「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 193 194 195 196 197 198 199 200 201 .... 221 222 次へ＞- An upper part of a circuit pattern 29 connected to the fixed side contact points 31 is covered with an insulation layer 30 with the circuit pattern 29 in a buried state, and the surface of the insulation layer 30 is protruded to make up protrusions 34, on a tip face of which, the fixed side contact points 31 is arranged to structure the fixed side formation 23.
固定側の接点３１に接続される回路パターン２９の上部を絶縁層３０で覆い、回路パターン２９を埋設状態にするとともに、絶縁層３０の表面を突出させて突出部３４を形成し、その突出部３４の先端面に固定側の接点３１を配置して固定側形成体２３を構成する。 - 特許庁 - The plurality of vacuum heat insulating material forming members 20 are laminated so that the vacuum heat insulating cells 10 of the vacuum feat insulating material forming member 20 in a lower layer are arranged between the plurality of adjacent vacuum heat insulating cells 10 of the vacuum heat insulating material forming member 20 in an upper layer when the vacuum heat insulating material 100 is viewed from the laminated direction.
そして、複数の真空断熱材形成部材２０は、真空断熱材１００を積層方向から見たときに、上層の真空断熱材形成部材２０において隣接する複数の真空断熱セル１０の間に、下層の真空断熱材形成部材２０の真空断熱セル１０が配置されるように積層されている。 - 特許庁 - The second conductive layer 24 of the conductive particle 21 is unevenly distributed asymmetrically upward and downward relative to a centerline passing through a center of the resin particle 22 of the conductive particle 21, and 70 volume % or more and 100 volume % or less of the entire second conductive layer 24 exists in an upper region or a lower region relative to the centerline.
導電性粒子２１における樹脂粒子２２の中心を通る中心線に対して、導電性粒子２１における第２の導電層２４は、上下非対称に偏在しており、上記中心線に対して上側の領域又は下側の領域に第２の導電層２４全体の７０体積％以上、１００体積％以下が存在する。 - 特許庁 - To provide a magnetic disk device having stable head output, by preventing fluctuation of head outputs caused by the magnetic domain structure of shielding layers and capable of improving a manufacturing yield by suppressing variation of products in the magnetic head provided with shielding layers, such as, a lower shielding layer and an upper shielding layer.
下部シールド層および上部シールド層といったシールド層を備えた磁気ヘッドにおいて、シールド層の磁区構造に起因するヘッド出力のばらつきを防止し、これによってより安定したヘッド出力を有するとともに、製品のばらつきを抑えて製造歩留まりを向上させることができる磁気ヘッドおよびこれを用いた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁 - An upper-layer circuit board 30 comprises, as with the intermediate circuit board 10, a flat board 31 and a frame-like board 32 pasted together, with a housing recessed part 33 for clearing the semiconductor chip 13 mounted on the intermediate circuit board 10 at a lower layer formed with a opening part 32A of the frame-like board 32.
上層回路基板３０は、中間回路基板１０と同様に互いに貼り合わされた平坦基板３１と枠型基板３２とによって構成されており、枠型基板３２の開口部３２Ａによって下層の中間回路基板１０に実装された半導体チップ１３を逃げるための収容凹部３３が形成されている。 - 特許庁 - After a GaP nanowire 13 is formed on an Si (111) substrate 11, a GaAs nanowire 14 is formed on the GaP nanowire 13 and after the GaAs nanowire 14 is removed from the upper part of the GaP nanowire 13 together with Au particulates 12, a GaAs capping layer 15 and a GaP capping layer 16 are epitaxial-grown on the (111) substrate 11.
ＧａＰナノワイヤ１３をＳｉ（１１１）基板１１上に形成した後、ＧａＡｓナノワイヤ１４をＧａＰナノワイヤ１３上に形成し、ＧａＡｓナノワイヤ１４をＡｕ微粒子１２とともにＧａＰナノワイヤ１３上から除去してから、ＧａＡｓキャッピング層１５およびＧａＰキャッピング層１６を（１１１）基板１１上にエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - An oxide film 7 is formed on the surface of the salient electrode 6 by heat-treating the salient electrode 6 in an oxidative atmosphere, and a cap layer 8 and a solder layer 9 are formed in succession on the salient electrode 6 after removing the oxide film 7 on the upper surface of the salient electrode 6, and further the salient electrode 6 is joined with a terminal electrode.
酸化性雰囲気中で突出電極６を熱処理することにより、突出電極６の表面に酸化膜７を形成し、突出電極６の上面の酸化膜７を除去した後、キャップ層８および半田層９を突出電極６上に順次形成し、突出電極６を端子電極に接合させる。 - 特許庁 - The present board forms a cavity 20 for packaging a device 8 within a five-layer structured substrate block, using two metal plates 4 and 5 as a ground electrode, handles input/output of high-frequency signals via coaxial connectors 9 and 10 connected to striplines 21 and 22, and applies bias voltage, etc., from an upper layer bias circuit 14 connected through a via hole 26.
二つの金属プレート４，５を接地電極として用いる５層構造の基板ブロック内に、デバイス８を実装するためのキャビティ２０を形成し、高周波信号の入出力はストリップライン２１，２２に接続された同軸コネクタ９，１０を介して行い、バイアス電圧等はバイアホール２６を介して接続された上位層のバイアス回路１４から入力する。 - 特許庁 - To provide an adhesive spacer for a liquid crystal display plate little in sagging down of the adhesive layer and a high in adhesive property to both the upper and the lower substrates in the case where it is fixed, and high display quality liquid crystal display plate uniform in liquid crystal layer thickness with no irregular color even if vibration or shock is added to it at a high temperature.
固定化した際の接着層の垂れ下がりは少なく、上下両方の基板への接着力が高い液晶表示板用接着性スペーサーと、高温下に振動や衝撃が加わっても、スペーサーの移動が少ないため、液晶層の厚みが均一で色ムラ等が発生せず、表示品位の高い液晶表示板とを提供する。 - 特許庁 - The semiconductor nanowire-based photosensor includes a substrate at least the upper part of which is formed of an insulator, two electrodes separated with a prescribed interval kept therebetween and formed on the substrate, a metal catalyst layer disposed on each of the electrodes, and visible-range semiconductor nanowires grown from the metal catalyst layer on each electrode.
本発明の一様態による半導体ナノ線光センサは、少なくとも上部が絶縁体からなる基板と、上記基板上に所定間隔で分離され形成された２つの電極と、上記各電極上に形成された金属触媒層と、上記各電極上の金属触媒層から成長された可視光帯域の半導体ナノ線を含む。 - 特許庁 - In this ultraviolet curing resin composition which is laminated on a cyclic olefinic resin film serving as a lower layer material to form a cured film serving as an upper layer material, an initiator of a specific polybenzophenone compound having two or more benzophenone structures in the molecule is used as a photopolymerization initiator to be contained in the composition.
下層材料としての環状オレフィン系樹脂フィルム上に積層し、上層材料としての硬化膜を形成するための紫外線硬化型樹脂組成物において、組成物中に含有させる光重合開始剤を、ベンゾフェノン構造を１分子中に２個以上有する特定のポリベンゾフェノン化合物からなる開始剤とする。 - 特許庁 - In the semiconductor device which comprises a circuit component 30 formed in a semiconductor substrate constituted as a chip, and an electrode pad 10 formed in the upper layer for electrically connecting the circuit component outside; the test element (TEG element) 20, not electrically connected to the electrode pad, is provided in the silicon substrate 1 of the lower layer region of the electrode pad 10.
チップとして構成される半導体基板に形成された回路素子３０と、その上層に形成され、回路素子を外部に電気接続するための電極パッド１０を備える半導体装置において、電極パッド１０の下層領域のシリコン基板１に電極パッドに電気接続されていないテスト素子（ＴＥＧ素子）２０を備える。 - 特許庁 - To prevent the movement and excessive ventilation of dirty indoor air between an upper layer story and a lower layer story; and to always reduce electric power consumption in ventilation by controlling an air flow by temperature difference ventilation by adjusting air supply quantity and air exhaust quantity by mechanical ventilation of a class 1 ventilation system in a two-story house.
２階建て住宅において、第１種換気方式の機械換気による給気量及び排気量を調整することで、温度差換気による空気の流れを制御して、上層階と下層階との間での汚れた室内空気の移動や過換気を防止するとともに、常時換気に際しての消費電力の低減も図る。 - 特許庁 - By electrically connecting an n-channel type MISFETQs in the direct peripheral circuit arranged in close to a memory array and a common source line PN_1 via a pad layer 16 composed of the same conductive film as that of a storage electrode 15 of the memory cell, the aspect ratio of a contact hole 22 formed at the upper part of the pad layer 16 is reduced.
メモリアレイに近接して配置した直接周辺回路のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｓと共通ソース線ＰＮ_１との接続を、メモリセルの蓄積電極１５と同一の導電膜で構成したパッド層１６を介して電気的に接続することにより、パッド層１６の上部に形成するコンタクトホール２２のアスペクト比を小さくする。 - 特許庁 - The antistatic laminated body is to be used in the polarizing plate, is composed of a light transmitting base material 2 and an antistatic layer 3 formed on the light transmitting base material and composed of an antistatic prevention agent (fine particles) 5, wherein the antistatic layer is not positioned upper than a polarizing element of the polarizing plate.
偏光板に使用される帯電防止積層体であって、光透過性基材２と、該光透過性基材の上に形成され、帯電防止剤（微粒子）５でなる帯電防止層３とにより構成されてなり、かつ、前記帯電防止層が前記偏光板の偏光素子よりも上面に位置しないものである帯電防止積層体により達成される。 - 特許庁 - Vertical cell transfer transistors Tr1, Tr2 and Tr3 having a channel region consisting of a single crystal silicon layer 18 formed by epitaxial growth, a source-drain region consisting of n-type diffusion regions 14 and 23 formed in upper and lower parts of the single crystal silicon layer 18 and an embedded gate electrode consisting of work line 21 are formed.
エピタキシャル成長により形成された単結晶シリコン層１８からなるチャネル領域と、単結晶シリコン層１８の上部と下部に形成されたｎ型拡散領域１４、２３からなるソース・ドレイン領域と、ワード線２１からなる埋め込み型のゲート電極とを有する縦型セルトランスファトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３が形成される。 - 特許庁 - The plating surface of a galvanized steel sheet is coated with a lower layer film bases on a silicic acid compound (at least a part of which preferably comprises a silane coupling agent) and a resin and containing fluoride and a phosphate compound as an F element and a P element in an amount of 0.5-5 at.% and an upper layer resin film having lubricity and fingerprint resistance.
亜鉛系めっき鋼板のめっき面を、珪酸化合物 (少なくとも一部はシランカップリング剤からなることが好ましい) と樹脂を主成分とし、フッ化物とリン酸化合物を、それぞれＦ元素およびＰ元素として 0.5〜５at％の量で含有する下層皮膜と、その上の潤滑性または耐指紋性のある上層の樹脂皮膜とで被覆する。 - 特許庁 - The angular velocity sensor includes: an analog layer 17 having the oscillator analog signal wiring pattern 18 from a surface flush with the inner bottom surface of a recess 12 in a substrate 11 to an upper side; and a digital layer 19 having the digital signal wiring pattern 21 from a surface flush with the inner bottom surface of the recess 12 to a lower side.
本発明の角速度センサは、基板１１の凹部１２における内底面と同一面から上側にかけて振動子アナログ信号配線パターン１８を有するアナログ層１７を設けるとともに、凹部１２における内底面と同一面から下側にかけてデジタル信号配線パターン２１を有するデジタル層１９を設けたものである。 - 特許庁 - Although, stripline is constituted, by forming ground electrodes GNDb, GNDa in the lower layer and the upper layer of the line conductor ML in an electrode pattern, a ground electrode non-forming part A for reducing the capacity generated between input/output terminals 13in, 13out on the rear surface electrically continuous with the line conductor and the ground electrode is provided.
電極パターンによる線路導体ＭＬの下層および上層にグランド電極ＧＮＤｂ，ＧＮＤａを形成してストリップ線路を構成するが、その線路導体に導通する裏面の入出力端子１３ｉｎ，１３ｏｕｔとグランド電極との間に生じる容量を減少させるグランド電極非形成部Ａを設ける。 - 特許庁 - A light reflecting layer 130 or a light shielding layer 150 of conductive material is formed between the insulation films of the adjacent devices and electrically connected to an upper electrode 125 to reduce fluctuations of brightness due to wiring resistance, and to prevent crosstalk between the devices, providing a homogenous and eye-friendly organic light emitting display device.
隣り合う素子の絶縁膜と絶縁膜の間に導電性材料からなる光反射層１３０あるいは光遮光層１５０を形成し、上部電極１２５と電気的に接続することで配線抵抗による輝度のばらつきを低減し、かつ素子間のクロストークを防止し、均質で見やすい有機発光表示装置を提供するというものである。 - 特許庁 - Therefore, the light from the light source 15 is diffused and reflected within the light diffusion layer 16 prepared circularly and is derived along the periphery of the watch glass 2 and then the derived light is emitted circularly from the upper and lower surface of watch glass 2 at the place corresponding to both an inner periphery edge of the light diffusion layer 16 and an inner periphery edge of the bezel 7.
従って、光源１５からの光がサークル状に設けられた光拡散層１６によって拡散反射されて時計ガラス２の周囲に沿って導かれ、この導かれた光が光拡散層１６の内周端とベゼル７の内周端とに対応する位置における時計ガラス２の上下面からサークル状に放出される。 - 特許庁 - A first interlayer connection part 48 to connect the drain region 44 and the lower electrode 52 and a second interlayer connection part 50 to connect the drain region 44 and the pixel electrode layer 34 are drawn out from respectively different positions on the drain region 44 and the upper electrode 56 for the capacitor covers the lower electrode 52 for the capacitor via the dielectric layer 54.
ドレイン領域４４と下部電極５２とを接続する第１層間接続部４８と、ドレイン領域４４と画素電極層３４とを接続する第２層間接続部５０とが、ドレイン領域４４の異なる位置から引き出されており、キャパシタ用上部電極５６が誘電体層５４を介してキャパシタ用下部電極５２を覆っている。 - 特許庁 - In the manufacturing process of the semiconductor integrated circuit using a multilayered wiring process, the wiring is formed of lower first-layer aluminum wiring 201, and upper second-layer aluminum wiring 202, and through holes 203 which electrically connect the aluminum wirings 201 and 202 to each other are disposed in an array-like (lattice-like) state.
多層配線プロセスを用いた半導体集積回路の製造工程において、配線を下位層の第１層アルミ配線２０１と上位層の第２層アルミ配線により形成するとともに、この第１層アルミ配線２０１−第２層アルミ配線２０２間を電気的に接続するスルーホール２０３をアレイ状（格子状）に配置する。 - 特許庁 - A memory device capacitor, including a transistor structure, comprises a lower electrode 40, which is formed above an impurity region 22b of the transistor structure and includes a metal electrode 36 and a metal oxide electrode 35; a ferroelectric layer 37, which is formed so that it surrounds the lower electrode 40; and an upper electrode 38 formed on the ferroelectric layer 37.
トランジスタ構造体の不純物領域２２ｂ上に形成され、金属電極３６及び金属酸化物電極３５を含む下部電極４０と、下部電極４０を取り囲んで形成された強誘電体層３７と、強誘電体層３７上に形成された上部電極３８と、を含むトランジスタ構造体を含むメモリ素子のキャパシタである。 - 特許庁 - On the p-type layer 104, a positive electrode E101 consisting of a translucent electrode E101a of oxide semiconductor, and a positive contact electrode E101b connected electrically with the translucent electrode is formed wherein the area of the positive contact electrode E101b is less than a half that of the upper surface of the p-type layer 104.
ｐ型層１０４上には、酸化物半導体からなる透光性電極Ｅ１０１ａと、透光性電極と電気的に接続した正の接点電極Ｅ１０１ｂと、からなる正電極Ｅ１０１が形成されており、正の接点電極Ｅ１０１ｂの面積は、ｐ型層１０４の上面の面積の２分の１未満である。 - 特許庁 - In applying broadcast encryption (decryption) to a hierarchical encoding strategy for image data, etc., suitable for multicast distribution, the method generates a secret key of an upper layer subordinately from a secret key (master key) corresponding to a lower layer hierarchy image by using a one-way hash function, as for a plurality of secret keys required for each image of different stage.
本発明は、マルチキャスト配信に適する映像データ等の階層符号化方式にブロードキャスト暗号化（復号化）を適用するにあたり、異なる段階の画像毎に必要となる複数の秘密鍵に対して、下位階層画像に対応する秘密鍵（マスタキー）から一方向性ハッシュ関数を用いて従属的に上位階層の秘密鍵を生成する。 - 特許庁 - A semiconductor device has: a source electrode 20, a gate electrode 24, and a drain electrode 22 formed on a nitride semiconductor layer 19; a silicon nitride film 26 formed on the nitride semiconductor layer in a state contacted with it; and an organic insulation film 32 provided in a state contacted with an upper surface of the silicon nitride film between the gate electrode and the drain electrode.
窒化物半導体層１９上に形成されたソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２と、前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜２６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜３２と、を含む半導体装置。 - 特許庁 - A concealing layer main body, which can not be viewed in an ordinary and general state but contains a light reflecting substance transparentizing a layer irreversibly when a transparentizing means is added from the upper surface of a transparent film and a light absorbing substance having a light absorbing function, is formed on the undersurface of the transparent film to constitute a concealing seal.
透明フィルムの一側下面に、普通一般の状態では目視することができない反面、一側上面から透明化手段を加えると不可逆的に層を透明化する光反射物質並びに光を吸収する機能を有する光吸収物質とを含む隠蔽層本体を形成したことを特徴とする隠蔽シール。 - 特許庁 - In an external electrode 8 provided on a semiconductor device 1 of P-VQFN as one of non-lead surface mounting, a metal plating layer 8b composed of a metal such as copper (Cu) and a solder plating layer 8c composed of a solder are respectively formed on the upper surface and lower surface of an electrode part 8a (on the mount face side and opposite side of a package 7).
ノンリード表面実装の１つであるＰ−ＶＱＦＮの半導体装置１に設けられた外部電極８には、電極部８ａの上面と下面（パッケージ７の実装面側とその反対面側）に銅（Ｃｕ）などの金属による金属めっき層８ｂ、およびはんだによるはんだめっき層８ｃがそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - In the solar cell watch having such a structure that the indication plate obtained by laminating a transparent substrate 15 on the solar cell 11 through a light-transmissive hologram reflection plate 13 and an adhesive layer 14 is arranged therein, a colored layer 16 whose color is similar to reflected light, is disposed on the under surface of the transparent substrate, or the upper or under surface of the hologram reflection plate.
ソーラーセル付携帯時計で、ソーラーセル１１の上に光透過性のホログラム反射板１３と接着層１４を介して、透明基板１５を積層した表示板を配置した構造で、前記透明基板の下面もしくはホログラム反射板の上面またはもしくは下面に反射光と同系統色の着色層１６を設ける。 - 特許庁 - Moreover, the capacitor is provided with the SiO2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and a wiring 105, a contact hole 103a for a W-plug 113 to electrically connect the impurity layer 117 and lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and the wiring 105.
さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.
半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁 - The blank for the reflective photomask includes a structure including a plurality of films differing in reflection factor to an exposure wavelength and a protective film covering the entire peripheral surface of the structure so that the outgas component does not stick to the surface of the structure, wherein the structure is constituted by having a substrate, a multilayer reflective film, a capping film, a lower-layer absorption film and an upper-layer absorption film.
露光波長に対する反射率の異なる複数の膜から構成された構造体と、構造体の周囲全面にアウトガス成分が付着しないように被覆された保護膜と、構造体は、基板と、多層反射膜と、キャッピング膜と、下層吸収膜と、上層吸収膜と、を有し構成されたことを特徴とする反射型フォトマスク用ブランク。 - 特許庁 - Of two base surfaces adjacent on the upper surface 5c, the lower surface 5d and side surfaces 5e, 5f of the ceramic base 5, the base surface having a smaller distance to the inner electrode layer disposed nearest in the plurality of first and second inner electrode layers 7, 8 has a surface roughness larger than the surface roughness of the base surface having a larger distance to the inner electrode layer.
セラミック素体５の上面５ｃ、下面５ｄ、及び側面５ｅ，５ｆにおいて隣り合う２つの素体面のうち、複数の第１及び第２の内部電極層７，８の中で最も近くに配置された内部電極層との間の距離が小さい方の素体面の表面粗さは、その距離が大きい方の素体面の表面粗さより大きい。 - 特許庁 - The hologram recording medium 10 constituted by laminating at least a lower transparent base material 11, a recording layer 12 made of a photosetting organic material, and an upper transparent base material 13 is characterized in that spacers (fine particle 14) maintaining the thickness of the recording layer 12 are dispersedly arranged in the recording medium in the main surface direction of the hologram recording medium 10.
少なくとも下部透明基材１１、光硬化性有機材料からなる記録層１２、上部透明基材１３とが積層されてなるホログラム記録媒体１０において、記録層１２内部に、該記録層１２の厚みを維持するスペーサ（微小粒子１４）が当該ホログラム記録媒体１０主面方向に分散配置されている。 - 特許庁 - When the coin C falls by its own weight from the second coin drop hole 16a, the drop direction of the coin C receives interference from an interfering body 29 varied, according to the denominations identified in the denomination identifying part, and the coin C selectively reaches either the first coin storage part 8y on the lower layer side or the second coin storage part 8x on the upper layer side.
硬貨Ｃが第２の硬貨落下穴１６ａから自重で落下した場合、その硬貨Ｃの落下方向は金種識別部で識別された金種に応じて変動する干渉体２９によって干渉を受け、下層側の第１の硬貨収納部８ｙと上層側の第２の硬貨収納部８ｘとのいずれかに選択的に到達する。 - 特許庁 - In a solid-state imaging element comprising the wiring layer on the light receiving part, a means which diffuses the incident light is installed in such a way that an insulating film comprising a concavely worked part is formed in the upper part of the wiring layer, and that another insulating film whose refractive index is smaller than the refractive index of the insulating film comprising the concavely worked part is formed on it.
受光部上に配線層を有する固体撮像素子において、前記配線層の上方に凹状の加工部を有する絶縁膜を形成し、さらにその上に、前記凹状の加工部を有する絶縁膜の屈折率よりも小さい屈折率を有するもう一つの絶縁膜を形成することにより、入射光を拡散させる手段を設ける。 - 特許庁 - This decurling mechanism is provided with a holder 3 which holds the roll paper 7 with the thermosensitive coloring layer 7' rolled its inside in such a state as being pulled out with the thermosensitive coloring layer 7' facing downward, and a correction edge 11 which abuts on the upper surface of the roll paper 7 to be pulled out from the holder 3 and decurls the roll paper 7.
感熱発色層７’を内側にして巻回したロール紙７を、その感熱発色層７’が下面となる状態で引き出されるように保持するホルダー３と、該ホルダー３から引き出されるロール紙７の上面に当接して該ロール紙７を巻き癖と逆方向に屈曲させる矯正縁１１とを備えてなるように巻き癖矯正機構を構成した。 - 特許庁 - The liquid crystal display device 20 is a transflective liquid crystal display device 20 which has liquid crystal 26 is held between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 arranged opposite each other, and provided with a translucent reflecting layer 35 made of cholesteric liquid crystal and a pigment color filter layer 32 on the lower substrate 23 and equipped with a back light 22.
本発明の液晶表示装置２０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶からなる半透過反射層３５と顔料カラーフィルター層３２とが設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁 - Further, it is provided with a SiO2 layer 118 to electrically insulate the upper electrode 107 from a wiring 105, a contact hole 103a for forming a W plug 113 to electrically connect the doped layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b to electrically connect the lower electrode 111 and the wiring 105.
さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁 - Further, the capacitor 102 is provided with an SiO_2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and wiring 105, a contact hole 103a to form a W-plug 113 for electrically connecting an impurity layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and wiring 105.
さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。 - 特許庁 - This tag-holding card type cartridge for holding the tag having the reversible recording layer allowing reversible display or erasure of a visible image by a temperature at least on one face is formed with a recessed part sunk with the tag in an upper face thereof, and is formed with an absorbent foamed resin layer wherein bubbles are exposed in the bottom face of the recessed part.
温度により可逆的に可視画像を表示し又は消去することが可能な可逆性記録層を少なくとも一方の面に有するタグを保持するためのタグ保持用カード型カートリッジを、その上面にタグが没入する凹部を設け、この凹部の底面に、気泡を表出させた吸着性発泡樹脂層を設けて構成する。 - 特許庁 - The programmable controller at an upper layer calculates time from transmission of a time counting command according to timing of a CPU interruption signal 15 synchronized with voltage waves of a commercial power source 1 (d1), reception of the command by the programmable controller at a lower layer (d2) to return of a response command according to the timing of the initial CPU interruption signal 15 (d3).
上位層のプログラマブルコントローラは、商用電源１の電圧波に同期したＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って時間計測コマンドを送信してから（ｄ１）、下位層のプログラマブルコントローラが受信し（ｄ２）、最初のＣＰＵ割込信号１５のタイミングに従って応答コマンドを返送する（ｄ３）までの期間における時間を求める。 - 特許庁 - The memory device 100 comprising an organic material layer 20 between an upper electrode 10 and a lower electrode 30, The organic material layer 20 comprises a dendrimer containing at least one electron donating group and at least one electron accepting group.
上部電極１０と下部電極３０との間に有機材料層２０を含むメモリ素子１００であって、有機材料層２０が、少なくとも１つの電子供与基（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎａｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）および少なくとも１つの電子受容基（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｃｃｅｐｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）を有するデンドリマーを含む。 - 特許庁 - The purified polyol is obtained by adding a decomposing agent comprising an amine compound and a derivative thereof in a molar ratio of 1/1.25 to 10/1 based on a urethane bond contained in the polyurethane resin to chemically decompose the polyurethane resin, separating the obtained polyurethane-decomposed product, and distilling a crude polyol layer which is the upper layer under a reduced pressure.
この発明は、ウレタン樹脂中に含まれるウレタン結合に対して、アミン化合物及びその誘導体からなる分解剤をモル比で１／１．２５〜１０／１添加し、化学分解して得られたウレタン樹脂分解物を分離させ、上層である粗製ポリオール層を減圧蒸留することによって、精製ポリオールを得ることを特徴とする。 - 特許庁 - Here, each bank 19 is structured, such that a lower metal layer 19a formed of the thin film of titanium, chromium, etc., and an upper metal layer 19b formed of the thin film of aluminum, copper, etc., are laminated on a base insulating film 18, formed covering column-directional peripheral edge portions of pixel electrodes 15 formed in the respective pixel formation regions Rpx.
ここで、バンク１９は、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１５の列方向の周縁部を覆うように形成された下地絶縁膜１８上に、チタンやクロム等の薄膜からなる下層金属層１９ａと、アルミニウムや銅等の薄膜からなる上層金属層１９ｂとを積層した構造を有している。 - 特許庁 - A glass window 106 at a lower face of a box 104 in which a UV lamp 102 of the UV irradiation means 100 disposed above the platen 20 is stored is formed in a three layer structure wherein a vacuum layer 109 which resists conduction of radiant heat or the like emitted from the UV lamp 102 is interposed between upper and lower two sheets of glass plates 107 which can pass ultraviolet rays.
プラテン２０上方に配置されたＵＶ照射手段１００のＵＶランプ１０２が収容されたボックス１０４下面のガラス窓１０６が、紫外線が通過可能な上下２枚のガラス板１０７の間に、ＵＶランプ１０２から発せられた輻射熱等が伝わりにくい真空層１０９が介在する３層構造に形成する。 - 特許庁 - The water sealing walls 4, as shown in a of the figure, have the lower ends set lower than the polluted region 2, and distantly set from an upper face of of a water impermeable layer or a hardly water permeating layer 9 spread in the polluted soil 3, to allow ground water to flow into a washing space 10 in the polluted soil 3 put between the water sealing walls 4.
ここで、遮水壁４は同図(a)に示すように、その下端を汚染領域２より下方であって汚染土壌３内に拡がる非透水層又は難透水層９の上面から離隔させてあり、遮水壁４，４に挟み込まれた汚染土壌３内の洗浄空間１０に地下水が流入できるようになっている。 - 特許庁 - The organic electroluminescence element and its manufacturing method are such that by thin forming an inorganic pixel defining film layer having an opening exposing at least a part of the upper part of a first electrode by a vapor deposition method, breakage of the formed organic film layer pattern caused by the step between the first electrode and the inorganic pixel defining film can be prevented.
前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法は、第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜を蒸着法を用いて薄く形成することにより、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐといった効果がある。 - 特許庁 - Both of a lower resin layer constituted mainly of a polyolefin resin and containing 5% or more of rutile type titanium oxide and an upper resin layer constituted mainly of the polyolefin resin and containing one or more fluorescent whitening agents selected from bis-stilbene, bis-naphthalene and bis-thiophene ones are formed on at least one surface on the support by a melt extrusion method.
支持体上の少なくとも一方の表面に、ポリオレフィン樹脂を主成分とし、ルチル型酸化チタンを５％以上含む下層樹脂層と、ポリオレフィン樹脂を主成分とし、ビス−スチルベン系、ビス−ナフタレン系、ビス−チオフェン系から１つ以上選ばれた蛍光増白剤を含む上層樹脂層をいずれも溶融押し出し法により形成する。 - 特許庁
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