「upper layer」を含む例文一覧(11093)
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下層金属層２Ｂの上には、同一のマスクを用いてパターニングされた、誘電体層３Ａと、上層金属層４とが設けられている。 - 特許庁 - A second coil segment 41 formed on top of the upper core layer 39 via an insulation layer 40 is also formed on top of a back gap layer 34.
上部コア層３９の上に絶縁層４０を介して形成された第２コイル片４１をバックギャップ層３４の上にも形成する。 - 特許庁 - The surface-emitting semiconductor laser has a lower multilayer film reflecting mirror, an n-type contact layer, an active layer, a p-type contact layer, and an upper multilayer film reflecting mirror.
面発光レーザは、下部多層膜反射鏡、ｎ型コンタクト層、活性層、ｐ型コンタクト層、及び、上部多層膜反射鏡を備える。 - 特許庁 - At this time, the respective layers are formed to a thickness below 20 mm and the layer on the lower side of the antiferromagnetic substance layer 200 is thinner than the layer of the upper side.
このとき、それぞれの層が、２０ｎｍ以下の厚さに形成され、反強磁性体層２００の下側の層は、上側の層より薄い。 - 特許庁 - The transmission method of the link layer frame first divides an upper layer packet with a permissible delay time set in advance thereto into a plurality of link layer frames.
リンク層フレームの送信方法は、最初に、予め許容遅延時間が設定された上位レイヤパケットを複数のリンク層フレームに分割する。 - 特許庁 - A communicating hole to the buried sacrifice layer through an upper silicon layer is formed by etching and a part of the buried sacrifice layer is removed.
上部シリコン層を通って埋め込み型犠牲層に至る通気孔をエッチングにより形成し、埋め込み型犠牲層の一部分を除去する。 - 特許庁 - The organic semiconductor layer 3 has the laminating structure such that an upper organic semiconductor layer 3B is formed on a lower organic semiconductor layer 3A.
有機半導体層３は、下部有機半導体層３Ａの上に上部有機半導体層３Ｂが形成された積層構造を有している。 - 特許庁 - Here, the adhesive layer 8 peels off the upper part of the carbon nanotube layer 3 and pulls the carbon nanotubes on the carbon nano-tube layer 3.
このとき、粘着層８は、カーボンナノチューブ層３の上部を剥離させるとともに、残存するカーボンナノチューブ層３内のカーボンナノチューブを引っ張る。 - 特許庁 - The polarizable electrode 24 of the electric double-layer capacitor has a moisture adsorbing layer 25 laminated on an upper layer of the polarizable electrode 24.
電気二重層キャパシタにおける分極性電極２４において、該分極性電極２４の上層に水分吸着層２５を積層する。 - 特許庁 - The LED chip 4 comprises a lower clad layer 12, an active layer 13, and an upper clad layer 14 formed sequentially on a semiconductor substrate 11.
ＬＥＤチップ４は、半導体基板１１の上に、下クラッド層１２、活性層１３、および上クラッド層１４が順に形成されてなる。 - 特許庁 - An upper carrier confining layer formed of semiconductor material whose band gap is greater than that of the active layer is formed on the active layer.
活性層の上に、活性層よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料で形成された上部キャリア閉込層が形成されている。 - 特許庁 - The printing film laminated steel panel has a lower polyester film layer, a printing ink layer and an upper polyester film layer on a steel panel in this order.
鋼板側から下層ポリエステルフィルム層、印刷インキ層、上層ポリエステルフィルム層を有することを特徴とする印刷フィルム積層鋼板。 - 特許庁 - The bulkhead 7 is made of a lower layer part 7B provided on the rear side substrate and an upper layer part 7T provided on top of the lower layer part 7B.
隔壁７は、背面側基板上に配設された下層部７Ｂとその下層部７Ｂの上に配設された上層部７Ｔとからなる。 - 特許庁 - Succeedingly a zinc oxide layer (125) is formed on the new creation promoting film and an upper side conductive layer (130) is formed on the zinc oxide layer.
続いて、酸化亜鉛層（１２５）が、ニュークリエーション促進膜上に形成され、上側導電性層（１３０）が、酸化亜鉛層上に形成される。 - 特許庁 - The upper part of the spacer layer, active layer, and buffer layer is worked into a mesa- stripe, with its both sides embedded with p/n-InP layers 8/9.
スペーサ層、活性層及びバッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。 - 特許庁 - A memory layer 17 comprising a high-resistance layer 17A and an ion source layer 17B is provided between a lower electrode 14 and an upper electrode 18.
下部電極１４と上部電極１８との間に、高抵抗層１７Ａおよびイオン源層１７Ｂからなる記憶層１７を有する。 - 特許庁 - An upper-layer titanium film 4 and an intermediate-layer aluminum film 3 of a gate electrode material layer are dry-etched, using Cl2 and BCl3.
ゲート電極材料層における上層のチタン膜４および中間層のアルミニウム膜３のドライエッチングをＣｌ_2及びＢＣｌ_3を用いて行う。 - 特許庁 - The particulate dispersion liquid passes from the upper face of the porous layer 22 through the lower face of the porous layer 23, and the porous layer 22 is filled with the particulates.
微粒子分散液体は多孔層２２の上面から多孔層２３の下面まで通過し、微粒子が多孔層２２に充填される。 - 特許庁 - The band gap of the current diffusing layer is smaller than that of the upper clad layer and larger than the energy corresponding to the light emitting wavelength of the active layer.
電流拡散層のバンドギャップは、上部クラッド層のバンドギャップよりも小さく、活性層の発光波長に対応するエネルギよりも大きい。 - 特許庁 - The semiconductor films of a lower layer and an upper layer are melted by irradiating the substrate with the laser beam above the substrate to crystallize the semiconductor film of the lower layer.
基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。 - 特許庁 - A p-type InP upper clad layer 21 and a p-type InP cap layer 22 are laminated on the mesa and the n-type InP contact layer 20.
メサ及びｎ−ＩｎＰコンタクト層２０上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２１、及びｐ−ＩｎＰキャップ層２２が積層されている。 - 特許庁 - A waterproof layer 10 is interposed and water conduction plates 11 are laid crisscross on an upper surface 7 of a substrate layer 9 to provide a water conduction plate laying layer 12.
下地層９の上面７に防水層１０を介在させて通水板１１を縦横に敷設し、通水板敷設層１２を設ける。 - 特許庁 - To realize a lower layer display function for easily confirming the setting content of an upper layer setting picture even when a lower layer setting picture is displayed.
下層設定画面を表示させた際にも上層設定画面の設定内容を容易に確認できる下層表示機能を実現すること。 - 特許庁 - A level difference is provided between regions 11 and 12 on the upper surface of the Cu layer 20.
Ｃｕ層２０の上面は、領域１１，１２間で段差を有している。 - 特許庁 - Furthermore, a viscous layer 7 is also formed on the upper surface of the jig substrate 2.
また、治具基板２の上面にも、粘着性層７が形成されている。 - 特許庁 - To enable a degenerated state transition diagram to be generated as an upper layer.
縮退された状態遷移図を上位レイヤとして生成できるようにする。 - 特許庁 - A shield conductive layer is prepared in the upper portion of the floating gate through a shield insulating film.
浮遊ゲート上方にシールド絶縁膜を介してシールド導電層を設ける。 - 特許庁 - A nonvolatile flowing paraffin layer 5 is formed on the upper face of the water 4.
水４の上面には、不揮発性流動パラフィン層５が設けられている。 - 特許庁 - A plurality of slits S are provided in the common electrode 23A to be the upper layer.
そして、上層の共通電極２３Ａに複数のスリットＳが設けられる。 - 特許庁 - Then, a step absorption layer 14 is formed on the upper surface of the green sheet 13.
続いて、グリーンシート１３の上面に段差吸収層１４を形成する。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING RESIST COMPOSITION OR COMPOSITION FOR UPPER-LAYER FILM FORMATION FOR LIQUID IMMERSION
レジスト組成物又は液浸用上層膜形成用組成物の製造方法 - 特許庁 - A shield layer 23 is positioned on the upper side of the micro electromechanical system component area 22.
遮蔽層２３は、マイクロ電気機械システム部品エリア２２の上方に位置する。 - 特許庁 - Figure shows an electric circuit 5 formed in the upper part of an electric double layer capacitor.
図は電気二重層コンデンサの上部に設けられた電気回路５である。 - 特許庁 - The first gas diffusion layer has an upper region and a primary flow lower region.
第１のガス拡散層は、上部領域と、一次流下部領域とを有する。 - 特許庁 - Preferably the thickness of the upper heat sensitive layer is ≤0.4 g/m^2.
ここで、上部感熱層の膜厚が０．４ｇ／ｍ^2以下であることが好ましい。 - 特許庁 - A plurality of upper-layer capacitors are arranged on the first interlayer insulating film.
複数の上層キャパシタが、第１の層間絶縁膜の上に配置されている。 - 特許庁 - After that, a charge release contact 124 and an upper-layer wiring part 124A are formed.
この後、電荷抜きコンタクト１２４や上層配線部１２４Ａを形成する。 - 特許庁 - RESIST UPPER LAYER FILM FORMING MATERIAL AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME
レジスト上層膜形成材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法 - 特許庁 - Sand is laid along the upper side of the under-road net to form an under-road sand layer.
道路下ネットの上に沿って敷砂して道路下砂層３を形成する。 - 特許庁 - The dielectric layer is formed on the upper surface of the heat dissipation component.
前記誘電体層は、前記放熱部品の上表面に形成されている。 - 特許庁 - A second reflection layer 40 is formed on an upper surface of the transparent electrode 36.
透明電極３６の上面には、第２反射層４０が形成される。 - 特許庁 - It is desirable that the thickness of the first upper clad layer be lower than the core height.
第一上部クラッド層の厚さはコア高さよりも低いことが好ましい。 - 特許庁 - UPPER LAYER METAL POWER SUPPLY STANDARD CELL, AREA COMPRESSION DEVICE AND CIRCUIT OPTIMIZING DEVICE
上層メタル電源スタンダードセル、面積圧縮装置および回路最適化装置 - 特許庁 - Branching out construction in the upper wiring layer may also be set beforehand.
また、上位配線層での枝別れ構成を予め設定することもできる。 - 特許庁 - In the semiconductor device including the resistance element, grooves 5a, 5b and 5c are formed on the upper surface of a semiconductor layer 3.
半導体層３の上面に溝５ａ，５ｂ，５ｃが形成されている。 - 特許庁 - Then an internal electrode layer 10 is formed on the upper surface of the green sheet 13.
続いて、グリーンシート１３の上面に内部電極層１０を形成する。 - 特許庁 - Then a wiring layer 20 made of silver is formed on the upper side 18a.
そして、上面１８ａに銀を材料とした配線層２０を形成する。 - 特許庁 - They are composed of upper- and and lower-layer data having different coordinates systems.
これらは、座標系の異なる上位層データと下位層データから構成される。 - 特許庁 - The Pd bearing density in the front stage upper layer 3 is 4.5 to 12 mass%.
前段上触媒層３のＰｄ担持密度は，４．５〜１２質量％である - 特許庁 - An upper wiring pattern 19 is formed on the second insulating layer 17.
上部配線パターン１９は第２の絶縁層１７の上に形成されている。 - 特許庁
- 特許庁
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