「upper layer」を含む例文一覧(11094)
＜前へ 1 2 .... 22 23 24 25 26 27 28 29 30 .... 221 222 次へ＞- The method for manufacturing the resin film laminate plating steel sheet comprises the steps of forming a prescribed amount of an Sn-plating layer or a prescribed amount of an Ni-plating layer and an Sn-plating layer on the surface of the steel sheet, forming an organically treated coating layer having a prescribed thickness on its upper layer, and further laminating a non- stretched resin film on its upper layer.
鋼板表面に一定量のＳｎめっき層、または一定量のＮｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成し、その上層に一定の厚さで有機処理被膜層を形成し、さらにその上層に無配向の樹脂フィルムを積層した樹脂被覆めっき鋼板とする。 - 特許庁 - The thin film EL element is formed by sequentially stacking, on a glass substrate 1, a lower electrode layer 2, a lower insulation layer 3, the luminescent layer 4, an upper insulation layer 5 and an upper electrode layer 6, and EL light emission 7 of the luminescent layer 4 is outputted through the glass substrate 1.
この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶縁層５および上部電極層６を順次積層することにより形成されており、発光層４のＥＬ発光７はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁 - In the ridge structure of this semiconductor composed of a contact layer, a current-blocking layer, and a third clad layer, the upper end face of the current-blocking layer and the upper end face of the contact layer or third clad layer adjoin each other and form a flat surface.
コンタクト層、電流阻止層および第３のクラッド層からなる半導体レーザ装置のリッジ構造において、電流阻止層の上端面とコンタクト層の上端面または第３のクラッド層の上端面とが隣接して平坦面を形成しているリッジ構造を有する半導体レーザ装置。 - 特許庁 - A magnitude relation of oxidation reduction potential on the contact layers 17a, 17b, the non-magnetic layer 15, the lower magnetic layer 14 and the upper magnetic layer 16, is expressed by an inequality of (lower magnetic layer 14 and upper magnetic layer 16)>(contact layers 17a and 17b)>(non-contact layer 15).
接触層１７ａ、１７ｂ、非磁性層１５、下部磁性層１４及び上部磁性層１６に関する実質上の酸化還元電位の大小関係は、（下部磁性層１４及び上部磁性層１６）＞（接触層１７ａ、１７ｂ）＞（非磁性層１５）という不等式で表される。 - 特許庁 - After a lower columnar electrode 10 is formed by electrolytic plating on an upper surface of a connection pad part of an upper metal layer 9 for wiring, a plating resist film 27 for upper columnar electrode formation made of negative dry film resist is pattern-formed on an upper surface of a base metal layer 8 including the upper metal layer 9.
配線用の上部金属層９の接続パッド部上面に電解メッキにより下部柱状電極１０を形成した後、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる上部柱状電極形成用メッキレジスト膜２７をパターン形成する。 - 特許庁 - An Si-Cap layer 3c is formed in an upper portion of the intrinsic base layer, and the emitter layer 8 includes an upper emitter region 8b formed over the Si-Cap layer 3c and a lower emitter region 8a formed below the upper emitter region 8b and in contact with the upper emitter region 8b.
真性ベース層の上部には、Ｓｉ−Ｃａｐ層３ｃが形成されており、エミッタ層８は、Ｓｉ−Ｃａｐ層３ｃの上部に形成された上部エミッタ領域８ｂと、該上部エミッタ領域８ｂの下側に該上部エミッタ領域８ｂと接して形成された下部エミッタ領域８ａとにより構成されている。 - 特許庁 - To provide an upper layer film-forming composition to be used for an immersion lithography method, the composition capable of improving a depth of focus and giving a good pattern, and to provide an upper layer film obtained from the upper layer film-forming composition, and a pattern forming method using the upper layer film.
液浸露光法において用いられる上層膜形成組成物であって、焦点深度を向上させることができ、且つ、良好なパターンを得ることができる上層膜形成組成物および該上層膜形成組成物から得られる上層膜並びに該上層膜を用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁 - And, fluororesin layer 15 covers the upper face 14 of the aluminum layer 2, filling at least mid-air holes of the metal porous body 1 between the upper face 13 of the metal porous body and the upper face 14 of the aluminum layer 2, and the fluorocarbon resin layer 15 is made not higher than the upper face 13 of the metal porous body 1.
さらに、金属多孔体１の上面１３とアルミニウム層２の上面１４との段差の間に、少なくとも金属多孔体１の空孔中に充填され、アルミニウム層２の上面１４を覆うようにフッ素樹脂層１５を設け、フッ素樹脂層１５は金属多孔体１の上面１３の同一面以下に設ける。 - 特許庁 - The scraps might be originated from a melt removal layer of the member, i.e., imaging layer 104 or from a separate insulating layer 108 disposed at an upper side of the layer 104.
残屑は印刷部材の融除層、即ちイメージング層104に由来する場合もあり、またイメージング層の上側に配置された別個の絶縁層108に由来する場合もある。 - 特許庁 - A lower-part n- layer 12 of high specific resistance, intermediate n-layer 13 of low specific resistance, and upper-part n- layer 14 of high specific resistance are formed on an n+ cathode layer 11 of low specific resistance.
低比抵抗のｎ^+ カソード層１１の上に、高比抵抗の下部ｎ^- 層１２、低比抵抗の中間ｎ層１３、高比抵抗の上部ｎ^- 層１４が形成されている。 - 特許庁 - A first layer (lower layer) and a second layer (upper layer) are formed respectively so as to become the relation of A<B<C<D<E<F<G<H<I<J<K and the relation of a<b<c<d< e<f<g<h<i<j<k.
即ち、第１層（下層）はＡ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆ＜Ｇ＜Ｈ＜Ｉ＜Ｊ＜Ｋの関係となるように、第２層（上層）はａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ＜ｅ＜ｆ＜ｇ＜ｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関係となるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - A 1st print layer 4 is formed by printing on the underside of the adhesive agent layer 3, and a 2nd print layer 5 is formed on the upper side of the base material sheet layer 1.
粘着剤層３の下面に印刷により第一印刷層４を形成し、基材シート層１の上面に印刷により第二印刷層５を形成する。 - 特許庁 - Related to the laminate 70, an upper-part electrode 71, a barrier layer 72, a stopper layer 73, and an adhesive layer 74 are laminated, starting on the side near the high dielectric-constant layer 64.
積層体７０は高誘電層６４に近い側から上部電極７１、バリア層７２、ストッパ層７３，密着層７４が積層されて構成されている。 - 特許庁 - The upper shield layer has a second exchange coupling magnetic field application layer and a second antiferromagnetic layer which is antiferromagnetically coupled with the second exchange coupling magnetic field application layer.
上部シールド層は、第2の交換結合磁界印加層と、第2の交換結合磁界印加層との間で反強磁性結合する第2の反強磁性層と、を有している。 - 特許庁 - The water permeable rubber chip elastic pavement layer 5 is formed as two layers by forming a color chip elastic layer on an upper surface, and forming a regenerated rubber chip layer mixed with the black silica on an lower layer.
透水性ゴムチップ弾性舗装層５は、上層にカラーチップ弾性層を形成し、下層にブラックシリカを混入した再生ゴムチップ層を形成して２層とする。 - 特許庁 - In tin (tin alloy) plating layers provided on a substrate, as the lower layer, a tin (tin alloy) lusterless plating layer is provided, and, as the upper layer, a tin (tin alloy) lustrous plating layer is provided.
基体上に設けた錫 (錫合金) めっき層における下層として錫 (錫合金) の無光沢めっき層を、また上層として錫 (錫合金) の光沢めっき層を設ける。 - 特許庁 - A lower clad layer 102, an active layer 103 and an upper clad layer 104 are stacked in order from the lowest layer on a principal surface of a substrate 101 made of GaAs.
ＧａＡｓからなる基板１０１の主面上には、下層から順に下部クラッド層１０２、活性層１０３および上部クラッド層１０４が積層されている。 - 特許庁 - The magnetic recording medium is provided with a substrate (102), a underlayer (104), a lower magnetic layer (106) formed on the underlayer, an intermediate layer (108), and an upper magnetic layer (110) formed on the intermediate layer.
磁気記録媒体は、基板(102)と、下層(104)と、下層上に形成された下側磁気層(106)と、中間層(108)と、中間層上に形成された上側磁気層(110)とを備える。 - 特許庁 - The defoamer has a half duplex structure wherein an outer side layer 21 and an inner side layer 22 disposed on the inner side of the outer side layer are provided and the inner side layer is disposed only on the upper side.
消泡材は、外側層２１と、外側層の内側に配された内側層２２とを備え、内側層が上側にのみに配された半二重構造を有する。 - 特許庁 - A laminated film 104 having a three-layer structure composed of an insulating film 101 as a lower layer, a capacity film 102 as an intermediate layer and a first upper-layer insulating film 103 is formed on a semiconductor substrate 100.
半導体基板100上に、下層の絶縁膜101、中層の容量膜102および第１の上層の絶縁膜103からなる３層構造の積層膜104を形成する。 - 特許庁 - This optical disk has a printing layer of a label design or a printing layer composed of a UV-curing ink formed by adding light storage pigments to the material of an upper layer, a lower layer.
レーベルデザイン印刷層又は上側、下側層の材料に蓄光顔料を添加したＵＶ硬化インクで構成された印刷層を有することを特徴とする光ディスク。 - 特許庁 - An intermediate layer 12, a lower conductive layer 13, an oxide layer 14, and an upper conductive layer 15 are stacked in sequence on a single crystal substrate 11 made of silicon or GaAs.
シリコン又はＧａＡｓの単結晶基板１１上に、中間層１２、下部導電層１３、酸化物層１４、上部導電層１５が順次積層された構成とする。 - 特許庁 - When a first wiring layer is formed on an interlayer insulating film 11, a first wiring layer recessed part is formed also on an upper surface of the first wiring layer corresponding to an interlayer insulating layer recessed part 12.
層間絶縁膜11上に第１配線層を形成する際に、層間絶縁膜凹部12に対応して第１配線層の上面にも第１配線層凹部を形成する。 - 特許庁 - An electrode 12 for display has a three-layer structure wherein a lower side ITO layer 121, a silver base alloy layer 122 and an upper side ITO layer 123 are laminated in order.
表示用電極１２は、下側のＩＴＯ層１２１、銀合金層１２２および上側のＩＴＯ層１２３が順次積層された３層構造を有する。 - 特許庁 - The adhesive tape has one foamed layer and two outer adhesive layers, and the foamed layer is disposed between the upper adhesive layer and the lower adhesive layer.
本発明は、１つの発泡層および外側の２つの接着層を有し、発泡層が、上の接着層と下の接着層の間に配置されている接着テープに関する。 - 特許庁 - In the lower layer coloring layer, the center film thickness is thicker than the film thickness of the peripheral edge, and in the upper layer coloring layer, the film thickness of the peripheral edge is thicker than the center film thickness.
下層の着色層は中央の膜厚が周縁の膜厚よりも厚く、上層の着色層は周縁の膜厚が中央の膜厚よりも厚いこと。 - 特許庁 - At first, a Bi precursor is supplied to form a Bi oxide molecular layer (suitably, one-molecular layer), and then an SBT ferroelectric thin film is formed on the upper layer of the Bi oxide molecular layer.
最初にＢｉ前駆体を供給してＢｉ酸化物分子層（好適には一分子層）を形成し、その上層にＳＢＴ強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁 - The nitride-based semiconductor light-emitting device has: at least a first conductive type lower clad layer; a semiconductor layer containing a light-emitting layer; and a second conductive type upper clad layer on a substrate.
窒化物系半導体素子は、基板上に、少なくとも、第１導電型の下側クラッド層、発光層を含む半導体層、第２導電型の上側クラッド層を有する。 - 特許庁 - An upper side water layer 2 is separated from the lower side slime layer 1 by the sheet material S, and the the water layer 2 is maintained in an aerobic state and the slime layer 1 is maintained in an anaerobic state.
シート材Ｓで上側の水層２と、下側のヘドロ層１とを分離して、水層２を好気的状態に、ヘドロ層１を嫌気的状態にそれぞれ維持する。 - 特許庁 - In a lower layer coloring layer, the film thickness of a peripheral edge is thicker than a center film thickness, and in an upper layer coloring layer the center film thickness is thicker than the film thickness of the peripheral edge.
下層の着色層は周縁の膜厚が中央の膜厚よりも厚く、上層の着色層は中央の膜厚が周縁の膜厚よりも厚いこと。 - 特許庁 - The mattress 1 comprises a bottom part layer 2, a base part layer 4 provided with a ventilation route 12 in the inside, a cushion layer 6, and an upper part layer 8 in a mesh structure and a blowing means.
マットレス１は、底部層２と、内部に通気経路１２が設けられた基部層４と、クッション層６と、網目構造の上部層８と、送風手段を備えている。 - 特許庁 - The transparent conductive layer 15 has a conductive fine particle containing layer 13 and a part of the binder layer 14 located on the upper side of the conductive fine particle containing layer 13.
透明導電層１５は、導電性微粒子含有層１３と、バインダー層１４のうちの前記導電性微粒子含有層１３上に位置する部分とを有する。 - 特許庁 - More specifically, the ground layer 5 is arranged directly on the signal layer 6, and the via holes from the signal terminals of the IC 7 are connected to the signal layer 4 which is arranged in an upper position of the ground layer 5.
すなわち、グランド層５を信号層６の真上に配すると共に、ＩＣ７の信号端子からのビアホールをグランド層５より上方の信号層４に接続する。 - 特許庁 - This nitride compound semiconductor light-emitting device is equipped with an active layer 5 which is pinched between an upper and a lower clad layer, 4 and 6, and a current blocking layer 8a having an opening that serves as a current path is formed on the active layer 5.
上下クラッド層４、６で挟まれた活性層５上に電流通路となる開口部を有する電流阻止層８ａが設けられている。 - 特許庁 - The p-AlInAs/p-AlGaInAs layer 25 is a multi-layer film holding the upper and lower surfaces of the p-AlInAs layer 25a with the p-AlGaInAs (λg=1.1 μm) layer.
ｐ−ＡｌＩｎＡｓ／ｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ層２５は、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層２５ａの上下面をｐ−ＡｌＧa ＩｎＡｓ（λg ＝１．１μm ）層２５ｂで挟んだ多層膜である。 - 特許庁 - This organic EL element includes: a substrate 1; and a lower electrode 2, hole transport layer 3, luminescent layer 4, electron transport layer 5, upper electrode 6 and transparent protective layer 7 stacked on the substrate 1.
基板１と、該基板１上に積層された、下部電極２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５、上部電極６、及び透明保護層７を有する。 - 特許庁 - The light emitting diode chip 4 comprises a lower clad layer 12, an active layer 13, a current interruption layer 15, and an upper clad layer formed sequentially on a semiconductor substrate 11.
この発光ダイオードチップ４は、半導体基板１１の上に下クラッド層１２、活性層１３、電流遮断層１５、および上クラッド層が順に積層されてなる。 - 特許庁 - In a substrate for active elements, on the upper side of a channel layer 12 and a contact layer 14, a low reflective layer 2a is formed, on which an uppermost layer of source wiring 6b is provided.
アクティブ素子基板において、チャネル層１２及びコンタクト層１４の上部に低反射層２ａを形成し、その上に最上層ソース配線６ｂを設ける。 - 特許庁 - A semiconductor laser device has a lower clad layer 3, an active layer 4, an upper clad layer 5, a contact layer 9 and an insulated film 6 on the surface of a semiconductor substrate 2.
半導体レーザ装置は、半導体基板２の上面に、下側クラッド層３、活性層４、上側クラッド層５、コンタクト層９、絶縁膜６が生成されている。 - 特許庁 - An intermediate protective layer 7 is interposed, to cover the periphery of the thin film dielectric layer 3 from in between the thin film upper electrode layer 4 and the thin film dielectric layer 3.
薄膜上部電極層４と薄膜誘電体層３の間から、薄膜誘電体層３の外周部を覆うように中間保護層７を介在させた。 - 特許庁 - The copper layer at the base of the circuit pattern which is inputted concavely on the upper layer of the carrier is plated with the copper layer and a polyimide film at the base of the circuit pattern which is inputted concavely on the lower layer is removed.
キャリアの上層の凹入した回路パターンの底面の銅層はさらに銅層がメッキされ、下層の凹入した回路パターンの底面のポリイミドフイルムは除去される。 - 特許庁 - The transmission plate 27 is constructed by two kinds of a high thermal conductivity layer 81 and a low thermal conductivity layer 82, and the high thermal conductivity layer 81 is arranged on an upper layer.
透過板２７は、高熱伝導率層８１と低熱伝導率層８２の２種類で構成されており、高熱伝導率層８１が上層に配置されている。 - 特許庁 - The memory is provided with a stopper layer flat part that contacts the magnetoresistance effect element and a side face of the upper electrode, and whose upper face is at a height substantially identical to an upper face of the upper electrode.
前記磁気抵抗効果素子、前記上部電極の側面に接し、上面が前記上部電極の上面と実質的に同一の高さであるストッパ層平坦部が設けられる。 - 特許庁 - The upper electrode power feed line 16 is formed on the lower layer of the upper electrodes 13, and the upper electrodes 13 are surely connected to the upper electrode power feed line 16 on connection electrodes 15.
上部電極１３の下層に上部電極給電線１６が形成され、上部電極１３は接続電極１５で上部電極給電線１６に確実に接続される。 - 特許庁 - The lower layer barrier wall are provided while being phase shifted by one half of the pitch p from the upper layer barrier wall.
この場合、下層隔壁は、上層隔壁に対し上記ピッチｐの１／２だけ位相をずらして設ける。 - 特許庁 - A thin- film coil 59 is arranged via an insulating layer 58 on the first portion 54a of the upper shielding layer.
上部シールド層の第１の部分５４ａの上には、絶縁層５８を介して、薄膜コイル５９が配置される。 - 特許庁 - To suppress an increase in a load of a control plane due to flooding from a lower layer to an upper layer of the FA-LSP.
下位レイヤからのＦＡ-ＬＳＰの上位レイヤへのフラッディングによるコントロールプレーンの負荷の増大を抑制する。 - 特許庁 - A back surface 42a and an upper surface 42b of the reflection layer 42, each forms a two-layer structure together with the cover body 41.
反射層４２の背面４２ａ及び上面４２ｂはカバー本体４１との二層構造を有している。 - 特許庁 - The upper has a first layer which is water impermeable and a second layer which is vapor and air permeable.
アッパーは、水透過性を有さない第１の層と、水蒸気及び空気透過性を有した第２の層とを備える。 - 特許庁 - The upper layer part 1a and the lower layer part 1b are put in the combinational relationship, and can be easily dividedly carried by manpower.
上層部１ａと下層部１ｂとは組合せ関係にあり、分割して人力で持ち運びが容易である。 - 特許庁
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