「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 197 198 199 200 201 202 203 204 205 .... 221 222 次へ＞- This upper layer has on its top surface a plurality of well areas 103 of a 2nd conduction type a plurality of heavily doped source areas 104 of a 1st conductivity type, and a wavy part 202 which is formed by selective etching and parallel to the source areas.
この上側層表面２０１に、第２導電型の複数のウエル領域１０３、第１導電型で高濃度ドープの複数のソース領域１０４、および選択エッチングで形成したソース領域に平行な波形部分２０２とを有する。 - 特許庁 - An electromagnetic wave-reflection reducing layer 16 composed of a material having low density and a low dielectric constant such as porous concrete, a porous asphalt mixture or the like is installed to the upper section of a concrete slab 18, and the pavement slab 15 for preventing an electromagnetic interference is constituted.
ポーラスコンクリート又はポーラスアスファルト混合物等の低密度で低誘電率の材料で構成した電磁波反射低減表層１６を、コンクリート版１８の上部に設けて、電磁波障害を防止するための舗装版１５を構成する。 - 特許庁 - At this intersecting portion, at least either coil (e.g., the upper-layer coil 13B) is taken out of a slot 25 in an armature core 12 and is twisted so that the length of its own section is inclined to the direction of the radius of the armature core 12.
この交差部では、少なくとも一方のコイル（例えば上層コイル１３Ｂ）が、電機子鉄心１２のスロット２５から取り出された後、自身の断面長手方向が電機子鉄心１２の径方向に対し傾斜する様に捩じられている。 - 特許庁 - Due to this structure, a mounting structure can be realized wherein the analog IC chip is stacked in an upper layer, and hence the versatility of stacked mounting of a circuit device including an analog IC chip is expanded while the mounting area is reduced, and characteristics can be improved.
これにより、アナログＩＣチップを上段に積層する実装構造が実現でき、アナログＩＣチップを含む回路装置のスタック実装の汎用性が高まると共に実装面積が低減し、かつ特性を向上させることができる。 - 特許庁 - The wiring board comprises a substrate 10; the banks 30 that is provided at the upper portion of the substrate 10 for partitioning a plurality of regions; and a conductive layer 52 and first and second wirings 54, 62 arranged in parallel between the banks 30 and the substrate 10.
配線基板は、基板１０と、基板１０の上方に設けられ複数の領域を区画するためのバンク３０と、バンク３０と基板１０との間に並列して形成された導電層５２並びに第１及び第２の配線５４，６２と、を有する。 - 特許庁 - Further, the planar member, having no fixing end, is provided with a light reflection area on the upper face and a conductive body layer composed of an electrically conductive member at least in a part, and is arranged movably in a space between the substrate, the fulcrum member, and the stopper.
更に、板状部材は固定端を持たず、上面に光反射領域を有し、少なくとも一部に導電性を有する部材からなる導電体層を有し、基板と支点部材とストッパの間の空間内で可動的に配置される。 - 特許庁 - A chip-mounting Cu plate 25 (or a Mo plate) is joined to the metallized layer 23 on the upper surface of the ceramic substrate 22 with an Ag solder material 26, and a semiconductor chip 27 is mounted onto the Cu plate 25 (or the Mo plate) with a high-temperature solder 28.
セラミック基板２２の上面のメタライズ層２３には、チップ搭載用のＣｕ板２５（又はＭｏ板）をＡｇろう材２６により接合し、このＣｕ板２５（又はＭｏ板）上に半導体チップ２７を高温半田２８により搭載する。 - 特許庁 - A bridge 1 is constituted by supporting the section between the floor slab supports at the space of the cross beams by a girder framing 10 composed of main girders 11 and the cross beam 12 in a synthetic floor slab 20, in which a concrete layer 21 is formed integrally on the upper side of a steel skeleton 30.
橋梁１は、鋼骨格３０の上側にコンクリート層２１が一体に形成された合成床版２０を、主桁１１と横桁１２とから成る桁組１０によって床版支間を横桁間隔で支持して構成されている。 - 特許庁 - On the substrate for optoelectrinic device, light shielding films 3a, 11a having a projecting shape toward a semiconductor layer 1a are provided in areas corresponding to the formation position of a switching element 30 at least at one side of upper and lower sides of the switching element 30.
スイッチング素子３０の上方と下方の少なくとも一方で、前記スイッチング素子３０の形成位置に対応する領域に、半導体層１ａに向かって凸状の形状である遮光膜３ａ、１１ａが設けられているものとする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an inkjet head related to a positive type resist which does not generate cracks even when a resin composition becoming an ink passage wall is solvent-coated on the upper layer of the positive type resist which forms a liquid chamber pattern of a thick film, and to provide the inkjet head.
厚膜の液室パターンを形成するポジ型レジストの上層に、インク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートしても、クラックを生じることがないポジ型レジストに係るインクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッドの提供。 - 特許庁 - In the upper layer having conductive performance, there are conductive and nonconductive sections, the ratio of the conductive section is 8-45%, the conductive section continues without being interrupted completely, and the electric resistance value is not more than 5 Ω/m^2.
上層：導電性能を有する層であり、該層には導電部と非導電部が存在し、該導電部の割合が８％から４５％であり、導電部が完全に途切れることなく連続し、その電気抵抗値が１ｍ^２あたり５Ω以下である層。 - 特許庁 - To provide a magnetic head in which the operation of a write head is prevented from damaging reading characteristics of a read head by avoiding the problem of damaging an MR element caused by charging of the lower or upper shield layer of the read head or charging of the lower magnetic pole of the write head.
リードヘッドの下部シールド層や上部シールド層、ライトヘッドの下部磁極が帯電することによってＭＲ素子を損傷させる問題を回避し、ライトヘッドの動作がリードヘッドのリード特性を阻害することを防止した磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁 - Each self-light-emitting element 1C_1 (1C_2, 1C_3) makes up a lamination structure pinching a layer structure 12 containing light-emitting function layers 12C_1 (12C_2, 12C_3) between a pair of electrodes (a lower electrode 11 and an upper electrode 13) on the substrate.
この自発光表示装置では、発光を外部に取り出す反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３を備え、反射層１４Ｃ_１，１４Ｃ_２，１４Ｃ_３は、発光色毎に異なる輝度劣化を揃えるように、発光色に応じて異なる反射率を有する。 - 特許庁 - Around the periphery of the ground, the rainwater permeating the asphalt layer 2 is drained into a gutter 6 through the upper surface 7A of a permeable lid 7 for covering the opening of the gutter 6 and the curved recessed surface 7C of a permeated water receiving part 7B.
一方、グラウンドの周辺部においては、アスファルト層２を透過した雨水等は、側溝６の開口を覆う透水性の覆蓋７の上面７Ａおよび透水受部７Ｂの湾曲凹面７Ｃを透過して側溝６内に排水される。 - 特許庁 - Thus, the ID card is electromagnetically shielded and electromagnetic waves are shielded by a metal layer 20 of the ID car crime prevention sheet 1 and do not reach the ID card even when an electromagnetic ID card information reader is contacted an upper part of the jacket stored with the wallet.
このために、ＩＤカードは、電磁遮蔽されることになり、財布を入れた上着の上から電磁的なＩＤカード情報読取装置を当てても、電磁波は、ＩＤカード防犯シート１の金属層２０により遮蔽されて、ＩＤカードに至らない。 - 特許庁 - Next, a position of a point of time at which the light source emits light by contacting a protruded portion from the unit substrate of the lower surface of the light source and the upper surface of the electrode layer being a wall surface of difference in level is made a desired position in the vertical direction to an accumulation surface.
次いで、光源の下面のユニット基板からはみ出した部分と段差の壁面である電極層の上面とが接面することによって光源が発光した時点の位置を、集積面に垂直な方向での所望の位置とする。 - 特許庁 - The upper layer metal wirings (MLo, MLe) for pile driving are extended from the word line drive circuits to be arranged face to face to a connection area (10) at the center part of the memory cell array, and mutually and electrically connected to the gate wirings in the connection area.
杭打用の上層の金属配線（ＭＬｏ，ＭＬｅ）は、対向配置されるワード線ドライブ回路からメモリセルアレイの中央部の接続領域（１０）まで延在させ、接続領域においてゲート配線に交互に電気的に接続する。 - 特許庁 - To solve a problem in an optical detector using an SOG film as an interlayer insulating film that the bottom surface of an aperture does not become flat due to difference in film thickness generated at an upper structure layer of a light receiver, and thereby uniformity in the quantity of incident light is broken within the light receiver surface.
層間絶縁膜としてＳＯＧ膜を用いる光検出器において、受光部の上部構造層で生じる膜厚差に起因して、開口部の底面が平坦にならず、受光部面内での入射光量の不均一が生じる。 - 特許庁 - Further, the concentration of the phosphor 27 mixed in the layers 24, 25 is distributed in a way that a value multiplying the concentration of the phosphor 27 with an optical path length of the light emitted from the blue LED 17 to reach the upper face of the high concentration resin layer 25 is almost constant.
更に、各層２４，２５に混入された蛍光体２７の濃度を、青色ＬＥＤ１７で発光された光が高濃度樹脂層２５の上面に至る光路長に、蛍光体２７の濃度を掛けた値がほぼ一定となるように分布させる。 - 特許庁 - The developing device is provided with a peeling roller 11, facing the surface of the sleeve, in a non-contact state in a toner-storing part S that houses a developing agent regulated by a doctor 6, for peeling the upper layer part of the developer carried and fed to a developing sleeve 4.
ドクタ６で規制された現像剤を収容する現像剤収容部Ｓ内で現像スリーブ４の表面に非接触で対向し、現像スリーブ４に担持搬送されている現像剤の上層部を剥離する剥離ローラ１１を設ける。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.
この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁 - As to a semiconductor device containing power MOSFET section having a super junction structure formed in the active cell section by the trench philharmonic system, the upper part of the base epitaxy layer is so made that it has a multilevel structure having high impurity concentration.
本願の一つの発明は、アクティブセル部にトレンチフィル方式によって形成されたスーパジャンクション構造を有するパワーＭＯＳＦＥＴ部を含む半導体装置において、ベースエピタキシ層を上方が不純物濃度の高い多段構造としたものである。 - 特許庁 - Further, wirings 5 are formed which pass an upper layer of the intermediate electrodes 4 in the element isolation and is electrically connected to the vertical transfer electrodes 3 through contact holes 7, and to which is applied clock pulses for reading out and transferring signal charges.
さらに素子分離上の中間電極４の上層を通ると共にコンタクト孔７を通じて垂直転送電極３に電気的接続され、信号電荷の読み出しおよび転送を行うためにクロックパルスが印加される配線５が形成される。 - 特許庁 - An identification code 506 formed of a two-dimensional code including predetermined information is laser-marked to a resin surface layer of the cell sheet 501 in the adjacency of a right upper corner part of the decoration plate 503 corresponding to the outside of the game area.
遊技領域の領域外に相当する装飾板５０３の右上コーナー部の近傍において、セルシート５０１の樹脂表面層に対し、所定の情報を含んだ二次元コードよりなる識別コード５０６がレーザー刻印されている。 - 特許庁 - In addition, in order to allow the optical waveguide structure to be independent of temperature, the upper clad layer 3 is covered with polymer material (PMMA, polyimide etc.) of which the refractive index is approximately equal to that of SiO_2 glass and the temperature coefficient of the refractive index has an opposite sign to that of SiO_2 glass.
さらに、温度無依存にするため、上部クラッド層３がＳｉＯ_２ガラスと屈折率がほぼ等しいが、屈折率の温度係数がＳｉＯ_２ガラスとは反対の符号を有するポリマー材料（ＰＭＭＡ、ポリイミド等）で覆われている。 - 特許庁 - After forming a first inter layer insulating film 140 having a metal plug that surrounds a fuse where the fuse wiring of the semiconductor device is formed on the upper part of the fuse, a lower guard ring pattern 204a that surrounds the fuse is formed on the metal plug.
半導体装置のヒューズ配線が形成されたヒューズ部の上部にヒューズ部を取り囲む金属プラグを有する第１層間絶縁膜１４０を形成した後、金属プラグ上に前記ヒューズ部を取り囲む下部ガードリングパターン２０４ａを形成する。 - 特許庁 - The organic photoelectric conversion device is constituted by laminating a lower electrode, an organic layer, and an upper electrode in order.
また、そのような特性を有する有機光電変換素子の層を別の有機光電変換素子層や他の光電変換素子層と積層することで、低ノイズ・高感度で色分離に優れ、偽色やシェーディングの少ない積層型カラー光電変換素子を提供すること。 - 特許庁 - In addition, an LP-silicon nitride forming an etching stopper film 5A to be used for the formation of the optical waveguide is provided in an area other than the light reception area, e.g. on the upper layer of a transistor, so that the permeation of hydrogen can be prevented and the degrading of characteristic be also prevented.
また、光導波路を形成する際に用いるエッチングストッパ膜５Ａを構成するＬＰ−窒化シリコンを受光領域以外の領域、例えばトランジスタの上層に設けることにより、水素の浸入を防止し、特性劣化を防止する。 - 特許庁 - The optical device 1 has one or a plurality of self light-emitting elements 100, formed on a substrate 2 so as to interpose at least a light emitting layer between the lower electrode 3 and upper electrode 6, as one pixel 10.
光デバイス１は、基板２上に形成された、下部電極３と上部電極６間に少なくとも発光層を含む成膜層５を狭持した自発光素子１００を一画素１０として、当該自発光素子１００を一つ又は複数個備える。 - 特許庁 - To provide an array ultrasonic probe which includes three or more acoustic matching layers, the uppermost acoustic matching layer among them having a low attenuation rate, excellent dicing workability, heat resistance, and adhesiveness to upper and lower layers, and a proper acoustic impedance.
３層以上の音響整合層のうち、低減衰率でダイシング加工性、耐熱性、上下層との接着性に優れ、かつ適切な音響インピーダンスを有する最上層の音響整合層を備えたアレイ式超音波プローブを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, which can improve design flexibility for formation of a wiring pattern in the upper conductive layer by reducing the plane size of a pad to be formed in a via position; and to provide the semiconductor substrate.
ビア位置に形成されるパッドの平面寸法を小さくすることにより、上層の導電層における配線パターン形成の設計自由度を向上させることができる半導体基板の製造方法および半導体基板を提供する。 - 特許庁 - On the front and back surfaces of the bonding base board fitted on the synthetic resin bag body, illustrations, letter patterns and adhesive layer are respectively formed, and a releasing channel and an opening portion are formed at prescribed positions thereof, the opening portion sandwiching and holding the upper fastening portion of the synthetic resin bag body.
また、合成樹脂袋体に取り着ける接着台紙には、表裏面に図柄、文字模様と粘着層とを各形成し、且つ所定位置に開放溝と合成樹脂袋体の上部を束ね部を挟持する開口部を形成してある。 - 特許庁 - This piezoelectric element 86 is provided with a piezoelectric film 82 made of a piezoelectric material, and lower and upper electrodes 83 and 84 disposed on the base 20 side of the piezoelectric film 82 and the side face of an overcoat layer 21 side to apply voltages.
この圧電素子８６は、圧電材料からなる圧電膜８２と、該圧電膜８２の基台２０側およびオーバーコート層２１側の側面に備えられた電圧印加用の下部電極８３および上部電極８４とによって構成されている。 - 特許庁 - A second capacitor 240 is similarly built-in the multilayer structure, so that opposing areas of a second lower electrode 241 and a second upper electrode 242 disposed on both surfaces of the dielectric layer 43 become areas different from the prescribed area.
第２コンデンサ２４０は、同じく多層配線構造に内蔵され、誘電体層４３の両面に配置された第２下部電極２４１と第２上部電極２４２との対向面積が所定面積とは異なる面積となるように形成されている。 - 特許庁 - The wafer with adhesive is characterized by attaching the flat or upper projection hemispherical adhesive layer on the surface of a semiconductor wafer by the printing method using the adhesive composition containing a surface conditioner having a leveling action.
レベリング作用を有する表面調整剤を含む接着剤組成物を用いて、半導体ウエハの表面に、平坦状又は上に凸の半球状の接着剤層を印刷法により付設したことを特徴とする接着剤付きウエハ。 - 特許庁 - A conductive via-hole 5 penetrating the upper surface (main surface) and the lower surface (back surface) of an insulator layer of each circuit board is connected with a metal wiring pattern 7 at the main surface side, and a solder plate formation region 8 is formed at the metal wiring pattern 7.
個別の回路基板の、絶縁体層の上面（主面）と下面（裏面）とを貫通する導電ビア５が、主面側において金属配線パターン７と接続し、その金属配線パターン７上にはんだめっき形成領域８を形成する。 - 特許庁 - By this, an adhesiveness between the lithographic plates 12 is increased to increase a frictional resistance, and an electrostatic attraction force interacts between several to several ten sheets of lithographic plates 12 stacked on the upper layer part of the lithographic plate bundle 14.
これにより、平版印刷版１２間の密着性を高めて摩擦抵抗を増加でき、かつ平版印刷版束１４の上層部に積層された数枚〜十数枚の平版印刷版１２間に静電的な吸着力が互いに作用する。 - 特許庁 - Upper and lower flat plates 16, 17 having substantially identical dimensions and shape are laid in layer and a coil 11 is contained in the U-shaped recess 15 of a coil base 10 defined by side wall parts 18 forming a gap of a specified interval.
寸法形状の略等しい上部平板１６と下部平板１７を重ね合わせ、その間に所定間隔の隙間を作る様に側壁部１８が挟まったコ字状のコイルベース１０のコの字を形成する窪み１５にコイル１１を収納する。 - 特許庁 - To exfoliate protective members sandwiched between a device substrate and a contact layer and a sealing substrate from the device substrate to allow a terminal section to be exposed for electrical connection with an external one with a simple procedure in an upper surface light-emitting type organic EL display unit.
上面発光型の有機ＥＬ表示装置において、簡単な手順で、素子基板と接着層および封止基板との間に挟まれた保護部材を素子基板から剥離し、外部との電気的接続のための端子部を露出させる。 - 特許庁 - To be more precise, in providing the resist pattern 8 after the deposition of the ITO film, an opening 81 having a diameter smaller by a side etching dimension and a margin is provided, at the end of pad wiring 14a, on the inner side from the inner edge of the upper layer contact hole 51.
詳しくは、ＩＴＯ膜の堆積後にレジストパターン８を設けるにあたり、パッド用配線１４ａの端部では、上層コンタクトホール５１の内縁より内側に、サイドエッチング寸法及びマージンの分だけ、より径の小さい開口８１を設ける。 - 特許庁 - The metallic layers 12 are composed of horizontal layers 12H and 13H, which are in contact with the upper surface of the diffusion layer and vertical layers 12V and 13V, which are in contact with the side walls 7 and 8, and the vertical layers 12V and 13V are further reduced in electrical resistance.
金属層１２，１３は、拡散層の上面に接触する水平層１２Ｈ，１３Ｈと第１サイドウオール７，８に接触する垂直層１２Ｖ，１３Ｖ）からなり、垂直層１２Ｖ，１３Ｖは電気抵抗が更に低くなっている。 - 特許庁 - To obtain a cushioning molded pulp fiber product composed of a pulp fiber layer having respectively specific thickness, specific gravity and density by placing an adjusting reservoir having a prescribed capacity around a lower mold and a sliding face formed on the outer circumference of the upper mold and closely contacting with the inner wall of the adjusting reservoir in the wet forming of pulp fiber.
パルプ繊維から湿式法により成形品を製造するに当たり、成形品のパルプ繊維層の厚み、比重、密度などの物理条件が一定範囲以下に制約され、用途の多様化に対応できないことを解消する。 - 特許庁 - The display plate 10 is constituted by disposing a display layer 13 on the upper face of a permeable substrate 11 and disposing a plurality of V-shaped projections 11a or V-shaped recessed grooves arranged about a light source 15 formed on the lower face 11b of the permeable substrate 11.
透過性基板１１の上面に表示層１３を設け、透過性基板１１の下面１１ｂに光源１５を中心にして形成した複数並んだＶ字形突起１１ａ又はＶ字形凹溝を設けて表示板１０を構成する。 - 特許庁 - This heat-insulating panel 11 for papermaking machines installs a heat-insulating material 12 having low stiffness, e.g. glass wool and a frame- constituting member 15 which plays a role of framework strength member of the panel in the upper part of a surface layer plate 14 made of aluminum installed on the inside of hood.
抄紙機用ドライヤフードの断熱パネル１１は、フード内側に配設されるアルミ製の表層板１４の上部に、グラスウールなどの剛性の低い断熱材１２とパネルの骨組強度メンバの役割をする枠構成部材１５が配設されている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of producing a semiconductor device disposed apart from a second insulating film by a predetermined distance on a self-alignment, and reducing a generation of leak current in an upper part of a boundary surface between the second insulating film and a single crystal layer.
第２絶縁膜からセルフアラインに所定の距離だけ離して半導体素子を形成可能で、第２絶縁膜と単結晶層との界面の上部でのリーク電流の発生の低減が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent sensitivity failures and characteristic deterioration with the lapse of time in an environmental sensor due to deterioration of a surface protection film formed on an upper layer of the environmental sensor in a display device equipped with the environmental sensor formed in a peripheral region of an active matrix substrate.
アクティブマトリクス基板の周辺領域に形成された環境センサを備えた表示装置において、環境センサの上層に設けられた表面保護膜の変質に基づく、環境センサの感度不良および特性の経時劣化を防止する。 - 特許庁 - Further, so as to obtain a desired film thickness by measuring the thickness of the adhesive layer with a non-contact optical sensor, it is preferred to adjust the number of revolutions of the chuck for fixing an object to be transferred and a distance between the chuck upper part and the chuck lower part.
また、接着剤の層の厚みを計測するための非接触式光センサによって所望膜厚になるように、被転写体固定用チャックの回転数と、及びチャック上部、チャック下部間の距離を調整することが望ましい。 - 特許庁 - In a conductive spacer arrangement process, substantially circular conductive spacers 82 are respectively arranged at positions corresponding to corners of a virtual square on the upper surface of the carbon paste layer 12B of the element to be the cathode 12 of the capacitor element 10.
導電性スペーサ配置工程では、コンデンサ素子１０の陰極部１２となる素子のカーボンペースト層１２Ｂの上面上において、仮想的な四角形の角部に相当する位置に略円形状に導電性スペーサ８２がそれぞれ設けられる。 - 特許庁 - To provide a photo mask and a production method for semiconductor device, with which accuracy in the alignment of a via hole in a dual damassin structure and an upper wiring layer is improved and a recess or step is prevented from being generated by wiring materials in a hole for alignment.
デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In a power element 1 of a pressure control valve, an annular solder sealing part formed by sandwiching a diaphragm 5 between flange-like outer peripheral edges of the lower housing 7 and caulking a caulking part 2a of the upper housing 2 is made airtight by a solder layer 8.
圧力制御弁のパワーエレメント１において、ロアハウジング７の鍔状外周縁部にダイヤフラム５を挟んでアッパーハウジング２のかしめ部２ａをかしめ加工することで形成される環状のはんだ封止部をはんだ層８で気密にする。 - 特許庁
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