「upper layer」を含む例文一覧(11094)

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  • A metal plate accessory (10) for a building, which is constituted by folding back a metal plate, cut in predetermined dimensions, in a prescribed shape, is characterized in that an upper edge portion (22) including a cut surface (20) formed by cutting working is coated with a resin coating layer (24).
    所定の寸法に切断された金属板を所定の形状に折返し加工してなる建物用金属板製役物(10)において、切断加工による切断面(20)を含む上端縁部(22)が樹脂皮膜層(24)により覆われていることを特徴とする。 - 特許庁
  • The pads PDx are arranged on an upper layer of the electrostatic discharge protection elements ESDx so that an arrangement direction of the pads is parallel to a long side direction of the region in which the electrostatic discharge protection elements ESDx are formed, and the pad PDx overlaps one part or the entire part of the electrostatic discharge protection elements ESDx.
    パッドの配列方向と静電気保護素子ESDxが形成される領域の長辺方向とが平行となり静電気保護素子ESDxの一部又は全部と重なるように、該静電気保護素子の上層にパッドPDxが配置される。 - 特許庁
  • Further, the sole insert of a shock absorber composed of a foamed body with many gaps to the heel part and the treading part near the thenar eminence part is inserted into the upper surface of the top layer part and is worn, the rising and falling wave effect is thereby enhanced.
    更に前記最上層部の上面に、踵部分と母趾球部近傍の踏み付け部分とに多数の貫通した空隙を有する発泡体から成る衝撃吸収材の中敷きを挿入して履用することにより起伏うねり効果が助長される。 - 特許庁
  • After the hardening, machining such as grinding is performed from the other face of the plate material 10 for the core, making the projecting line 12 formed into the core 15 and simultaneously forming, on the upper face of the partition wall 23 between the fine grooves 22 of the clad 24, a film-like covering layer that is formed integrally with the core.
    硬化後、コア用板材10の他方の面から研磨等の加工を行い、突条12をコア15となすとともにクラッド24の細溝22間の隔壁23の上面に、当該コアと一体に形成された膜状の被覆層を形成する。 - 特許庁
  • Joint sections 46-1, 46-2 are formed at both edges of each piezoresistive element 45-1, and these joint sections 46-1, 46-2 are connected electrically to wires 48 in a plurality of contact holes 47a serially arranged on the upper layer thereof.
    各ピエゾ抵抗素子45−1の両端部には、接合部46−1,46−2がそれぞれ形成され、この接合部46−1,46−2と、この上層に複数個直列に配列されたコンタクトホール47a内の配線48とが、電気的に接続されている。 - 特許庁
  • Here, an edge part of the overcoat layer adjacent to the color filter for the transmissive display has an oblique angle (α) less than a specified reference oblique angle (θ) with respect to the upper surface of the color filter for the transmissive display and further has a structure to cover a part of the color filter for the transmissive display.
    ここで、オーバーコート層の前記透過表示用カラーフィルタと隣接する端部は、透過表示用カラーフィルタの上面に対して所定の基準傾斜角(θ)以下の傾斜角(α)を有し、かつ、透過表示用カラーフィルタの一部を覆う構造を有する。 - 特許庁
  • Further, second barrier ribs 14 are formed at an upper part of the first barrier ribs 13 in a frame-shape same as the first barrier ribs 13, and an organic EL layer 320 is formed in a space surrounded by the second barrier rib 14, the first barrier rib 13, and the positive electrode 310.
    更に、この第1隔壁13の上部には、第2隔壁14が第1隔壁と同様枠状に形成されており、この第2隔壁14、第1隔壁13及び陽極310によって形成される空間内に、有機EL層320が形成される。 - 特許庁
  • Heating boards 1a, 1b, 1c of ≥3 pieces are disposed in the laminated layer direction by arranging gaps, and a laminated body 90a of a conductor pattern is inserted into the gap of the upper step among the heating boards 1a, 1b, 1c and a laminated body 90b is inserted into the gap of the lower step.
    3枚以上の熱盤1Aa,1b,1cを隙間を空けて積層方向に配置し、熱盤1Aa,1b,1c間の上段の隙間に導体パターンフィルムの積層体90aを挿入し、下段の隙間に積層体90bを挿入する。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing a wiring board capable of surely manufacturing a flat wiring board where a flat build-up layer is formed only at the upper part of the surface of a core substrate, and that an electronic component is able to be mounted or incorporated in a recessed part opened at the back side of the core substrate.
    コア基板の表面上方にのみ平坦なビルドアップ層を有し且つコア基板の裏面側に開口する凹部に電子部品を実装または内蔵可能とした平坦な配線基板を確実に製造できる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The silencer 4 comprises a sound reducing body 10 consisting of a sponge material having the volume of 0.4-20% of the total volume of the hollow (i) inside the tire, and a coating layer 11 consisting of a light-resistant resin for covering and protecting at least an upper side 10B of the sound reducing body 10.
    制音具4は、タイヤ内腔iの全体積の0.4〜20%の体積を有するスポンジ材からなる制音体10と、耐光性の樹脂材からなり制音体10の少なくとも上面10Bを被覆保護するコーティング層11とを具える。 - 特許庁
  • The thin-film electron source is provided with a lower electrode 11 formed of metal, suitably, aluminum or an aluminum alloy on an insulation substrate, and a tunnel insulation layer 12 on the lower electrode 11, on which, further, a silicon-made upper electrode 23 is laminated.
    薄膜電子源として、絶縁基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金を好適とする金属で形成した下部電極11と、この下部電極11の上にトンネル絶縁層12を有し、さらにこの上層にシリコンの上部電極23を積層した構造とする。 - 特許庁
  • In light radiated from the light emitting plane 16a of the light emitting layer 16, light radiated at a wide radiation angle is reflected on the reflection plane 23 of the concave mirror 19, then reflected by the upper electrode 18 and radiated from the opening 22 of the concave mirror 19.
    発光層16の発光面16aから放射された光のうち広い放射角で放射された光は凹面ミラー19の反射面23で反射され、その後上部電極18で反射された後に凹面ミラー19の開口22から放射される。 - 特許庁
  • In the inside of the epitaxial layer 12, a well 15 for a digital circuit on which a digital circuit 14 is to be formed and a well 17 for an analog circuit on which an analog circuit 16 is to be formed, are formed on both upper sides of the well 13.
    エピタキシャル層12内には、エピタキシャル層12内であってノイズ障壁用ウェル13の上方の両側に、デジタル回路14を形成するデジタル回路用ウェル15と、アナログ回路16を形成するアナログ回路用ウェル17とがそれぞれ形成されている。 - 特許庁
  • To provide a separator with a heat-resistant insulating layer which provides a nonaqueous electrolyte secondary battery excellent in both of safety at the time of overheat and the high temperature cycle characteristic even if charging upper limit voltage is set up at high voltage in a nonaqueous electrolyte secondary battery.
    非水電解質二次電池において、使用充電上限電圧を高く設定した場合であっても、過熱時の安全性と高温サイクル特性の双方が優れた非水電解質二次電池を実現し得る耐熱絶縁層付きセパレータを提供する。 - 特許庁
  • The transflective liquid crystal display 10 has a liquid crystal layer 16 held between an upper substrate 14 and a lower substrate 13 and a transmission display region T and a reflection display region R in one dot region.
    本発明の液晶表示装置10は、上基板14と下基板13との間に液晶層16が挟持され、1つのドット領域内に透過表示領域Tと反射表示領域Rとを有する半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁
  • On the leather surface which forms the upper layer section 54 of the pick guard and has the soft leather surface known as a grain surface having fine ruggedness and natural feeling a the top end, the tip of the pick is made to sideslip with the adequate resistance feel.
    そして、そのピックガードの上層部54を形成している微細な凹凸を持つ自然の風合いを持った柔軟な銀面と呼ばれる皮革面を上端に持つ皮革表面を、ピック先端を程よい抵抗感を持たせて横滑りさせることができるようにする。 - 特許庁
  • The volatile memory includes: a cell transistor having a lower gate dielectric, an intermediate gate dielectric for charge trapping, and an upper gate dielectric, all laminated in order as a gate dielectric; and a transistor for logic, having a single layer of an oxide film as a gate dielectric.
    ゲート誘電体として順次積層された下部ゲート誘電体、電荷トラップのための中間ゲート誘電体、及び上部ゲート誘電体を備えたセルトランジスタと、ゲート誘電体として単一層の酸化膜を備えたロジック用トランジスタとで、揮発性メモリを構成する。 - 特許庁
  • The dielectric film 8 has an opening for injecting current into the upper surface of the ridge part 6a, is formed with a first electrode 9 to contact the contact layer 7 exposed to the opening, and is formed with a second electrode 10 on the first electrode 9.
    誘電体膜8は、リッジ部6aの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層7に接するように第一電極9が形成され、第一電極9上に第二電極10が形成されている。 - 特許庁
  • A temperature sensor 41 includes a temperature sensor wiring part 31 and a temperature sensor electrode part 32 formed of metal material, and is arranged on an upper layer insulation film 30 and on a region except for a region with a source electrode output pad 35 of a source electrode 20 formed thereon.
    温度センサ41を、金属材料から成る温度センサ配線部31および温度センサ電極部32で構成し、上層絶縁膜30上であって、ソース電極20のソース電極出力パッド35が形成される領域以外の領域上に設ける。 - 特許庁
  • Accelerations or the like of earthquake movement including disturbance is measured by a plurality of sensors installed on a foundation part and upper layer floors of a building to perform wavelet transformation so as to mode-analyze frequency response waveform on absolute displacements and absolute accelerations into a plurality of ranks.
    建物の基礎部と上層階とに設置した複数のセンサーにより、外乱を含む地震動の加速度等を計測し、ウェーブレット変換を行って絶対変位及び絶対加速度についての周波数応答波形を複数のランクにモード分解する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which prevents the disconnection of a wiring layer connecting a first semiconductor device part provided on an insulating substrate and a second semiconductor device part of which the height from the insulating substrate to the upper surface is high, and a method of manufacturing the same.
    絶縁性基板上に設けられた第1の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第2の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The method includes steps of: obtaining data representing the plurality of features; and forming at least one of the plurality of features by etching a substrate to form a mesa and depositing a chrome layer over the entire upper surface of the mesa; where the mesa has a predetermined height.
    この方法は、複数の特徴を表すデータを取得するステップと、基板をエッチングしてメサを形成し、当該メサの全上面にクロム層を設けることで複数の特徴の少なくとも1つを形成するステップとを含み、前記メサが所定高さを持つ。 - 特許庁
  • To provide a piezoelectric vibrator whose stimulation electrode is not open between an upper face and a lower face of a piezoelectric vibration chip even when a noble metallic layer to enhance the adhesiveness of a surface protection film is partially eliminated and to provide its manufacturing method.
    表面保護膜の密着性を高めるための貴金属層を部分的に除去したときでも、圧電振動片の上面部と下面部との間で励振電極がオープン状態になることのない圧電振動子、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
  • Each trench comprises an insulation material 612 backing its surface, a conductive material 610 filling up a lower portion of the trench substantially down to a selected level below the upside of the upper layer, and an insulation material substantially filling up the rest of the trench.
    各トレンチはその表面を裏打ちする絶縁材料612と、上部層の上部表面の実質的に下方の選択されたレベルにまでその下部を充填する導電性材料610と、トレンチの残り部分を実質的に充填する絶縁材料とを含む。 - 特許庁
  • In the method of forming the semiconductor device, an insulation layer having an upper surface planarized by filling spaces between a plurality of conductive structures is formed on a semiconductor substrate and is partially removed to form an opening through which the substrate is partially exposed.
    本発明の半導体素子の製造方法は、半導体基板上に複数の導電性構造物間の空間を埋め立てて上面が平坦化された絶縁膜を形成し、絶縁膜を部分的に除去して基板の一部を露出する開口を形成する。 - 特許庁
  • An upper cladding layer 20 is formed by curing the ultraviolet-curing resin 20a in an optical waveguide region of the optical waveguide mother board by covering an unnecessary part of the optical waveguide mother board with a mask 36a and irradiating the ultraviolet-curing resin 20a with ultraviolet rays.
    光導波路親基板の不要部分をマスク36aで覆って紫外線硬化樹脂20aに紫外線を照射することによって光導波路親基板の光導波路領域で紫外線硬化樹脂20aを硬化させて上部クラッド層20を成形する。 - 特許庁
  • Data lines crossing the gate lines and having source electrodes and drain electrodes separated from the data lines are formed at the upper part of the gate insulating film and conductor bodies for shielding light are formed to be parallel to the data lines in same layer as the data lines and the drain electrodes.
    ゲート絶縁膜上部には、ゲート線と交差してソース電極を有するデータ線とデータ線と分離されているドレイン電極とが形成され、データ線及びドレイン電極と同一層には、光遮断用導電体が、データ線と平行に形成されている。 - 特許庁
  • A reflection layers 16 reflecting light are formed partially on a lower substrate 2 and spacers 17 coated with a sticking layer whose sticking force is lowered by UV irradiation are disposed between the lower substrate 2 and an upper substrate 1 selectively above the reflection layers 16.
    光を反射する反射層16を下基板2上に部分的に形成し、下基板2と上基板1との間に、紫外線照射によりその固着力が低下する固着層により被覆されてなるスペーサー17を、反射層16の上方に選択的に配設した。 - 特許庁
  • Then, an electrode forming region is exposed within the upper side surface of a heterostructure layer by wet etching using a room-temperature ammonia water as an etchant with a resist pattern as a mask to remove a part of the amorphous AlN thin film corresponding to the electrode forming region.
    次に、レジストパターンをマスクとし、室温アンモニア水をエッチャントとして用いたウェットエッチングを行うことにより、電極形成領域に対応するアモルファスAlN薄膜の部分を除去して、ヘテロ構造層の上側表面内の電極形成領域を露出させる。 - 特許庁
  • A pair of terminal electrodes 22 formed adjacent to both the short sides of the ceramic substrate 2 makes continuity with a pair of connection electrodes 21 on the upper surface of the substrate via inner wiring, and makes continuity with a side wiring layer 28 via a corner electrode 22c.
    セラミック基板2の両短辺に近接して形成されている一対の端子電極22は、基板上面の一対の接続電極21と内部配線を介して導通しており、また、コーナー電極22cを介して側面配線層28に導通している。 - 特許庁
  • The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a ceramic dielectric film 3 on a lower electrode 2 formed of an impurity diffusion layer of a ceramic substrate 1; and forming an upper electrode 4a on the ceramic dielectric film 3.
    本発明に係る半導体装置の製造方法は、シリコン基板1の不純物拡散層からなる下部電極2上にセラミック誘電体膜3を形成する工程と、セラミック誘電体膜3上に上部電極4aを形成する工程と、を具備する。 - 特許庁
  • The ferroelectric memory 1 comprises the ferroelectric capacitor 2 composed of a lower electrode 8, an upper electrode 10, and a ferroelectric layer 9 held between the pair of electrodes; and a metal wire 33 provided in the interlayer insulating films 25, 14.
    下部電極8及び上部電極10とこれら一対の電極間に挟持された強誘電体層9とからなる強誘電体キャパシタ2と、層間絶縁膜25,14中に設けられる金属配線33とを備えた強誘電体メモリ1である。 - 特許庁
  • At the side frame portion 40A of a frame 40, an insulation rib 42 is projecting to enter between the extensions 13A of bus bars 13 and to abut against an insulating material layer 24 formed on the upper surface of a supporting plate 23 (surface opposing the extension 13A).
    枠体40における側枠部40Aには、バスバー13の延出部13Aの間に入り込むとともに、支持板部23の上面(延出部13Aに対向する対向面)に形成された絶縁材層24に当接する絶縁リブ42が突設されている。 - 特許庁
  • The etching liquid is injected from an opening 25 into a storage space defined by the ring 10 and the upper-side sheet material 20, and a surface layer portion of the plate-like body sample 40 is dissolved to collect dissolved liquid, and the metal or ion in the collected dissolved liquid is analyzed quantitatively.
    開口25からエッチング液をリング10と上側シート材20で画定された貯留空間に注入し、板状体試料40の表層部分を溶解させ、溶解液を採取し、採取した溶解液中の金属またはイオンを分析定量する。 - 特許庁
  • A header 1 is crushed and thinned to a certain degree, the semiconductor chip 2 is fixed on the backside of the header 1, and the resin sealing mini-flat package type semiconductor the most suitable for the mounting of the fine semiconductor chip is realized by cutting the resin layer 5 of the upper face of the header 1.
    ヘッダー1をある程度まで潰して薄くし、半導体チップ2をヘッダー1の裏面に固着し、ヘッダー1の上面の樹脂層5を削ることによって、微小半導体チップの実装に最適の樹脂封止ミニフラットパッケージ型半導体装置が実現される。 - 特許庁
  • When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.
    ゲート電極1の上層に第1,第2の応力膜4,5を張り分けてからそのゲート電極1に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域9を第1の応力膜4側にレイアウトする。 - 特許庁
  • The disk cartridge includes a case 1 having upper and lower members 2 and 3 disposed facing each other at an interval and a sidewall, in which the disk 5 provided with an annular protruded part 5c near the outer circumference of the information recording layer is rotatably accommodated in the case 1.
    ディスクカートリッジは、所定間隔をあけて対向する上側部材2及び下側部材3と、側壁とを含むケース1を有し、このケース1が情報記録面の外周近傍に環状の突出部5cを備えたディスク5を回転可能に収納する。 - 特許庁
  • To provide a write-once type optical recording medium having satisfactory recording sensitivity, even when an upper protective layer is formed by using an oxide and the like for securing playback light stability, showing satisfactory recording characteristics in a blue laser wavelength region and having superior repetition playback characteristics.
    再生光安定性を確保するために上部保護層を酸化物等で構成した場合にも記録感度が良好であり、青色レーザ波長領域で良好な記録特性を示し、繰り返し再生特性に優れた追記型光記録媒体の提供。 - 特許庁
  • To provide a separator with a heat-resisting insulating layer for attaining a nonaqueous electrolyte secondary battery which is excellent on both safety and high-temperature cycle characteristics in overheating even when used charge upper limit voltage is set up at a high level in a nonaqueous electrolyte secondary battery.
    非水電解質二次電池において、使用充電上限電圧を高く設定した場合であっても、過熱時の安全性と高温サイクル特性の双方が優れた非水電解質二次電池を実現し得る耐熱絶縁層付きセパレータを提供する。 - 特許庁
  • A cathode electrode 10 is arranged and installed in a peripheral part of a translucent part 30, an anode electrode 15 is arranged and installed in an opposing region to the translucent part 30, and a surface 16a of the phosphor 16 arranged and installed at the upper layer of the anode electrode 15 is formed in a recessed face.
    カソード電極10を透光部30の周部に配設するとともに、アノード電極15を透光部30との対向領域に配設し、アノード電極15の上層に配設される蛍光体16の表面16aを凹面で形成する。 - 特許庁
  • In this case, a relay electrode pad RP connected to the coupling electrode pad P of a first chip 12 by a relay wiring 23 is further provided on the pad formation surface of the first chip 12 as a lower surface in such a way that the pad RP is exposed on a second chip 16 as an upper layer.
    このとき、下層になる第1チップ12のパッド形成面には、中継配線23によりその連結電極パッドPと接続された中継電極パッドRPが、上層になる第2チップ16に露出されるかたちでさらに備えられる。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a capacitor which can solve the problem which results from the difference in shrinkage rate between that of an upper electrode and of a second dielectric layer, when both are baked together after laminating a lower electrode and first and second dielectric layers.
    下部電極、第1、第2の誘電体層、上部電極と積層し、上部電極と第2の誘電体層を一体焼成する際に、両者の収縮率に差があることによる問題点を解決できるコンデンサの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • An insulation film 5 having an upper pad 7 is boded to an insulation substrate having a lower pad 2 and both pads are connected through via holes 6 to produce a multilayer wiring board wherein a pad-like conductor layer 1 is provided on the rear surface of the insulation film.
    上部パッド7が形成された絶縁フィルム5と下部パッド2が形成された絶縁基板を接着積層し、前記両パッド間をビアホール6にて接続した多層配線基板において、前記絶縁フィルムの裏面にパッド状導体層1を設ける。 - 特許庁
  • The conducive electric connection part 4 is so provided on the stress reducing layer 3 in the through-hole 2 as to close a lower surface opening 21, electrically communicating the lower surface 10 with the upper surface 11 of the substrate 1.
    一方、電気接続部4は、導電性を有し、スルーホール2において、応力緩和層3上に設けられるとともに、下面開口21を閉塞するように設けられているものであり、基板1の下面10及び上面11の導電領域と導通する。 - 特許庁
  • The base parts of a large number of the hydrophilic fiber bodies 16 for cleaning treatments in a raised state are planted and fixed in the overall surface of an embedding and fixing layer 12 made of a water-insoluble and non-permeable synthetic resin provided for the upper surface of a nonwoven fabric 10 made of a non-hydrophilic synthetic fiber.
    非吸水性合成繊維製の不織布10上面に設けた非水溶性且つ非透水性の合成樹脂製の埋入固定層12の全面にわたり、多数の吸水性清掃処理用繊維体16の基部を起立状態で埋入固定する。 - 特許庁
  • A cooling water feed pipe 27 is embedded at a tip side thereof in a recessed groove 26 of the impeder body, discharges cooling water onto the protective layer through a passage 21a between the ferrite core 21 and the upper surface part 25, and allows the cooling water to flow in the carrying direction of the tube P before spatter powder is solidified.
    冷却水供給管27はインピーダ本体の凹溝26に先端側を埋め込みフェライトコア21と上面部25との通路21aを通して保護層上に冷却水を吐出してスパッタの粉を固まる前に管P搬送方向前方に流す。 - 特許庁
  • To protect an electronic part 30, especially an elastic surface- wave element which absorbs moisture and is sensitive to a noise, from moisture absorption, it is covered with a metal conductor layer 12 where the upper surface and the side surface of the inside surface of the area for mounting the electronic part 30 comprise a metal film.
    電子部品30の中でも吸湿やノイズに敏感で弱い弾性表面波素子を吸湿やノイズから防ぐため電子部品30を実装するエリア内面の上面部と側面部が金属膜である金属導体層12で覆うものである。 - 特許庁
  • A spout 20 including a tubular passage for leading contents is fixed, at the center of an upper end of the packaging bag 1 constituted by gluing films having a sealant layer on its internal surface to each other, between the respective films forming a front and a rear of the packaging bag.
    内面にシーラント層を有するフィルムを貼り合わせて構成した包装袋1の上端部の中央に、内容物を導出する管状の通路を備えた注出口20を包装袋の正面と背面をなす各フィルム間に挟んで固着する。 - 特許庁
  • To keep the ventilation in a blast furnace good and to obtain a stable operation for injecting high blend of pulverized fine coal by reducing the pressure loss in the charged material layer at the upper part of the furnace, in the blast furnace operation performed by injecting the pulverized fine coal at ≥180 kg par ton of molten iron.
    微粉炭を溶銑トン当り180kg以上吹き込んで行う高炉操業において、炉上部の装入物層での圧力損失を低減することにより炉内通気性を良好に保ち、安定した高微粉炭吹き込み操業を実現する。 - 特許庁
  • In the region at the upper surface of the recording gap layer 9 to arrange a connecting portion 16 of a thin film coil 16, a bottom-up pattern 41 is formed and a thin film coil 16 is formed on this bottom-up pattern 41 in order to layout the connecting portion 16a.
    記録ギャップ層9の上面であって、薄膜コイル16の接続部16aが配置される領域には、底上げパターン41が形成され、この底上げパターン41の上に接続部16aが配置されるように薄膜コイル16が形成されている。 - 特許庁
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