「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 21 22 23 24 25 26 27 28 29 .... 221 222 次へ＞- Further, the upper surface of the lamination film 14 is higher than the upper surface of the wiring layer 3a while the lower surface of the lamination film 14 is lower than the lower surface of the wiring layer 3a.
更に、積層膜１４の上面を配線層３ａの上面よりも高くし、積層膜１４の下面を配線層３ａの下面よりも低くする。 - 特許庁 - At the inner side of the saddle portion, an upper side water stop layer 9 is provided.
サドル部６ｂの内側には、上側止水層９が設けられている。 - 特許庁 - The upper electrode and a capacitor dielectric film are formed by etching the upper electrode layer and the ferroelectric layer using the hard mask patterns as an etching mask.
ハードマスクパターンをエッチングマスクとして、上部電極層及び強誘電体層をエッチングすることにより、上部電極及びキャパシタ誘電体膜を形成する。 - 特許庁 - A polysilicon film 19 is formed on the upper surface of the p^+-layer 18.
ｐ^+層１８の上面上には、ポリシリコン膜１９が形成されている。 - 特許庁 - A metal film (thin film layer) 26 is formed on the upper surface of the prism 21.
プリズム２１には、上面に金属膜（薄膜層）２６が形成されている。 - 特許庁 - To reduce the number of processes by forming an upper layer re-wiring by a method except electrolytic plating when a semiconductor device having the upper layer re-wiring is manufactured.
上層再配線を有する半導体装置の製造に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。 - 特許庁 - To uniformly magnetize the upper and lower layers and intermediate layer of a variable magnetic-force magnet.
可変磁力磁石の上下層部と中層部とを、均一に磁化する。 - 特許庁 - The surface electron emission element has a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially laminated, in this order, and a nanostructure layer which is formed on the upper electrode.
順次に積層された下部電極、絶縁層及び上部電極、上部電極上に形成されたナノ構造層を備える表面電子放出素子。 - 特許庁 - To restrain the falling of a resist film of an upper layer in a multilayer resist process.
多層レジストプロセスにおける上層のレジスト膜の倒れを抑制すること。 - 特許庁 - An upper layer encoding unit 62 performs upper layer encoding for an input image signal when the bit depth conversion processing is determined not to be performed.
上位階層符号化部６２は、ビット深度変換処理を行わないと判定された場合に、入力画像信号に対して上位階層符号化する。 - 特許庁 - Thus, the solar battery panel P' of the upper layer is held on the roof, and further another solar battery panel can be installed on the upper layer.
このようにして上層の太陽電池パネルＰ’を屋根上に保持し、その上層に更に別の太陽電池パネルを設置してゆくことができる。 - 特許庁 - On the upper surface of the semiconductor layer 3, upper layer resistors 7a and 7b formed by the thickness smaller than the depth of the grooves 5a, 5b and 5c are formed.
半導体層３の上面に、溝５ａ，５ｂ，５ｃの深さよりも小さい厚みで形成された上層抵抗体７ａ，７ｂが形成されている。 - 特許庁 - The method includes steps of: forming an upper wiring layer in dielectric layers 10, 20 and 22; and depositing one or more dielectric layers on the upper wiring layer.
誘電層１０，２０，２２において上部配線層を形成するステップと、上部配線層上に１つ以上の誘電層を堆積するステップと、を含む。 - 特許庁 - Further, by eliminating etching products, upper layer wiring is formed.
さらにエッチング生成物を除去することにより上層配線を形成する。 - 特許庁 - Then, after a protective insulation film 7 and an upper layer insulation film 8 are formed on the substrate, a contact hole 8a is formed in the upper layer insulation film 8.
その後、基板上に保護絶縁膜７及び上層用絶縁膜８を形成した後、上層用絶縁膜８にコンタクトホール８ａを形成する。 - 特許庁 - The upper layer part 7T has a compression breaking strength smaller than that of the lower layer part 7B and its width WT is narrower than the width WB_1 of the upper face of the lower layer part 7B, and, when the bulkhead is viewed from the longitudinal direction, it is retracted from the edge of the upper face of the lower layer part 7B.
上層部７Ｔは下層部７Ｂより小なる圧縮破壊強度を有し、幅Ｗ_T が下層部７Ｂの上面の幅Ｗ_B1より狭く、隔壁７を長手方向に見たとき、下層部７Ｂの上面の端より内側に設けられている。 - 特許庁 - The lower electrode layer (5) and the upper electrode layer (6) are formed with different material, and a wire connection area (15) exposing partially outward of a cutout (36) formed in the upper electrode layer (6) is formed on an upper face (5a) of the lower electrode layer (5), to connect a wire (8) to the wire connection area (15).
下部電極層(5)と上部電極層(6)とを異なる材質により形成し、上部電極層(6)に設けた切欠部(36)から外部に部分的に露出する結線領域(15)を下部電極層(5)の上面(5a)に設け、結線領域(15)にワイヤ(8)を接続する。 - 特許庁 - This absorber is composed of an upper absorptive paper layer part as an upper face a lower absorptive paper layer part as a lower face and a water absorptive mixed layer part containing a crushed plastic waste material, a crushed pulp waste material and a water-absorptive resin sandwiched between the upper and the lower paper layer parts.
上面を形成する上部吸収性紙層部、下面を形成する下部吸収性紙層部、上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を備える。 - 特許庁 - An upper absorbable paper layer part for forming the upper surface and a lower absorbable paper layer part for forming the lower surface are provided, and an absorbable mixed layer part including waste plastic crushed material, waste pulp crushed material and absorbable resin is provided between the upper and lower paper layer parts.
上面を形成する上部吸収性紙層部並びに下面を形成する下部吸収性紙層部を有し、上部及び下部紙層部間にプラスチック廃材粉砕物、パルプ廃材粉砕物及び吸水性樹脂を含む吸水性混合層部を備える。 - 特許庁 - The width of the end part of the upper magnetic pole part layer 12 on the air-bearing surface side, i.e., magnetic pole width is less than the width of the upper magnetic pole part layer 12 at the air-bearing-surface side end part of the coupling part of the upper magnetic pole part layer 12 and 1st yoke part layer 15.
上部磁極部層１２のエアベアリング面側の端部における幅、すなわち磁極幅は、上部磁極部層１２と第１のヨーク部層１５との結合部分のエアベアリング面側の端部における上部磁極部層１２の幅よりも小さい。 - 特許庁 - The warps constituting the upper side layer of a pair of double woven fabrics are disposed to pass through the upper side of the wefts constituting the lower layer, and the warps constituting the lower side layer of the double woven fabrics are disposed to pass through the lower side of the wefts constituting the upper layer.
一組の二重織りの上側の層を構成する経糸は、下側の層を構成する緯糸の上側を通るように配置され、二重織りの下側の層を構成する経糸は、上側の層を構成する緯糸の下側を通るように配置されている。 - 特許庁 - An upper layer 7 which has transparency or translucency to the extent of making at least its inside surface visible has, in its lower position, a lower layer 5 which has a surface form different from the surface form of the upper layer 7 and permits the visual perception of the surface form through the upper layer 7 therefrom.
透明、または、少なくとも内部面が視認できる程度の透光性を有する上層７の下位に、当該上層７とは異なる表面形態を有し、この表面形態が上層７から透過して視覚される下層５を備える。 - 特許庁 - A flux composition layer 3 is applied on an upper layer on one side or both sides of an aluminum base material 1, and a solid lubricating film 4 is applied on a surface layer which is an upper layer of at least the flux composition layer 3 to form an aluminum member 10.
アルミニウム基材１の片面又は両面上層にフラックス組成物層３を形成し、少なくとも前記フラックス組成物層３の上層である表面層に、固形潤滑性皮膜４を形成してアルミニウム材１０とする。 - 特許庁 - On the side of the coil end face 101E, the winding 201 is wound such that the side portion 201S of a lower layer winding and the side portion 201S of an upper layer winding come into surface contact at a position where the lower layer winding 201 and the upper layer winding 201 intersect and the layer of winding changes.
コイルエンド面101E側において、下層の巻線201と上層の巻線201とが交差して巻線の層が変わる箇所で、下層の巻線の辺部201Sと上層の巻線の辺部201Sとが面接触するように巻線201が巻回されてなる。 - 特許庁 - Each picture element consists of the lower layer part LL including wiring X, Y and M formed on the substrate 1, the upper layer part UL containing organic EL element OLED, and the middle layer part to electrically insulate the lower layer part LL and the upper layer part UL.
各画素は、基板１上に形成された配線Ｘ，Ｙ，Ｍを含む下層部ＬＬと、有機エレクトロルミネッセンス素子ＯＬＥＤを含む上層部ＵＬと、下層部ＬＬ及び上層部ＵＬを互いに電気的に絶縁する中層部ＭＬとを含む。 - 特許庁 - An emission surface layer 105 provided with a function of preventing oxidation of Al contained in the upper clad layer 104 is formed on the upper clad layer 104, and an electrode contact layer 106 is formed on the emission surface layer 105.
上部クラッド層１０４の上部には、上部クラッド層１０４に含まれるＡｌの酸化を防止する機能を兼ね備えた出射面層１０５が形成されており、この出射面層１０５の上部には、電極コンタクト層１０６が形成されている。 - 特許庁 - The recording medium comprises an ink acceptive layer having an upper layer containing an alumina pigment and a lower layer containing an alumina pigment having a larger BET specific surface area than that of the alumina pigment in the upper layer of a two-layer structure on a base material.
基材上に、アルミナ系顔料を含む上層と、上層中のアルミナ系顔料よりもＢＥＴ比表面積が大きいアルミナ系顔料を含む下層との２層構造を有するインク受容層を形成して記録媒体とする。 - 特許庁 - The cushion material 16 may be constituted of a tuft cushion layer 13 of a three-layer laminated structure of two upper and lower base layers 11a and 11b and a tuft layer 12 by making the base layer 11 into two upper and lower layers and planting tufts on one base layer.
クッション材１６は、基層１１を上下２層とし、その一方の基層に立毛を植設し、それらの上下２つの基層１１ａ・１１ｂと立毛層１２との３層積層構造の立毛クッション層１３によって構成してもよい。 - 特許庁 - In the coating method, by which two coating layers of an upper layer and a lower layer are formed by applying the coating material on a substrate 20 from two slits of a nozzle 2, the coating of the upper layer is started after the coating layer 17 of the lower layer is previously formed.
ノズルの２つのスリットから塗料を支持母材２０に塗布して上下２層の塗布層を形成する塗料塗布方法であって、先に下層の塗布層１７を形成した後に上層の塗布を開始するようにした塗料塗布方法である。 - 特許庁 - This dielectric element, which is provided with a lower electrode, a dielectric layer and an upper electrode on a substrate, is formed into a dielectric element of a structure, where the electrode of at least either of the lower and upper electrodes of the element is formed as a Pt layer and at the same time, an Ru layer is used as the base layer of the Pt layer.
基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を備える誘電体素子において、少なくとも一方の電極をＰｔ層とするとともに、その下地層としてＲｕ層を用いて誘電体素子とする。 - 特許庁 - The method further comprises the steps of then removing the layer 108 and a cap layer 106 on the flat surface of the upper part of the ridge [(b)], and then forming a metal layer 111 having a thinner layer thickness than the layer thickness of the layer 106 [(c)].
次に、リッジ上部の平坦面上の絶縁体層１０８とキャップ層１０６とを除去した〔（ｂ）〕後、キャップ層１０６の層厚よりも薄い層厚の金属層１１１を全面に形成する〔（ｃ）〕。 - 特許庁 - An n-AlGaN clad layer 12 (a lower clad layer), a quantum-well active layer 14 (an active layer) and a p-AlGaN clad layer 16 (an upper clad layer) are laminated successively on an n-GaN substrate 11 (a semiconductor substrate).
ｎ−ＧａＮ基板１１（半導体基板）上に、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１２（下部クラッド層）、量子井戸活性層１４（活性層）およびｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１６（上部クラッド層）が順次積層されている。 - 特許庁 - Then, a metal layer 17 containing Cu is formed on the upper layer of the barrier metal layer 16 by electrolytic plating using the barrier metal layer 16 as an electrode, and the barrier metal layer 16 and the metal layer 17 are processed into a wiring pattern.
次に、バリアメタル層１６の上層にバリアメタル層１６を電極とする電解メッキによりＣｕを含む金属層１７を形成し、バリアメタル層１６及び金属層１７を配線パターンに加工する。 - 特許庁 - The spin valve thin film element MR1 consists of an antiferromagnetic layer 122, fixed magnetic layer 123, nonmagnetic electrically conductive layer 124 and free magnetic layer 125, and is formed between a lower gap layer 129 on the substrate and an upper gap layer 127.
また、このスピンバルブ型薄膜素子を備え、再生シールド間隔を厚くすることなく、前記スピンバルブ型薄膜素子と上部シールド層および下部シールド層との絶縁が確保しやすい薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁 - An upper electrode UEL is formed by commonly covering the green luminescent (G luminescent layer), the blue luminescent layer (B luminescent layer), the red luminescent layer (R luminescent layer), and the white luminescent layer (G+B+R).
緑色発光層（Ｇ発光層）、青色発光層（Ｂ発光層）、赤色発光層（Ｒ発光層）、および白色発光層（Ｇ+Ｂ+Ｒ発光層）の上を共通に覆って上部電極ＵＥＬが形成される。 - 特許庁 - An inner layer ground electrode 401 is arranged on the substantially entire surface between the lower layer region and the intermediate layer region, and an inner layer ground electrode 402 is arranged on the substantially entire surface between the intermediate layer region and the upper layer region.
下層領域と中間層領域との間には内層グランド電極４０１が略全面に配設され、中間層領域と上層領域との間には内層グランド電極４０２が略全面に配設される。 - 特許庁 - The optical waveguide 12 is constituted of a lower clad layer 17, a belt-like core layer 19 formed on the clad layer 17 and an upper clad layer 20 deposited on the clad layer 17 so as to enclose the core layer 19.
光導波路１２は、下部クラッド層１７、下部クラッド層１７上に形成された帯状のコア層１９、及びコア層１９を囲んで下部クラッド層１７上に成膜された上部クラッド層２０から構成される。 - 特許庁 - At each vibrating element, a first vertical electrode layer is connected with an upper electrode layer and an internal electrode layer, and a second vertical electrode layer is connected with a lower surface electrode layer and an internal electrode layer.
各振動素子においては、上面電極層及び内部電極層に対して第１垂直電極層が接続され、下面電極層及び内部電極層に対して第２垂直電極層が接続される。 - 特許庁 - The lead-out wiring layer 12 comprises a main conductor layer 6, a first barrier metal layer 5 covering the bottom face and the side face of the main conductor layer 6, and a second barrier metal layer 7 covering the upper surface of the main conductor layer 6.
引出配線層１２は、主導体層６と、この主導体層６の底面および側面を覆う第１バリアメタル層５と、上記主導体層６の上面を覆う第２バリアメタル層７とを備えている。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium produced by successively laminating at least a nonmagnetic base layer, magnetic layer, carbon protective layer and liquid lubricant layer on a nonmagnetic substrate, the liquid lubricant layer has a two-layer structure of an upper layer and a lower layer.
非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層、磁性層、カーボン保護層、および液体潤滑剤層が順次積層されてなる磁気記録媒体において、前記液体潤滑層が上層と下層との二層構造であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁 - The memory cell MC has a triple well structure of: a first conductive type upper layer well PWEL formed on a second conductive type depth layer well DNWL; a second conductive type annular upper layer well NWEL1 surrounding it; and a first conductive type upper layer well and uppermost layer impurity regions (P, N) formed on the second conductive type annular upper layer well.
メモリセルＭＣは、第２導電型の深層ウェルＤＮＷＬ上に形成された第１導電型の表層ウェルＰＷＥＬ及びそれを囲む第２導電型の環状表層ウェルＮＷＥＬ１と、第１導電型の表層ウェル及び第２導電型の環状表層ウェルに形成された最表層不純物領域（Ｐ，Ｎ）とのトリプルウェル構造を有する。 - 特許庁 - The key input device has: a circuit board 3 having electrodes; a dome 4 arranged above the electrodes; and a key top that is arranged above the dome 4 and includes an upper layer 10, a lower layer 12 arranged below the upper layer 10 and having larger elastic force than that of the upper layer 10, and a hollow part 11 provided between the upper layer 10 and the lower layer 12.
キー入力装置は、電極が備えられた回路基板３と、電極の上方に配置されたドーム４と、 ドーム４の上方に配置され、上層部１０と、上層部１０の下方に配置され、上層部１０の弾性力よりも大きい弾性力を有する下層部１２と、上層部１０と下層部１２との間に設けられた中空部１１とを備えたキートップとを有する。 - 特許庁 - A method includes the steps of: preparing a substrate; sequentially forming a lower semiconductor layer, an active layer, and an upper semiconductor layer on the substrate; forming a photoresist pattern on the upper semiconductor layer so that its side wall is inclined to an upper surface of the substrate; and sequentially etching the upper semiconductor layer, the active layer, and the lower semiconductor layer by using the photoresist pattern as an etching mask.
基板を用意する段階と、前記基板上に、下部半導体層、活性層及び上部半導体層を順次形成する段階と、前記上部半導体層上に、その側壁が前記基板の上部面に対して傾斜するように、フォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用し、前記上部半導体層、活性層及び下部半導体層を順次にエッチングする段階とを有する。 - 特許庁 - In the antenna circuit configuring body for IC cards/tags, an insulating layer 107 is formed so as to extend from the upper part of a first circuit pattern layer 103 to the upper part of a second circuit pattern layer via the upper part of an antenna coil 101.
ＩＣカード・タグ用アンテナ回路構成体は、絶縁層１０７が第１の回路パターン層部分１０３の上からアンテナコイル部１０１の上を経て第２の回路パターン層部分の上まで延びるように形成されている。 - 特許庁 - Subsequently, as an upper coating layer forming process, upper coating material 50 different in color from the lower coating material 40 is applied to the surface of the lower coating layer 4 in the design surface 201 of the original plate 2 to form an upper coating layer 5.
次いで、上側塗料層形成工程として、原板２の意匠表面２０１における下側塗料層４の表面に、下側塗料４０とは色彩の異なる上側塗料５０を塗布して上側塗料層５を形成する。 - 特許庁 - The absorber is equipped with a lower absorbent layer 2 containing a pulp fiber and a highly absorbent polymer and an upper absorbent layer 3 which overlies the lower absorbent layer 2 and is made of a nonwoven fabric containing the highly absorbent polymer, and the lowermost layer of the upper absorbent layer 3 has the fiber density higher than the uppermost layer.
パルプ繊維及び高吸収性ポリマーを含む下部吸収層２と、下部吸収層２上に積層され、高吸収性ポリマーを含む不織布からなる上部吸収層３とを具備し、上部吸収層３の最下層がその最上層よりも繊維密度が高い吸収体。 - 特許庁 - On the MEMS structure 1, a first etching groove 7a penetrating an electric conductor lower layer 2, an insulator lower layer 3, and an electric conductor middle layer 4; and a second etching groove 7b penetrating an electric conductor upper layer 6, an insulator upper layer 5, and the electric conductor middle layer 4 are formed.
ＭＥＭＳ構造体１には、導電体下層２と絶縁体下層３と導電体中間層４を貫通する第１エッチング溝７ａと、導電体上層６と絶縁体上層５と導電体中間層４を貫通する第２エッチング溝７ｂが形成されている。 - 特許庁 - The diffusion prevention layer 15 is formed between the ferroelectric oxide layer 14 and the upper electrode layer 16, so that diffusion of Pb atoms of the ferroelectric oxide layer 14 to the upper electrode layer 16 is prevented, and the formation of Pb atom deficiency in the ferroelectric oxide layer 14 is inhibited.
強誘電体酸化物層１４と上部電極層１６との間に拡散防止層１５を設けることにより、強誘電体酸化物層１４のＰｂ原子の上部電極層１６への拡散を防止し、強誘電体酸化物層１４中のＰｂ原子欠損の形成を防止する。 - 特許庁 - Since a diffraction grating is arranged on the lower part of an active layer, the film thickness of a 1st upper clad layer can be thinned, a leak current leaked from the 1st upper clad layer to a contact layer can be suppressed, and the efficiency of current injection into the active layer and a variable wavelength layer can be improved.
回折格子を活性層の下部に配設したことにより、第１上部クラッド層の膜厚を薄くすることでき、第１上部クラッド層からコンタクト層へ漏れるリーク電流を抑制し、活性層及び波長可変層への電流注入効率を高める。 - 特許庁 - A resist is applied so that the specified thickness of a mask layer 23 is larger than the thickness of a plated layer 24 and therefore, the upper face of the mask layer 23 is lower than the upper face of the plated layer 24 when forming the plated layer 24 is completed and thus the edge of the plated layer 24 is acute.
マスク層２３の所定厚みがメッキ層２４の厚みよりも厚くなるように、レジストが塗布されるので、メッキ層２４の形成完了時に、マスク層２３の上面よりもメッキ層２４の上面の方が低い状態になり、メッキ層２４のエッジが鋭角となる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
