between the substrates 1, 2 so that the layer 7 has a region A and a region B different from each other in a impressed voltage versus light transmittance characteristics in one pixel.
液晶表示素子は、下基板２と、該下基板２に対向して配置される上基板１と、上基板１及び下基板２の間に配置された液晶・高分子複合体層７とを有し、該液晶・高分子複合体層７は１画素内に於いて印加電圧−光透過率特性の相互に異なる領域Ａと領域Ｂとを有して構成されている。 - 特許庁 - The air conditioning floor surface unit and the constructing method thereof comprise a panel 2 of a fixed unit area having a large number os ventilating holes 1, a film or a sheet 3 having an adhesive layer on both surfaces on the panel, and a synthetic resinous or woven fabric, or nonwoven fabric surface finishing layer 4 of a fixed unit area having permeability on the upper surface of the film or sheet 3.
多数の通気孔１を有する一定単位広さのパネル２と、該パネル上に両面に粘着剤層を有するフィルム又はシート状物３と、更に、その上面に一定単位広さの通気性を有する合成樹脂製、織布製又は不織布製表面仕上げ層４を有する空調用床面ユニットおよびその施工方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing the magnetic recording medium includes processes of: disposing at least a silicon layer on a substrate; disposing an uneven structure including regularly arranged projections on the silicon layer; disposing magnetic material on the upper surfaces of the projections and within recessed parts of the uneven structure; and allowing the magnetic material disposed within each recessed part to be changed into silicon compound by heat treatment.
基板上に少なくともシリコン層を配置する工程と、該シリコン層の上に突起物を規則的に配列してなる凹凸構造を配置する工程と、該突起物の上面と該凹凸構造の凹部に磁性体を配置する工程と、熱処理により該凹部に配置した磁性体をシリコン化合物とする工程を含む磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - The upper layer of each side strand is constituted by twisting resin wires constituted so as to have diameters larger than the diameter of the element wire to form spaces between the side strand and the core rope, and among each side strand by the presence of the resin wires having relatively larger diameters, and the resin for coating the outer layer is pressed and filled into the spaces.
各側ストランドの上層が素線径よりも大きな径に構成された樹脂線を撚りあわせて構成され、相対的に径の大きな前記樹脂線の存在により前記側ストランドと心ロープ間、各側ストランド間にそれぞれ隙間が形成され、それらの隙間を通して外層被覆用の樹脂が圧入充填されている。 - 特許庁 - Polysilicon electric charge transfer electrodes 34, 35, adjacent to each other in an electric charge transfer direction, are polished by the CMP method and formed to have nearly the same thickness, without being overlapped, and electric charge transfer electrodes adjacent in a direction of crossing (or orthogonal to) the electric charge transfer direction are electrically connected by a metallic wiring layer 37, provided to the upper layer.
電荷転送方向に隣接するポリシリコン電荷転送電極３４，３５がＣＭＰ法により研磨されて重ならずに略同じ厚みに形成され、電荷転送方向と交差（または直交）する方向に隣接する電荷転送電極の間が上層に設けられた金属配線層３７によって電気的に接続されている。 - 特許庁 - The building has a heat insulated space 3 below the first floor in the area exposed from ground surface along the reinforced concrete continuous footing 1 of the outer circumference of a building, and consists of a heat storage layer made of a reinforced light bubble concrete panel 6, and the first floor 9 including floor finish materials 8 in the upper part of the heat storage layer.
建物外周の鉄筋コンクリート布基礎１の地表からの露出部分で断熱して断熱空間とした１階床下空間３を有すると共に、鉄筋補強された軽量気泡コンクリートパネル６からなる蓄熱層と、該蓄熱層の上層に床仕上げ材８を含む１階床部９と、を有することを特徴とする。 - 特許庁 - This method comprises the steps of forming a plurality of conductive members (54) separated by gaps (60), forming a first dielectric layer (58) in an upper part of the plurality of conductive members thus separated by a spin-on process, thereby forming at least one air region (60) by bridging at least one gap by the first dielectric layer.
この方法は、間隙（６０）によって分離された複数の導電部材（５４）を形成する工程と、分離された複数の導電部材の上方に第１誘電層（５８）をスピンオンプロセスにより形成し、同第１誘電層によって少なくとも１つの間隙を架橋して少なくとも１つのエア領域（６０）を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - A photoresist layer is formed on the high part and periphery region, and the amount of exposure to the photoresist on the conductive layer on the high part is reduced by the optical mask of a gray scale, so that the photoresist is left on the upper surface of the high part but will not remain in the periphery region after the development of the photoresist, thus forming a pattern in the photoresist.
高くなった部分と周囲領域上にフォトレジスト層が形成され、フォトレジストの現像後、高くなった部分の上面にはフォトレジストが残り、周囲領域には残らないよう、グレースケールの光マスクにより高くなった部分上の導電層上のフォトレジストに対する露光量を少なくすることによって、フォトレジストにパターンが形成される。 - 特許庁
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