「upper layer」を含む例文一覧(11093)

<前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 221 222 次へ>
  • The CPP type magnetoresistive element supplies a current to a magnetoresistive film 61 arranged between a lower shielding layer 43 and an upper shielding layer 44 through the lower shielding layer 43 and the upper shielding layer 44.
    CPP型磁気抵抗効果素子は、下部シールド層43および上部シールド層44の間に配置される磁気抵抗効果膜61に下部シールド層43および上部シールド層44を通じて電流を供給する。 - 特許庁
  • Using this rubber chip composition, a mat-form molded part having two layers, a colored upper layer 2 and a black lower layer 3, is molded, wherein color rubber chips or pigmented rubber chips are used in the upper layer, and black rubber chips are used in the lower layer.
    このゴムチップ組成物を用いて、上層にはカラーゴムチップ又はカラーに着色したゴムチップを、下層には黒色のゴムチップを用いて、カラー層1と黒色層2との上下2層のマット状に成形する。 - 特許庁
  • Also, an upper DBR mirror 4, a p-AlAs layer 6, an Al oxide layer 10 and a GaInNAs, a contact layer 5 consisting of a GaInNAs, and a mesa post consisting of an electrode 8 are formed on the upper surface of the layer 3.
    また、量子井戸活性層3の上面には、上部DBRミラー4、p−AlAs層6、Al酸化層10、GaInNAsからなるコンタクト層5および電極8からなるメサポストを形成する。 - 特許庁
  • A dummy via 1 is formed on lower-layer wiring 101 connected with upper-layer wiring 201 by a via 301, and a dummy via 2 is formed on lower-layer wiring 102 connected with the upper-layer wiring 201 by a via 302.
    上層配線201とビア301で接続されている下層配線101上にダミービア1を形成し、上層配線201とビア302で接続されている下層配線102上にダミービア2を形成する。 - 特許庁
  • A substrate 301 is overlaid with a lower insulating layer 302 consisting of a silicon oxide film, a lower wiring layer 303 consisting of an Al, an upper insulating layer 304 consisting of a polyimide, and an upper wiring layer 306 consisting of the Al.
    基板301上に、シリコン酸化膜からなる下部絶縁層302と、Alからなる下部配線層303と、ポリイミドからなる上部絶縁層304と、Alからなる上部配線層306とを有する。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device which has a multilayer wiring structure with upper layer wiring, having narrow width wiring arranged on lower layer wiring and having a structure with the upper layer wiring and the lower layer wiring not short-circuited.
    下層配線上に線幅の狭い上層配線が配置された多層配線構造を有する半導体装置において、上層配線と下層配線がショートしない構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • A lower catalyst layer 32 carrying Pt and an upper catalyst layer 33 carrying Rh are formed in the low temperature catalyst 30, and a lower catalyst layer 42 carrying Pd and an upper catalyst layer 43 carrying Rh are formed in the high temperature catalyst 40.
    低温用触媒30にはPtを担持した下触媒層32とRhを担持した上触媒層33が形成され、高温用触媒40にはPdを担持した下触媒層42とRhを担持した上触媒層43が形成されている。 - 特許庁
  • To provide a rotary electric machine wherein a creepage gap can be ensured at an intersecting portion where an upper-layer coil 13B and a lower-layer coil 13A intersect each other without providing a step in an area where the upper-layer coil 13B and the lower-layer coil 13A come close to each other.
    上層コイル13Bと下層コイル13Aとの近接部に段差を設けることなく、上層コイル13Bと下層コイル13Aとが交差する交差部での沿面ギャップを確保できる回転電機の提供。 - 特許庁
  • The space hardly occurs between the entire upper layer body 5 and the skin of a wearer, and the close contact property of the entire upper layer body 5 to the skin of the wearer is made excellent.
    上層体5全体と装着者の肌との間に空間ができにくく、上層体5全体の装着者の肌への密着性が良好になる。 - 特許庁
  • Then the surface of the upper layer resist pattern 112 is sililated by sililation.
    次に、シリル化処理により、上層レジストパターン112の表面をシリル化する。 - 特許庁
  • A chrome film 21 being a mask 22 is provided on the upper clad layer 142.
    マスク22となるクロム膜21は、上部クラッド層142上に設けられる。 - 特許庁
  • In this way, the upper and lower layers of a solar battery can be formed, in a way such that the upper layer covers the lower layer.
    上述の方法により太陽電池の上層と下層が形成されるとともに上層が下層上にかぶされることによって形成可能である。 - 特許庁
  • Along the inner surface of the upper half body 2a, the fire prevention material layer 8 is provided.
    上半体2aの内面に沿って防燃材層8が設けられている。 - 特許庁
  • When compared between the superposed parts of the upper/lower layers 2 and 3, the liquid absorbing area of the lower layer 3 is smaller than the liquid absorbing area of the upper layer 2.
    また上下層2,3の積層部分で比較した場合に下層3の液吸収面積が上層2の液吸収面積よりも小さくなっている。 - 特許庁
  • A wiring 20 is connected to the conductor layer 14 through an upper part contact hole 33 opened at a different part of the upper surface of the conductor layer 14.
    導体層14の上面のうち別の部位に開口する上部コンタクトホール33を通じて、配線20が導体層14へ接続されている。 - 特許庁
  • The second portion 15b of the upper magnetic pole layer defines the recording track width.
    上部磁極層の第2の部分15bは、記録トラック幅を規定する。 - 特許庁
  • After that, an upper shield 22t is formed over the insulating layer 23 along a side wall 33 of a sensor-stacked object.
    その後、絶縁層23の上に上部シールド22tを形成する。 - 特許庁
  • Then an upper conductive layer is formed by PVD and wet plating.
    そして,PVDおよび湿式めっきにより上層導電層を形成する。 - 特許庁
  • Cover layers 12_1, 12_2 may be installed on the upper face of the fuel supply layer.
    燃料供給層の上面に、カバー層12_1、12_2を設けても良い。 - 特許庁
  • To obtain an aqueous coating material composition capable of suppressing yellowing of an upper layer coating film by suppressing the migration of basic compounds to the upper layer.
    上層塗膜への塩基性化合物の移行を抑制することにより、上層塗膜の黄変を抑制できる水性塗料組成物を提供すること。 - 特許庁
  • The upper face of the fuel supply layer can be formed of cover layers 12_1, 12_2.
    燃料供給層の上面に、カバー層12_1、12_2を設けても良い。 - 特許庁
  • To reduce processing step number for forming upper-layer rewiring of a semiconductor device by forming the upper-layer rewiring with a method other than electroplating.
    上層再配線を有する半導体装置の製造方法に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。 - 特許庁
  • The transition metal film is removed, and the upper layer insulating film is processed using the silicide film as a mask to form a first groove in the upper layer insulating film.
    前記遷移金属膜が除去され、前記シリサイド膜をマスクとして、前記上層絶縁膜を加工し、前記上層絶縁膜に第1の溝が形成される。 - 特許庁
  • The resin layer is formed on the upper part of the opening part.
    本発明の構成によれば、樹脂層は開口部の上部に形成される。 - 特許庁
  • An upper electrode 33, a wiring layer 35 and an insulating layer 36 are provided on each of upper surfaces of a plurality of ridges 30 arranged in parallel with one another.
    互いに並列配置された複数のリッジ部30の上面には上部電極33、配線層35および絶縁層36が設けられている。 - 特許庁
  • Arithmetic average roughness in the upper surface of the layer 12B_n is 2nm or less.
    この層12B_nの上面の算術平均粗さは2nm以下である。 - 特許庁
  • Thereafter, the DCV structure is formed by forming upper-layer wiring using a plating method.
    その後、メッキ法により上層配線を形成し、DCV構造を形成。 - 特許庁
  • After an upper pole chip precursory layer 112a consisting of iron nitride is formed by sputtering, the surface of the upper pole chip precursory layer 112a is polished to be flattened.
    スパッタリングによって窒化鉄よりなる上部ポールチップ前駆層112aを形成したのち、上部ポールチップ前駆層112aの表面を研磨して平坦化する。 - 特許庁
  • The signal wiring 26 is arranged in a wiring layer upper than the bit lines.
    ビット線よりも上の配線層に信号配線26が配置されている。 - 特許庁
  • The computer system has an upper layer for controlling a graphics device interface.
    コンピュータシステムは、グラフィックス・デバイス・インターフェースを制御する上層を有する。 - 特許庁
  • The aluminum film 18 is etched to form an upper-layer wiring 18a.
    このアルミニウム膜18がエッチングされ、上層配線18aが形成される。 - 特許庁
  • A series delay film 109 is formed above the upper-layer substrate 111.
    直列遅延膜109は、上層基板111の上方に形成される。 - 特許庁
  • A seed layer 120 is formed on an upper surface of a metal substrate 110.
    シード層120が金属基板110の上表面上に形成される。 - 特許庁
  • A plurality of electrodes are provided partially on the upper surface of the insulating layer 12.
    複数の電極は、絶縁層12の表面の一部に設けられている。 - 特許庁
  • The layer 18 and a plurality of Al electrode pads 20 are formed on the upper surface of the element 14 through an upper surface side insulating layer 60.
    半導体素子14の上面には、上面側絶縁層60を介してデバイス形成層18及び複数のAl電極パッド20が設けられている。 - 特許庁
  • Afterwards, an inter-layer film with aminosilane system compounds as materials is formed on the upper face of the wiring, and an organic insulating film is formed on the upper face of the inter-layer film.
    その後、アミノシラン系化合物を材料とする層間膜を配線の上面に形成し、この層間膜の上面に有機絶縁膜を形成する。 - 特許庁
  • UPPER LAYER FILM FORMING COMPOSITION FOR LIQUID IMMERSION AND METHOD OF FORMING PHOTORESIST PATTERN
    液浸用上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法 - 特許庁
  • The upper layer (4') comprises parallel strips (9') and a pair of rib materials (8').
    上層(4’)は平行するストリップ(9’)と一対のリブ材(8’)とからなる。 - 特許庁
  • The space between the upper layer body 5 and the liquid permeable surface sheet 2 is not made too wide and the upper layer body 5 is not deviated from the liquid permeable surface sheet 2.
    上層体5と透液性表面シート2の間に空間が開きすぎたり上層体5が透液性表面シート2からずれたりすることがない。 - 特許庁
  • To provide a multilayered label whose upper layer label can be easily peeled, in a multilayered label formed by freely peelably layering the upper layer label (10) and a lower layered label (20).
    上層ラベル(10)と下層ラベル(20)を剥離自在に積層した多層ラベルにおいて、上層ラベルを容易に剥離できる多重ラベルを提供する。 - 特許庁
  • A protruded portion 31 is provided to the insulated substrate 28a at the upper most layer.
    最上層の絶縁基板28aには隆起部31が突設されている。 - 特許庁
  • A first elastic layer 6 is disposed on the upper face of the strain-inducing plate 2.
    起歪板2の上面に第1弾性層6が配置されている。 - 特許庁
  • Light emitted from the active layer 13 resonates in the photonic crystal period structure 21, and achieves surface emission from the upper surface of the upper clad layer 14.
    活性層13で発光した光はフォトニック結晶周期構造体21により共振して上部クラッド層14の上面から面発光する。 - 特許庁
  • After forming an insulating film, the resist is removed, and an upper electrode layer is made.
    絶縁層形成後、レジストを除去し、上部電極層を作製する。 - 特許庁
  • After that, an MOS structure is formed at the upper part of the n-type silicon layer 12.
    その後、n型シリコン層12の上部に、MOS構造を形成する。 - 特許庁
  • An upper layer inductor is formed with the use of metal wiring 1 with a larger film thickness.
    膜厚の厚い金属配線1により上層インダクタ部を形成する。 - 特許庁
  • The upper-layer capacitor comprises the lower electrode, the upper electrode and the dielectric film disposed between both electrodes and is superimposed on the lower-layer capacitor, in plan view.
    上層キャパシタは、下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含み、平面視において、下層キャパシタに重なる。 - 特許庁
  • Then, circularly polarized elements 17a-17f are arranged in the upper layer of the radiating antenna elements.
    この上に円偏波素子17a〜17jを放射アンテナ素子の上層に設ける。 - 特許庁
  • This transparent substrate with a thin film for an electronic circuit has a transparent conductive film layer on the upper surface of the transparent substrate, and having a Si compound thin film layer on the upper surface thereof.
    透明基板の上面に透明電導膜層を有し、その上面にSi化合物薄膜層を有する電子回路用の薄膜付き透明基板。 - 特許庁
  • A metal film 30 is formed on the upper surface 16b of a Gd deciding layer 16.
    Gd決め層16の上面16bに金属膜30を形成する。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 20 21 22 23 24 25 26 27 28 .... 221 222 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.