「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 189 190 191 192 193 194 195 196 197 .... 221 222 次へ＞- Information on a plurality of site participating subjects is stored in a database in a hierarchy structure in which the information on an introducing person from whom the site is introduced is provided in an upper rank layer when the subject participating in the site uses the site.
複数のサイト参加主体に関する情報は、当該サイト参加主体が当該サイトを利用する上で該サイトの紹介を受けた紹介者情報を上位階層に備えた階層構造をなした形でデータベースに記憶される。 - 特許庁 - The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.
シリコン窒化膜４１は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体３５の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁 - Thereafter, the upper and lower-layer photoresist films 52 and 50 on the polysilicon film 8 are removed, except those in the trench region so that the film 50 is left in the trenches by exposing and developing the films 50 and 52.
次いで、上層及び下層フォトレジスト膜に露光処理及び現象処理を施して、トレンチ内に下層フォトレジスト膜を残し、トレンチ領域以外のポリシリコン膜８上の上層フォトレジスト膜及び下層フォトレジスト膜を除去する。 - 特許庁 - A high thermal conductivity ceramic substrate 1 having a glass glaze layer 4 formed on the upper surface thereof is bonded to a metal plate 2 embedded with a metal having a thermal conductivity higher than that of the high thermal conductivity ceramic substrate 1 or a heat pipe 10.
上面にガラスグレーズ層４が形成された高熱伝導性セラミック基板１と、高熱伝導性セラミック基板１よりも熱伝導率の高い金属またはヒートパイプ１０を埋め込んだ金属プレート２とを接着する。 - 特許庁 - A local interconnect 235 extends through the upper isolation layer 204 and connects the field shield to a selected doped semiconductor region of the device (e.g., a source/drain region 211, 212 of a FET or a cathode or anode of a diode).
ローカル相互接続が、上側絶縁分離層を通って延在しており、デバイスの選択されたドープした半導体領域（例えば、ＦＥＴのソース／ドレイン領域またはダイオードのカソードもしくはアノード）にフィールド・シールドを接続する。 - 特許庁 - To mutually connect wiring, electrodes, devices, etc., which form a layered structure on a substrate and which are separated from each other by interlayer insulation in a way no ruggedness is created on the upper layer of the layered structure above connecting spots and around its circumference.
基板上で積層構造をなし且つ相互に層間絶縁される配線、電極、素子等間を、接続個所及びその周辺における当該積層構造の上層に凹凸が殆ど生じないように相互に接続する。 - 特許庁 - Out of upper and lower shield layers 21 and 11, a shield layer arranged on a side near at least a perpendicular magnetic recording head has a multilayer structure constituted of a low thermal expansion nonmagnetic material 212 and a magnetic material 211.
上部シールド層２１及び下部シールド層１１のうち、少なくとも垂直磁気記録ヘッドに近い側に配置されたシールド層を、低熱膨張非磁性材料２１２と磁性材料２１１との多層構造で構成する。 - 特許庁 - A high-side transistor HQ formed of a lateral MOSFET is formed in an upper layer of a region HR of a semiconductor substrate 29, and a low-side transistor LQ formed of a vertical MOSFET is formed in a region LR.
半導体基板２９の領域ＨＲの上層部分に横型のＭＯＳＦＥＴからなるハイサイド・トランジスタＨＱを形成すると共に、領域ＬＲに縦型のＭＯＳＦＥＴからなるローサイド・トランジスタＬＱを形成する。 - 特許庁 - This manufacturing method of the plasma display device includes a step for forming the barrier plate on a back glass substrate, and a step for forming an antistatic layer having a dielectric constant smaller than that of the barrier plate in the upper part of the barrier plate.
本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持つ帯電防止層を形成する段階を含む。 - 特許庁 - The semiconductor thin film 41, made of the amorphous silicon of a photoelectric conversion type thin film transistor 3, is provided on the upper layer side from the semiconductor thin film 25 and 26 of CMOS thin film transistors 21 and 22 for a drive circuit.
光電気変換型の薄膜トランジスタ３のアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１は、駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２のポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６よりも上層側に設けられている。 - 特許庁 - The capacitor for the noncontact IC card is constituted by respectively arranging electrically conductive metal layers 54, 54' formed by vacuum evaporation on the upper and lower faces of a tabular dielectric layer 53.
非接触ＩＣカード用コンデンサにおいて、平板状の誘電体層５３の上下に各々導電性金属層５４、５４´を蒸着により、配置して構成されることを特徴とする非接触ＩＣカード用コンデンサ２である。 - 特許庁 - To provide a multiple shaft screw press capable of improving the efficiency of dehydration of the whole dehydration machine by stabilizing the quantity of filtration water while suppressing the deposition of a sludge layer onto the inner surface of a screen at least on the upper part of a filtration chamber.
スクリーン内面に汚泥層が堆積することを少なくともろ室上部において抑制してろ過水量を安定させることで、脱水機全体の脱水効率を向上させることができる多軸スクリュープレスを提供する。 - 特許庁 - When the resin molding is molded, by injection molding, on the electric cable by use of an upper mold and a lower mold, the molding is performed so that the foam layer 15 of the electric cable is vertically compressed but not laterally compressed.
また、前記の電気ケーブルに、上金型と下金型により樹脂成形体を射出成形に成形するに際して、電気ケーブルの発泡層１５が上下方向で圧縮をうけ、横方向に圧縮を受けないようにして成形する。 - 特許庁 - The nitride-based semiconductor device comprises a substrate made of an n-type nitride-based semiconductor doped with hydrogen, and an n-type nitride-based semiconductor layer doped with one of Si, Se, and Ge formed on the upper surface of the substrate.
酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、Si、Se及びGeのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層とを窒化物系半導体素子が備える。 - 特許庁 - Consequently, fine projecting sections 2 composed of circular carbon nanotubes having a diameter of 2-5 nm, a height of 500 nm, and closed upper ends are formed on the surface of the layer 1.
熱および空気中の酸素により、ＳｉＣの結合が切断され、Ｓｉ原子が除去されてＳｉＣ層の表面に、径が２〜５ｎｍ、高さが５００ｎｍの円形の上端が閉じた構造のカーボンナノチューブからなる微細な凸部２が形成される。 - 特許庁 - The respective plaster boards 12 are arranged side by side in the state of abutting end faces each other on the lower surface of the wood board 11, and are bonded on the entire surface to the wood board 11 through an adhesive layer 15 formed on an upper surface.
各石膏ボード１２は、木材ボード１１の下面において互いの端面同士を当接させた状態で横並びとされ、その上面に形成された接着層１５を介して木材ボード１１に全面接着されている。 - 特許庁 - An aluminum electrode 104 for an outside connection formed on the surface of a silicon substrate 101 and the protruded electrode 114 are connected by using a conductive resin layer 108 whose upper and lower parts are covered by insulating resin layers 107, 109.
シリコン基板１０１表面上に形成された外部接続用のアルミニウム電極１０４と突起電極１１４とを導電性樹脂層１０８により接続し、その上下を絶縁性樹脂層１０７、１０９により覆う。 - 特許庁 - A seal means 140 having a metal-comprising layer 202 is brazed through a braze material 204 between an upper platen 106 and an extension member 142 of a supporting platform housing 108 that have different thermal extension coefficients.
異なる熱膨張係数を有する上部平盤１０６と支持プラットフォームハウジング１０８の延長部材１４２との間にろう付け材料２０４を介して金属包含層２０２をもったシール手段１４０をろう付けする。 - 特許庁 - Urethane 70 is injected from openings 40C formed in an upper location of the partition wall 40, however, deformation of the partition wall 40 is small, since foaming pressure is received by the reinforcing plates 60, to thereby positively form the prescribed heat insulation layer and the space.
ウレタン７０は隔壁４０の上部に設けた開口部４０Ｃから注入するが、発泡圧は補強板６０が受圧するので隔壁４０の変形は小さく、所定の断熱層と空間が確実に形成できる。 - 特許庁 - A conductive bump construction for IC (Integrated Circuit) construction has a passivation layer such as silicon oxide/nitride silicon stack, which is formed on each upper surface of IC conductive contact pads (e.g., Al pads).
集積回路（ＩＣ）構成体用の導電性バンプ構成体が、シリコン酸化物／窒化シリコンスタック等のパッシベーション層を有しており、それはＩＣの導電性コンタクトパッド（例えば、Ａｌパッド）の各々の上表面上に形成されている。 - 特許庁 - This plate for preventing scattering of the sand is characterized by providing an elastic plate material from a material having moderate elasticity, forming plural slits extending from the upper edge of the plate material to the middle thereof and forming an adhesive layer in place under the undersurface of an elastic plate.
適度の弾力性を有する素材にて弾力板体を設け、該板体の上縁より中程に至るスリットを複数個形成し、弾力板体裏面下部適所に粘着層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁 - The printed circuit board 4 is supported while sandwiched between the circuit board upper surface support portion 34 formed on the cover 32 and the projection portion 51 formed on the conductor plate 5 to ground the ground layer 42 through the conductor plate 5.
そして、プリント配線板４が、カバー３２に形成された配線板上面支持部３４と、導体板５に形成された突出部５１とにより挟まれて支持されることによって、グランド層４２が導体板５を介して接地されている。 - 特許庁 - An insulating film 106 is formed so as to cover a part of the upper face of the piezoelectric body thin-film 105, one of side faces of the piezoelectric body thin-film 105, and one of side faces of the lower electrode layer 104 in the same flat face as the side faces.
圧電体薄膜１０５の上面の一部と、圧電体薄膜１０５の側面の一つと、その側面と同じ平面内の下部電極層１０４の側面の一つと、を覆うように絶縁膜１０６を形成する。 - 特許庁 - The top face of the heating component 100 is adhered to the lower face 20b of the upper layer circuit board 2 with a conductive adhesive 6.
一方、下層回路基板１に対して層間接続部材３により所定高さの位置には上層回路基板２を配置し、発熱部品１００の天面を上層回路基板２の下面２０ｂに導電性接着剤６で接着する。 - 特許庁 - Plasma treatment is executed to a substrate 2, wherein a positive electrode 31 corresponding to a pixel and a section 21 divided by a bank 20 are formed CF_4 to make an upper surface 20c and a side face 20d of an organic substance bank layer 20b that repels liquid.
画素に対応する陽極３１と、バンク２０によって仕切られた区画２１とが形成されている基板２に対してＣＦ_４プラズマ処理を行い、有機物バンク層２０ｂの上面２０ｃおよび側面２０ｄを撥液化する。 - 特許庁 - A tunnel insulating film and a charge film are formed on a silicon substrate 11, and two or more elements separating and insulating films 12 are formed to mark off the upper layer of the silicon substrate 11 as semiconductor parts 13 that extend in the direction of a memory string.
シリコン基板１１上にトンネル絶縁膜及びチャージ膜を形成し、複数の素子分離絶縁膜１２を形成して、シリコン基板１１の上層部分をメモリストリング方向に延びる半導体部分１３に区画する。 - 特許庁 - In this way, a shadow which will be inevitably cast by the upper edge of the opening of the through hole 8 when the thickness of the mask body 5 is increased is avoided, and the light-emitting layer 7 with a cross-sectional shape having an even height can be accurately formed.
これにて、マスク本体５の板厚を大きくした場合に不可避の通孔８の開口上端縁による影をなくして、均一な高さ寸法を有する断面形状の発光層７を精度良く形成することができる。 - 特許庁 - The upper layer materials comprising about 20-80 wt.% of vitreous material in an particle size of about 0.5-5 mm that converts to transmitting glass substance by firing and about 80-20 wt.% of the substrate material that converts to opaque substrate are mixed.
焼成により透光性のガラス質となる粒径約０．５〜５ｍｍのガラス質材約２０〜８０重量％と、焼成により非透光性の素地となる素地材約８０〜２０重量％を含む上層材料を混合する。 - 特許庁 - This dial is provided with a light emitting member 11, a light translucent color member 36 arranged in an upper side of the light emitting member 11, and a thin metal layer 15 having light translucency provided in a lower face of the light translucent color member 36.
発光部材１１と、この発光部材１１の上側に配置される光透過性カラー部材３６と、この光透過性カラー部材３６の下面に設けられた光透過性を有する薄膜金属層１５とを備えた。 - 特許庁 - At removing of an insulating coat layer 82, under such condition as a gap S is formed between a first side surface 801 of a conduction part 84 and an upper surface 211 of a load receiving part 21, a square rod 8 is pressed against a dice 2 by a pusher 3.
絶縁被膜層８２を除去するに当たっては、導通部８４の第１側面８０１と荷重受部２１の上面２１１との間に隙間Ｓを形成した状態で、プッシャー３によって角線８をダイス２に押さえ込む。 - 特許庁 - The effective oxide film thickness of a gate insulating film 15 at the upper part of the channel region 12 without the charge storage layer is made thinner than the effective oxide film thickness of the gate insulating films 19 and 20, in a region with the charge storage layers 18a and 18b.
電荷蓄積層のないチャネル領域１２上部のゲート絶縁膜１５の実効的酸化膜厚を電荷蓄積層１８ａ、１８ｂの持つ領域のゲート絶縁膜１９、２０の実効的酸化膜厚より薄くする。 - 特許庁 - To provide a method for closing a through hole which is intended to enhance reliability in products or a flatness of an upper layer, and further in which a problem of contamination does not occur, by not forming so large recesses in a vertical direction of a filler.
充填物の上下にさほど大きな凹みができないようにして，製品の信頼性や上層の平坦性の向上を図り，また汚染の問題も生じないようにしたスルーホールの閉鎖方法を提供すること。 - 特許庁 - The lower marking part 99A of the marker 99 is arranged at a position with a distance corresponding to a suitable layer thickness of mixed rice, and the upper marking part 99B is arranged at a position higher than the lower marking part by one grain.
層厚マーカー９９の下段マーク部９９Ａは、混合米の好適な層厚に対応した離間寸法位置に配置され、上段マーク部９９Ｂは、下段マーク部９９Ａよりも一粒分だけ上方位置に配置されている。 - 特許庁 - The upper surface of the wafer is covered with a metal mask opened at a part of the region of the electrode 14, and then a thin film layer, which is very thin of tin having a thickness of about 1 to 10 nm, is formed by chemical vapor deposition method or physical vapor deposition method.
外部接続用電極１４の領域の部分を開口したメタルマスクで覆い、次にＣＶＤ法またはＰＶＤ法により厚みがおよそ１ｎｍから１０ｎｍの錫のごく薄の薄膜層を形成する。 - 特許庁 - A blocking plate 33 provided along the edge of the drainage precipitating tank 3 blocks the mixture of fine solids into overflowing water and facilitates only the upper layer to be fed to the water purifying tank 4, so that the load of the water purifying tank is reduced and clean water is obtained all times.
汚水沈澱槽３の縁に沿って設けた阻止板３３が、越流水に微細固体が混入するの阻止し、上澄みのみが浄水槽４に送られ、浄水槽の負荷が軽減され、常に清浄な清水が得られる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a flash memory which prevents an occurrence of an abnormal oxidation due to an exposure of a metal layer in the upper part of a gate when an insulating film spacer is removed, and can enhance the reliability of the process.
絶縁膜スペーサの除去の際にゲート上部の金属層が露出して異常酸化が発生することを防止して工程の信頼性を向上させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The outer peripheral side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.
絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁 - The main body 2 includes a main part 2M including a plurality of layer portions 10 and a plurality of terminals 4 that are disposed on at least either one of the upper or lower surface of the main part 2M and are connected with the plurality of wires W.
本体２は、複数の階層部分１０を含む主要部分２Ｍと、主要部分２Ｍの上面と下面の少なくとも一方に配置されて複数のワイヤＷに接続された複数の端子４とを有している。 - 特許庁 - In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.
素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。 - 特許庁 - The DRAM cell is equipped with: a substrate 100 composed of a semiconductor material and having a main surface 102; a transistor 120 formed on the main surface 102; and a magnetic capacitor 140 formed in a metal layer provided on the upper side of the transistor 120.
ＤＲＡＭセルは、半導体材料からなり、主表面１０２を有する基板１００と、主表面１０２に形成されたトランジスタ１２０と、トランジスタ１２０の上方に設けた金属層に形成した磁器コンデンサ１４０とを備える。 - 特許庁 - On an upper layer of control software of the image processing apparatus, an interpreter 45 is provided to transmit and receive, code and decode, interpret, and execute mobile agents, and to execute mobile agents 41, 42 that are moved from client devices such as computers or word processors.
画像処理装置の制御ソフトウェアの上位層に、モバイルエージェントを送受信、符号／復号化、解釈、実行するインタープリタ４５を配し、コンピュータやワードプロセッサなどのクライアント装置から移動してきたモバイルエージェント４１、４２…を実行する。 - 特許庁 - To provide a high-reliability device configuration by achieving secure element isolation by a simple technique minimizing the increase of processes without causing warpage in a substrate nor degrading crystallinity of a compound semiconductor layer on the upper side of the substrate.
工程増を最小限とした簡便な手法で、基板に反りを生ぜしめることなく、また基板上方の化合物半導体層の結晶性を損なうことなく確実な素子分離を実現し、信頼性の高い装置構成を得る。 - 特許庁 - The frame 21 side end of a piezoelectric conversion region where a piezoelectric layer 24b touches the lower electrode 24a and the upper electrode 24c, respectively, in the piezoelectric conversion unit 24 is aligned with the boundary of the frame 21 and the cantilever 22.
圧電変換部２４において圧電層２４ｂと下部電極２４ａおよび上部電極２４ｃそれぞれとが接する圧電変換領域のフレーム部２１側の端を、フレーム部２１とカンチレバー部２２との境界に揃えてある。 - 特許庁 - The upper clad layers 15a of the mesa structure part 19a includes a first region 151a arranged on the core layer 14a, and a second region 152a and a third region 153a arranged on the first region 151a in parallel.
メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。 - 特許庁 - A phase control part 10 of the Mach-Zehnder type optical modulator 1A has mesa structure parts 19a, 19b containing an n-type lower clad layer 13, core layers 14a, 14b, and upper clad layers 15a, 15b respectively.
マッハツェンダー型光変調素子１Ａの位相制御部１０は、ｎ型下部クラッド層１３、コア層１４ａ及び１４ｂ、並びに上部クラッド層１５ａ及び１５ｂをそれぞれ含むメサ構造部１９ａ及び１９ｂを有する。 - 特許庁 - As shown in chart (a) in Fig.3, a multimode VCSEL that has yet to suffer ESD damage exhibits an emission spectrum showing a number of peaks corresponding to the structure of an active layer (MQW) and upper and lower reflectors (DBR).
図３（ａ）は、ＥＳＤダメージを受ける前のマルチモードＶＣＳＥＬの発光スペクトラムを示しており、活性層（ＭＱＷ）及び上下の反射鏡（ＤＢＲ）の構造に対応した数分のピークを示す発光スペクトラムが得られる。 - 特許庁 - To provide a composition for a thermosetting silicon-containing film allowing formation of a silicon-containing film which can be used as a good dry etching mask and having good etching selectivity especially with a photoresist on an upper layer in a multilayer resist process.
多層レジスト法において、良好なドライエッチングマスクとして使用できるケイ素含有膜を形成でき、特に上層のフォトレジストとのエッチング選択性が良好な熱硬化性ケイ素含有膜形成用組成物の提供。 - 特許庁 - There is provided an upper semiconductor multilayer 26, which contains semiconductor layers 24 and 25, over a structure in which an active layer 11 is embedded in a semiconductor and grown, and a lower semiconductor multilayer 5, which contains semiconductor layers 3 and 4 grown under the structure.
活性層１１とそれを半導体埋込成長した構造の上下に、半導体層２４／半導体層２５の上部多層半導体層２６と、半導体層３／半導体層４の下部多層半導体層５を有する。 - 特許庁 - A groove part 31 is formed between the adjacent ridge parts 30 and a wiring layer 35 for electrically connecting an upper electrode 33 with a pad electrode 34 is disposed in hollow at least over the groove part 31.
互いに隣接するリッジ部３０の間に溝部３１が設けられており、上部電極３３とパッド電極３４とを電気的に接続する配線層３５が、少なくとも溝部３１上において中空に配置されている。 - 特許庁 - In relation to a sealing material formed by covering a flexible foamed body formed of synthetic rubber, natural rubber or a thermoplastic resin with adhesive butyl rubber, this butyl rubber composite sealing material is characterized by one part of its upper surface being a foamed body exposing layer.
合成ゴム、天然ゴムまたは熱可塑性樹脂よりなる柔軟な発泡体を粘着性ブチルゴムで被覆したシール材において、上面の一部分が発泡体露出層であることを特徴とするブチルゴム複合シール材。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
