「upper layer」を含む例文一覧(11093)

<前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 221 222 次へ>
  • A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.
    p-AlGaAs第2上クラッド層109と多重歪量子井戸活性層106との間に、ドーピング濃度が1×10^18cm^-3のp-AlGaAs第1上クラッド層108を形成する。 - 特許庁
  • On the upper side electron supply layer, a source electrode and a drain electrode are arranged that are separate from each other and are connected ohmic to the lower side electron travel layer and the upper side electron travel layer.
    上側電子供給層の上に、相互に離隔して配置され、下側電子走行層及び上側電子走行層にオーミックに接続されるソース電極及びドレイン電極が配置されている。 - 特許庁
  • The partition of a plasma display panel is manufactured by including a white paste layer 511 formed on the upper surface of a glass substrate 500, and a photosensitive black resist layer 512 formed on the upper surface of the white paste layer 511.
    ガラス基板500の上面に形成されたホワイトペースト層511と、このホワイトペースト層511の上面に形成された感光性ブラックレジスト層512と、を包含してプラズマディスプレーパネルの隔壁を製造する。 - 特許庁
  • In addition, the movement from the lower catalyst layer 2 to the upper catalyst layer 3 is also suppressed, a malfunction such as alloying with the noble metal present in the upper layer 3 can be suppressed.
    加えて下触媒層2から上触媒層3への貴金属の移動も抑制されるため、上触媒層3に存在する貴金属との合金化などの不具合を抑制することができる。 - 特許庁
  • To provide a hard-member coated metal mold which is excellent in the adhesion of an upper layer of an oxide and a lower layer of a nitride oxide by a physical deposition method and the burning resistance and seizure resistance of the upper layer.
    物理蒸着法による酸化物の上層と窒酸化物の下層との密着性及び上層の耐焼き付き性及び耐かじり性に優れた硬質被膜被覆金型を提供することである。 - 特許庁
  • The fiber sheet is divided into an upper layer L1 constituted of a pile and a lower layer L2 as a base for transplanting the pile, and the visualization percentage of each layer when it is observed from the upper part is calculated at every curvature.
    繊維シートを、パイルからなる上部レイヤーL1とこのパイルを植毛する下地となる下部レイヤーL2とに分け、上方から観察したときの各レイヤーごとの可視割合を、各曲率ごとに求める。 - 特許庁
  • The laminated thin electric wiring board is equipped with a lower and an upper electric insulating layer formed on a substrate, and provided with an electric wiring layer interposed between the lower and upper electric insulating layer.
    本発明の積層薄膜電気配線板は、基板上に下部電気絶縁層と上部電気絶縁層を有し、下部電気絶縁層と上部電気絶縁層との間に電気配線層を有している。 - 特許庁
  • The cardlike certificate 1 has an antiforgery printing layer 3 formed on the upper face of a card base material 2 incorporating an IC memory layer 4 and a magneto-optical storage layer 5 or a magnetic recording layer formed on the back face and the layer is coated with an overcoat layer.
    カード状の証明書1は、ICメモリ層4を内蔵するカード基材2の上面に偽造防止印刷層3を裏面に光磁気記憶層5又は磁気記録層を形成し、これをオーバーコート層により被覆する。 - 特許庁
  • A chrome film 21 to be a mask 22 is formed on a lower clad layer 122, after the lower clad layer 122, a core layer 13 and an upper clad layer 14 on an etching stop layer (not shown) are removed and also after the etching stop layer is removed.
    マスク22となるクロム膜21は、エッチングストップ層(図示せず)上の下部クラッド層122、コア層13及び上部クラッド層14が除去され、かつエッチングストップ層が除去された後、下部クラッド層122上に形成される。 - 特許庁
  • A superlattice layer (a first region) 21 is disposed at the lowermost portion of a buffer layer 20, and a diffusion preventing lower layer 22, a diffusion preventing layer (a second region) 23, and a diffusion preventing upper layer 24 are sequentially formed on the superlattice layer 21.
    このバッファ層20における最下部には超格子層(第1の領域)21が配され、その上には拡散防止下部層22、拡散防止層(第2の領域)23、拡散防止上部層24が順次形成されている。 - 特許庁
  • The decorative layer is composed of the colored layer formed of a material having light transmission properties, and a transparent or a semitransparent resin layer formed on at least either one of the upper layer side or the lower layer side of the colored layer.
    装飾層は、透光性を有する材料で形成された着色層と、この着色層の上層側又は下層側の少なくとも一方に形成された透明又は半透明の樹脂層とから構成されている。 - 特許庁
  • The adsorption catalytic device 13 has a double layer structure of an adsorption layer containing adsorbent as an upper layer and a catalytic layer as a surface layer and in the catalytic layer, an oxide or the like generating heat by the irradiation with electromagnetic wave is blended.
    吸着触媒装置13は、吸着剤を含有した吸着層が下層に、触媒層が表層に設けられた2層構造をなし、触媒層には、電磁波の照射により発熱する酸化物等が配合されている。 - 特許庁
  • A wiring layer 2 is formed on an inter-layer insulating layer 1, and a dielectric layer 4 and an upper electrode layer 5 are filmed in order to form a capacitor 7 on a lower electrode 3 as a part of the wiring layer 2.
    層間絶縁層1上には配線層2が形成されており、配線層2の一部として形成された下部電極3上には誘電体層4及び上部電極5が順次成膜されコンデンサ7が形成されている。 - 特許庁
  • Then, a voltage is applied to the front lower-layer pattern 13 via the rear conductive layer 25, the rear foundation layer 17, a via 9, and the front foundation layer 13 for electroplating, and an upper-layer pattern 15 is formed on the front lower-layer pattern 13.
    そして、裏導電層25、裏下地層17、ビア9、及び表下地層13を介して、表下層パターン13に電圧を印加して電解メッキを行い、表下層パターン13上に上層パターン15を形成する。 - 特許庁
  • A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.
    半導体発光素子10は、下部電極層11、半導体基板12、下部クラッド層13、活性層16、キャップ層17、段差閉じ込め層19、電流狭窄構造21A,21B、および上部電極層23を含む。 - 特許庁
  • A gate insulating layer 5 laminated on an upper surface of an oxide semiconductor layer 9 is constituted of a non-fluoro organic resin layer 51 covering the oxide semiconductor layer 9 and an amorphous perfluoro resin layer 52 covering the non-fluoro organic resin layer 51.
    酸化物半導体層9上面に積層するゲート絶縁層5を、酸化物半導体層9を覆う非フッ素系有機樹脂層51と、非フッ素系有機樹脂層51を覆うアモルファスパーフルオロ樹脂層52とから構成した。 - 特許庁
  • Here, the polysilicon layer 10b which is to be an upper layer is formed in such conditions as the polisilicon layer 10a, which is to be a lower layer is smaller for polysilicon particle size, so that the gettering ability of the polysilicon layer 10b is enhanced more than that of the polysicon layer 10a.
    このとき、上層となるポリシリコン層10bは下層となるポリシリコン層10aよりもポリシリコン粒径が小さくなる条件で形成して、ポリシリコン層10bのゲッタリング能力をポリシリコン層10aと比較して高くする。 - 特許庁
  • The brake hose 10 includes an inner tube rubber layer 12 and an outer skin rubber layer 20, and it has at least two reinforcement layers comprising an upper thread layer 18 and a lower thread layer 14 between the inner tube rubber layer 12 and the outer skin rubber layer 20.
    ブレーキホース10は、内管ゴム層12と外皮ゴム層20とを備え、上記内管ゴム層12と上記外皮ゴム層20との間に上糸層18と下糸層14からなる少なくとも2層の補強層をもつ。 - 特許庁
  • An inner pipe 4a of the drain pipe 4 is opened at the upper part and has a first flange part 4b at the upper end continuously with a waterproof layer 3 laid on the structural member 1 through a heat insulating layer 2, to collect water from the upper part of the waterproof layer 3.
    この排水管の内管4aは上部が開放され、上端に第1のフランジ部4bを有するものとし、構造部材上に断熱層2を介して敷設された防水層3と連続させて、この防水層上から集水する。 - 特許庁
  • A lower layer movable frame part 35 has a plurality of protrusions 32 on its top face, and is bonded to a lower face of the upper layer movable frame part 25 by the plurality of protrusions 32 such that a clearance is formed between the upper face and the lower face of the upper layer movable frame part 25.
    下層可動フレーム部35は、上面に複数の凸部32を有し、上面と上層可動フレーム部25の下面との間に間隙を有するように、複数の凸部32により上層可動フレーム部25の下面に接合される。 - 特許庁
  • The remaining GaN layer 31 is removed by etching along with the upper layer GaN 32 and when GaN 33 is grown epitaxially using the upper surface and the side face at the upper stage of the remaining GaN layer 32 as nuclei, a GaN substrate 30 in which through dislocation is suppressed significantly can be obtained.
    こののち残ったGaN層31を上層のGaN32とともにエッチングして除去し、残ったGaN層32の上段の上面及び側面を核として、GaN33を横方向エピタキシャル成長させれば、貫通転位の著しく抑制されたGaN基板30を得ることができる。 - 特許庁
  • Namely, from developable colors, the base color and top color are selected to form films of the upper and lower two layers, then, the upper layer film is removed by an optional pattern, and, a member having multicolor of the color in the lower layer film and the color in the upper layer film is formed.
    すなわち、発色可能な色から下地色、上地色を選択して上下二層の被膜を生成してから、上層被膜を任意のパターンで取り去り、下層被膜の色と上層被膜の色とで、多色を有する部材とする。 - 特許庁
  • Upper-layer interconnects 24a and 24b provided all thereover with an upper-layer insulating film interposed are connected to the four columnar electrodes 13a and 13b through opening parts 23a and 23b in a plane square shape provided on the upper-layer insulating film.
    その上に上層絶縁膜を介してベタ状に設けられた上層配線24a、24bは、上層絶縁膜に設けられた平面方形状の開口部23a、23bを介して各4本の柱状電極13a、13bに接続されている。 - 特許庁
  • The absorbent comprises an upper absorptive paper layer to form an upper surface, a lower absorptive paper layer to form a lower surface and a water-absorptive mixture layer containing crushed wasted plastic materials, crushed wasted pulp materials and a water-absorptive resin between the upper and the lower paper layers.
    上面を形成する上部吸収性紙層部、下面を形成する下部吸収性紙層部、上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を備える。 - 特許庁
  • The liquid crystal display has an upper glass substrate 26, a lower glass substrate 12, a liquid crystal layer 30 and a filter layer 20 formed between the upper glass substrate 26 and lower glass substrate 12, and an upper transparent electrode and a lower transparent electrode between which the liquid crystal layer 30 is sandwiched.
    上ガラス基板26と、下ガラス基板12と、上ガラス基板26と下ガラス基板12との間に形成されている液晶層30及び濾過層20と、液晶層30を挟む上透明電極及び下透明電極とを備える。 - 特許庁
  • A lower conductive electrode 24 is formed closely to an opposite inner surface 21a to be an upper surface of the lower shielding layer 21 and an upper conductive electrode 26 is formed closely to an outer surface 28f positioned on the upper side of the upper shielding layer 28.
    下部導通電極24は、下部シールド層21の上表面である対向内面21aに密着して形成され、上部導通電極26は、上部シールド層28の上側に位置する外面28fに密着して形成されている。 - 特許庁
  • An upper substrate, an upper electrode, a shim material layer, a lower substrate, and a lower electrode constituting the section 50 and the upper substrate, an upper wiring, the shim material layer and the lower electrode constituting the section 60 are integrally formed, respectively.
    圧電素子部50を構成する上部基板と上部電極とシム材層と下部基板と下部電極と、配線部60を構成する上部基板と上部配線とシム材層と下部基板と下部配線と、がそれぞれ一体に形成される。 - 特許庁
  • This apparatus is provided with an upper layer tank having a drainage opening with a valve and a lower layer tank installed at the lower part of the upper layer tank, and is characterized by having a circulation means to circulate the solution of specified components in the upper layer tank and a transfer means to transfer the solution of the specified components in the lower layer tank to the upper layer tank.
    本発明の特定成分溶解液の濃縮装置は、弁を備えた落水口を有する上層タンクと、上層タンクの下方に設けた下層タンクとを具備する特定成分溶解液の濃縮装置であって、上層タンク内の特定成分溶解液を循環する循環手段と、下層タンク内の特定成分溶解液を上層タンクに移す移送手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁
  • The skin abutment face side of the upper layer 2 is formed with a plurality of projecting parts 4.
    更に上層2の肌当接面側に多数の凸部4が形成されている。 - 特許庁
  • A side of the contact layer 15, connecting the upper surface and lower surface thereof, is tilted over a periphery of the contact layer 15, so that the side thereof spreads from the upper surface toward the lower surface.
    そして、コンタクト層15は、上面と底面とを結ぶ側面がコンタクト層15の上面から底面に向かうにつれて広がるように全周に亘って傾斜している。 - 特許庁
  • The sheet 1 is temporarily attached to the upper outer-periphery parts via the layer 7.
    便座シート1は接着剤層7を介して上部外周部に仮付着される。 - 特許庁
  • An application processing section 42 processes an application at an upper layer of network layers.
    アプリケーション処理部42は、ネットワーク層の上位に位置するアプリケーションを処理する。 - 特許庁
  • The first (lower) magnetic pole layer 10 and the second (upper) magnetic pole layer 26 are magnetically connected and have a fourth lower magnetic pole part 10d and a first upper magnetic pole part 26a, respectively.
    下部磁極層10と上部磁極層26とは、磁気的に連結され、それぞれ第4下部磁極部10dと、第1上部磁極部26aとを有している。 - 特許庁
  • The upper surface and side surface of each lead 12 are coated with a coating layer 14.
    また、各リード12はその上面および側面に被覆層14が被着される。 - 特許庁
  • To provide a technology where an upper part electrode easily covers a dielectrics layer well.
    上部電極が誘電体層を良好に被覆し易い技術を提供する。 - 特許庁
  • An abrasive grain layer 5, namely a segment 9 is adhered on an upper end surface 5 of a shank 3.
    シャンク3の上端面5に砥粒層5即ちセグメント9を固着する。 - 特許庁
  • The first upper foil sheet is lastly used as an outer layer of the PCB.
    第1の上部フォイル・シートは、PCBの外部層として最終的に用いられる。 - 特許庁
  • After a gate oxide film 3 is formed on the upper layer of a low-density P-type semiconductor substrate 1, a P-type gate electrode 4 is formed on the upper layer of the gate oxide film 3.
    低濃度P型の半導体基板1の上層にゲート酸化膜3を形成した後、ゲート酸化膜3上層にP型のゲート電極4を形成する。 - 特許庁
  • A low friction material layer 15 is formed on the upper and under surfaces of the base plate.
    また基板の表面及び裏面には低摩擦材料層15を形成した。 - 特許庁
  • This athletic shoe 1 is provided with a sole 3 and an upper 5, and the sole 3 is composed of an upper layer 11 and a lower layer 13 in the rear half part 9 of the sole.
    本発明に係る運動靴1は、ソール3とアッパー5とを備え、このソール3は、ソール3の後半部9において上層11と下層13とからなる。 - 特許庁
  • The conductor patterns are side conductors located at the sides of the transmission line, or a lower conductor and an upper conductor placed on the lower layer and the upper layer of the transmission line.
    導体パターンは、伝送線路の側方に位置する側方導体、あるいは、伝送線路の下層および上層に位置する下部導体と上部導体である。 - 特許庁
  • The chrome film 35 which can be formed into silicide is formed on the upper face of the barrier layer 34.
    次に、バリア層34の上面にシリサイド化可能なクロム膜35を成膜する。 - 特許庁
  • The two clad layers and the core layer have their ends at the upper surface of the substrate.
    2つのクラッド層とコア層は基板の基板上部表面内で終端する。 - 特許庁
  • An OCB mode liquid crystal layer is also disposed between the lower substrate and the upper substrate.
    前記下部基板と前記上部基板との間にOCB液晶層が位置する。 - 特許庁
  • A weak rooting-resistant layer 30 is provided between two upper/lower planting base plate layers 26 and 28.
    上下2層の植栽基板層26、28の間に弱耐根層30を設けた。 - 特許庁
  • On the insulating layer at the upper part of the first active region, an opening is formed.
    第1アクティブ領域の上部の絶縁層には、開口部が形成されている。 - 特許庁
  • On the upper surface of the insulation layer 2, a circuit pattern using a copper foil 3 is formed.
    絶縁層2の上面には、銅箔3による回路パターンを形成してある。 - 特許庁
  • A common electrode 42 is formed by straddling the entire upper surface of the diffusion prevention layer 41 and the upper surface of the vibration plate 40 over an outer edge of the diffusion prevention layer 41.
    拡散防止層41の上面全域及び拡散防止層41の外縁を越えて振動板40の上面にまたがって共通電極42を形成する。 - 特許庁
  • The upper shield 22t is separated from the free layer 25 by a narrow lead gap.
    上部シールド22tは、狭いリードギャップによってフリー層25から分離されている。 - 特許庁
  • A rigid skeleton of an apparatus base isolation device 50 is composed of rigid floor sets 51 and 52 of an upper layer and a lower layer and a rigid column 53 integrally connecting the upper-lower floor sets.
    機器免震装置(50) の剛性骨組は、上層及び下層の剛性床組(51,52)と、上下の床組を一体的に連結する剛性支柱(53)とから構成される。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 221 222 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.