「upper layer」を含む例文一覧(11093)

＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 221 222 次へ＞
  • The first oxide film covers the side surfaces of at least one of the upper electrode layer and the lower electrode layer.
    第１の酸化膜は、上部電極及び下部電極の少なくとも一方の電極層の側壁を覆う。 - 特許庁
  • A transmission node generates a data packet inside an upper layer and transmits this data packet to a reception node while using a lower layer.
    送信ノードは上部層内でデータパケットを生成し、下部層を用いて受信ノードへデータパケットを伝送する。 - 特許庁
  • The lower surface of the second semiconductor layer is connected with an upper surface of the first semiconductor layer and forms a junction.
    第２の半導体層の下面は、第１の半導体層の上面に結合されて接合を形成する。 - 特許庁
  • The hydrophilicity of the upper layer 2 is weaker than that of the lower layer 3, which forms a hydrophilicity gradient in the thickness direction.
    上層２の親水性は下層３よりも弱く、それによって厚み方向に親水度勾配を有している。 - 特許庁
  • The semiconductor substrate is constituted of forming an epitaxial layer of low concentration on the upper part of the high-concentration layer.
    ここで、半導体基板は、高濃度層の上部に低濃度のエピタキシャル層が形成された構成である。 - 特許庁
  • Cracks 71 having a depth which reaches the upper surface of the organic polymer layer 10 is formed in the electrode layer 7.
    電極膜７には、有機高分子層１０の上面に達する深さのクラック７１が形成されている。 - 特許庁
  • An upper electrode 15, a protective layer 16, and a sealing substrate 17 are formed on the electron injection layer 14F.
    電子注入層１４Ｆ上に上部電極１５、保護層１６および封止用基板１７を形成する。 - 特許庁
  • Furthermore, the lower layer resist film 2 is subjected to patterning by dry etching by using the upper layer silylation pattern 6 as a mask.
    さらに、この上層シリル化パターン６をマスクとしたドライエッチング処理により、下層レジスト膜２をパターニングする。 - 特許庁
  • it is made up of a thin upper layer called the papillary dermis, and a thick lower layer called the reticular dermis.
    真皮乳頭層と呼ばれる薄い上層と、真皮網状層と呼ばれる厚い下層から構成されている。 - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • The thin film has a protective layer containing oxygen in at least 60 atomic % in at least an upper layer part.
    そして、前記薄膜は、少なくとも上層部に酸素を６０原子％以上含有する保護層を有する。 - 特許庁
  • To obtain a water-based coating material for an under layer, capable of eliminating or suppressing the degradation of a coating film as an upper layer.
    上層塗膜の品質低下を解消あるいは抑制できる下層用水性塗料を提供すること。 - 特許庁
  • An electric wire 9 is wired, where the electric wire 9 connects the upper-layer block 4 to the lower-layer one 5 along the link arm 6.
    リンクアーム６に沿って上層のブロック４と下層のブロック５とを接続する電線９を配索した。 - 特許庁
  • The top surface 21 of the lower layer 2 and the under surface 30 of the upper layer 3 are formed to have a waved cross section.
    下層２の上面２１および上層３の下面３０を、断面形状が概ね波形に形成する。 - 特許庁
  • The upper surface 8a in the semiconductor layer 8 is positioned at the upper portion of the upper surface 1a of the semiconductor substrate 1 in an active region 100c.
    そして、半導体層８の上面８ａは、活性領域１００ｃにおける半導体基板１の上面１ａよりも上方に位置している。 - 特許庁
  • A semiconductor laser element is provided with a lower clad layer 2, an active layer 3, a first upper clad layer 4 and an etching stop layer 5 which are stacked in order on a substrate 1, a second ridge upper clad layer 7 provided on the layer 5, and optical confinement layers 10 provided on the sides of the layer 7.
    半導体レーザ素子は、基板１の上に順に積層された下部クラッド層２、活性層３、上部第１クラッド層４、およびエッチングストップ層５と、エッチングストップ層５の上に設けられたリッジ形の上部第２クラッド層７と、上部第２クラッド層７の側方に設けられた光閉じ込め層１０とを備えている。 - 特許庁
  • A method is provided for manufacturing the inner surface coated steel pipe for water piping having a chemical conversion treated coating layer formed by applying phosphate chemical conversion treatment to the inside of the steel pipe, having a primer layer with an average thickness of 10-40 μm in an upper layer of the chemical conversion treated coating layer, and having a modified polyethylene resin layer in an upper layer of the primer layer.
    鋼管の内側にリン酸塩化成処理を施してなる化成処理皮膜層を有し、該化成処理皮膜層の上層には、平均厚さが１０〜４０μｍであるプライマー層を有し、該プライマー層の上層には、変性ポリエチレン系樹脂層を有している水配管用内面被覆鋼管の製造方法である。 - 特許庁
  • In the multilayer board, a conducive layer is not arranged between a first upper insulating layer and a second lower insulating layer, and also a third insulating layer is arranged between the first upper insulating layer and the second lower insulating layer in such a way that the concentration of a pressure from the first and second insulating layers is relaxed and that the conductor layer is not deformed.
    上下第１と第２の絶縁層の層間に導体層のみを配置するのではなくて、上下第１と第２の絶縁層からの圧力の集中を緩和し、導体層が変形しないように、上下第１と第２の絶縁層の層間に、第３の絶縁層を配置するようにした多層基板。 - 特許庁
  • A sloped seepage water capillary barrier layer composed of a coarse grain layer 18 and a fine grain layer 20 stacked on the upper layer of the layer 18 is formed on the upper surface of earth filling waste, and a plurality of drainage channels 24 are formed in a place where seepage water penetrates into the coarse grain layer 18 by being moved along a gradient by the capillary barrier layer 17.
    埋立て廃棄物の上表面に粗粒層１８とその上層に積層した細粒層２０からなる勾配が付された浸透水キャピラリーバリア層を形成し、前記キャピラリーバリア層１７による勾配に沿った移動で浸透水が粗粒層１８へ浸透する箇所に複数の排水溝２４を形成する。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes a lower layer interlayer insulation film 11 provided on a substrate 10, a lower layer wiring 16 consisting of a lower layer barrier metal layer 14 formed along the wall surface of the lower layer wiring groove 13 of the insulation film 11 and a copper film 15, an upper layer plug 22a, and an upper layer wiring 22b.
    半導体装置は、基板１０の上に設けられた下層層間絶縁膜１１と、下層層間絶縁膜１１の下層配線溝１３の壁面に沿って形成された下層バリアメタル層１４及び銅膜１５とからなる下層配線１６と、上層プラグ２２ａ及び上層配線２２ｂとを備えている。 - 特許庁
  • The multilayer printed wiring board 50 is provided which has a lower-layer conductor circuit 24, an interlayer resin insulating layer 35 on the lower-layer conductor circuit 24, an upper-layer conductor circuit 42 on the interlayer resin insulating layer 35, and a via hole 49 connecting the lower- layer conductor circuit 24 and upper-layer conductor circuit 42.
    下層導体回路２４と、下層導体回路２４上の層間樹脂絶縁層３５と、層間樹脂絶縁層３５上の上層導体回路４２と、下層導体回路２４と上層導体回路４２とを接続しているバイアホール４９とを備えている多層プリント配線板５０を提供する。 - 特許庁
  • Thereafter, the surface of the Ga layer 43 is irradiated with a nitrogen source to rebuild this Ga layer 43 on the lower layer 44 of the GaN layer having a little number of transfers and the upper layer 45 of the GaN layer having further less number of transfers than the lower layer 44.
    この後、Ｇａ層４３の表面に、窒素源を照射して、このＧａ層４３を転位が少ないＧａＮ層の下層部４４と、この下層部４４よりも更に転位の数が少ないＧａＮ層の上層部４５に再構築する。 - 特許庁
  • Otherwise, the mat lower layer part is laid on the fixed floor face, the waterproof layer part is applied to the whole or a part of the top of the mat lower layer part and the mat upper layer part is constructed in a laminated state so as to cover the whole top side of the mat lower layer part with holding the waterproof layer part between both the mat layer parts.
    また、所定床面にマット下層部を敷設後、その上面の全面又は一部面に防水層部を敷設し、防水層部を挟んでマット下層部の上面側全体を覆うようにマット上層部を積層状に敷設する。 - 特許庁
  • The intermediate layer films 3, 4 include a lower layer intermediate layer film 3 having a first percentage content of silicon and an upper layer intermediate layer film 4 which is formed on the lower layer intermediate layer film and has a second percentage content of silicon lower than the first percentage content of silicon.
    中間層膜３、４は、第１のシリコン含有率を有する下層中間層膜３と、該下層中間層膜の上に形成され、第１のシリコン含有率よりも低い第２のシリコン含有率を有する上層中間層膜４を含む。 - 特許庁
  • The bipolar transistor comprises a Si-doped collector electrode layer 2, an undoped collector layer 4, a C-doped base layer 5, a lower emitter layer 7 which is made of a material different from that of the base layer 5 and is Si-doped, a Si-doped upper emitter layer 9, and Si-doped emitter electrode layer 10.
    バイポーラトランジスタは、Siドープのコレクタ電極層２、アンドープのコレクタ層４、Ｃドープのベース層５、ベース層５とは異なる材料からなり、Siドープの下部エミッタ層７、Siドープの上部エミッタ層９、および、Siドープのエミッタ電極層１０からなる。 - 特許庁
  • A semiconductor laser diode 10 is provided with a ZnO substrate 12, a pseudo-lattice matching layer 13, a lower clad layer 14, a light guide layer 21, an active layer 15, a light guide layer 22, an upper clad layer 16, and a contact layer 17 sequentially formed on the substrate.
    半導体レーザダイオード１０は、ZnO基板１２と、この基板上に順に形成される擬似格子整合層１３、下部クラッド層１４、光ガイド層２１、活性層１５、光ガイド層２２、上部クラッド層１６及びコンタクト層１７とを備える。 - 特許庁
  • The printed circuit board includes an upper circuit layer including a circuit pattern 610 comprising an electrical conductive metal embedded in an upper part of an insulating layer 400, and a metal bump 615 integrally formed with the circuit pattern 610 and projected on the upper part of the circuit pattern 610 to project on the upper part of the insulating layer 400.
    絶縁層４００の上部に埋め込まれた電気伝導性金属でなる回路パターン６１０を含む上部回路層、及び回路パターン６１０と一体的に形成され、回路パターン６１０の上部に突出し、絶縁層４００の上部に突出した金属バンプ６１５を含む。 - 特許庁
  • A first upper shield gap film 21 is provided between one face (upper face) of the MR element 5 and one face of the mask layer 22 for etching, and a second upper shield gap film 23 is provided between the other face of the mask layer 22 for etching and the upper shield layer 9.
    ＭＲ素子５の一方の面（上面）とエッチング用マスク層２２の一方の面との間には、第１の上部シールドギャップ膜２１が設けられ、エッチング用マスク層２２の他方の面と上部シールド層９との間には、第２の上部シールドギャップ膜２３が設けられている。 - 特許庁
  • An upper-layer wire 17 made of copper foil is connected to first and second surface treatment layers 11, 12 provided on a columnar electrode 9 on the upper surface of the upper-layer protective film 13.
    上層保護膜１３の上面には銅箔からなる上層配線１７が柱状電極９上に設けられた第１、第２の表面処理層１１、１２に接続されて設けられている。 - 特許庁
  • The conductive layer 30 is connected to the upper electrode 12 by an upper electrode extension part 13, and an upper electrode contact 32 is connected to the conductive layer 30 at a bottom part in the above said groove.
    導電層３０と上部電極１２とは上部電極延出部１３により接続されており、前記溝内の底部において、上部電極コンタクト３２が導電層３０に接続されている。 - 特許庁
  • In this manufacturing method, a base material 2 having an upper fiber layer 7, an upper barrier layer 8 and a base material 2 with an unwoven fabric 9 disposed on the upper surface of the core 3 in that order, are loaded on a base B and the felt 10 is placed on the base material 2.
    芯材３の上面に順次設けられた上繊維層７、上バリア層８及び不織布９を有する基材２を基台Ｂに載置し、基材２の上にフェルト１０を載置する。 - 特許庁
  • A basic material 3 is formed of an aluminum layer 2 whose upper face 14 is planed away by edging procedure and so force so that the upper face 14 of the aluminum layer 2 can be lower than the upper face 13 of a metal porous body.
    母材３はアルミニウム層２の上面１４がステンレスの金属多孔体１の上面１３よりも下位面になるように、アルミニウム層２の上面１４をエッジング処理等で削る。 - 特許庁
  • The thin-film magnetic head is completed by forming the MR element, the first portion 54a of the upper shielding layer arranged on the upper side of the MR element, an upper magnetic pole layer, etc., on such a blank.
    このような素材に対して、ＭＲ素子、このＭＲ素子の上側に配置される上部シールド層の第１の部分、記録ギャップ層、上部磁極層等を形成することで、薄膜磁気ヘッドが完成する。 - 特許庁
  • Between the lower shielding layer 43 and the upper shielding layer 44, a potential change based on the noise 69 is evaded by an action of the conductor layer 57.
    導体層５７の働きで下部シールド層４３および上部シールド層４４の間ではノイズ６９に基づく電位差の変化は回避される。 - 特許庁
  • In the image forming apparatus, the main conveyance path R2 is in an upper layer, the re-conveying path R5 is in a middle layer and the inverting conveyance path R4 is in a lower layer.
    画像形成装置においては、主搬送路Ｒ２が上層、再搬送路Ｒ５が中層、反転搬送路Ｒ４が下層となっている。 - 特許庁
  • The anti-cavitation layer is constituted of a lower protective layer 5, an interlayer 6 and an upper protective layer 7, thereby enhancing the durability thereof.
    該耐キャビテーション層を下部保護層５、中間層６、上部保護層７によって形成することにより、耐久性を向上させることができる。 - 特許庁
  • The upper and lower surfaces of the second layer are made in contact with the first and third layers respectively, and the side face of the second layer is made in contact with an oxidized layer containing oxygen and aluminum.
    また、第２の層の上面及び下面は第１及び第３の層と接し、側面は酸素とアルミニウムを含む酸化層と接する。 - 特許庁
  • The bottom part 2 is made to be a two-layer structure, its upper layer part 21 is set as a heavy weight adjusting tank, and a lower layer part 22 is set at a weight tank.
    前記の底部２を２層構造とし、その上層部２１を重量錘物調整タンクとし、下層部２２を重錘用タンクとする。 - 特許庁
  • This skin protective agent 3 is formed of a double layer structure of an on-skin layer 1 to get in contact with a skin surface 9, and an upper layer 2 laminated on it.
    皮膚表面９に接する接皮層１とその上に重ねられた上層２の複層構造により皮膚保護剤３を形成する。 - 特許庁
  • Then, the upper part of the copper layer is further provided with a nodule layer, and the copper alloy layer contains at least one element selected from among iron, molybdenum, tin and zinc.
    本発明の微細回路用銅箔は、純粋な銅よりエッチング速度の早い銅合金層と、純粋な銅でなる銅層と、を備える。 - 特許庁
  • The barrier layer 17 is made of AlAs whose Al content is more than the floating region 18 of its upper layer, and it functions as an etching stop layer.
    障壁層１７は上層の浮遊領域１８よりもＡｌ含有料の多いＡｌＡｓからなり、エッチングストップ層として機能する。 - 特許庁
  • Each of the light-emitting cells comprises a first conductive-type upper semiconductor layer, an active layer and a second conductive-type lower semiconductor layer.
    この複数の発光セルは、それぞれが第１の導電型上部半導体層、活性層、第２の導電型下部半導体層を有する。 - 特許庁
  • This desk mat 11 is formed of an upper surface layer 13 and a lower surface layer 14 provided on the lower surface side thereof through an adhesive layer 14.
    上面層１３と、これの下面側に接着層１４を介して設けられた下面層１５とによりデスクマット１１が構成されている。 - 特許庁
  • On an upper layer thereof, an electroless metal plating layer 13 composed of palladium is formed to cover a surface of the electroless nickel plating layer.
    また、その上層には、無電解ニッケルメッキ層表面を被覆するようにして、パラジウムによる無電解金属メッキ層１３が形成されている。 - 特許庁
  • An N+ channel stopper layer 30 is formed in the silicon layer 14 between the base of PTI 31 and the upper face of the BOX layer 16.
    ＰＴＩ３１の底面とＢＯＸ層１６の上面との間におけるシリコン層１４内には、Ｎ^+型のチャネルストッパ層３０が形成されている。 - 特許庁
  • An electron transporting layer 16D, an electron injection layer 16E, and an upper electrode 17 are formed in order on the whole surface of the blue luminous layer 16CB.
    青色発光層１６ＣＢの全面に電子輸送層１６Ｄ，電子注入層１６Ｅおよび上部電極１７を順に形成する。 - 特許庁
  • A lower DBR (distributed Bragg reflector) layer 1, a core layer 2, an upper DBR layer 3, and a dielectric multilayer film 6 are sequentially layered on an n-InP substrate 11.
    ｎ−ＩｎＰ基板１１上に下部ＤＢＲ層１、コア層２、上部ＤＢＲ層３、誘電体多層膜６が順次積層される。 - 特許庁
  • This film capacitor is constituted, by covering a support board 1 with a lower electrode layer 2, a thin film dielectric layer 3, and an upper electrode layer 4 in this order.
    支持基板１上に下部電極層２、薄膜誘電体層３、上部電極層４を順次被着してなる薄膜コンデンサである。 - 特許庁
  • To obtain appropriate curvature in a layer inner lens in the upper layer in a layer structure including a region where an electrode film is in a single layered and a double-layered region.
    電極膜が単層の領域と２層の領域とを含む層構造において、その上層の層内レンズの適正な曲率を得る。 - 特許庁
  • The V-shaped joint groove 5 is formed to reach the heat insulating material layer 1 through the waterproof material layer 2 from the upper face of the waterproof material layer 2.
    このＶ字型の目地溝５は、防水材層２の上面から防水材層２を貫いて断熱材層１に達するように形成される。 - 特許庁
  • Further, a dielectric layer is formed on the floating gate and the device isolation layer, and a control gate is formed on the upper part of the dielectric layer.
    また、フローティングゲートおよび素子分離膜上に誘電体膜が形成され、この誘電体膜の上部にコントロールゲートが形成される。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 24 25 26 27 28 29 30 31 32 .... 221 222 次へ＞

例文データの著作権について