「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 190 191 192 193 194 195 196 197 198 .... 221 222 次へ＞- To provide a method of manufacturing a wiring board that suppresses a decrease in yield due to breaking of upper-layer wiring of the wiring board having a multilayer wiring structure, and improves reliability, a light emitting device, and electronic equipment.
多層配線構造を有する配線基板において、上層配線の断線等による歩留まりの低下を抑制し、信頼性を向上させることのできる配線基板の製造方法、発光装置及び電子機器を提供する。 - 特許庁 - The upper transparent electrode plate 10 is provided with a transparent substrate 1, a transparent electrode layer 3 formed on the back face of the transparent substrate 1, and a polarizing plate 2 laminated on the front face of the transparent substrate 1 integrally with the transparent substrate 1.
上部透明電極板１０は、透明基板１と、透明基板１の裏面上に形成された透明電極層３と、透明基板１の表面上に透明基板１と一体的に積層された偏光板２とを備える。 - 特許庁 - After that, a feed gas for semiconductor crystal growth such as a GaN-family compound semiconductor is supplied to the substrate, and crystal growth is simply carried out from the upper part of the projection part 11, thus forming a first semiconductor layer 2.
その後、この基板に例えばＧａＮ系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部１１の上方部から専ら結晶成長させることで第１の半導体層２を形成する。 - 特許庁 - A wiring 10 is formed on the upper layer of an interlayer insulator film 9 which covers MISFETQ1 formed on the main surface of a semiconductor substrate 1, and a dummy wiring 11 is disposed in a region where the distances between the wirings 10 are large.
半導体基板１の主面上に形成されたＭＩＳＦＥＴＱ１を覆う層間絶縁膜９の上層に配線１０を形成するとともに、その配線１０間の間隔が広い領域にダミー配線１１を配置する。 - 特許庁 - Then the film 5 for the reflection electrode is formed, on which a resist layer 6 for patterning the film 5 for the reflection electrode is applied, and the film 5 for the reflection electrode in the upper part of the base film 3a is removed by patterning.
次に、反射電極用膜５を成膜し、さらにその上に反射電極用電極５パターニング用のレジスト層６を塗布して、下地膜３ａ上方部分の反射電極用電極５がパターニングにより除去される。 - 特許庁 - An embodiment includes the formation of a flexible layer (12) having first and second ends (13, 14), an intermediate section (70) connecting the first and second ends, and upper and lower surfaces (48, 15).
実施形態は、第１および第２の端部分（１３、１４）、第１および第２の端部分を連結する中間部分（７０）、ならびに上側および下側の表面（４８、１５）を有する柔軟な層（１２）を形成することを含む。 - 特許庁 - A capacitor lower electrode 3 is connected to the gate electrode 6a, and a capacitor upper electrode 6b is connected to a P-type ground layer 12 to form a capacitor in parallel to a gate comprising the gate electrode 6a and a gate insulating film 4.
キャパシタ下部電極３をゲート電極６ａと結線し、またキャパシタ上部電極６ｂをＰ型接地層１２と結線する事により、ゲート電極６ａとゲート絶縁膜４から成るゲートに並列にキャパシタを形成する。 - 特許庁 - Since the resistance value of the semiconductor layer 140 varies with the written data, it is possible to identify the written data from a current value which is detected when a reading voltage is applied between the upper electrodes 150, 160.
書き込まれたデータによって半導体層１４０の抵抗値が異なるので、上部電極１５０、１６０間への読み出し電圧印加時に検出される電流値から、書き込まれているデータを識別して読み出すことができる。 - 特許庁 - A second interlayer insulation film is formed on the first interlayer insulation film where the barrier metal layer is formed, a second contact hole is formed at the upper part of the barrier metal film of the film, and a plug is formed there through selective CVD.
そのバリヤ金属層を形成させた第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜を形成させ、その膜のバリヤ金属層の上側の部分に第２コンタクトホールを形成させ、そこに選択的ＣＶＤでプラグを形成させる。 - 特許庁 - By layering a flow passage unit and the piezoelectric actuator and pressing the upper surface 42A of the piezoelectric layer 42 toward the flow passage unit by a heater having a flat pressing surface, the flow passage unit and the piezoelectric actuator are bonded with the adhesive.
そして、流路ユニットと圧電アクチュエータとを積層させ、平坦な押圧面を有するヒータによって圧電層４２の上面４２Ａを流路ユニットに向けて押圧することによって、流路ユニットと圧電アクチュエータとを接着剤で接着する。 - 特許庁 - The submount 20 is provided with a submount substrate 21 and a metal film 22 which is formed on the surface of the submount substrate 21, and connected to an upper electrode 3a of a semiconductor laser element 3 via a solder layer 25.
このサブマウント２０は、サブマウント基板２１と、サブマウント基板２１の表面上に形成されるとともに、半導体レーザ素子３の上部電極３ａがはんだ層２５を介して接続される金属膜２２とを備えている。 - 特許庁 - The piezoelectric layer 6 has a film thickness gradually decreasing portion 6a extending over the multilayer region of the lower electrode 5 while decreasing its film thickness gradually, and the upper electrode 7 is led out along the film thickness gradually decreasing portion 6a coplanarly with the lower electrode 5.
圧電層６は、その膜厚を漸減しながら下電極５の積層領域を越えて延在する膜厚漸減部６ａを有し、上電極７は、膜厚漸減部６ａに沿って下電極５と同一平面に引き出される。 - 特許庁 - The adhesive layer 17 is constituted by centering a sheet-shaped base material 18 comprising a PET, coating the first silicone-based adhesive 19 on the upper surface thereof, and coating the second acrylic adhesive 20 on the lower surface thereof.
接着層１７は、ＰＥＴよりなるシート状の基材１８を中心として構成され、その上面にシリコーン系の第１の接着剤１９が塗布され、その下面にはアクリル系の第２の接着剤２０が全面に塗布されている。 - 特許庁 - To achieve isolation improvement, reduction of cross polarization level when feeding upper layer, improvement of tilting directivity of polarized principal E plane, and improvement of the front gain without raising the manufacturing cost and deteriorating other antenna characteristics.
製造コストの上昇や他のアンテナ特性の劣化を招くことなく、アイソレーション特性の向上、上層給電時の交差偏波レベルの低減、主偏波Ｅ面指向性の傾きの改善、及び正面利得の向上を図る。 - 特許庁 - Protruding electrodes 8 are connected with a part of the wiring 4 formed on the main surface of the film substrate 1, and the Au bumps 3 of the chip 2A of the upper layer are electrically connected with the wiring 4 via the protruding electrodes 8.
フィルム基板１の主面に形成された配線４の一部には、突起電極８が接続されており、上層のチップ２ＡのＡｕバンプ３は、この突起電極８を介して配線４と電気的に接続されている。 - 特許庁 - The infrared detection element can prevent decreasing in infrared absorption quantity by reducing the heat capacity of a heat sensing unit by forming a through hole in a shape whose upper part spreads in a heat absorber layer.
実施形態の赤外線検出素子によれば、感熱吸収体層に上部が広がった形状の貫通孔を形成することにより、感熱ユニットの熱容量を低減し、赤外線吸収量の低下を防止することができる。 - 特許庁 - The information recording medium 1 further includes separating areas 6, 6, ... having patterns electrically separating the recording layer 4 to a plurality of areas whereon signals are to be recorded in at least one direction parallel to an upper face of the substrate 2.
情報記録媒体１は、さらに、記録層４を基板２の上面に平行な少なくとも１の方向において信号が記録されるべき複数の領域に電気的に分離するパターンを持つ分離領域６，６，…を含む。 - 特許庁 - In this laminated ceramic capacitor, where a ceramic layer and an internal electrode are laminated alternately, the internal electrode is made of metallic rolling foil, and the rolling foil is adhesively inserted between the upper and lower ceramic layers.
セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層セラミックコンデンサにおいて、上記内部電極が金属の圧延箔からなり、当該圧延箔が上下の各セラミック層間に密着介装される積層セラミックコンデンサである。 - 特許庁 - A lower optical waveguide 10 and an upper optical waveguide 11 are formed in a semiconductor layer laminated on a semiconductor substrate 1, and a part of these waveguides is laminated so as to superpose up and down to compose an optical coupling part 12.
半導体基板１上に積層された半導体層に、下部光導波路１０と上部光導波路１１が形成され、これらの導波路の一部が上下に重なるように積層されて光結合部１２が構成されている。 - 特許庁 - A semiconductor device has W via plugs 106 filled in vias 105 which pierces a second layer insulation film 104, an Al alloy upper wiring 103, a first insulation film 102 and an Al alloy lower wiring 101.
第２の層間絶縁膜１０４，Ａｌ合金上層配線１０３，第１の層間絶縁膜１０２及びＡｌ合金下層配線１０１を貫通するヴィアホール１０５にＷヴィアプラグ１０６が埋め込み形成されている。 - 特許庁 - A liquid leakage location detection system has the detection wire electrode using the conductive layer coated wire, implemented on upper and lower layers of the sealing sheet of the waste repository site, and detects a location of the solution leakage from the sealing sheet.
廃棄物処分場の遮水シートの上下層には、その導電層被覆電線を用いた検知用線状電極を敷設し、遮水シートからの溶液漏れの位置を検知する漏液位置検知システムであることを特徴とする。 - 特許庁 - On the upper surface part of a third piezoelectric layer 23, a large number of inner electrodes 23A of the substantially same shape as that of the drive electrode 20A and the land pattern 20B are formed.
また、第３圧電層２３の上面部には、前記各駆動電極２０Ａ及びランドパターン２０Ｂに対応する位置に、該駆動電極２０Ａ及びランドパターン２０Ｂとほぼ同じ形状の内部電極２３Ａが多数形成されている。 - 特許庁 - To provide a device for producing continuously a polyurethane sandwich element containing a porous polyurethane layer which is incorporated in the outer layers at the upper and lower sites and their intermittent places and tightly bound to both of the outer layers.
上側外側層及び下側外側層、並びにそれらの間に配されて、両外側層にしっかりと結合された多孔質ポリウレタンの層を有してなるポリウレタンサンドイッチエレメントを連続的に製造するためのデバイスの提供。 - 特許庁 - An end-point detecting layer 31 containing phosphorus is formed on the underside of a silicon substrate 10, the underside having a recess 10c and an upper electrode 13 and a hinge member 14 formed in the recess 10c.
裏面側に凹部１０ｃを有すると共に、この凹部内に上部電極１３およびヒンジ部材１４が形成されたシリコン基板１０の裏面側に、終点検出物質としてリンを含む終点検出層３１を形成する。 - 特許庁 - A pattern to be the liquid flow path to be formed on a substrate 2011 with a heater is formed by a positive photosensitive material in a two-layered structure of upper and lower layers, with the lower layer used for forming the liquid flow path after being thermally crosslinked.
ヒーターを形成した基板２０１１上に形成する液流路となる型パターンを、下層及び上層の２層構造にポジ型感光性材料から形成し、下層については熱架橋化してから液流路の形成に用いる。 - 特許庁 - A plurality wirings SHD for protecting bit lines are formed on the upper layer of the bit lines BL, and each of the bit lines BL and each of the wirings SHD for protecting the bit lines include regions superimposed in plan view.
複数のビット線ＢＬの上層には複数のビット線保護用配線ＳＨＤが形成され、複数のビット線ＢＬの各々と複数のビット線保護用配線ＳＨＤの各々とは平面視で重なる領域を含む。 - 特許庁 - This permeable facility is provided by arranging the permeable column in a bottom part of a tank so that rainwater stored in an upper permeation tank can permeate up to permeable soil under a clay layer, when arranging the permeable facility on the soil of clay quality.
粘土質の土壌に浸透施設を設けるときに、上部浸透槽中に貯留した雨水などが粘土層下の浸透土壌まで浸透できるように槽の底部に前記浸透性柱を設けた浸透施設である。 - 特許庁 - In the semiconductor device having a constitution where the Ni plating layer 20 of the semiconductor chip is bonded to solder 6b, a void 25 is provided in the Al electrode 19 at a position on th upper side of the contact hole 18.
このような構成の半導体チップのＮｉメッキ層２０と半田６ｂとを接合した半導体装置において、Ａｌ電極１９のうち、コンタクトホール１８の上側に位置する部位に、空孔２５を設けた構造とする。 - 特許庁 - In this organic EL element in which an organic layer is disposed between a lower electrode and an upper electrode on a substrate, there is an extraneous material on the lower electrode, and an insulating material is disposed only in a gap part between the extraneous material and the lower electrode.
基板上にある下部電極と上部電極との間に有機層が配置されてなる有機ＥＬ素子において、下部電極上に異物があり、前記異物と下部電極との隙間部分のみに絶縁物が配置されている。 - 特許庁 - When the nitride semiconductor light emitting diode 10 is viewed from the upper surface, outline of the nitride semiconductor layer N does not have a linear portion which makes an angle in the range of 80-100° with the longitudinal direction of the protrusion/recess structure.
この窒化物半導体発光ダイオード素子１０を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの外郭線は、前記凹凸構造の長手方向との間で８０度〜１００度の範囲内の角度をなす直線部分を有していない。 - 特許庁 - Namely, the organic EL panel 10 is constituted as the transparent panel laminated with the cover glass 1, anode 11, luminous organic layer 12, cathode 13, sealing agent 14 and end-sealing substrate 15 successively from the upper part toward the low part on Figure.
即ち、有機ＥＬパネル１０は、図面上方から下方に向かって、カバーガラス１、陽極１１、発光性有機層１２、陰極１３、封止剤１４及び封止基板１５が順に積層された透明パネルとして構成されている。 - 特許庁 - By the rotation of a rotary brush 41 installed on the downstream in the conveying direction of the vibrating roller 34, the light materials to be treated, which have been floated in the upper layer on the conveyer belt 31, is discharged from the conveyer belt 31 while scratched up by the brush hair 48.
また、振動ローラ34の搬送方向下流側に設けた回転ブラシ41の回転により、搬送ベルト31上で上層に浮かされた軽量被処理物を、そのブラシ毛48によって掻き上げて搬送ベルト31上から排出する。 - 特許庁 - The pointing device is formed to be a circular compact type so that it can be naturally held in a palm, and an upper layer circular cover part 11 and a pressure sensor mechanism 31 are operated in the palm to control the cursor operation and the click operation on a display.
ポインティングデバイス装置を円形コンパクト型にすることで自然に無理なく手のひらで保持でき、そのまま上層円蓋部11と圧力センサー機構31を操作することでディスプレイ上のカーソル動作とクリック動作を制御する。 - 特許庁 - To prevent large effects on distillation performance even if liquid drift is generated in each head when a filling layer constituted by filling a regular filling material of a crude argon tower is divided into two portions which are an upper head and a lower head.
粗アルゴン塔の規則充填物が充填されてなる充填層が上部ベッドと下部ベッドとに二分割された場合において、各ベッドに液偏流が生じても蒸留性能に大きな影響を与えないようにする。 - 特許庁 - In the production process, current block layers 17 and 18 are formed by epitaxial growth, following to formation of the ridge 1 excepting the upper surface of the ridge 1, the support layer 2 is formed by next epitaxial growth, and then the recess 2a is formed by etching.
その作製工程は、リッジ１形成後の結晶成長によりリッジ１の上面以外に電流ブロック層１７、１８が積層され、次の結晶成長によりサポート層２が積層され、凹部２ａがエッチングにより形成される。 - 特許庁 - In a process of forming the electrode layer 120, by the contact of a closed face 242A of the shutoff member 242 with the upper wall face 222A of the ejecting hole 222 in the retaining groove 241, shut off is made between the flow passage 221 and the ejecting hole 222.
電極層１２０を形成する工程では、保持溝２４１内で遮断部材２４２の閉鎖面２４２Ａを吐出孔２２２の上壁面２２２Ａに接触させて流路２２１と吐出孔２２２との間を遮断する。 - 特許庁 - The card material 2 of a card 1 having a magnetic recording layer or an IC module 4 is constituted of over sheets 2a, 2a' and core sheets 2b, 2b' and fire retardant coating films 6, 6' are laminated to at least the upper and rear surfaces of the card base material.
磁気記録層やＩＣモジュール４を有するカード１のカード基材２をオーバーシート２ａ、２ａ’、コアシート２ｂ、２ｂ’で構成し、表裏に難燃性塗膜６、および６’を、少なくとも一方に積層して課題を解決した。 - 特許庁 - In this case, a plurality of thin layer dividing grooves 112 are provided on the upper blades 111 of a first cutting-off portion 110 such that electrically conductive layers 12 to be stuck to the thread-like burrs produced by the blades can be divided at a required interval.
このとき、刃物によって生じる糸バリに付着する電気伝導性層１２を一定の間隔で分断可能なように、第１の切断部１１０の上刃１１１に、複数の薄膜分断溝１１２を設けた。 - 特許庁 - To solve the problem of being difficult to perform loading operation, since a grain bag of an upper layer stage part has lifting force and pushing-in force to the innermost side in a storage in the form of performing work of loading the grain bag in a stage-stacking form in an insulated van by input operation.
保冷庫に穀粒袋を段積形態に積込む作業を、人力操作によって行う形態では、上層段部の穀粒袋は、持上力と、庫内奥側への押込力を有するため、積込操作が行い難い。 - 特許庁 - The liquid crystal display is particularly set higher in the value (i.e. white voltage) (Vw) of the normal data voltage, with respect to the highest gradation of the luminance than the upper limit value (V_B) of a region (B) of the voltage value, where the bending alignment of the liquid crystal layer breaks down.
本発明による液晶表示装置は特に、輝度の最高階調に対する正規データ電圧の値（すなわちホワイト電圧）（Vw）を、液晶層のベンド配向が壊れる電圧値の領域（B）の上限値（V_B）より高く設定する。 - 特許庁 - This floor panel 10, in which a conductive layer 24 is provided on at least either of upper and lower surfaces of a base plate 22, and a side surface thereof, is arranged in such a manner that an underfloor space S is formed between the floor panel 10 and a floor surface of a skeleton 16.
基板２２の上面及び下面の少なくとも一方の面と側面とに導電層２４が設けられたフロアパネル１０が、躯体１６床面との間に床下空間Ｓを形成するように配置されている。 - 特許庁 - A pile hole 6 for the cast-in-place concrete pile of the lower pile is excavated down to the prescribed setting depth of a support layer continuously with the removal of sediment inside a steel pipe sheet pile so as to have almost the same diameter as the inner diameter of the steel pipe sheet pile 5 of the upper pile.
下部杭の場所打ちコンクリート杭の杭孔６を、上部杭の鋼管矢板５の内径とほぼ同径で鋼管矢板５の内部の土砂除去と連続して支持層の所定根入れ深さまで掘削する。 - 特許庁 - In this case, the intake tower 10 is provided with both an opening part 11 to take penetrated water from the filter layer A at the lower end part and a water guiding pipe 19 to connect the intake tower 10 to a well 17 arranged on the ground 16 at the upper end part.
該取水塔１０は下端部に該濾過層Ａからの浸透水を取水する開口部１１を設け、上端部は該取水塔１０と陸上１６に設置される井戸１７とを接続する導水管１９を設ける。 - 特許庁 - The terminal connection table is arranged in the circuit diagram in the upper layer, and the selected terminals and connection destinations to be connected to those terminals are wired so that the connection relations of the specific terminals can be listed.
前記上位階層の回路図にこの端子接続表を配置して、前記選択された端子と、該端子に接続される各接続先とを配線することによって、特定の端子における接続関係が一覧可能となる。 - 特許庁 - An outer peripheral excessive region removing process of removing the outer peripheral excessive region (10) of an upper layer-side wafer (4) of the laminated wafer (2) is carried out and then the cutting is carried out thereafter along a division slated line of a main region (8).
積層ウェーハ（２）における上層側ウェーハ（４）の外周余剰領域（１０）を除去する外周余剰領域除去工程を遂行し、しかる後に、主領域（８）の分割予定ラインに沿って切削を遂行する。 - 特許庁 - The optical recording medium has transparent protective films adjacent to the upper and lower parts of a phase change recording layer which reversibly changes between crystalline and amorphous phases.
結晶、非晶質の可逆変化を行う相変化記録層の上部及び下部に隣接して透明保護膜を有し、該保護層のうちの少なくとも一方がＳｉＣとＳｉＯ２の混合体である光記録媒体を主要な構成とする。 - 特許庁 - To mount a high-density coil on a stator core by preventing winding collapse of a wire at coil transition to the next upper layer or air gap occurrence within a slot, in a stator for a rotary electric machine where a roughly rectangular wire is wound concentratedly around a split core.
分割コアに略角線を集中巻した回転電機用ステータにおいて、コイルの層上がり時に発生する電線の巻き崩れやスロット内の空隙の発生を防止し、高密度なコイルをステータコアに実装する。 - 特許庁 - The design printed areas 28a-28c of the upper half 24 are coated with the design protective layer 30 on the surface of which projecting and recessing parts are formed with glass beads 31 by coating the disign printed areas with the coating film of coating material in which the grass beads 31 are contained.
この上ハーフ２４の意匠印刷領域２８ａ〜２８ｃを、ガラスビーズ３１が含有された塗料の塗膜で被覆することによりガラスビーズ３１によって表面に凹凸が形成される意匠保護層３０で被覆する。 - 特許庁 - In addition, in order to carry out selective extraction of the specific layer, the method and the device are provided to subtract the information on the state of the upper part of the pattern from the image information or the shape information in which the plurality of layers are expressed.
また、特定層の選択的な抽出を行うために、上記複数層が表現された画像情報、或いは形状情報から、パターン上部の形状に関する情報を差し引く方法、及び装置を提供する。 - 特許庁 - The outer peripheral-side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.
絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁
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