「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 14 15 16 17 18 19 20 21 22 .... 221 222 次へ＞- The group of lower-layer bumps 223 are aligned with the group of upper-layer bumps 213 so that the group of upper-layer bumps 213 and the group of lower-layer bumps 223 are joined together with the solder materials 230, and they are equally soldered together.
上層バンプ２１３群と下層バンプ２２３群とを半田材２３０で接合させるように下層バンプ２２３群はそれぞれ上層バンプ２１３群に照準し、半田付けが均等になされる。 - 特許庁 - The opaque masking layer may be formed on the upper polarizer, may be interposed between the upper polarizer and a color filter layer or may be interposed between the color filter layer and a thin-film transistor layer.
不透明マスク層は、上部偏光子の上に形成されてもよいし、上部偏光子とカラーフィルタ層との間に挿入されてもよいし、カラーフィルタ層と薄膜トランジスタ層との間に挿入されてもよい。 - 特許庁 - A cathode electrode part 4 is provided, and conical emitters 6 emitting electrons are formed on an upper surface of this electrode part with a resistance layer 5 between, An insulator layer 7 has a gate electrode layer 8 formed on its upper surface, and the emitters 6 are accumulated/deposited in holes in the insulator layer 7.
７は上面にゲート電極層８が形成されている絶縁体層であり、この絶縁体層７のホール内に前記エミッタ６が堆積蒸着されていることになる。 - 特許庁 - In a quartz optical waveguide comprising a lower clad layer 2, a core 3 and an upper clad layer 4, which are formed on a Si substrate 1, the lower clad layer 2 and the upper clad layer 4 are formed of BPSG film (phosphor and boron-added quartz films).
Ｓｉ基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がＢＰＳＧ膜によって形成されている。 - 特許庁 - The insulating layer comprising the lower-layered insulating layer 13 and the upper-layered insulating layer 14 which are formed by extrusion simultaneously not formed two times separately in extrusion of the insulating layer comprising the upper and the lower layers.
上下二層からなる絶縁層の押出しを二度に分けて成形するのではなく同時押出し成形された下層絶縁層１３及び上層絶縁層１４からなる絶縁層とする。 - 特許庁 - Both of an upper catalyst layer and a lower catalyst layer contain ceria and zirconia and have the same molar ratio of (CeO_2/ZrO_2) of 20/80 to 40/60, and further the molar ratios of (CeO_2/ZrO_2) in the upper catalyst layer and the lower catalyst layer are set equal.
下触媒層及び上触媒層はセリアとジルコニアとを共に含んでモル比（CeO_2／ZrO_2）がそれぞれ20／80〜40／60の範囲にあり、かつ下触媒層と上触媒層のモル比（CeO_2／ZrO_2）を同一とした。 - 特許庁 - The sampler device has an upper part compartment layer (20), a lower part compartment layer (30), a seal for attaching the upper part compartment layer on the above lower part compartment, and a reinforcing layer (40) for protecting the compartment.
上方コンパートメント層（２０）と、下方コンパートメント層（３０）と、上方コンパートメント層を前記下方コンパートメント層に取付けるシールと、コンパートメントを保護するための補強層（４０）とを有するサンプラー装置。 - 特許庁 - The contact holes for connecting the first conductive layer 7 and the second conductive layer 10b are formed after the first layer 9a of the upper shielding layer is formed on the upper shielding gap films 8a and 8b.
第１の導電層７と第２の導電層１０ｂとを接続するためのコンタクトホールは、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂの上に上部シールド層の第１の層９ａを形成した後に形成される。 - 特許庁 - By utilizing the hard mask structure, the upper electrode layer, the ferroelectric layer and the lower electrode layer, are etched to form a lower electrode, a ferroelectric layer pattern, and an upper electrode on the substrate.
ハードマスク構造物を利用して、上部電極層、強誘電体層、及び下部電極層をエッチングして、基板上に下部電極、強誘電体層パターン、及び上部電極を形成する。 - 特許庁 - A multilayer wiring structure is obtained by electrically connecting a lower layer wiring with an upper layer wiring arranged at an upper part of the lower wiring via an insulating layer through a protrusion provided at the lower layer wiring.
下層配線とその上方に絶縁層を介して配設される上層配線とを、下層配線に設けられた凸状部において電気的に接続した多層配線構造を形成する。 - 特許庁 - In the quartz optical waveguide consisting of a lower clad layer, a core, and an upper clad layer formed on a Si-substrate, the lower cladding layer and the upper cladding layer are formed with BPSG film.
Ｓｉ基板上に形成された下部クラッド層、コア、上部クラッド層よりなる石英系光導波路において下部クラッド層及び上部クラッド層がＢＰＳＧ膜によって形成されている。 - 特許庁 - The inductor includes: a metal layer pattern; a rearrangement layer pattern formed as the upper layer of the metal layer pattern; and a via layer pattern which is formed between the metal layer pattern and the rearrangement layer pattern, and conductively connected to the metal layer pattern and the rearrangement layer pattern.
インダクターは、金属層パターンと、金属層パターンの上層として形成される再配置層パターンと、金属層パターンと再配置層パターンの間に形成され、金属層パターンと再配置層パターンに導電的に接続されるビア層パターンとを含む。 - 特許庁 - A source contact 26 is provided to connect the source diffusion layer 22 and substrate diffusion layer 23 to an upper wiring layer via a salicide layer 24b.
そして、ソース拡散層２２および基板拡散層２３に、サリサイド層２４ｂを介して、上層の配線層を接続するためのソースコンタクト２６を接続する。 - 特許庁 - Since a transfer resin layer 20 is formed in an upper layer of the thin metal film layer 2, occurrence of oxidation, damage of the thin metal film layer 2 or the like can be prevented.
また、金属薄膜層２の上層にさらに転写樹脂層２０を形成したため、金属薄膜層２の酸化、傷の発生等を防止できる。 - 特許庁 - Furthermore, an adhesive layer 8, or the adhesive layer 8 and the electrically insulating layer 7 may be formed between the upper face of the mold-releasing substrate 1 and the transparent electrode layer 2.
また、離型基材１の上面に、透明電極層２との間に接着層８を、または接着層８と電気絶縁層７とを形成してもよい。 - 特許庁 - A lower-part semiconductor multilayer film reflection layer 3, a lower-part clad layer 4, an active layer 5, and an upper-part clad layer 6 are laminated on an n-type substrate 2.
ｎ型基板２上に、下部半導体多層膜反射層３、下部クラッド層４、活性層５、上部クラッド層６を積層した構造を有する。 - 特許庁 - An upper metal layer 27 as a protective layer is formed on a top surface of a uppermost free layer 26 of the magnetoresistance effect layer forming a TMR device 2.
ＴＭＲ素子２を構成する磁気抵抗効果層の最上層のフリー層２６の上面の上面に、保護膜として、上部金属層２７を形成する。 - 特許庁 - An active layer in the active zone 21 and a light guide layer in the passive zone 22 are put between a lower clad layer and an upper clad layer, respectively.
アクティブ領域２１の活性層およびパッシブ領域２２の光ガイド層は、それぞれ、下方のクラッド層と上方のクラッド層とに挟まれている。 - 特許庁 - In the surface layer removing step, a part of the surface layer C2 including an upper surface layer of the surface layer C1 of the billet C in the semi-molten state is removed.
表層除去工程では、半溶融状態のビレットＣの表層Ｃ１のうち上部表層を含む表層Ｃ２の一部を除去する。 - 特許庁 - A high-resistance layer 15 is formed among an upper surface of the optical waveguide layer 6, a side surface of the clad layer 4, and a surface of the undoped InP layer 7.
光導波層６の上面およびクラッド層４の側面と、アンドープ型ＩｎＰ層７の表面との間に、高抵抗層１５が設けられる。 - 特許庁 - A data layer includes a data layer substrate 11, and a data layer reflection film 12 as a semi-transmissive film laminated on the upper surface side of the data layer substrate 11.
データ層は、データ層基板１１、及び、データ層基板１１の上面側に積層される半透過膜であるデータ層反射膜１２を備える。 - 特許庁 - A lower layer 31 functioning as a diffusion prevention layer is provided between an oxidation-resistant metal in an upper layer 32 and the surface layer of a multilayered film 20.
上部層３２の耐酸化性金属と多層膜２０の表面層との間に拡散防止層として機能する下部層３１を設けている。 - 特許庁 - To prevent color irregularity from occurring by providing the upper layer of a pixel electrode layer of an electrode structure with a herring-bone pattern, and providing the lower layer with a flat plate common electrode layer.
電極構造の上層画素電極層に杉綾模様（herring-bone shape）を設け、下層に平板状共電極層を設けて色のばらつきを防止する。 - 特許庁 - To provide a wiring board having high electric connection reliability between a lower-layer wiring conductive layer and an upper-layer wiring conductive layer via a via hole.
ビアホールを介した下層の配線導体層と上層の配線導体層との電気的な接続信頼性が高い配線基板を提供すること。 - 特許庁 - The copper layer, the second barrier layer, and the aluminum barrier layer are polished to the upper face of the dielectric layer to form a copper interconnection and complete an IC device.
銅層、第２バリア層及びアルミニウム・バリア層が誘電層の頂面に至るまでポリッシングされて、銅配線を画成し、集積回路装置を完了する。 - 特許庁 - The light emitting device structure 11 consisting of a lower clad layer containing Al, an active layer, and an upper clad layer containing Al is formed on the underlying layer 21.
下地層２１の上に、Ａｌを含む下部クラッド層と、活性層と、Ａｌを含む上部クラッド層からなる発光素子構造１１を形成する。 - 特許庁 - The planting mulching sheet may include a single non-woven fabric or may be provided with a light reflecting layer at the upper layer of the non-woven fabric and/or a water-retaining layer at the lower layer of the fabric.
植栽用マルチシートは、不織布単体よりなるものであっても、不織布の上層に光反射層や、下層に保水層が設けられていてもよい。 - 特許庁 - The surfaces facing the thin film transistor side of respective the first lower layer side light shielding layer 27 and the second upper layer side light shielding layer 28 are formed so as to prevent light reflection.
第１遮光層遮光層２７及び上層側の第２遮光層２７の薄膜トランジスタ側を向く面を光の反射を阻止するように構成する。 - 特許庁 - A stress inducing layer 104, which is formed so as to cover the active region except an upper part of the polysilicon layer, acts as a compressive stress layer or a tensile stress layer.
応力誘起層１０４は、ポリシリコン層の上方を除いて活性領域を覆うように設けられ、圧縮応力層または引っ張り応力層である。 - 特許庁 - A truncated cone-shaped recording bit includes a thermally stable layer having large perpendicular magnetic anisotropy at a lower layer, and a high output layer having large saturation magnetic flux density at an upper layer.
円錐台状の記録ビットの下層に垂直磁気異方性の大きい熱安定層を，上層に飽和磁束密度の大きい高出力層を備える。 - 特許庁 - The third layer 10c and the fifth layer 10e form a coupling part 31 for magnetically coupling the lower magnetic pole layer 10 to the upper magnetic pole layer 28.
第３の層１０ｃおよび第５の層１０ｅは、下部磁極層１０と上部磁極層２８とを磁気的に連結する連結部３１を構成する。 - 特許庁 - The block layer BLK is formed on both sides of the second upper clad layer 109, and it includes a layer 111 with a larger band gap than the active layer 105.
ブロック層ＢＬＫは、その第２上部クラッド層１０９の両側に形成され、活性層１０５よりもバンドギャップの大きい層１１１を含む。 - 特許庁 - The portion of lower magnetic layer 3/oxidation control layer 4/insulating layer 5/upper magnetic layer 6 is the tunnel junction of the tunneling magnetoresistive element.
下部磁性層３／酸化抑制層４／絶縁層５／上部磁性層６の部分が、トンネル磁気抵抗効果素子におけるトンネル接合部となっている。 - 特許庁 - Intermediate layer patterns 3a, 4a are formed from the intermediate layer films by etching the intermediate layer films 3, 4 using the upper layer resist pattern as a mask.
上層レジストパターンをマスクとして、中間層膜３、４をエッチングすることにより、中間層膜から中間層パターン３ａ、４ａを形成する。 - 特許庁 - A recording head has a lower magnetic pole layer 11, an upper magnetic pole layer 16, a coupling section 20, a recording gap layer 14, a thin-film coil 15, and a cooling layer 12.
記録ヘッドは、下部磁極層１１、上部磁極層１６、連結部２０、記録ギャップ層１４、薄膜コイル１５、冷却層１２を有している。 - 特許庁 - The width of the opening 8 becomes wider stepwise beginning from a width W2 of the lower layer of the layer 7 to a width W1 of the upper layer of the layer 7.
ストライプ状開口部８の幅は、ｎ−電流ブロック層７の下層から上層へかけてＷ２からＷ１へと段階的に広くなる。 - 特許庁 - Heat is easily diffused within the surface of the transmission plate 27 by arranging the high thermal conductivity layer 81 on the upper layer and the low thermal conductivity layer 82 on a lower layer.
高熱伝導率層８１を上層に低熱伝導率層８２を下層に配置したことで、透過板２７の面内に熱が拡散しやすい。 - 特許庁 - In another way, the concealed layer of the upper layer is scraped by rubbing the concealed region to express the part of the sentence in the lower layer of a transparent medium layer.
或いは、隠蔽領域をこすって上層の隠蔽層を削り取ることで、透明なメジューム層の下層にある文章の一部分を表出する。 - 特許庁 - The optical semiconductor element 1 includes: an insulating layer 4 that covers the side faces of the waveguide core layer 3a and the upper face of the slab layer 3b; and a second semiconductor layer 5 provided in the sides of the waveguide core layer 3a and the upper surface of the slab layer 3b via the insulating layer 4.
光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。 - 特許庁 - The laser diode includes a laminate structure 20 including a lower DBR mirror layer 11, a lower spacer layer 15A, an active layer 16 having a light emission region 16A, an upper spacer layer 15B, a current narrowing layer 17, an upper DBR mirror layer 18 and a contact layer 19 in the order from the side of a substrate 10.
基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。 - 特許庁 - The thin film magnetic head includes at least an MR read-out head element having: the lower shield layer; the upper shield layer; and an MR layer formed between the lower shield layer and the upper shield layer, and the thin film magnetic head is provided with a lower antiferromagnetic layer laminated and bonded to only the end edge part of the lower shield layer.
下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層間に形成されたＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子を少なくとも含む薄膜磁気ヘッドであって、下部シールド層の端縁部にのみ接合して積層されている下部反強磁性層を備えている。 - 特許庁 - The ceramic base 3 consists of a bottom wall layer 4, an intermediate frame layer 5, and an upper frame layer 6 which form a hole part 7 and a step part 8.
セラミックベース３は穴部７及び段部８を形成する底壁層４、中間枠層５及び上枠層６からなる。 - 特許庁 - To till a sediment layer of an upper layer, and the soil, sand or the like of a lower layer, on the bottom of the sea, lake, river, etc., up to a deep place.
海底、湖底、河川等の水底における上層の底質層と下層の土又は砂等を深度まで耕耘する。 - 特許庁 - The copper layer is plated with a metallic material and the upper laminated photosensitive coating layer, and the lower laminated photosensitive coating layer are cleaned and removed.
銅層は金属材料でメッキされ、上積層感光塗料層と下積層感光塗料層は洗浄除去される。 - 特許庁 - Then, the lower layer material that is to be the lower layer of the tile and the upper layer are formed to two layers.
次に、タイルの下層素地となる下層材料と上層材料とを２層に成形することにより、２層成形体を作成する。 - 特許庁 - This thin film magnetic head has a lower magnetic pole layer 8, an upper magnetic pole layer 10, a recording gap layer 9, and a thin film coil 12.
薄膜磁気ヘッドは、下部磁極層８と、上部磁極層１０と、記録ギャップ層９と、薄膜コイル１２とを有している。 - 特許庁 - At this time, the upper part of the aperture side face of the insulating layer 2 is made so that is not be covered with the emitter layer (carbon nano-tube layer).
このとき、絶縁層２の開口側面の上部がエミッタ層（カーボンナノチューブ層）によって被覆されないようにする。 - 特許庁 - A non-magnetic layer 15 and an upper magnetic layer 16 of the same width are formed near a center on the lower magnetic layer 14.
さらに、下部磁性層１４の上の中央付近には、同一幅の非磁性層１５、上部磁性層１６が形成されている。 - 特許庁 - A p-type base layer 23 is provided in the main cell 21, and an n-type emitter layer 24 is disposed on a part of the upper surface of the p-type base layer.
メインセル２１においては、ｐ型ベース層２３を設け、その上層部分の一部にｎ型エミッタ層２４を設ける。 - 特許庁 - A recording head has a lower magnetic pole layer 10, a thin film coil 13, a recording gap layer 17 and an upper magnetic pole layer 18.
記録ヘッドは、下部磁極層１０、薄膜コイル１３、記録ギャップ層１７および上部磁極層１８を有している。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
