「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 35 36 37 38 39 40 41 42 43 .... 221 222 次へ＞- A coating film 2 composed of brazing composition includes a two-coat film, i.e., a lower layer 21 in contact with an aluminum alloy base material 1 and an upper layer 22, and a layer containing Si powder is arranged on the lower layer 21, and a layer containing Al or Al-Si based alloy powder is arranged on the upper layer 22.
ろう付組成物からなる塗膜２が、アルミニウム合金基材１と接する下層２１、及び上層２２からなる２コート塗膜とされており、Ｓｉ粉末を含む層を下層２１に配し、Ａｌ若しくはＡｌ−Ｓｉ系合金粉末を含む層を上層２２に配してなる構成としている。 - 特許庁 - A lower protective layer 2, a second lower protective layer 3, a recording layer 4 making reversible phase change between amorphous and crystalline phases, a upper protective layer 5, and a reflection layer 6 mainly composed of Al are sequentially laminated on a transparent plate 1.
透明基板１上に、下部保護層２、第２の下部保護層３、非晶質相と結晶相の可逆的相変化をする記録層４、上部保護層５、Ａｌを主要元素とする反射層６の順に積層する。 - 特許庁 - The inkjet recording sheet comprises a perforated layer as a lower layer which contains a silica fine particle, formed on a base material and a porous layer containing a mixture of silica fine particle and γ-alumina as an upper layer, formed on the perforated layer.
基材上に、シリカ微粒子を含有する多孔層の下層を有し、その上層に、シリカ微粒子とγ−アルミナとの混合物を含有する多孔質層を有することを特徴とするインクジェット記録シート。 - 特許庁 - The electrode layer 7 is provided with a 1st layer 7a arranged so as to overlap with a part of upper surface of the MR element 5 through a protecting layer and a second layer 7b arranged so as to partially overlap with this first layer 7a.
電極層７は、保護層を介してＭＲ素子５の上面の一部に重なるように配置された第１層７ａと、この第１層７ａに部分的に重なるように配置された第２層７ｂとを有している。 - 特許庁 - The Ni-P plated layer 14 contacts a lower layer copper pattern 12 in the bottom of the via hole 10 and in the outside of the via hole 10, it reaches the surface of the layer insulation layer 13 and contacts the upper layer copper pattern 15.
Ｎｉ−Ｐめっき層１４は，ビアホール１０の底部で下層銅パターン１２に接触し，ビアホール１０の外部では層間絶縁層１３の表面に達して上層銅パターン１５に接触している。 - 特許庁 - An n^+-layer 15 is formed partially on the upper surface of the n-type embedded layer 11 while enclosing the p-type well layer 14 in the n^--layer 12 on the part enclosed by the p-type separation layer 13.
ｎ^+層１５は、ｐ型分離層１３によって取り囲まれた部分のｎ^-層１２内において、ｐ型ウェル層１４を取り囲んで、ｎ型埋め込み層１１の上面上に部分的に形成されている。 - 特許庁 - In a thin film magnetic head, an upper magnetic pole layer 27 prescribing a record track width has a first layer 27a in contact with a record gap layer 25 and a second layer 27b arranged on the first layer 27a.
薄膜磁気ヘッドにおいて、記録トラック幅を規定する上部磁極層２７は、記録ギャップ層２５に接する第１の層２７ａと、この第１の層２７ａの上に配置された第２の層２７ｂとを有している。 - 特許庁 - The V-ribbed belt is equipped with an adhesive rubber layer 12, a canvas 13 adhered on the upper surface of the adhesive rubber layer 12, and a lower rubber layer 14 integrally formed with the adhesive rubber layer 12 on the undersurface of the adhesive rubber layer 12.
Ｖリブドベルト１０は、接着ゴム層１２と、接着ゴム層１２の上面に貼付される帆布１３と、接着ゴム層１２の下面に接着ゴム層１２と一体に形成された下ゴム層１４を備える。 - 特許庁 - The optical waveguide is constituted of one core layer 1, two clad layers 2 arranged so as to hold the core layer 1 there between, and one diffraction grating layer 3 provided on the boundary of the upper part of the core layer 1 and the clad layer 2.
光導波路は、１つのコア層１と、コア層１を挟むように配置した２つのクラッド層２，２と、コア層１上部とクラッド層２との境界に設けられた１つの回折格子層３とから構成されている。 - 特許庁 - An active layer 9, an upper clad layer 10 and a contact layer 11 are laminated on an intermediate clad layer 8, and when they are energized between electrodes 12, 14, so that light is generated and amplified on the active layer.
中間クラッド層８上に活性層９、上部クラッド層１０、およびコンタクト層１１を積層させ、電極１２と１４の間に通電すると、活性層で光の発生、増幅を行うようになっている。 - 特許庁 - In a semiconductor device having the resistance element group and/or a signal wiring layer on a semiconductor substrate, a shield layer is disposed in the resistance element group and/or the upper layer and/or the lower layer of the signal wiring layer.
半導体基板上に抵抗素子群および／または信号配線層を有する半導体装置において、前記抵抗素子群および／または信号配線層の上層および／または下層にシールド層を設ける。 - 特許庁 - This device comprises a first N-type epitaxial growth layer 112 on an N-type substrate 110, a P-type embedded layer 14 on the upper part of the layer 112 and further a second N-type epitaxial growth layer 116 over the l layer 114.
Ｎ型基板１１０上に第１のＮ−型エピタキシャル成長層１１２を有し、この上層にＰ型埋め込み層１１４を有し、その上層に第２のＮ−型エピタキシャル成長層１１６を有する。 - 特許庁 - Further, a plating pretreatment (dry etching) is carried out to expose a new film face by removing the surface oxidation layer of the resist layer, and the upper gap layer not being covered with the resist layer is removed to expose the lower gap layer.
続いて、メッキ前処理（ドライエッチング）を行い、レジスト層の表面酸化層を除去して新たな膜面を露出させるとともにレジスト層で覆われていない上部ギャップ層を除去し、下部ギャップ層を露出させる。 - 特許庁 - This thin-film EL element has, on a substrate having an electric insulation property, at least the lower electrode layer, a barrier layer containing a conductive inorganic compound, the lower insulation layer, the luminescent layer and the upper electrode layer in that order.
電気絶縁性を有する基板上に、少なくとも、下部電極層、導電性無機化合物を含有するバリア層、下部絶縁体層、発光層および上部電極層をこの順で有する薄膜ＥＬ素子。 - 特許庁 - A multilayer film 24g which selectively transmits green light is formed as a seven-layered structure consisting of two layers of silicon nitride layer 21 and one layer of air layer 22 respectively on upper and lower sides of a spacer layer 20g which is an air layer.
緑色の光を選択的に透過させる多層膜２４ｇは空気層であるスペーサ層２０ｇの上下にそれぞれ窒化ケイ素層２１を２層と空気層２２を１層備えた７層構造となっている。 - 特許庁 - Also, a lower 2nd protective layer 6 is arranged between the lower protective layer 2 and the recording layer 3, and also for this lower 2nd protective layer 6, the same material as that of the upper protective layer 4 is used.
また上記下部保護層２と記録層３との間に下部第２保護層６を設け、該下部第２保護層６も前記上部保護層４と同様の材料を用いることを特徴とする前記光記録媒体。 - 特許庁 - A leveling layer 3h of a hydraulic-engineering formed asphalt mixture is formed on the transition 1, whereon there are constructed a lower seepage control layer 3b, an intermediate drainage layer 3c, and an upper seepage control layer 3j composed of only one layer.
トランジション１の上に水工フォームドアスファルト混合物のレベリング層３ｈを形成し、その上に下部遮水層３ｂ、中間排水層３ｃ、および１層のみの上部遮水層３ｊを施工する。 - 特許庁 - In a super-luminescent diode, only a contact layer 6 is formed in a stripe-like state and the width L1 and length L2 of the strip, the thickness L3 from the interface between the contact layer 6 and an upper clad layer 5 to an active layer 4, and the width L4 of the active layer 4 are specified.
コンタクト層６だけをストライプとして形成し、ストライプ幅Ｌ_１、長さＬ_２、コンタクト層と上部クラッド層５界面から活性層４までの厚さＬ_３、活性層の幅Ｌ_４を規定している。 - 特許庁 - A metal oxide semiconductor transistor comprises a silicon substrate on an insulator having a substrate silicon layer therein, a silicon germanium layer disposed on the substrate silicon layer, and an upper silicon layer disposed on the silicon germanium layer.
本発明の金属酸化物半導体トランジスタは、内部に基板シリコン層を含む絶縁体上シリコン基板と、基板シリコン層上に位置するシリコンゲルマニウム層と、シリコンゲルマニウム層上に位置する上部シリコン層とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor layer is constituted of two layers as an especially characteristic structure so that the lower layer composed of the semiconductor layer 5, the source electrode 6 and the drain electrode 7, and the upper layer of the semiconductor layer 8 are laminated sequentially.
特に特徴的な構造として、半導体層が２層構成であり、下層の半導体層５とソース電極６及びドレイン電極７と上層の半導体層８が順次積層された構造をしている。 - 特許庁 - A p-InP blocking layer 8 and an n-InP blocking layer 9 are laminated adjacently to the upper region of the buffer layer 2, the active layer 3 and the spacer layer 4.
ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上部領域、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３およびｐ−ＩｎＰスペーサ層４に隣接してｐ−ＩｎＰブロッキング層８、ｎ−ＩｎＰブロッキング層９が積層される。 - 特許庁 - The projection structure 18A corresponding to a plurality of projections of a base layer may be formed on the upper surface of the conductive layer by forming the base layer having a plurality of sharp projections and by covering the base layer with the conductive layer.
また、複数の尖った突起を有する下地層を形成し、この下地層を導電層で覆うことにより導電層の上面に下地層の複数の突起に対応した突起構造１８Ａを形成してもよい。 - 特許庁 - The electrostatic chuck comprises a base 1, a lower insulating layer 2 formed on the upper surface of the base 1 by flame spraying, an electrode layer 3 formed on the lower insulating layer 2, and an upper insulating layer 4 formed on the lower insulating layer 2 by flame spraying so that the electrode layer 3 is covered, where the opening ratio of the electrode layer 3 ranges from 5 to 80%.
基台１と、この基台１の上面に溶射により形成された下部絶縁層２と、この下部絶縁層２の上に形成された電極層３と、この電極層３を被覆するように下部絶縁層２の上に溶射により形成された上部絶縁層４と、を具備する静電チャックであって、電極層３の開孔率を５〜８０％とする。 - 特許庁 - The adhesive strength improvement film 15 is provided to strengthen adhesion between the upper surface of the sealing film 14 and the upper layer insulation film 21 covering the upper surface of sealing film 14.
密着力向上膜１５は、封止膜１４の上面と該上面を覆っている上層絶縁膜２１との間の密着力を大きくするためのものである。 - 特許庁 - Moreover, the lens 11 has an upper surface part 11a in a convex shape, and the upper end surface part 11c of the upper surface part 11a contacts with the lower surface of the color filter layer 13.
また、レンズ１１は、上に凸の形状の上面部１１ａを有するとともに、上面部１１ａの上端面部１１ｃがカラーフィルタ層１３の下面に接触する。 - 特許庁 - Then, a lower electrode 15 is formed on the upper surface of the Ti layer 14, and a ferroelectric film 16 and an upper electrode 17 are formed on the upper surface of the lower electrode 15.
次いで、Ｔｉ層１４の上面には、下部電極１５が形成され、下部電極１５の上面に、強誘電体膜１６、上部電極１７が形成される。 - 特許庁 - An upper magnetic core opposed to a lower magnetic core through a magnetic gap layer consists of the upper magnetic core tip part near to the magnetic pole and an upper magnetic core back part as its back part.
磁気ギャップ層を介して下部磁気コアと対向している上部磁気コアは、磁極近くの上部磁気コア先端部と、背の部分の上部磁気コア後部からなっている。 - 特許庁 - An upper evaporator 34 is placed in an upper insulating layer 54 of the insulated box body 16 so as to be in contact with a cooling plate 62 defining the upper surface of the receiving chamber 52.
断熱箱体１６の上部断熱層５４に、収納室５２の上面を画成する冷却プレート６２と接触するよう上部エバポレータ３４を配設する。 - 特許庁 - To provide a coating method and a coating apparatus capable of stably coating a lower layer with an upper layer even under a condition of a wide lip clearance when subsequently starting to coat the lower layer with the upper layer to be coated, and preventing loss of coating solution and substrate.
下層の上に上層を逐次的に塗布する上層の塗り付け開始時に、リップクリアランスが広い条件下であっても上層を安定して下層の上に塗布することができ、しかも塗布液ロスや支持体ロスの発生を防止することができる。 - 特許庁 - The upper conductive layer 13 has an upper layer opening part 13a and the lower conductive layer 11 has a lower layer opening part 11a and a first region, a second region and a third region (R1, R2, R3) with electric field intensity weakening stepwise are formed.
この上層導電層１３は、上層開口部１３ａを有し、下層導電層１１は、下層開口部１１ａを有し、電界強度が段階的に弱くなる第１、第２および第３領域（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）を形成する。 - 特許庁 - A non-magnetic buried layer 3 is formed in a hollow 62 provided in the insulating layer 2 so as to retreat from an ABS 30-30 and an upper surface 3a of the non-magnetic buried layer 3 is in the same surface as an upper surface 2a of the insulating layer 2.
ＡＢＳ３０−３０から後退するように絶縁層２に設けられた窪み６２に、非磁性埋込層３が形成されており、その非磁性埋込層３の上面３ａは、絶縁層２の上面２ａと同一面内にある。 - 特許庁 - In the optical waveguide 120, a channel part 120a comprising the first upper clad layer 150 and the core layer 140 is formed, and the side of the channel part 120a is embedded with a lower embedded layer 180 and an upper embedded layer 190.
かかる光導波路１２０では，第１上部クラッド層１５０とコア層１４０とを含むチャネル部１２０ａが形成されており，該チャネル部１２０ａの側方は，下部埋め込み層１８０と上部埋め込み層１９０とにより埋め込まれている。 - 特許庁 - The upper layer film 36 is provided with tensile stress comparable with compressive stress of the lower layer film 35, and the thin film structure A composed of the lower layer film 35 and the upper layer film 36 is regulated so as to have a weak tensile stress as a whole.
上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 - 特許庁 - In the first cycle, a bilayer of a first silicon layer is formed on an upper inner wall of the hole, and a monolayer of the first silicon layer is formed on a lower inner wall of the hole, and then, a surface of the upper silicon layer of the hole is made to be a monolayer of a first silicon oxide layer.
第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。 - 特許庁 - The surface-emission semiconductor laser element 40 has the laminating structure of a lower reflector 44, a lower clad layer 46, an active layer 48, an upper clad layer 50, an upper reflector 52, and a p-type contact layer 54 on an n-type GaAs stepped substrate 42.
本面発光型半導体レーザ素子４０は、ｎ型ＧａＡｓ段差基板４２上に、下部反射鏡４４、下部クラッド層４６、活性層４８、上部クラッド層５０、上部反射鏡５２、及びｐ型コンタクト層５４の積層構造を備える。 - 特許庁 - This planting base material is obtained by forming a lower layer 1B having a high density on the lower side of an upper layer 1A having a low density and/or forming the lower layer 1B having a lower air permeability on the lower side of the upper layer 1A having a high air permeability in a nonwoven fabric for setting a plant 5.
植物５を植栽する不織布に、密度が低い上層１Ａの下側に密度が高い下層１Ｂを形成しておく、及び／又は、通気性が大きい上層１Ａの下側に通気性が小さい下層１Ｂを形成しておく。 - 特許庁 - The overlay is composed of an upper layer containing the solid lubricant made from MoS2, and a lower layer containing the solid lubricant and/or a hard material (if the solid lubricant is MoS2, its contents are smaller in the lower layer than in the upper layer).
ＭｏＳ_2からなる固体潤滑剤を含む上層と、固体潤滑剤及び／又は硬質物を含む下層（但し固体潤滑剤がＭｏＳ_2 である場合はその含有量が上層よりも相対的に少ない）からオーバレイを構成する。 - 特許庁 - A method of manufacturing a semiconductor device includes a step of forming the lower wiring layer and the upper wiring layer on a semiconductor substrate (step S40), and a step of inspecting the lower wiring layer and the upper wiring layer (steps S60 and S80).
この半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下層配線層及び上層配線層を形成する工程（ステップＳ４０）と、下層配線層及び上層配線層を検査する工程（ステップＳ６０及びステップＳ８０）とを含む。 - 特許庁 - The film thickness of a protective layer 3 formed at the upper portion of a ferromagnetic layer 2 at a servo section is larger than that of the protective layer 3, formed at the upper portion of the ferroelectric layer 2 at a recording track section within a range of not smaller than 1 nm and not larger than 10 nm.
サーボ部の強磁性層２の上部に形成される保護層３の膜厚が記録トラック部の強磁性層２の上部に形成される保護層３の膜厚よりも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で厚くなっている。 - 特許庁 - When an upper layer pattern is formed above a base layer in which difference in level is formed, correction amount of light shielding pattern 11 of a mask for exposure 10 for forming the upper layer pattern is determined corresponding to a distance from an end part of difference in level in the base layer.
段差が形成された下地層の上方に上層パターンを形成する際、下地層の段差の端部からの距離に応じて、上層パターンを形成するための露光用マスク１０の遮光パターン１１の補正量が決定されている。 - 特許庁 - A plurality of windings are wound around a bobbin 7 sequentially in layers in the order of a primary winding P1 in a layer closest to a core 8, a primary winding P2 in the upper layer thereof, a secondary winding S1 in the upper layer thereof, and a secondary winding S2 in the uppermost layer.
ボビン７に巻回される複数の巻線は、積層され最もコア８に近い層に１次巻線Ｐ１、その上の層に１次巻線Ｐ２、その上の層に２次巻線Ｓ１、そして最上層に２次巻線Ｓ２の順で巻回される。 - 特許庁 - The scrubber is constituted of an upper stage packing layer 4a for mainly cooling SO2 gas and a lower packing layer 4b for mainly removing SO3 and low temp. sulfuric acid and high temp. sulfuric acid are circulated respectively in the upper packing layer 4a and the lower packing layer 4b.
同スクラバーは、主にＳＯ_2 ガス冷却のための上段充填層(4a)と、主にＳＯ_3 除去のための下段充填層(4b)から構成され、上段充填層(4a)には低温硫酸が、下段充填層(4b)には高温硫酸がそれぞれ循環される。 - 特許庁 - Thus, a magnetic layer 32a of the upper electrode 30 formed on the beam part 31b can be formed on an upper part of the magnetic layer 21 of the lower electrode 20, so that a structure having a desired overlapping of the magnetic layer 32a and the magnetic layer 21 can be formed.
このため、梁部３１ｂ上に形成される上部電極３０の磁性層３２ａを下部電極２０の磁性層２１上方に形成でき、磁性層３２ａと磁性層２１とが所定のオーバラップを持つ構造を形成することができる。 - 特許庁 - The printed wiring board consists of a substrate 1 wherein an inner layer conductor circuit 2 for electrical conduction is formed in both upper and lower surfaces and an outer layer conductor circuit 4 which is formed in an upper surface 81 and a lover surface 82 of the substrate 1 with a layer insulation layer 3 interposed.
上下両面に電気導通用の内層導体回路２を形成した基板１と，基板１の上面８１及び下面８２に層間絶縁層３を介して形成した外層導体回路４とからなるプリント配線板である。 - 特許庁 - The electrode resistant to distortion comprises an upper layer 28, a lower layer 26, and one or more compliant members 30 that provide an electrical connection between the upper layer and the lower layer, and the electrode is used in particular together with an actuator of piezoelectric stack type.
本発明のひずみ耐性電極は、上部層２８と、下部層２６と、上部層と下部層の間の電気接続を提供する１つまたは複数のコンプライアント部材３０とを備え、特に圧電スタックタイプのアクチュエータと共に使用する。 - 特許庁 - The film-like optical waveguide 24 includes: a lower clad layer 12; a core part 20 formed on the upper face of the lower clad layer 12 and having a specific width; an upper clad layer 22 formed to be laminated on the lower clad layer 12 and the core part 20.
フィルム状光導波路２４は、下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２の上面に形成された、特定の幅を有するコア部分２０と、下部クラッド層１２及びコア部分２０の上に積層して形成された上部クラッド層２２とからなる。 - 特許庁 - The connection portion 13 is arranged over the lower-layer wiring 11 and over ends of the conductive layer of the element 14, and comes into contact with an upper surface of the lower-layer wiring 11 and an upper surface and side surfaces of the ends of the conductive layer of the element 14.
接続部１３は、下層配線１１上および素子１４の前記導電層の端部上にわたって配置され、接続部１３は、下層配線１１上面、素子１４の導電層の端部の上面および側面に接触している。 - 特許庁 - A lower-layer ground layer 5 is provided at the lower side of wiring 11 for high-frequency signals via a second insulating film 7, and an upper-layer ground layer 17 is provided at the upper side via a third insulating film 15, thus composing a strip line.
高周波信号用の配線１１の下側には第２の絶縁膜７を介して下層グラウンド層５が設けられ、上側には第３の絶縁膜１５を介して上層グラウンド層１７が設けられ、これによりストリップ線路が構成されている。 - 特許庁 - The film-like optical waveguide 24 comprises a lower clad layer 12, a core portion 20 formed on an upper surface of the lower clad layer 12 and having a specific width, and an upper clad layer 22 laminated on the lower clad layer 12 and core portion 20.
フィルム状光導波路２４は、下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２の上面に形成された、特定の幅を有するコア部分２０と、下部クラッド層１２及びコア部分２０の上に積層して形成された上部クラッド層２２とからなる。 - 特許庁 - In the optical waveguide having a lower clad layer, a core part and an upper clad layer, at least one of the lower clad layer, the core part and the upper clad layer is a cured product of the radiation curing composition comprising the components (A) to (C).
下部クラッド層と、コア部分と、上部クラッド層とを含む光導波路において、下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層の少なくとも一つが、下記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有してなる放射線硬化性組成物の硬化物である。 - 特許庁
- 特許庁
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