「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 12 13 14 15 16 17 18 19 20 .... 221 222 次へ＞- An electron injection layer 16F and an upper electrode 17 are formed on the electron transport layer 16E.
電子輸送層１６Ｅ上に電子注入層１６Ｆおよび上部電極１７を形成する。 - 特許庁 - The coil has an upper part facing one layer of magnets and a lower part facing the other layer of magnets.
コイルは、一方の磁石層に面する上部と、他方の磁石層に面する下部とを有する。 - 特許庁 - On the foundation layer 2, an upper layer 3 is formed epitaxially with a second group III nitride rich in Al.
下地層２の上に、上部層３をＡｌリッチな第２のIII族窒化物にてエピタキシャル形成する。 - 特許庁 - A diffusion layer 5 of the peripheral transistor is connected to an upper layer wiring through a first contact C1.
周辺トランジスタの拡散層５は第１コンタクトＣ１を介して上層配線に接続される。 - 特許庁 - An insulating member 18 is interposed between the upper electrode layer 15 and the lower electrode layer 16.
上電極層１５と下電極層１６との間には、絶縁部材１８が介在している。 - 特許庁 - From the upper part of the buffer layer to the contact layer are formed as a striped mesa structure 22.
バッファ層の上部からコンタクト層までは、ストライプ状メサ構造２２として形成されている。 - 特許庁 - Then, an upper electrode layer 207 is formed to obtain a capacitor member with a dielectric layer 20.
更に、上部電極層２０７を形成し、誘電体層２０を有するキャパシタ部材を得る。 - 特許庁 - The focus detecting pixel includes an upper layer microlens, a lower layer microlens, and a photoelectric conversion area.
この焦点検出用画素は、上層マイクロレンズ、下層マイクロレンズ、光電変換域を備える。 - 特許庁 - A drain wiring 15 as the upper-layer wiring is formed on the third inter-layer insulating film.
第３層間絶縁膜上には、上層配線としてのドレイン配線１５が形成されている。 - 特許庁 - This MPL 10 contacts a gas diffusion layer on the upper side and a catalyst layer on the lower side.
このＭＰＬ１０は、上面においてガス拡散層、下面において触媒層に接する。 - 特許庁 - The p-type base layer 14 is formed by epitaxial growth on the upper surface of the epitaxial layer 12.
エピタキシャル層１２の上面にｐ型ベース層１４がエピタキシャル成長により形成される。 - 特許庁 - A bandpass filter layer is formed on the upper side of the organic compound layer of each organic EL element.
各有機ＥＬ素子の有機化合物層の上方にバンドパスフィルター層が形成されている。 - 特許庁 - The lower electrode layer and the upper electrode layer are formed using a TaCr alloy thin film.
下部電極層および上部電極層としてそれぞれＴａＣｒ合金薄膜を用いている。 - 特許庁 - STRUCTURE WITH UPPER LAYER LAMINATED ON GROUP III-V SEMICONDUCTOR LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD
ＩＩＩ−Ｖ族半導体層に上部層が積層されている構造体とその製造方法 - 特許庁 - Then, the color tone of the second upper coating electrically conductive GL layer as the outermost surface layer is a light color.
そして、最表層となる第二の上引き導電性ＧＬ層の色調は薄色である。 - 特許庁 - Oxygen (O_2) is added to a seed layer 11, an AFM layer 12, a binder layer 14 and an upper pinned layer 41 of a SyAP pinned layer 18, and a free layer 25, from among a series of layers from the seed layer 11 to a protective layer 27.
シード層１１から保護層２７に至る一連の層のうち、シード層１１、ＡＦＭ層１２、ＳｙＡＰピンド層１８のうちの結合層１４および上部ピンド層４１、ならびにフリー層２５に酸素（Ｏ_2 ）を添加する。 - 特許庁 - The upper layer 5 has a thickness smaller than that of the lower layer 3 and the middle layer 4, and is composed of a repulsive material (e.g. urethane foam material) with lower repulsion force than the lower layer 3 and the middle layer 4.
前記上層５は、前記下層３，および中間層４に比較して厚さが薄く、反発性も最も低い素材（例えばウレタンフォーム材）で構成する。 - 特許庁 - The layer 11 is laid after a quartz sand layer 9 is scattered on the layer 6b and the upper section of the layer 9 is coated with an asphalt rubber adhesive layer 10.
該シート系防水材層１１は、前記第２樹脂モルタル層６ｂの上に硅砂層９を散布した後、その上にアスゴム系接着剤層１０を塗布してから敷設する。 - 特許庁 - Any sand that falls on the upper surface of a third layer 7 passes through that layer and also through the second layer 3 to be retained between the first layer 2 and second layer 3.
第３層の上部表面上に落ちるいかなる砂もその層を通過しそして第２層３も通過して第１層２と第２層３との間に保持される。 - 特許庁 - A wiring groove 7 is formed in the low dielectric layer 4, the high dielectric layer 5, and the protective layer 6, being dug down to the low dielectric layer 4 from the upper surface of the protective layer 6.
低誘電率層４、高誘電率層５および保護層６には、保護層６の上面から低誘電率層４まで掘り下がった配線溝７が形成されている。 - 特許庁 - The third layer 10c, the fifth layer 10e, and the seventh layer 10g form a coupling part 31 for magnetically coupling the lower magnetic pole layer 10 to the upper magnetic pole layer 27.
第３の層１０ｃ、第５の層１０ｅおよび第７の層１０ｇは、下部磁極層１０と上部磁極層２７とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。 - 特許庁 - On an opening 30A of an insulating layer 20 on a surface of a substrate 10, a lower clad layer 22, an active layer 23, an upper clad layer 34, and a contact layer 28 are formed in order.
基板１０表面の絶縁層２０の開口３０Ａ上に、下部クラッド層２２と、活性層２３と、上部クラッド層３４と、コンタクト層２８とが順に形成されている。 - 特許庁 - The skin abutment face of the upper layer 2 is substantially flat.
更に上層２の肌当接面が実質的に平坦になっている。 - 特許庁 - An insulating layer 6 is formed on the upper face of the exposed radiating part 5.
露出した放熱部５の上面に絶縁層６を形成する。 - 特許庁 - The upper skin layer exits the light through a prism patterned front surface.
アッパースキン層は、プリズム形状のフロント面を通じて出射する。 - 特許庁 - An organic light emitting layer 3 is provided on the upper surface of the transparent electrode 2.
透明電極２の上面に、有機発光層３を設ける。 - 特許庁 - Next, a thin film integrated circuit is formed at the upper part of the stripping layer.
次に、剥離層の上方に、薄膜集積回路を形成する。 - 特許庁 - To isolate an upper electrode layer at a high speed and in high yield.
上部電極層の分離加工を高歩留りで高速に行う。 - 特許庁 - An overcoat layer 15 is formed on the upper surface of the color filter 13.
このカラーフィルタ１３の上面にオーバーコート層１５を形成する。 - 特許庁 - Further, the upper layer 58 has a hydrocarbon adsorbent 68.
また、上記上層５８は炭化水素吸着材６８を有する。 - 特許庁 - FORMATION OF CONTROLLED UPPER INSULATION LAYER AT TRENCH OF VERTICAL TRANSISTOR
バ—チカルトランジスタのための制御されたトレンチ上部絶縁層の形成 - 特許庁 - The seal 30 contains a peeling layer 31 contacting with the upper case 11.
シール３０は、上ケース１１に接触する剥離層３１を含む。 - 特許庁 - The film thickness of the upper magnetic pole layer is set equal to/higher than 2 μm.
また、上部磁極端層の膜厚は2μm以上あればよい。 - 特許庁 - Thus the lower and upper layer liqs. 13, 15 can be efficiently separated.
したがって、下層液13と上層液15とを効率よく分離できる。 - 特許庁 - To improve performance of an upper layer in channel scanning operation.
チャンネルスキャン動作時において、上位レイヤのパフォーマンスを向上する。 - 特許庁 - DEVICE FOR GENERATING CONVECTION IN FLUID LAYER WHERE TEMPERATURE IS HIGHER IN UPPER PART
上部が高温となる流体層に対流を発生する装置 - 特許庁 - A printing layer 4 is formed on the upper surface of the center core sheet 2.
センターコアシート２の面上には、印刷層４が形成されている。 - 特許庁 - An upper electrode 17 is formed on the electron injection layer 16G.
電子注入層１６Ｇ上に上部電極１７を形成する。 - 特許庁 - A tungsten interconnect 12 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.
シリコン基板１の上層にタングステン配線１２を形成する。 - 特許庁 - An underground tank 13 is placed on the upper surface of the layer 12.
この絶縁支持層１２の上面に地下タンク１３を設置する。 - 特許庁 - To provide a method for accessing an upper-layer header of a packet flow.
パケットフローの上位層ヘッダにアクセスする方法を提供すること。 - 特許庁 - An upper pole chip 12ac is constituted of a pole chip part 12a of its upper layer part and a pole chip part 12c of its lower layer part.
上部ポールチップ１２ａｃは、その上層部分であるポールチップ部１２ａと下層部分であるポールチップ部１２ｃとにより構成される。 - 特許庁 - A shift register unit 310 shifts out data coming from a chip of an upper layer to a chip of a lower layer via an upper electrode 211.
シフトレジスタ部３１０は、上側電極２１１を介して上層のチップから入力したデータをシフトして下層のチップに出力する。 - 特許庁 - An upper layer of leveled ballast 2 is formed thereon and sleepers 3 and rails 4 tightened to the sleepers 3 are supported on the upper layer.
この上にバラスト材２を敷均した上層を形成し、この上に枕木３及びこの枕木３に緊結されたレール４を支持する。 - 特許庁 - The board 4 is dipped into a solvent, which dissolves the upper layer 3, to dissolve the upper film 3 as the mold 1 is pressed against the resist layer.
レジスト層にモールド１を押しつけた状態で、基板４を、上層膜３を溶かす溶剤に浸漬し、上層膜３を溶解させる。 - 特許庁 - The terminal device is connected to the first upper-layer terminal device and second upper-layer terminal device selected as the candidates for connection destinations.
端末装置は、接続先候補として選択された第一の上層端末装置と第二の上層端末装置とに接続する。 - 特許庁 - An equipment base-isolating device 50 has upper layer and lower layer rigid floor structures 51, 52 and rigid posts 53 integrally connecting the upper and lower floor structures.
機器免震装置(50)は、上層及び下層の剛性床組(51,52)と、上下の床組を一体的に連結する剛性支柱(53)とを有する。 - 特許庁 - An upper insulating layer is formed on the data wiring 20a, 20b, and a pixel electrode 31 is formed on this upper insulating layer.
データ配線２０ａ，２０ｂ上に上層絶縁層が形成され、この上層絶縁層上に画素電極３１が形成されている。 - 特許庁 - In the upper- and lower-layer blocks 4, 5, locking means 26, 36 are provided in a direction except the open direction of the upper-layer block.
上層のブロック４と下層のブロック５とに、上層のブロックの開き方向以外の方向で係止手段２６，３６を設けた。 - 特許庁 - Further, the absorbent body 5 has an absorbent body concave part 15 formed by overlapping the upper layer opening hole part 13 and a part of the lower layer groove part 14 and a liquid permeating part 16 formed by overlapping the part other than the upper layer opening hole part 13 of the upper layer absorbent body 11 and a part of the lower layer groove part 14.
また、吸収体５は、上層開孔部13と下層溝部14との一部を重ねて形成した吸収体凹部15と、上層吸収体11の上層開孔部13以外の部分と下層溝部14との一部を重ねて形成した通液部16とを有する。 - 特許庁
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