「upper layer」を含む例文一覧(11093)
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この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁 - In a reproducing head part 20, a first part 181 consisting of one kind or two kinds or more out of tungstic oxide, titanium oxide, tin oxide, and strontium oxide and having specific resistance of 10 kΩcm or less is provided between an upper shield layer 19 and a MR element and between a pair of electrode layers 17L, 17R.
再生ヘッド部２０では、酸化タングステン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫および酸化ストロンチウムのうちのいずれか１種または２種以上からなり１０ｋΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する第１部分１８１が、上部シールド層１９とＭＲ素子１５および一対の電極層１７Ｌ，１７Ｒとの間に設けられている。 - 特許庁 - To provide a rigid, inexpensive and lightweight water storage pipe for storing water and an underground water storage structure by stacking the pipes capable of efficiently using an underground space, facilitating the stacking work to shorten the construction, and resisting the load from an upper surface layer and having a high percentage of void.
水を貯留する剛性が高く、低コスト・軽量の貯水管、およびそれを積層した地下貯水構造物において、地中空間を効率的に使用し、積層作業が容易で施工期間を短く抑え、地下貯水構造物の上部表面層からの荷重に耐え、かつ、空隙率の高い地下貯水構造物を提供することにある。 - 特許庁 - When a contact hole CH is formed, a CF group polymer 25 formed in an upper layer of an etching stopper film 23 can be ashed with a gas using hydrogen to remove, and in particular, as it is possible to defend a progress of etching of the etching stopper film 23 with fluorine, it is possible to etch the etching stopper film stably and with superior controllability.
コンタクトホールＣＨを形成する際に、エッチングストッパ膜２３の上層に形成されたＣＦ系ポリマー２５を水素を用いたガスでアッシングすることにより除去することができ、特にフッ素によるエッチングストッパ膜２３のエッチングの進行をふせぐことができるため、安定かつ制御性よくエッチングストッパ膜のエッチングをすることができる。 - 特許庁 - On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked.
主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ及び上部半導体ＤＢＲを含む複数の半導体層が積層されている。 - 特許庁 - The transfer mask is provided with a supporting substrate, an intermediate oxide film formed on the upper surface of the supporting substrate, a silicon single crystal layer formed thereon, a rear oxide film formed on the rear surface of the supporting substrate, and a warpage adjusting film formed on the rear oxide film, and the warpage ranges -15 to +15 μm.
支持基板、この支持基板の上面に形成された中間酸化膜、この中間酸化膜上に形成されたシリコン単結晶層、前記支持基板の裏面に形成された裏面酸化膜、及びこの裏面酸化膜上に形成された反り調整膜を備え、反り量が−１５〜＋１５μｍの範囲としたことを特徴とする。 - 特許庁 - A portion of a substrate power supply wiring line 120 is exposed by forming a power supply wiring line 110 in a U shape at a substrate power supply cell 100, and then a connection portion 140 to the upper-layer wiring line is disposed at the boundary portion of the substrate power supply cell 100, thereby reducing the leakage current without degrading signal wiring efficiency.
基板電源供給セル１００にて電源配線１１０をコの字状に形成することにより基板電源配線１２０の一部を露出させ、以て上層配線への接続部１４０を基板電源供給セル１００の境界部に配置することにより、信号配線効率を低下させないでリーク電流を削減する。 - 特許庁 - A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of this organic EL element; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as the minute resonator for selecting light having a specific wavelength.
有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁 - Furthermore, this semiconductor device comprises a source/drain region 7 selectively formed in the main plane of the silicon substrate 1, and a Co silicide layer 8 formed, so as to extend from the upper plane of the source/drain region 7 exposed from the sidewall 6 and the gate structure downward of an end part of the gate structure, in the principal plane of the silicon substrate 1.
また、半導体装置は、シリコン基板１の主面内に選択的に形成されたソース・ドレイン領域７と、シリコン基板１の主面内において、サイドウォール６及びゲート構造から露出するソース・ドレイン領域７の上面から、ゲート構造の端部の下方にまで延在して形成されたＣｏシリサイド層８とを備えている。 - 特許庁 - This thin-film transistor is formed on a glass plate that can stand heat treatment at 700°C or lower, and an electrode connecting with the source and drain areas is in contact with the upper and side surfaces of the source and drain areas and the glass plate, or a blocking layer, and the transistor can be completed with a small number of masks.
７００度以下の熱処理に耐え得るガラス基板上に形成される薄膜トランジスタの構造において、ソース、ドレイン領域に接続する電極は前記ソース、ドレイン領域の上面と側面とガラス基板又はブロッキング層に接しており、その作製工程においては少ないマスク数で完成させることができる薄膜トランジスタ。 - 特許庁 - In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a first support plate 24 is stuck to an upper surface of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via a first adhesive layer 23, thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.
この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に第１の接着剤層２３を介して第１のサポート板２４が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１の形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁 - At the time of laminating a plurality of layers on a semi- insulation substrate and forming a mesa region and the other regions by mesa etching, by selectively stopping the regions other than the mesa region to be etched at the layer of a slow etching speed, a level difference between a mesa step upper part and a mesa step lower part is suppressed and disconnection and narrowing of the gate electrode are prevented.
半絶縁性基板上に複数の層を積層して、メサエッチングによってメサ領域とメサ領域以外の領域とを形成するときに、エッチングされるメサ領域以外の領域がエッチング速度の遅い層で選択停止することにより、メサ段差上部とメサ段差下部との段差を抑えてゲート電極の断線と狭小化を防止する。 - 特許庁 - In this case, although the semiconductor wafer 21 is separated into the individual silicon substrates 1, a first support plate 24 is stuck to an upper surface of a columnar electrode 10 and the sealing film 12 via a first adhesive layer 23, thus preventing an entire part including the individually separated silicon substrates 1 from being warped easily when forming the resin protective film 11.
この場合、半導体ウエハ２１は個々のシリコン基板１に分離されているが、柱状電極１０および封止膜１２の上面に第１の接着剤層２３を介して第１のサポート板２４が貼り付けられているので、樹脂保護膜１１をの形成に際し、個々に分離されたシリコン基板１を含む全体が反りにくいようにすることができる。 - 特許庁 - The semiconductor device according to this embodiment has a first wiring 5 formed on a substrate 1; a second wiring 16 formed on an upper layer of the first wiring 5 and disposed with an air gap 20 interposed between itself and the first wiring 5; and a carbon nano-tube 11 formed in the air gap 20 and used to connect the first wiring 5 to the second wiring 16.
本実施形態に係る半導体装置は、基板１上に形成された第１配線５と、第１配線５の上層に形成され、第１配線５との間にエアギャップ２０を介在させて配置された第２配線１６と、エアギャップ２０内に形成され、第１配線５と第２配線１６とを接続するカーボンナノチューブ１１とを有する。 - 特許庁 - In the manufacturing apparatus of a solar battery element, wherein a wafer carrier 2 contains a plurality of the solar battery elements 1 on the surface of which the electrodes are formed, an arm 3 supports the wafer carrier which is dipped in solder melting liquid to form a solder layer on the surface of the electrodes, a cleaning plate 5 is provided on the upper part of the solar battery elements.
表面に電極が形成された複数の太陽電池素子１をウエハキャリア２に収容し、このウエハキャリアをアーム３で保持し、はんだ融液に浸漬して前記電極の表面にはんだ層を形成する太陽電池素子の製造装置において、前記太陽電池素子の上部にクリーニング板５を設けたことを特徴とする。 - 特許庁 - In the epitaxial growth of the semiconductor layer on the surface of a semiconductor wafer W, after a molten semiconductor material M produced inside a crucible 2 is fed onto the semiconductor wafer W, a heater 3 for temperature difference formation separated above a treatment vessel 1 is moved down and contacted to the upper surface of the molten semiconductor material M.
半導体基板Ｗの表面に半導体層をエピタキシャル成長させる際には、るつぼ２内で作製された溶融半導体材料Ｍが半導体ウエハＷ上に供給された後、処理容器１の上方に離間していた温度差形成用ヒータ３が下降されて、溶融半導体材料Ｍの上面に接触させられる。 - 特許庁 - Alternatively, the container opened at its upper part, to which the dried objects 3 composed of tablets or powder and granular material are charged, is stored in the vacuum chamber 1, and the vapor is guided upward by a guide member 4 mounted along the vertical direction in the lamination layer of the dried object 3 in the container 2 while keeping the vacuum chamber 1 in a vacuum state.
または、錠剤又は粉粒体からなる被乾燥物３が投入された上部開口の容器２を真空室１内に収容し、真空室１内を真空状態に保ちながら、前記容器２の被乾燥物３の積層内に上下方向に沿って設置したガイド部材４により水蒸気を上方にガイドさせる。 - 特許庁 - By forming a bend groove on the planar vacuum insulation material 1, bending it at the groove part and installing it so as to surround an inner container side face in a polygonal column shape, the crack generation of the gas barrier layer of a film constituting the outer bag caused by the bending of a ridge line at the upper end part and lower end part of a polygonal column is reduced.
平板状の真空断熱材１に折り曲げ溝を作成し、溝部で折り曲げを行い、多角柱形状に内容器側面を取り囲むよう設置することにより、多角柱の上端部と下端部で稜線が折れ曲がることにより生じる外袋を構成するフィルムのガスバリア層の亀裂発生を低減することができる。 - 特許庁 - Upon exposure, the upper face of a mask substrate of the photomask 1 is irradiated with i-line (365 nm wavelength) beams from a light source 20 such as a high-pressure mercury lamp via an illumination optical system 30, and near-field light permeates near the protrusion 2 formed in the photomask 1 to expose a resist layer 11 on the surface of the object placed directly under the protrusion 2.
露光に際して、フォトマスク１のマスク基板の上面から、例えば高圧水銀ランプ等の光源２０からｉ線（波長３６５ｎｍ）が照明光学系３０を介して照射され、フォトマスク１に形成された凸部２の近傍に近接場光がしみだし、凸部２の直下に位置する被処理体表面のレジスト層１１が露光される。 - 特許庁 - The absorbent body 13 has a plurality of compression points 16 formed by compressing the upper and lower layer absorbent bodies 13b, 13a in a thickness direction, and when the absorbent body 13 is viewed in plan view, a plurality of longitudinal compression point arrays 17 consisting of the regularly arranged compression points 16 are formed over a width direction so as to extend in a longitudinal direction.
吸収体１３は、上層吸収体１３ｂと下層吸収体１３ａが厚み方向に圧縮されてなる圧縮点１６を複数有し、吸収体１３を平面視したときに、規則的に配列された圧縮点１６からなる縦長の圧縮点列１７が長手方向に延びるように、幅方向にわたり複数列形成されている。 - 特許庁 - In a stack structure wherein a plurality of semiconductor chips are stacked on a lead frame die pad 4, when the secondary bonding of a wire 5a is performed for a bump 6 which is formed in advance on an electrode pad of a chip 2 of an upper layer, a bending point 8 is provided near the bump 6 and a wire is laid toward the bump 6 having an angle obliquely downward therefrom.
リードフレームダイパッド４上に半導体チップが複数積層されたスタック構造において、上層のチップ２の電極パッド上に予め形成されたバンプ６に対し、ワイヤー５ａの二次ボンディングをおこなう際、バンプ６付近で屈曲点８を持たせ、そこから斜め下方に角度をもってバンプ６に向かってなるワイヤー形状とする。 - 特許庁 - To provide a silicon light emitting device and method of manufacturing the same in which the silicon carbon nitride film is formed on at least either the upper or lower side of the silicon light emitting layer to improve the emitting efficiency in the region of the near infrared ray, visible light and ultraviolet.
シリコン発光層の上部と下部のうち少なくとも一つに、広いエネルギー領域でバンドギャップを有し、ドーピングが可能であるうえ、非晶質薄膜上に成長できるシリコンカーボンナイトライド膜を形成することにより、近赤外線、可視光及び紫外線領域で発光効率を向上させることが可能なシリコン発光素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The integrated circuit further comprises the bumps of a height structure of a height of the upper surface of the metal electrode, with respect to the surface of a metal wiring layer except for the metal electrode of the integrated circuit.
本発明では、半導体集積回路を回路基板に接続するために、金属電極上にバンプを備えた半導体集積回路において、前記金属電極の上面が、前記半導体集積回路の金属電極以外の金属配線層の表面に対して、高さが高い構造であることを特徴とするバンプを備えた半導体集積回路。 - 特許庁 - The insulating film 3 has coating layers 2 made by adding inorganic insulating powder to a thermosetting resin, on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1.
液晶ポリマー層１の上下面に、熱硬化性樹脂に無機絶縁粉末を含有して成る被覆層２を有する絶縁フィルム３であって、被覆層２は液晶ポリマー層１側に位置する表面に、無機絶縁粉末が表面から部分的に突出することによって形成され、液晶ポリマー層１に嵌入している突出部を有していることを特徴とする。 - 特許庁 - The capacitor layer 12 includes lower electrodes 15A and 15B formed on the magnetic substrate 11, a thin dielectric film 16 covering the approximately entire surface of the substrate 11 including surfaces of the electrodes 15A and 15B, and upper electrodes 17A and 17B oppositely placed to the lower electrodes 15A and 15B of the capacitor via the thin dielectric film 16.
キャパシタ層１２は、磁性基板１１上に形成された下部電極１５Ａ、１５Ｂと、下部電極１５Ａ、１５Ｂの表面を含む磁性基板１１の略全面を覆う誘電体薄膜１６と、誘電体薄膜１６を介してキャパシタ下部電極１５Ａ、１５Ｂと対向配置された上部電極１７Ａ、１７Ｂとを備えている。 - 特許庁 - To provide a chlorine gas removing method for electrolytic water generating device which allows the chlorine gas generated on the upper part of electrolytic cell of electrolytic water generating device for domestic use obtaining acidic water and alkaline water from city water layer to be removed with a neutralization means of chlorine gas or uses the neutralization means of chlorine gas and a chlorine gas adsorption means by mixing the same.
水道水層から酸性水とアルカリ水を得る家庭用の電解水生成装置の電解槽の上部に生成する塩素ガスを、塩素ガスの中和手段で除去させるか、塩素ガスの中和手段と塩素ガス吸着手段を混合して用いる電解水生成装置用の塩素ガス除去方法を提供する。 - 特許庁 - The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる技術である。 - 特許庁 - In a manufacturing process of this light emitting device, counter electrodes 112 are formed on upper layers of the organic function layer 113 and barrier ribs 105 by using an aluminum film formed by a deposition method, and thereafter compound layers 112x formed out of an aluminum oxide film are formed on the counter electrodes 112 by irradiating the counter electrodes 112 with oxygen plasma.
発光装置の製造工程において、有機機能層１１３および隔壁１０５の上層に、蒸着法により成膜したアルミニウム膜を用いて対向電極１１２を形成した後、対向電極１１２に酸素プラズマを照射して対向電極１１２の表面にアルミニウム酸化膜からなる化合物層１１２ｘを形成する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device which suppresses electric charging on an upper face of an embedded silicon oxide 2 acting as a capacitor dielectric between a substrate and a silicon layer configuring an element region when a high voltage is applied to a circuit element, decreases an on resistance of the element, and also dissipates heat generated in an element part efficiently.
回路素子に高電圧を印加したときに、基板と素子領域を構成するシリコン層との間でコンデンサ誘電体の作用をする埋め込み酸化シリコン２の上面に電荷が蓄えられるのを抑制して、素子のオン抵抗を減少させると共に、素子部で発生した熱を効率よく放出することができる半導体デバイスを得る。 - 特許庁 - A ground electrode 31 in a rectangular frame shape, a center electrode 32 disposed in the center of the reverse surface, a capacity lower electrode 33 connected to the center electrode and disposed opposite the capacity upper electrode 21, an inductance portion 34 connecting the center electrode 32 and ground electrode 31 to each other, are formed on the reverse surface side of the dielectric layer 10.
誘電体層１０の下面側には、四角枠状のグランド電極３１、下面中央に配置される中央電極３２、中央電極に接続され且つ容量上部電極２１に対向配置される容量下部電極３３、中央電極３２とグランド電極３１とを接続するインダクタンス部３４を形成する。 - 特許庁 - Before forming a second layer insulation film on the upper side of a tungsten wiring, the thermal budget at a maximum temperature C of 600°C or more to be loaded in process steps after forming the tungsten wiring film is applied beforehand, to avoid forming an unstable atomic configuration in the tungsten wiring, thereby relaxing the stress of the tungsten wiring and compacting it.
タングステン配線上部に第二の層間絶縁膜が成膜される前に、該タングステン配線成膜後の工程で負荷される最高温度Ｃ、すなわち６００℃以上の熱履歴をあらかじめ施すことで、タングステン配線の内部に不安定な原子配列が形成されるのを防止し、タングステン配線の応力緩和と緻密化を図る。 - 特許庁 - The liquid crystal display device 20 is the transflective liquid crystal display device wherein a liquid crystal 26 is held between an upper substrate 24 and a lower substrate 23 opposing each other and a transflective layer 35 including cholesteric liquid crystal films 34r, 34g and 34b is provided above the lower substrate 23 an which is provided with a backlight 22.
本発明の液晶表示装置２０は、互いに対向配置された上基板２４と下基板２３との間に液晶２６が挟持され、下基板２３上にコレステリック液晶層３４ｒ，３４ｇ，３４ｂからなる半透過反射層３５が設けられ、バックライト２２が備えられた半透過反射型の液晶表示装置である。 - 特許庁 - This local anesthetic preparation for endoscopic pretreatment of upper alimentary canal has a long substrate 10 having 40-150 mm bending resistance and a plaster layer 20 which is formed on one side or both sides of one end part of the substrate 10 in the long length direction and contains at least a local anesthetic and an adhesive polymer.
本発明の上部消化管内視鏡前処置用局所麻酔製剤は、剛軟度が４０〜１５０ｍｍである長尺状の支持体１０と、支持体１０の長尺方向の一端部の片面または両面において形成され、少なくとも局所麻酔薬および粘着性高分子を含有する膏体層２０とを有する。 - 特許庁 - This plate member storage device is provided with a roller conveyor to support only upper and lower end parts of the plate member 1 which is vertically or diagonally stored, a roller 3 and a porous body 7 to support a central part, and air passing through the porous body 7 forms an air layer 8 between the plate member 1 and a surface facing the porous plate member 1.
垂直あるいは斜めに収納された板状部材１の上下端部のみを支持するローラーコンベア２とコロ３と中央部分を支持する多孔質体７とを設けたものであり、多孔質体７を通過した空気が、板状部材１と、多孔質体の板状部材１と対面する面との間に空気層８を形成する。 - 特許庁 - On the upper surface part of a first piezoelectric layer 21, a substantially rhombic drive electrode 20A slightly smaller than and similar to the projection of an ink pressure chamber 19A is formed at a position corresponding to each ink pressure chamber 19A, and an arrow type land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the drive electrode 20A.
第１圧電層２１の上面部には、各インク圧力室１９Ａに対応する位置に該インク圧力室１９Ａの投影形状よりも少し小さいほぼ相似形の略菱形の駆動電極２０Ａと、該駆動電極２０Ａの鋭角部から連続して形成される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a photosensitive lithographic printing plate with a photosensitive layer formed on an aluminum support having a hydrophilic surface, the method is characterized in that an upper end notched part is formed in the end parts of at least the opposed two sides of the plate by pressing the end parts with the help of a continuous press.
親水性表面を有するアルミニウム支持体上に感光層が設けられている感光性平版印刷版の製造方法において、感光性平版印刷版の少なくとも対向する２辺の端部を連続プレス機によって押圧して上端切り欠き部を形成することを特徴とする感光性平版印刷版の製造方法。 - 特許庁 - The aseismatic structure building is comprised by forming an internal space by a plurality of pillars erected on a foundation, a floor provided on the foundation, a roof provided on upper parts of the pillars, and walls provided in outer sides of the pillars, and anchor bolts are driven to a load bearing layer of the ground through the foundation.
基礎上に立設された複数本の柱と、前記基礎上に設けられた床と、前記柱の上部に設けられた屋根と、前記柱の外側に設けられた壁体とにより内部空間を形成してなる建造物であって、アンカーボルトが前記基礎を貫通して地盤の支持層まで打ち込まれてなる耐震構造建造物とする。 - 特許庁 - In the decorative synthetic resin sheet wherein synthetic resin films 3 and 3 having light perviousness are integrally laminated on both upper and back surfaces of Japanese paper 1, an antistatic intermediate layer 2 comprising an antistatic anchor coat agent having adhesiveness is interposed between at least one of the synthetic resin films 3 and 3 on both surfaces and the Japanese paper 1.
和紙１の表裏両面に透光性のある合成樹脂フィルム３、３を貼着一体化した装飾合成樹脂シートにおいて、表裏両面の合成樹脂フィルム３、３の少なくとも一方と和紙１とを相互間に接着性を有する静電防止性アンカーコート剤よりなる帯電防止中間層２を介在させて貼着一体化する。 - 特許庁 - In a manufacturing method for the SOI high-voltage transistor 200, a control channel region 208 and an auxiliary channel region 210 adjacent to the control channel region 208 are formed in an Si upper layer 206 of an SOI substrate 201, and a control gate 220 is formed on the control channel region 208 and an auxiliary gate 222 on the auxiliary channel region 210.
本発明に係るＳＯＩ高電圧トランジスタ２００の製造方法においては、ＳＯＩ基板２０１のＳｉ上部層２０６に、制御チャネル領域２０８及びこれに近接する補助チャネル領域２１０を形成し、制御チャネル領域２０８上に制御ゲート２２０と、補助チャネル領域２１０上に補助ゲート２２２とを形成する。 - 特許庁 - A dummy pattern, deposited in the lower layer of the integrated circuit and connected to a complementary upper skin bonding pad via metal connection and the metal connection, which has no additional or special process stage, are formed simultaneously while a process stage used for forming a circuit component included in the integrated circuit is advanced.
集積回路の下層に蒸着されて複数の相補的な上皮ボンディングパッドまで金属連結を介して連結したダミーパターンを含むのであるが、かかるダミーパターンと金属連結とは、追加されたり特別の工程段階がなく、集積回路内に含まれた回路成分を形成するために使われる工程段階が進められる間に同時に形成される。 - 特許庁 - A process tank 10 in which the dampening water divided by the branch pipe 15 is allowed to stand, a concentration tank 11 which receives liquid of an upper layer from the tank 10, separates suspending ink, and returns the residual liquid to the tank 10, and a filter device 7 which filters the liquid in the tank 10 and introduces the liquid into the tank 8 are provided.
分岐管１５で分岐された湿し水を静置するプロセスタンク１０と、同プロセスタンク１０内から上層の液を受入れて浮遊したインキを分離し残留液を前記プロセスタンク１０へ戻す濃縮タンク１１と、前記プロセスタンク１１の液を濾過して湿し水冷却循環タンク８へ流入させる濾過装置７を有している。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.
半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁 - Also, a metal film 20 composed of copper or a copper alloy is formed on the crystallinity enhancement film 18 so as to fill the through hole 13a and wiring formation trench 15a, and an upper-side wiring layer 20 consists of the first protection conductive film 16, second protection conductive film 17, crystallinity enhancement film 18 and metal film 19.
さらに、銅又は銅合金からなる金属膜２０が、結晶性向上膜１８上で且つスルーホール１３ａ及び配線形成溝１５ａを充填するように形成されており、第１の保護導電膜１６、第２の保護導電膜１７、結晶性向上膜１８及び金属膜１９により上部配線層２０が構成されている。 - 特許庁 - Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.
次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁 - Substantially rhombic similar driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink pressure chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B of arrow shape is formed to be led out continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A to a position corresponding to the outside of the ink pressure chamber 19A.
また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部からインク圧力室１９Ａの外側に対応する位置まで連続して引き出される矢印形状のランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the photopolymerization type photosensitive lithography printing plate in which a photopolymerization type photosensitive layer is formed on a metallic supporting body having a hydrophilic surface, when the photopolymerization type photosensitive lithography printing plate is cut into a required size, a clearance between the upper and the lower blades of a slitter for cutting is set to be 0 to 30 μm.
親水性表面を有する金属製支持体上に光重合性感光層が形成された光重合性感光性平版印刷版の製造方法において、該光重合性感光性平版印刷版を所望のサイズに裁断する際に、裁断用スリッターの上刃と下刃との隙間を、０μｍ〜３０μｍに設定することを特徴とする。 - 特許庁 - A hydrogen barrier layer 32, wherein a capacitor 14 provided with an upper part electrode 28 comprising an electrostatic capacity film 26 of a PZT film and a laminated metal film of IrO2 film/Ir film is coated so that a hydrogen is prevented from approaching the capacitor 14 for contact, is an SiON film of thickness 600 Å which is film-formed by a plasma CVD method.
ＰＺＴ膜からなる静電容量膜２６及びＩｒＯ_2 膜／Ｉｒ膜の積層金属膜からなる上部電極２８を有するキャパシタ１４を被覆して、水素がキャパシタ１４に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層３２が、プラズマＣＶＤ法で成膜した、膜厚６００ÅのＳｉＯＮ膜である。 - 特許庁 - In the pyroelectric infrared sensor, a vinylidene fluoride oligomer layer sandwiched between a lower electrode and an upper electrode is used as a light receiving element, a pyroelectric substrate where one or more light receiving elements are arranged on a substrate for the pyroelectric element is mounted on a support substrate, and a heat insulation region is disposed on the support substrate side of the pyroelectric substrate.
下部電極と上部電極に挟まれたフッ化ビニリデンオリゴマー層を受光素子とし、該受光素子が焦電体用基材上に１個または２個以上配置されてなる焦電体基板が支持基材上に載置されてなり、該焦電体基板の支持基材側に断熱領域が設けられている焦電型赤外線センサー。 - 特許庁 - The liquid crystal display device comprises lower and upper substrates, a UV curing sealant formed to have a part for controlling a liquid crystal flow in at least two corner regions between the both substrates and a liquid crystal layer formed in the inside region of the UV curing sealant between the both substrates.
本発明の液晶表示素子は、下部基板及び上部基板と、前記両基板の間で、少なくとも２つのエッジ領域に液晶流れ調節部を有するように形成されたＵＶ硬化型シール剤と、前記両基板の間のＵＶ硬化型シール剤の内側の領域に形成された液晶層とを含んで構成されることを特徴とする。 - 特許庁 - In this toilet equipment in which the surface sheet is mounted in a predetermined region, the surface sheet 131 is constituted by PET (basic material) 13 having predetermined surface hardness and a film layer 11 formed on an upper face of the basic material 13 and having surface hardness equal to that of the basic material and antibacterial agent.
所定の領域に表面シートを装着したトイレ機器において、表面シート１３１は、所定の表面硬度を有するＰＥＴ（基材）１３と、基材１３の上面に形成され、基材表面と同等の表面硬度を有しかつ抗菌剤を有する皮膜層１１と、から構成されることを特徴とするトイレ機器である。 - 特許庁
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