「upper layer」を含む例文一覧(11093)
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半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁 - In the interlayer insulating film 104 (or 104a and 104b), there is formed upper layer wiring comprising a barrier metal film 106 (or 106a and 106b) and a copper-containing metal film 111 (or 111a and 111b).
この層間絶縁膜１０４（または１０４ａおよび１０４ｂ）中にバリアメタル膜１０６（または１０６ａおよび１０６ｂ）および銅含有金属膜１１１（または１１１ａおよび１１１ｂ）からなる上層配線を形成する。 - 特許庁 - Then, after a magnetic film 17a' for formation of an upper pole chip is formed so as to cover the photoresist pattern 31 and the recording gap layer 9, the film is applied to anisotropic etching to form a side wall on the side end face of the photoresist pattern 31.
次に、フォトレジストパターン３１および記録ギャップ層９を覆うようにして上部ポールチップ形成用磁性膜１７ａ′を形成したのち、異方性エッチングを施し、フォトレジストパターン３１の側端面にサイドウォールを形成する。 - 特許庁 - The formation of an upper electrode 42 is performed by transforming a liquid 2 containing fine metallic particles into a metallic film through heat treatment after the liquid 2 is applied directly to the surface of a piezoelectric layer 40 in a pattern by means of an ink-jet head 101.
上部電極４２の形成を、インクジェットヘッド１０１により金属微粒子を含有する液体２を圧電体層４０の上に直接パターン塗布した後、熱処理を施して液体２を金属膜に変換することで行なう。 - 特許庁 - In the tubular mold casting for metal injection molding, having a coating layer for releasing from the mold and/or preventing the reaction on the inner surface of the tube, a gas exhaust hole for exhausting the gas from the inner part of the tube, is provided at a position defining the upper part when the casting is performed.
離型及び／又は反応防止用のコーティング層を管内面に有する金属射出成型用管状モールドにおいて、鋳込み時に上部となる位置に管内からガスを排除するための排気孔を備えるもの。 - 特許庁 - The flat top surface Σ of a p-type contact layer 105b is a surface exposed when the unnecessary part (the upper part on the common crowning of the resonator) of the insulating wall 110 which once laminated uniformly to a junction side is removed by an etching treatment.
ｐ型コンタクト層１０５ｂの平頂面Σは、ジャンクション側に一旦略一様に積層した絶縁壁１１０の不要部分（共振器の平頂部の上の部位）をエッチング処理によって除去した際に露出した面である。 - 特許庁 - Using concrete incorporated with steel as a base metal, the tin can form a sprayed coating at a high sticking ratio, and, at the time when titanium is thermally sprayed on the upper layer thereof, and electric current is made to flow from an external power source device, electrolytic protection effect can be obtained.
鋼材を内蔵したコンクリートを基材として、錫は溶射皮膜を高い付着率で形成することができ、チタンを上層に溶射することによって、外部電源装置から電流を流すと電気防食効果を得る。 - 特許庁 - By pressing down of a start switch, a paper feed base 2 is lifted till the paper uppermost surface position reaches a lower limit value level B and stopped, at this time, air 10 is blown mainly toward an upper layer part of paper 1 by a blower 20 (preliminary handling).
スタートスイッチの押下により、用紙最上面位置が下限値レベルＢになるまで給紙台２が上昇して停止し、この時点でブロワ２０により主に用紙１の上層部に向けてエアー１０が吹き付けられる（予備捌き）。 - 特許庁 - This ceramics heater is provided with: a ceramic base body 11 for mounting a substrate on the upper surface; a heating element 12 embedded in the ceramic base body 11; and a reaction layer 13 with a sacrifice coil wound around the heating element 12 carbonized or oxidized by being baked.
上面に基板を載置するセラミックス基体１１と、セラミックス基体１１に埋設された発熱体１２と、発熱体１２に巻きつけた犠牲コイルが焼成により炭化もしくは酸化した反応層１３を備える。 - 特許庁 - The pad PD is disposed on an upper layer of at least either of the first and the second transistors NTr1, PTr1 so as to be overlapped on a part or the whole of at least any of the first and the second transistors NTr1, PTr1.
第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１の少なくとも一方の一部又は全部と重なるように、該第１及び第２のトランジスタＮＴｒ１、ＰＴｒ１の少なくとも一方の上層にパッドＰＤが配置される。 - 特許庁 - To form a thin film magnetic head by stably and satisfactorily forming a second thin film coil to be laminated on the upper face of an insulating layer for covering a first thin film coil in the thin film magnetic head by a thin film coil laminated structure.
薄膜コイルの積層構造による薄膜磁気ヘッドにおいて、第１薄膜コイルを被覆する絶縁層の上面に積層形成される第２薄膜コイルを、安定的かつ良好に形成して薄膜磁気ヘッドを構成する。 - 特許庁 - An upper layer of artificial lawn 1 is filled with a specified colored elastic granular material 54, the spectral reflectance in a wavelength band of 550 to 750nm of which is 40% or more in the spectral reflection measurement stipulated in JIS-A5759.
ＪＩＳ−Ａ５７５９による分光反射測定において５５０〜７５０ｎｍの波長域における分光反射率が４０％以上を示す特定着色弾性粒状物５３を人工芝１の上層に充填する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reproducing element of a magnetic head in which reproduction output can be stabilized and reproduction sensitivity can be improved by forming an upper part metal layer without difference in level and shortening gap length, and an information storage device provided with the element.
上部金属層を段差無く形成し、ギャップ長を短くして、再生出力の安定化、再生感度の向上が可能な磁気ヘッドの再生素子の製造方法、該素子を備える情報記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The baffle plates 1 are arranged side by side at a certain interval to be inclined in the solid/liquid separation vessel of a water cleaning equipment and each inclined plate 1 is formed with a photocatalytic layer 12 at least on the upper surface of an inclined plate body 10.
浄水施設の固液分離槽内に一定の間隔をあけて斜めに傾けて並設される傾斜板１であって、傾斜板本体１０の少なくとも上面に光触媒層１２を設けた構成とする。 - 特許庁 - The computer 104 controls a control circuit 106 based on the calculated plate thickness to move the placement table 100 in upper and lower directions and to control the interval between the peripheral surface of a rubbing roller 101 and an alignment layer of the substrate 112 to a specified value.
コンピュータ１０４は算出した板厚に基づいて制御回路１０６を制御して、載置台１００を上下方向に移動させ、ラビングローラ１０１周面と基板１１２の配向膜との間隔を規定値に維持する。 - 特許庁 - The electronic part housing package is provided with a recess 104 in which an electronic part is housed, an insulating substrate 101 having a notch 102 on its side face, and a metallization layer 105 which is formed on the upper side of the insulating substrate 101 as to surround the recess 104.
電子部品が収容される凹部１０４を有し、側面に切欠き部１０２を有する絶縁基体１０１と、絶縁基体１０１の上面に凹部１０４を取り囲むように形成されたメタライズ層１０５とを備えている。 - 特許庁 - To prevent the deformation of an electro-luminescence sheet 1 and a decoration layer 2 laid on the upper surface of the electro-luminescence sheet due to the pressing force of a mold pin for through-holes 71, 72 at the time of insert molding, and the pressing force of contact pins 81, 82 in use.
ＥＬシート１及びその上面に敷設した装飾層２が、インサート成形時のスルーホール７１、７２用の金型ピン部、及び使用中におけるコンタクトピン８１、８２の押圧によって変形することを防止する。 - 特許庁 - During the polishing of the upper surface 10b of each conductor part 10a, the hard inorganic insulating layer 11 suppresses the slackening of each conductor part 10a caused by the polishing, and short-circuiting between the conductor parts 10a is properly prevented.
各導体部１０ａの上面１０ｂを研磨している最中、硬質な前記無機絶縁層１１が各導体部１０ａが研磨によってだれるのを抑制し、よって各導体部１０ａ間が短絡するのを適切に防止できる。 - 特許庁 - According to the snow melting system, floating elements 3 each having a snow receiving portion 3a set on an upper portion thereof, are floated on a water surface of a water-storage and snow-melting tank 1 which can receive sunlight, and each snow receiving portion 3a has arranged thereon a solar heat absorbing layer made of a carbon graphite sheet 4 or the like.
太陽光を受けることが可能な貯水融雪槽１の水面に、上部を雪受け部３ａとする浮子３が浮かばされ、該雪受け部３ａにカーボングラファイトシート４等の太陽熱吸収層が設けられている。 - 特許庁 - A groundsill part 12A for installing and erecting the side face skeleton on the foundation and a floor receiving part 12 to which a floor member of the upper layer can be connected are fixed to the side face skeleton 11 by welding.
前記妻骨格１１には、当該妻骨格を基礎上に設置して立設させることができる土台部１２Ａと、上層の床部材１６を結合することができる床受け部１３とが、それぞれ溶接により固定されている。 - 特許庁 - To provide a method and a device for stably measuring a furnace terrace length in a blast furnace even in the case that measured values obtained by measuring the layer upper surface shape of charged materials include any noise.
装入物の層上面形状を計測した計測値にノイズが含まれていても、安定してテラス長さを測定することができる高炉のテラス長さの測定方法、及び高炉のテラス長さの測定装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - Also, a dielectric layer 18 is formed in a portion where the circuits 15 are formed so that a gap is filled between the branch lines L1, L2, and an upper metal case 11 and a lower metal case 12.
また、ウィルキンソン形の高周波電力分配合成回路１５を形成した部位には、分岐線路Ｌ１及びＬ２と上側金属ケース１１及び下側金属ケース１２との空間を埋めるように、誘電体層１８を形成する。 - 特許庁 - On the upper surface of the p-type clad layer 104 positioned on both sides of the ridge part Ri, a first insulating film 107a of SiO_2 fine particles and a second insulating film 107b comprising an SiO_2 film are formed in this order.
リッジ部Ｒｉの両側方に位置するｐ型クラッド層１０４の上面には、ＳｉＯ_２微粒子からなる第１の絶縁膜１０７ａ、およびＳｉＯ_２膜からなる第２の絶縁膜１０７ｂがこの順で形成されている。 - 特許庁 - A memory cell gate electrode interconnection is disposed in a bit line intersection region (TWSA), and gates for an access transistor of a memory cell are interconnected to each other, to form an intersection structure of a bit line, by using metal interconnections (MTFB, MTSB) of the upper layer.
ビット線交差領域（ＴＷＳＡ）にメモリセルゲート電極配線を配置して、メモリセルのアクセストランジスタのゲートを相互接続し、ビット線の交差構造を、その上層のメタル配線（ＭＴＦＢ，ＭＴＳＢ）を用いて形成する。 - 特許庁 - When a pull-out force is generated, of inverted-conical bearing force 37 acting from an upper surface 3b of the annular rib 3 in a diagonal upward direction in the foot protective layer 26, and a frictional force on the periphery of the existing pile 1 function to resist the pull-out force (b).
引抜力が発生した際に、根固め層２６内で環状リブ３の上面３ｂから斜め上方に向けた逆円錐状の支圧力３７の作用と、既製杭１の外周での摩擦力により抵抗する（ｂ）。 - 特許庁 - The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal.
障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。 - 特許庁 - This manufacturing method is carried out in a manner, where the upper electrode 18 of a capacitor is brought into contact with the junction layer of a transistor by a barrier metal 20 through the intermediary of a polysilicon 21 when a wiring for connecting a ferroelectric capacitor to a transistor of an Fe RAM(ferro random access memory) is formed.
ＦｅＲＡＭの強誘電体キャパシタとトランジスタとの接続のための配線形成時に、キャパシタの上部電極１８は、障壁金属２０によってトランジスタの接合層にポリシリコン２１を通じてコンタクトがなされる。 - 特許庁 - A cut is made from the upper surface to the lower surface at the side end part of a base part for mounting an IC and inserted with the terminal part, and an insulation layer is provided between the base part and the terminal part.
ＩＣを載置するベース部の側端部に上面から下面へ達する切欠部を形成し、該切欠部に端子部を挿入設置するとともに、ベース部と端子部間に絶縁層を設けたことを特徴とするＩＣ用基板。 - 特許庁 - The NiSi layer 110 is provided to be contacted with the element formation surface; and made up of a NiSi region 111 substantially not containing nitrogen and a nitride region 117 provided to be contacted with the upper part of the NiSi region 111, and containing nitrogen.
ＮｉＳｉ層１１０は、素子形成面に接して設けられ、窒素を実質的に含まないＮｉＳｉ領域１１１と、ＮｉＳｉ領域１１１の上部に接して設けられ、窒素を含む窒化領域１１７と、からなる。 - 特許庁 - The content of the soft magnetic alloy powder 11 is relatively low near the upper surface 13a and relatively high near the lower surface 13b in each alloy powder layer 13.
合金粉末層１３の上面１３ａ付近では、軟磁性合金粉末１１の含有量が相対的に低く、合金粉末層１３の下面１３ｂ付近では、軟磁性合金粉末１１の含有量が相対的に高くなっている。 - 特許庁 - A suspension of a flux consisting of KAlF_4 is applied on a brazing filler metal layer on a surface on the raised side of a projecting bar for a side wall in upper and lower wall forming parts 21 of a plate-like body 20 for manufacturing a flat tube to manufacture the flat tube.
扁平管を製造するための扁平管製造用板状体20の上下壁形成部21における側壁用凸条が隆起した側の面のろう材層に、ＫＡｌＦ_４からなるフラックスの懸濁液を塗布する。 - 特許庁 - The electrically conductive layer has a plurality of conducting wires and a second hole part that at least partially overlaps the first hole part and through which the local part of the upper surface of the heat dissipation component is exposed to the outside.
前記導電層は、複数の導線と、前記第一穴部の穴部と一部が重なってるかすべてが重なっている穴部によって前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させる第二穴部と、を具備する。 - 特許庁 - With a gas guiding pipe 4 protruding into a reactive pipe comprising a quartz pipe 41, a cylindrical silica porous layer 6 whose upper part is closed is so provided as to cover a gas guiding port 42 at the tip end part of the quartz pipe 41.
反応管内に突入されるガス導入管４を石英管４１により構成し、この石英管４１の先端部のガス導入口４２を覆うように、上部が塞がれた筒状のシリカ多孔質層６を設ける。 - 特許庁 - The final band width of the resonator expands in the case that a low density material such as aerogel and silicon dioxide deposited by sputtering method and/or CVD method is formed on the most upper layer of the sound-reflecting mirror of the acoustic element.
最終的な共振器の帯域幅は、特にエーロゲルやスパッタ法及び／又はＣＶＤ堆積された二酸化ケイ素などの低密度物質が素子の音響反射鏡の最上層となっている場合には、大きくなる。 - 特許庁 - In the groove area, at least a groove part and a solid part with a depth reaching the side surface of the optical waveguide are alternately formed in a direction parallel to the upper surface of the clad layer and perpendicular to the drawing direction of the optical waveguide.
この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。 - 特許庁 - A part, which is formed of materials made of various somewhat hard synthetic resins, a metal, wood, etc., is attached above the sponge etc., so that a main body can be formed as a two-layer type, so that its thickness can help a user's grasp, and so that the adhesive plate can be readily replaced from an upper hole.
スポンジ等の上方に硬めの各種の合成樹脂、金属、木製等の素材で形成された部分を取り付け二層型の本体にして、握りやすい厚さにし、上方の孔から粘着盤の交換も手軽にする。 - 特許庁 - This drum head laminate (10) includes upper and lower layers (12 and 14) made of synthetic plastic sheet materials and a cloth sheet material layer (16) made of impregnated polyester fibers or natural fibers sandwiched between these synthetic plastic layers.
本ドラムヘッド積層体（１０）は、合成プラスチックシート材料製の上下の層（１２、１４）、及びこれらの合成プラスチック層間にサンドウィッチした含浸させたポリエステル繊維又は天然繊維でできた布シート材料層（１６）を含む。 - 特許庁 - When the semiconductor chip plane is observed from the upper part of the main surface of the semiconductor chip, the first re-wiring layer is extended to the outside of the relevant area exceeding the contour line of that area from the plane area of the semiconductor chip.
半導体チップの主表面の上方から半導体チップを平面的に見たときに、第１再配線層は半導体チップの平面的領域内からその領域の輪郭線を越えた当該領域外へと延在している。 - 特許庁 - The source electrode 7 and the drain electrode 8 are formed of copper and a barrier metal layer 9 is provided only in a region on the lower surface of the source electrode 7 and the drain electrode 8 located above the upper surface of the ohmic contact layers 6.
そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 - 特許庁 - The method for forming the bump-forming sheet comprises steps of forming a multilayer heat resistant sheet by interposing an adhesive layer between an upper heat resistant sheet and a lower heat resistant sheet, and forming the bottomed holes through the heat resistant sheets by means of a laser irradiation device.
また本発明のバンプ形成用シートの製造方法は、上側耐熱シートと下側耐熱シートの間に粘着層を挟んで多層構成の耐熱シートとし、該耐熱シートにレーザー照射装置で有底穴を刻設する。 - 特許庁 - To effectively suppress a change of a threshold value for a nonvolatile semiconductor memory element during holding data by effectively suppressing charge emission from the upper insulating layer of the nonvolatile semiconductor memory element when holding the data.
本発明は、データ保持時の不揮発性半導体記憶素子の上部絶縁層からの電荷の放出を効果的に抑制し、不揮発性半導体記憶素子のデータ保持中の閾値変化を効果的に抑制することを目的とする。 - 特許庁 - Wiring 30 constituting the spiral inductor is electrically connected to the electrode 14, and is formed on an upper surface 24 of the resin layer 20, opposite to an undersurface 22 facing the surface with the electrode 14 of the semiconductor substrate 10.
スパイラルインダクタを構成する配線３０は、電極１４に電気的に接続され、樹脂層２０の、半導体基板１０の電極１４が形成された面と対向する下面２２とは反対の上面２４に形成されている。 - 特許庁 - In this state, the upper insulation film 7 and the base metal layer 9 formed on its surface exist among the wiring 11, so that no plating resist film 25 for forming a columnar electrode is inserted into among the wiring 11.
この状態では、配線１１間に上層絶縁膜７およびその表面に形成された下地金属層９が存在するので、配線１１間に柱状電極形成用メッキレジスト膜２５が入り込む余地はない。 - 特許庁 - It includes lower electrodes (21a, 22a) of which at least a surface layer section is formed of amorphous or microcrystal metal, an dielectric film (23a) arranged on the lower electrodes, and an upper electrode (24a) arranged on the dielectric film.
この薄膜キャパシタは、少なくとも表層部が非晶質または微結晶の金属で形成された下部電極(21a,22a)、該下部電極の上に配置された誘電体膜(23a)、及び該誘電体膜の上に配置された上部電極(24a)を含む。 - 特許庁 - The semiconductor element changes an electronic resistance between the first electrode and the second electrode by forming a conductivity bridge reversibly between the upper end of the first electrode and the second electrode in the resistance change layer.
半導体素子は、抵抗変化層内において、第１電極の上端と第２電極の間に導電性架橋を可逆的に形成することにより第１電極と前記第２電極の間の電子抵抗を変化させる。 - 特許庁 - A first capacitor 140 is built-in this multilayer wiring structure, so that opposing areas of a first lower electrode 141 and a first upper electrode 142 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become a prescribed area.
第１コンデンサ１４０は、その多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第１下部電極１４１と第１上部電極１４２との対向面積が所定面積となるように形成されている。 - 特許庁 - At least one water soluble metal salt making an aqueous solution neutral or acidic selected from an aluminum salt, a magnesium salt, a potassium salt and a zinc salt is added to the upper most ink receiving layer.
最表層のインク受理層中に、アルミニウム塩、マグネシウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩及び亜鉛塩から選択される、水溶液が中性又は酸性となる水溶性金属塩を少なくとも１種含有する事を特徴とする。 - 特許庁 - To prevent frame resist from peeling off and to prevent an unnecessary plating film from being formed on the under surface of the resist in the manufacture of a thin-film magnetic head which has an upper magnetic pole layer formed of soft magnetic alloy with high saturation magnetic flux density by plating.
高飽和磁束密度の軟磁性合金により上部磁極層がメッキ形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法において、フレームレジストの剥離を防止し、レジスト下面に不要なメッキ膜が形成されることを防ぐ。 - 特許庁 - The entirety of the laminate is then crimped, followed by notching the upper laminated body along the plane shapes of the projections 2a-2c and removing the laminated body on the release layer to form the projections 2a-2c.
そして、これらの積層体全体を圧着して、上部の積層体に対して、突出部２ａ〜２ｃの平面形状に沿った切れ込みを入れ、離型層上にある積層体を除去することで突出部２ａ〜２ｃを形成する。 - 特許庁 - A comb-shaped periodic irregular structure 8 is provided on a surface of a semiconductor layer 3, a first electrode 1 is disposed on an upper face of a projection of the periodic irregular structure 8, and a second electrode 2 is disposed on a bottom face of the dented part.
半導体層３の表面に櫛形の周期的凹凸構造８を設け、周期的凹凸構造８の凸部の上面上に第１の電極１を配置し、凹部の底面上に第２の電極２を配置する。 - 特許庁
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