「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 221 222 次へ＞- A plurality of vias 50 are arranged annularly in a region where an upper layer line 40 overlaps a lower layer line 30.
下層の配線３０と上層の配線４０とが重なる領域内に、複数のビア５０を環状に配置する。 - 特許庁 - An intermediate metal layer 15 composed of gold is laminated and formed via the barrier metal layer 10 on the upper surface of the electrode pad 2.
電極パッド２の上面にバリアメタル層１０を介して金よりなる中間金属層１５を積層形成する。 - 特許庁 - An upper surface of both sides facing the separation groove of the ridge contact layer is a slope, and a barrier metal layer is formed thereon.
リッジ部コンタクト層の分離溝に臨む両側の上面は斜面となり、この上にバリアメタル層が形成されている。 - 特許庁 - An electrode pad 2 is formed in the same layer as the upper wiring layer 30 of the wiring layers 3, 30.
そして、これらの配線層３、３０のうち、最上の配線層３０と同層内に電極パッド２を形成する。 - 特許庁 - A window 34 is formed in the buffer layer and a bond pad 20 deployed on the upper part layer is exposed at this window.
バッファ層１０はウィンドウ３４を形成し、このウィンドウが上部層の上に配置されたボンドパッド２０を露出させる。 - 特許庁 - An upper layer insulating film 16 is formed on the inter-layer insulating film 10 and covers the detection electrode 11.
層間絶縁膜１０上には、検出電極１１を覆うように上層絶縁膜１６が形成されている。 - 特許庁 - The nonwoven fabric that forms the liquid holding sheet 11 is a two-layered spun lace nonwoven fabric having an upper layer 15 and a lower layer 16.
液保持シート１１を形成する不織布は、上層１５と下層１６とを有する２層スパンレース不織布である。 - 特許庁 - The embedded layer is located at the position deeper than the first layer with the upper surface thereof located deeper than the bottom surface of an element isolation region.
埋込層は、第１の層よりも深く、かつ上面が素子分離領域の底面よりも深い位置に配置される。 - 特許庁 - To provide a multilayer wiring structure capable of preventing an increase in contact resistance between an upper-layer wiring and a lower-layer wiring.
下層配線と上層配線間のコンタクト抵抗を増大させることのない多層配線構造を提供する。 - 特許庁 - In the silicon oxide film, much silicon is contained in a semiconductor substrate side lower layer as compared with an upper layer of the silicon oxide film.
この酸化シリコン膜は、酸化シリコン膜の上層より、半導体基板側の下層にシリコンが多く含まれている。 - 特許庁 - A temperature sensor part 3 is provided and a sheet member 8 formed of vanadium oxide is provided on an upper layer of the multilayer wiring layer M1.
また、温度センサ部３を設け、多層配線層Ｍ１よりも上層に、酸化バナジウムからなるシート部材８を設ける。 - 特許庁 - The control electrode is layered on the upper and lower sides of the luminescence layer 106 in the shape of inserting the luminescence layer 106.
発光層１０６の上側と下側には、制御電極が発光層１０６を挟み込む形で積層されている。 - 特許庁 - The MEMS device is characterized in that the thickness of the upper insulating layer is larger than that of the lower insulating layer.
そのＭＥＭＳデバイスは、上側絶縁層の厚さが下側絶縁層の厚さよりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁 - The carbon is fixed on the catayst layer and excess hydrogen and steam are released to the outside through the upper part of the reaction layer 1.
炭素は触媒層に固定化され、余分の水素と水蒸気が反応層１の上部から外部に放出される。 - 特許庁 - Electric connection between the free magnetic layer 55 and the upper side electrode is established only with a narrow electrode layer 45b.
自由側磁性層５５と上側電極との間では狭小電極層４５ｂのみで電気的接続は確立される。 - 特許庁 - Thereafter, the diffusion-promoting film 16 is removed and the remaining member layer is formed as the upper electrode member layer 15.
その後、拡散促進膜１６は除去され、上部電極部材層１５としての残りの部材層を形成する。 - 特許庁 - The two diffusion layers are thin layers and one layer is positioned on the upper side of the substrate and the other layer is positioned on the lower side of the substrate.
二片の拡散層は薄片状で、一片は基礎台上側に位置し、別一片は基礎台下側に位置する。 - 特許庁 - The surface electrode 15, the upper protective layer 27, and the lower protective layer 29 are stuck via heat-sealed layers (31a, 31b).
面電極１５と上保護層２７及び下保護層２９とが熱融着層（３１ａ、３１ｂ）を介して固着する。 - 特許庁 - This magnetic head has an upper shield layer 15, a lower shield layer 13 and a magneto-resistance effect film 14 disposed therebetween.
上部シールド層１５と、下部シールド層１３と、これらの間に配置された磁気抵抗効果膜１４とを有する。 - 特許庁 - As a result, the image area of the lower layer is operated in a state of displaying the image of the image area of the upper layer.
この結果、上層の画像領域の画像を表示した状態で下層の画像領域を操作することができる。 - 特許庁 - An upper side core board 4 on the surface layer side of the built-up layer B1 is provided with a plurality of socket-like construction parts 24, 24A.
ビルドアップ層Ｂ1 の表層側にある上側コア基板４は、複数のソケット様構造部２４，２４Ａを備える。 - 特許庁 - A signal is received, whereby the signal is modulated according to the hierarchical modulation scheme including an upper layer and a lower layer.
信号が受信され、それにより信号は上位層と下位層を含む階層変調方式にしたがい変調される。 - 特許庁 - The oxide insulating layer for covering the peripheral portion (including the side surface) of the oxide semiconductor layer is provided to increase a distance between the gate insulating layer and a wiring layer (such as a source wiring layer and a capacitance wiring layer) formed on the upper part or periphery of the gate electrode layer so as to reduce the parasitic capacitance.
酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層（ソース配線層や容量配線層など）との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。 - 特許庁 - A lower layer formation solution 25L is produced by mixing a surface active agent 26 having a lower-layer functional group 26a and an upper-layer functional group 26b in a lower-layer solvent, and lower-layer droplets 25D formed of the lower-layer formation solution 25L are dried to form a hole transportation layer.
下層溶媒に下層官能基２６ａと上層官能基２６ｂを有する界面活性剤２６を混和して下層形成溶液２５Ｌを生成し、同下層形成溶液２５Ｌからなる下層液滴２５Ｄを乾燥して正孔輸送層を形成した。 - 特許庁 - The compound semiconductor light emitting element comprises a lower clad layer, an In-containing active layer formed on the clad layer, an evaporation preventing layer formed on the active layer, and an upper clad layer formed on the evaporation preventing layer.
本発明の化合物半導体発光素子は、下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成されたＩｎを含む活性層と、前記活性層上に形成された蒸発防止層と、前記蒸発防止層上に形成された上部クラッド層とを含むものである。 - 特許庁 - A first dielectric layer 2 as a lower protective layer, a recording layer 3, a second dielectric layer 4 as an upper protective layer, a third dielectric layer 5 and a reflecting and heat releasing layer 6 are formed in this order by sputtering on a polycarbonate substrate 1 with a guide groove.
案内溝を有するポリカーボネート基板１上に、スパッタリング法により下部保護層として第１の誘電体層２、記録層３、上部保護層としての第２の誘電体層４、第３の誘電体層５および反射放熱層６をこの順に製膜する。 - 特許庁 - An upper part inter-layer insulating film 10, whose etching characteristics is different from the lower part inter-layer insulating film 8, is so formed as to directly cover the lower part inter-layer insulating film 8.
その下部層間絶縁膜を直接覆うように下部層間絶縁膜とはエッチング特性の異なる上部層間絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁 - A light-emitting portion has a lower clad layer 12 grown in order on a n-type GaAs substrate, an active layer 13, and an upper clad layer 15.
発光部は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１上に順次成長された下部クラッド層１２、活性層１３及び上部クラッド層１５を有している。 - 特許庁 - A first aperture 15 is formed to the GaN layer 13 and AlGaN layer 14 to expose part of the upper surface of the AlN layer 12.
ＡｌＮ層１２の上面の一部を露出するように、ＧａＮ層１３およびＡｌＧａＮ層１４に第１の開口１５が形成されている。 - 特許庁 - Next, an upper gap layer is formed on the lower gap layer by the nonmagnetic material easy to be etched as compared with the lower gap layer while being not corroded with a developing fluid.
次に、下部ギャップ層上に、現像液に腐食されず且つ該下部ギャップ層よりもエッチングされやすい非磁性材料で上部ギャップ層を形成する。 - 特許庁 - A first glaze layer 2 comprising the first glaze is formed on the surface of the substrate 1, and a second glaze layer 3 comprising the second glaze is formed on the upper side of the first glaze layer 2.
基体１の表面に、第１釉薬からなる第１釉薬層２と、より表面側に第２釉薬からなる第２釉薬層３とを形成する。 - 特許庁 - Moreover, an optical wiring layer 2 is provided in a part of the core layer 1, and a ground layer 3 is formed in at least either of an upper surface and a lower surface.
また、コア層１の一部には光配線層２が設けられ、その上面および下面の少なくとも一方にはグランド層３が形成される。 - 特許庁 - At the last, the positional relation (lamination ranking) between the upper layer part 106b and the second metal layer 106c of the first metal layer is reversed by a rapid heat treatment.
最後に、熱処理によって、上記の第１金属層の上層部１０６ｂと第２金属層１０６ｃとの位置関係（積層順位）を反転させる。 - 特許庁 - A condition that too much In is present is created in the vicinity of an upper layer portion of the layer 3 since In segregation phenomenon is generated when the layer 3 is formed.
ＩｎＧａＰバッファ層３の形成時にＩｎ偏析現象が生じＩｎＧａＰバッファ層３の上層部付近はＩｎ過多の状態となる。 - 特許庁 - Then, a receiving electrode 6 is formed on an upper layer of the insulating layer, and after the receiving electrode 6 is formed, the insulating layer is surface processed with a solution containing hydrofluoric acid .
次に、絶縁層の上層に受け電極６を形成し、受け電極の形成後、絶縁層をフッ酸が含まれる溶液で表面処理する。 - 特許庁 - An abrasive grain part 20 is constituted of an intermediate layer 21 and an abrasive grain layer 22 formed on an upper surface of the intermediate layer 21 and containing diamond abrasive grains 22a.
砥粒部２０を中間層２１と中間層２１の上面に形成された、ダイヤモンド砥粒２２ａを含有する砥粒層２２とで構成する。 - 特許庁 - A nonvolatile memory is constituted in a structure that a tunnel oxide film layer 102, a first polysilicon layer for a floating gate and a nitride film layer are deposited sequentially on the upper part of a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００の上部にトンネル酸化膜層１０２、フローティングゲート用の第１ポリシリコン層及び窒化膜層を順次的に蒸着する。 - 特許庁 - The upper layer (magnetic layer) 20 of the multi-layer coating type magnetic disk 3 contains nomnagnetic powder having 8 or higher Mohs' hardness and 0.2-0.6 μm average primary particle size.
重層塗布型の磁気ディスク３の上層（磁性層）２０がモース硬度８以上、平均一次粒径０．２〜０．６μｍの非磁性粉末を含有している。 - 特許庁 - The highly concentrated Ge layer 8 is formed on an upper surface of the SiGe layer 7, and has a Ge concentration that is higher than the Ge concentration in the SiGe layer 7.
高濃度Ｇｅ層８は、ＳｉＧｅ層上面に形成され、ＳｉＧｅ層７内におけるＧｅ濃度よりも高いＧｅ濃度を有する。 - 特許庁 - The hologram recording medium is used, in which a focal position is shifted to the upper layer side and an angular selective reflection film is formed on the lower layer side of the recording layer of the hologram.
焦点位置を上層側へのシフトさせ、ホログラムの記録層の下層側に角度選択反射膜を形成したホログラム記録媒体を用いる。 - 特許庁 - The growth layer is made of a nitride based compound semiconductor which more easily grows on side walls of the lower layer than on a surface of the upper layer of the lamination pattern.
成長層は、積層パターンの上層の表面上よりも下層の側面上に成長しやすいナイトライド系化合物半導体からなる。 - 特許庁 - In addition, since the upper face of the p-AlInAs clad layer 7 is directly covered with the p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the etching in forming the ridge can be stopped by the p-InGaAsP etch-stopper layer 8.
加えて、p-AlInAsクラッド層７の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層８を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層８で止めることができる。 - 特許庁 - A magnetic layer for recording 18 has a pole layer 18A, having an end face located in a medium-facing surface 30 and an upper yoke layer 18B.
記録用磁性層１８は、媒体対向面３０に配置された端面を有する磁極層１８Ａと上部ヨーク層１８Ｂとを有している。 - 特許庁 - The server chamber 2 is vertically partitioned by a grating 5 enabling ventilation to form a two-layer structure constituted of a server floor 3 in an upper layer and a mechanical floor 4 in a lower layer.
サーバ室２を通風可能なグレーチング５により上下に区画して上層のサーバフロア３と下層のメカニカルフロア４とによる２層構造とする。 - 特許庁 - Each of the upper sealing material layer 11 and the lower sealing material layer 12 of the sealing material layer 1 is made up of an ultraviolet curing resin.
また、封止材層１における上層封止材層１１および下層封止材層１２は、いずれも紫外線硬化樹脂によって構成されている。 - 特許庁 - The upper face of the element isolation insulating layer 51 has an inclination TL ascending toward a side of the floating electrode layer 42 from a side of the floating electrode layer 32.
素子分離絶縁層５１の上面は、浮遊電極層３２の側面から浮遊電極層４２の側面へ向かって上昇する傾斜ＴＬを有する。 - 特許庁 - Other embodiments include a locally interrupted adhesive layer for separation of an upper foil layer from a lower foil layer, these two foil layers being otherwise glued together.
他の実施形態では、互いに貼り付いてしまうフォイル層の下の層から上の層を分離させるために、局所的に接着剤層を中断する。 - 特許庁 - An InGaAlAs layer 201 is introduced by about 30 nm between an upper side guide layer 104 of undoped InGaAsP and a p-type InP clad layer 105.
アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側ガイド層１０４とｐ型ＩｎＰクラッド層１０５との間に、ＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１を３０ｎｍ程度導入する。 - 特許庁 - The optical waveguide 1 comprises a substrate 2, a primer layer 3 composed of the present primer composition, a lower clad layer 4, an upper clad layer 5 and a core part 6.
光導波路１は、基材２と、本発明のプライマー組成物からなるプライマー層３と、下部クラッド層４と、上部クラッド層５と、コア部６とからなる。 - 特許庁 - To provide a coating device and a coating method causing no coating failure on an upper layer formed on a lower layer even if coating failure occurs in the lower layer.
下層において塗布不良が生じても、下層の上に形成される上層において塗布不良の生じることがない塗布装置および塗布方法を得る。 - 特許庁
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