「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 221 222 次へ＞- To readily and with excellent reliability ensure a contact area between a plug and an upper layer wiring layer even if the upper layer wiring layer is formed in border-less structure, in a semiconductor device of a multilayer wiring structure in which upper and lower wiring layers formed across an interlayer oxide film are connected to each other via the plug.
層間酸化膜を挟んで形成される上下配線層をプラグを介して接続した多層配線構造の半導体装置において、上層配線層がボーダレス構造となっても、容易で信頼性良くプラグと上層配線層との接触面積を確保する。 - 特許庁 - A sockliner lower layer material 3A is superposed on the lower face of a sockliner upper layer material 2A and the sockliner upper layer material 2A covers almost all area of the sockliner lower layer material 3a to form respective soft areas S1-S3 and the hard area H.
中敷上層材２Ａの下面に中敷下層材３Ａが積層され、かつ、中敷上層材２Ａが中敷下層材３Ａの概ね全域を覆うことで、各軟質エリアＳ１〜Ｓ３および硬質エリアＨが形成されている。 - 特許庁 - A recording head of the thin film magnetic head has a lower magnetic pole layer (upper shield layer) including magnetic pole parts mutually opposite via a recording gap layer 14, an upper magnetic pole layer 15 and a thin film coil 5 arranged between the layers.
薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドは、記録ギャップ層１４を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層（上部シールド層）および上部磁極層１５と、これらの間に配設された薄膜コイル５を有している。 - 特許庁 - In a thin film capacitor where a lower electrode layer 2, a thin film dielectric material layer 3 and an upper electrode layer 4 are sequentially formed on a supporting substrate 1, the shape at the end face of the upper electrode layer 4 is formed almost in the sine-wave shape.
支持基板１上に、下部電極層２、薄膜誘電体層３、上部電極層４を順次形成して成る薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極層４の端辺形状が概略正弦波形状となっている。 - 特許庁 - In the optical waveguide including a lower clad layer, a core part, and an upper clad layer, at least one of the lower clad layer, the core part and the upper clad layer is a hardened material of the radioactive ray setting resin composite.
下部クラッド層、コア部分及び上部クラッド層とを含む光導波路において、前記下部クラッド層、コア部分あるいは上部クラッド層の少なくとも一つが、前記の放射線硬化性樹脂組成物の硬化物である光導波路。 - 特許庁 - The upper absorbable paper layer part, the lower absorbable paper layer part and the absorbable mixed layer part 3 including the waste plastic crushed material, the waste pulp crushed material and the absorbable resin between the upper and lower paper layer parts are fitted and integrally shaped.
上部吸収性紙層部、下部吸収性紙層部、並びに上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を合わせて一体に成形する。 - 特許庁 - A heating component 100 is mounted on the upper face 10a of a lower layer circuit board 1, and its bottom is connected to a thermal via 14 for conducting heat to the lower face 10b of the lower layer circuit board 1 to which inter-layer connecting members 3 lays an upper layer circuit board 2 at a specified height.
発熱部品１００は下層回路基板１の上面１０ａに実装されており、この発熱部品１００の底面は下層回路基板１の下面１０ｂに熱を伝導するサーマルビア１４に接続している。 - 特許庁 - A rubber surface layer 41 of the upper feed roller 40 is harder than a rubber surface layer 43 of the lower feed roller 42 and the rubber surface layer 43 of the lower feed roller 42 is thicker than the rubber surface layer 41 of the upper feed roller 40.
上側の送給ローラのゴム表面層４１を下側の送給ローラのゴム表面層４３よりも硬質とし、上側の送給ローラのゴム表面層よりも下側の送給ローラのゴム表面層が大きな厚みを有する。 - 特許庁 - The excrement treating material 4 is used, by dividing the toilet body into an upper layer part and a lower layer part with a draining board, laying the excreta treating material in the upper layer part, in the toilet for pets that has a tray in the lower layer part.
排泄物処理材４は、トイレ本体を簀の子により上下に区画して、上層部分に排泄物処理材を敷設し、下層部分にトレーを有するペット用トイレにおける、該上層部分に敷設して使用される。 - 特許庁 - The upper layer 2 is jointed to the frame material 4, and the frame material 4 is jointed to the lower layer 3 to form a storage part 5 for storing the power generating apparatus E inside the floor material 1, by the upper layer 2, the frame material 4 and the lower layer 3.
上層２と枠材４とを接合し、かつ枠材４と下層３とを接合することで、上層２、枠材４、及び下層３とにより床材１の内部に発電機器Ｅを収容する収容部５が形成される。 - 特許庁 - The lower layer structure 3 is immersed by excavating the ground under the upper layer structure 2 in a cylindrical shape in a hard layer, and installing a short cylindrical corrugated steel plate on its inner wall in a connecting manner to the upper layer structure 2.
下層構造物３は、硬質層において、上層構造物２の下側の地中を筒形に掘り下げ、その内壁に、上層構造物２に連結して短筒形の波形鉄板５を布設することにより沈設される。 - 特許庁 - The first electrical fuse 12 has a first upper layer wire 121 and a first lower layer wire 122 formed in different wire layers, and a via 123 for connecting the first upper layer wire 121 to the first lower layer wire 122.
第一の電気ヒューズ１２は、異なる配線層に形成された第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２と、第一の上層配線１２１および第一の下層配線１２２を接続するビア１２３とを有する。 - 特許庁 - The second electrical fuse 13 has a second upper layer wire 131 and a second lower layer wire 132 formed in different wire layers, and a via 133 for connecting the second upper layer wire 131 to the second lower layer wire 132.
第二の電気ヒューズ１３は、異なる配線層に形成された第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２と、第二の上層配線１３１および第二の下層配線１３２を接続するビア１３３とを有する。 - 特許庁 - A recording head has a lower magnetic pole layer (upper shielding layer) 8, an upper magnetic pole layer 13, a recording gap layer 12 placed between the magnetic pole parts of both layers 8 and 13 and a thin film coil 10 placed between both layers 8 and 13.
記録ヘッドは、下部磁極層（上部シールド層８）と、上部磁極層１３と、２つの磁極層の磁極部分の間に設けられた記録ギャップ層１２と、２つの磁極層の間に設けられた薄膜コイル１０を有している。 - 特許庁 - An SiO2 film 2 and a resist (resist pattern) 3 of an upper layer are formed on a resist 1 of a lower layer, O2 gas singly is used as etching gas and the SiO2 film 2, and the resist 1 of a lower layer are etched by using the resist 3 of an upper layer as a mask.
下層のレジスト１上にＳｉＯ_2 膜２、上層のレジスト（レジストパターン）３を形成し、エッチングガスとしてＯ_2 ガス単体を使用し、上層のレジスト３をマスクにしてＳｉＯ_2 膜２および下層のレジスト１をエッチングする。 - 特許庁 - A layered film having a four-layer structure comprising a lower layer portion (1), an intermediate portion 2, and an upper layer portion (3), and a mask material (4) is formed, and grooved 31 and masks 41 that do not reach the intermediate portion 2 are cut and formed in the upper layer portion (3) and the mask material (4).
下層部１、中層部２、上層部３とマスク材４の４層構造を有する積層膜を形成し、上層部３とマスク材４に研削により中層部２に達しない溝３１とマスク４１を形成する。 - 特許庁 - The substrate includes a first layer 4a, of which the lower plane makes contact directly with the first shielding layer 3 and a second layer 4 of which the lower plane contacts to an upper plane of the first layer 4a and the upper plane makes contact directly with the MR element 5.
下地層４は、下面が第１のシールド層３に直接接する第１の層４ａと、下面が第１の層４ａの上面に接すると共に、上面がＭＲ素子５に直接接する第２の層４ｂとを含んでいる。 - 特許庁 - Etching is started with the upper surface of the second resin layer 24, and is continued until a protruding part of the first resin layer 22 is exposed from the second resin layer 24 and the upper part of the spacer 18 of the wiring is exposed from the first resin layer 22.
エッチングを、第２の樹脂層２４の上面に対して開始し、第２の樹脂層２４から第１の樹脂層２２の凸部が露出し、配線のスペーサ１８上の部分が第１の樹脂層２２から露出するまで行う。 - 特許庁 - A film-like optical waveguide 24 comprises a lower clad layer 12, a core part 20 formed on the upper face of the lower clad layer 12, and an upper clad layer 22 formed to be laminated on the lower clad layer 12 and the core part 20.
フィルム状光導波路２４は、下部クラッド層１２と、下部クラッド層１２の上面に形成されたコア部分２０と、下部クラッド層１２及びコア部分２０の上に積層して形成された上部クラッド層２２とからなる。 - 特許庁 - The mat 1 is provided with: an anti-slippage layer 3 having a sticky synthetic resin applied on its lower surface; a water retention layer 4 laminated on the upper surface of the anti-slippage layer 3; and a nonwoven fabric 2 laminated on the upper surface of the water retention layer 4.
マット１は、粘着性を有する合成樹脂を下面に塗布された滑り止め層３と、滑り止め層３の上面に積層された保水層４と、保水層４の上面に積層された不織布２とを備える。 - 特許庁 - The component containing multilayer wiring board module 100 comprises: a first layer 11; a first electronic component 3 disposed coming into contact with an upper face of the first layer 11; and a second layer 12 disposed so as to cover the upper face of the first layer 11.
部品内蔵多層配線基板モジュール１００は、第１層１１と、第１層１１の上面に接して配置された第１電子部品３と、第１層１１の上面を覆うように配置された第２層１２とを備える。 - 特許庁 - The first control layer 117 includes a lower layer 117a, an intermediate layer 117b formed on the lower layer 117a having lower impurity concentration compared with the lower layer 117a, and an upper layer 117c formed on the intermediate layer 117b having higher-impurity concentration, as compared with the intermediate layer 117b.
第１のコントロール層１１７は、下層１１７ａと、下層１１７ａの上に形成され、下層１１７ａと比べて不純物濃度が低い中層１１７ｂと、中層１１７ｂの上に形成され、中層１１７ｂと比べて不純物濃度が高い上層１１７ｃとを有している。 - 特許庁 - A resinous fuel tank 16 includes an ethylene/vinyl alcohol layer 31, an upper adhesive resin layer 33, a polyethylene layer 34 formed of a colorless, recycled polyethylene material, a polyethylene layer 35 used as the outermost layer, a lower adhesive resin layer 37, and a polyethylene layer 38 used as the innermost layer.
樹脂製燃料タンク１６は、エチレンビニルアルコール層３１と、上側の接着性樹脂層３３と、無着色の再生ポリエチレン材からなるポリエチレン層３４と、最外層となるポリエチレン層３５と、下側の接着性樹脂層３７と、最内層となるポリエチレン層３８とからなる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes at least two wiring layers on a substrate or in a surface layer of the substrate, and also includes a silicon carbide layer between the lower-layer wiring layer and upper-layer wiring layer of the two wiring layers when the lower-layer wiring layer is made of silicon.
基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 - 特許庁 - The photodetector includes a lower electrode 1; an active layer 2 formed in an upper direction of the lower electrode 1; an upper electrode 3 formed in an upper direction of the active layer 2; diffraction portion 4 formed in an upper direction of the upper electrode 3; and a reflection film 5 for covering the diffraction portion 4.
光検知器の一態様には、下部電極１と、下部電極１上方に形成された活性層２と、活性層２上方に形成された上部電極３と、上部電極３上方に形成された回折部４と、回折部４を覆う反射膜５と、が設けられている。 - 特許庁 - The MIM diode 18 is formed of a lamination of the lower metal layer 30, the insulation layer 32 and the upper metal layer 34 in the thickness direction, and the lower metal layer 30 and the upper metal layer 34 are respectively connected to the end portions of the pair of antenna patterns 14 and 16 facing each other.
ＭＩＭダイオード１８は、下金属層３０、絶縁層３２、及び上金属層３４が厚み向に積層して設けられ、下金属層３０及び上金属層３４が一対のアンテナパターン１４，１６の互いに対向する端部にそれぞれ接続している。 - 特許庁 - Since the first electrode layer 13, the lower part organic layer 14 and the upper part organic layer 15 are all housed in the concave part 121, as compared with a conventional structure, in which an electrode layer is fitted on an insulating layer with a flat upper face without irregularities, it is further thinned.
第１電極層１３、下部有機層１４、上部有機層１５は、いずれも凹部１２１に収容されているので、凹凸がなく平坦化された上面を有する絶縁層の上に電極層が設けられた従来の構造と比べ、より薄型化される。 - 特許庁 - A photoelectric conversion layer 36 having a well layer 42 and a barrier layer 43 laminated alternately is laminated on an upper surface of a third semiconductor layer 35 formed above a substrate 32, and particulates 40 are dispersed on an upper surface of the photoelectric conversion layer 36.
基板３２の上方に形成された第３の半導体層３５の上面には井戸層４２と障壁層４３を交互に積層した光電変換層３６が積層されており、光電変換層３６の上面には微粒子４０が分散している。 - 特許庁 - Then upper layer power source wires 41 and 51 and upper layer grounding wires 42 and 52 which come into contact with the lower layer power source wire 11 and the lower layer grounding wire 12 are arranged along the edges of the hard macro 10 by using either of the several wiring layers except the lowermost layer.
次に、ハードマクロ１０の端部に沿って、複数の配線層の中の最下層を除くいずれかの配線層を用いて下層電源線１１及び下層接地線１２とコンタクトする上層電源線４１,５１及び上層接地線４２,５２を配置する。 - 特許庁 - A lower clad layer (refractive index n_1) and a core layer (refractive index n_2) are successively applied on a substrate, unnecessary portion of the core layer is removed, then a first upper clad layer (refractive index n_3) and a second upper clad layer (refractive index n_4) are successively applied to make the polymer optical waveguide.
基板上に下部クラッド層（屈折率ｎ_1）、コア層（屈折率ｎ_2）を順次塗布し、コア層の不要部を除去した後、再度第１の上部クラッド層（屈折率ｎ_3）、第２の上部クラッド層（屈折率ｎ_4）を順次塗布してポリマー光導波路を作製する。 - 特許庁 - In the formation of a gate electrode of a trench gate in a superjunction structure composed of a drain layer DL and an epitaxial layer EL, the upper surface of the epitaxial layer EL is determined to be higher than the upper face of a channel layer CL formed on the drain layer DL.
ドレイン層ＤＬおよびエピタキシャル層ＥＬからなるスーパージャンクション構造にトレンチゲートのゲート電極を形成するに際し、まず、エピタキシャル層ＥＬの上面がドレイン層ＤＬ上に形成されたチャネル層ＣＬの上面より高くなるようにする。 - 特許庁 - The lower layer, the tunnel barrier layer 8 and the upper layer are laminated so as to be adjacent to each other in this order, and any one of the lower layer and the upper layer has a fixed magnetization direction for an external magnetic field, and the other has a magnetization direction changeable depending on the external magnetic field.
下部層、トンネルバリア層８、および上部層はこの順で互いに隣接して積層され、下部層と上部層のいずれか一方は、外部磁界に対して磁化の向きが固定され、他方は外部磁界に応じて磁化の向きが変わることができる。 - 特許庁 - A side 16b in the element formation layer is connected to an upper surface 14c of the stress relaxation layer in an electrically non-conductive state via an insulating stress transfer layer 18 formed on the upper surface.
素子形成層の側面１６ｂは、応力緩和層の上面１４ｃと、この上面に形成された絶縁性応力伝達層１８を介して電気的に非導通の状態で接続されている。 - 特許庁 - To provide a structure having an upper layer and a lower layer excellent in water resistance and the adhesiveness to the upper layer and effective for a waterproof material of a parking zone or a factory floor on which a heavy article such as a forkleft or the like passes.
下層が耐水性に優れ、上層との接着性に優れ、駐車場防水材やフォークリフト等の重量物の通行する工場床等に有効な構造体を提供する。 - 特許庁 - An interfacial surface between the impurity layer 103 and the silicide layer 106B is lower than the upper surface of the element isolation region 102, and the silicide layer 106B covers an upper part corner of the element isolation region 102.
不純物層１０３とシリサイド層１０６Ｂとの界面は、素子分離領域１０２の上面よりも低く、シリサイド層１０６Ｂは素子分離領域１０２の上部コーナーを覆っている。 - 特許庁 - The upper layer structure is provided with at least one occlusal element 38 having a given occlusal surface, and especially, the upper layer structure is supported on the lower layer structure through a connecting element such as a connecting material 26.
上層構造は所与の咬合面を有する少なくとも１つの咬合要素３８備え、この上層構造は特に結合材料２６等の結合要素を介して下層構造上に支持される。 - 特許庁 - Further, oxidation for rounding the upper surface edge of the Si layer 2 is carried out in the state that the upper surface edge of the Si layer 2 is exposed, and the lower surface edge of the Si layer 2 is covered with the side wall 18.
さらに、Ｓｉ層２の上面エッジ部を丸めるための酸化を、Ｓｉ層２の上面エッジ部を露出させ，Ｓｉ層２の下面エッジ部をサイドウォール１８によって覆った状態で行なう。 - 特許庁 - The n-AlGaAs layer and the SiO_2 film are filled with a lower layer 22a of the upper reflection mirror-upper clad layer and is formed with an opening 31 which becomes a current injection region in a central region.
ｎ−ＡｌＧａＡｓ層及びＳｉＯ_2 膜は、上部反射鏡兼上部クラッド層の下部層２２ａで埋め込まれ、電流注入領域となる開口部３１を中央領域に備えている。 - 特許庁 - Next, a common electrode 43 is formed on an upper surface of the protection layer 41 and further the piezoelectric layer 42 is deposited by the AD method on the upper surface of the protection layer 41 on which the common electrode 43 has been formed.
次に、保護層４１の上面に共通電極４３を形成し、さらに、共通電極４３を形成した保護層４１の上面に、ＡＤ法により圧電層４２を成膜する。 - 特許庁 - A low density layer 12 is formed as the current suppression layer for suppressing the current from being passed through, in the area including the just under area of the upper electrode 18 in an upper layer portion of the silicon substrate 12.
また、シリコン基板１２の上層部分における上部電極１８の直下域を含む領域に、電流の通過を抑制する電流抑制層として、低濃度層１２を形成する。 - 特許庁 - The emitter part 12 is composed of the upper layer 12c constituted of a large number of dielectric particles 12e and the lower layer 12d positioned downward the upper layer 12c and constituted of the large number of dielectric particles 12f.
エミッタ部１２は、多数の誘電体粒子１２ｅから構成される上層１２ｃと、その上層１２ｃの下方に位置する、多数の誘電体粒子１２ｆから構成される下層１２ｄとからなる。 - 特許庁 - Also, the absorbent 3B is divided into an upper layer absorbent 3B1 facing the back surface of the transmission sheet 2 and a lower layer absorbent 3B2 laminated on the back surface side of the upper layer absorbent 3B1.
また、吸収体３Ｂは、透過シート２の裏面に対向する上層吸収体３Ｂ１とこの上層吸収体３Ｂ１の裏面側に積層された下層吸収体３Ｂ２とに分ける。 - 特許庁 - Dicing is performed with a method, wherein the tape 1 is used, the layer 21 is completely cut from the upper surface thereof to the lower surface thereof, the layer 22 is partially cut from the upper surface thereof to the middle thereof, and the layer 23 is not cut at all.
ダイシングは、前記テープ１を用い、上部層を上面から下面まで完全に切断し、中間層を途中まで部分的に切断し、そして下部層を全く切断しない方法で行う。 - 特許庁 - Stationary frames (20, 30) support the upper layer movable frame part 25 such that the upper layer movable frame part 25 and the lower layer movable frame part 35 are swingable in a Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.
固定フレーム部（２０，３０）上層可動フレーム部２５及び前記下層可動フレーム部３５が、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向の揺動可能なように、上層可動フレーム部２５を支持する。 - 特許庁 - The electron stopper layer has the lower end of a conductive band higher than the lower end of the conductive band of the active layer, and has the upper end of a valence band lower than the upper end of the valence band of the p-type clad layer.
この電子ストッパー層は、活性層の伝導帯下端よりも高い伝導帯下端を有し、かつｐ型クラッド層の価電子帯上端よりも低い価電子帯上端を有する。 - 特許庁 - An upper magnetic layer 13 has a rear end part to be placed on the Gd deciding insulating layer, and the volume of the upper magnetic layer 13 is increased while a gap depth is kept at a specified length.
上部磁極層１３は、後端部をＧｄ決め絶縁層上に載せることができ、ギャップデプスを所定の長さに維持したまま上部磁極層１３の体積を増加させることができる。 - 特許庁 - The upper surface of the silicide layer 230 lowers from the center of the silicide layer 230 to both ends where the upper surface height of the silicide layer 230 is lower than that of an offset spacer 180.
シリサイド層２３０の上面は、シリサイド層２３０の中央から両端に向けて低くなっており、当該両端におけるシリサイド層２３０の上面の高さは、オフセットスペーサ１８０の高さ以下である。 - 特許庁 - Then, the upper layer insulation film 8 is etched by a resist layer 12 having an opening 12a including the contact hole 8a as a mask to form an upper layer wiring trench 8b connected with the contact hole 8a.
その後、コンタクトホール８ａを含む開口部１２ａを有するレジスト１２をマスクにして、上層用絶縁膜８のエッチングを行い、コンタクトホール８ａと接続する上層配線溝８ｂを形成する。 - 特許庁 - (2) The write-once type optical recording medium includes an upper protective layer containing a sulfide, an upper intermediate layer and a recording layer constituted of a bismuth oxide based material sequentially from a laser beam radiation side.
（２）レーザ光の照射側から順に、硫化物を含む上部保護層と、上部中間層と、ビスマス酸化物系の材料で構成される記録層とを備えた追記型光記録媒体。 - 特許庁 - (1) The write-once type optical recording medium includes a recording layer constituted of a bismuth oxide based material, an upper intermediate layer and an upper protective layer containing A sulfide sequentially from a laser beam radiation side.
（１）レーザ光の照射側から順に、ビスマス酸化物系の材料で構成される記録層と、上部中間層と、硫化物を含む上部保護層とを備えた追記型光記録媒体。 - 特許庁
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