「upper layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 221 222 次へ＞- To form an upper layer silylation pattern of a fixed thickness without depending on the thickness of an upper layer resist film or a fine width of an upper layer silylation pattern.
上層レジスト膜の膜厚、又は上層シリル化パターンの線幅に依存することなく、上層シリル化パターンを一定の膜厚で形成する。 - 特許庁 - A long slot array 7 is placed to an upper face of the upper layer waveguide 11 and the upper layer waveguide 11 and the lower layer waveguide 12 are connected to a 3 dB coupling slot 14.
上層導波管11の上面に長尺スロットアレイ７を配置し、上層導波管11と下層導波管12を３ｄＢ結合スロット14に接続する。 - 特許庁 - The upper- and lower-layer blocks 4, 5 are covered with upper and lower covers 7, 8.
上層のブロック４と下層のブロック５を上下のカバー７，８で覆った。 - 特許庁 - The upper coil lead layer 16 includes upper lead wires 161, upper lead terminals 162, and upper contacts 163.
上部コイルリード層１６は、上部リード線１６１と、上部リード端子１６２と、上部コンタクト１６３とを備えている。 - 特許庁 - An upper catalytic layer 3 has an upper catalytic precious metal including Rh, and an upper carrier carrying the upper catalytic precious metal.
上触媒層３は、Ｒｈを含む上触媒貴金属と、上触媒貴金属を担持する上担体とを有する。 - 特許庁 - The function layer is constituted of a lower layer and an upper layer, and a density ratio of the function layer constitution material forming the lower layer to that forming the upper layer is 3:2 to 3:1.
上記機能層が下層と上層から構成され、下層を形成する機能層構成材料と上層を形成する機能層構成材料との密度比が３：２〜３：１である。 - 特許庁 - To provide a multi-layer wiring structure which connects upper layer wiring layer and lower layer wiring layer with a via contact having a large aspect ratio.
上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。 - 特許庁 - It has a lower core layer 21 and an upper core layer 34 facing each other leaving a space in the layer thickness direction and the upper core layer 34 is connected to the upper magnetic pole layer 26 regulating the track width.
膜厚方向にて間隔を空けて対向する下部コア層２１と上部コア層３４とを有し、前記上部コア層３４はトラック幅を規制する上部磁極層２６に接続されている。 - 特許庁 - The loaf of bread is lightly toasted, the upper layer 4 is then opened and a side dish or the like as a Japanese-style ingredient is put on the lower layer 5 followed by closing the upper layer 4 to effect sandwitching the ingredient at the openable part by the upper layer 4 and the lower layer 5.
該食パンを軽くトーストし上層４を開き、下層５に和食の食材である惣菜等をのせて上層４を閉じると、開口部分で食材は上層４下層５に包まれる。 - 特許庁 - A recording head tip comprises a lower magnetic pole main layer 14, a lower magnetic pole tip layer 16, a projecting part 26, a recording gap layer 28, an upper magnetic pole tip layer 34 and an upper magnetic pole upper layer 46.
記録ヘッド先端部は、下部磁極主層１４、下部磁極先端層１６、突起部２６、記録ギャップ層２８、上部磁極先端層３４および上部磁極上層４６で構成される。 - 特許庁 - Subsequently, the excess of the coating soln. for the lower layer is scraped off by an upper layer coater 11 to form the lower layer, and a coating soln. for the upper layer is applied on the lower layer.
次に上層塗布装置１１によって、下層用塗布液の過剰分を掻き落として下層を形成するとともに、当該下層の上に上層用塗布液を塗布する。 - 特許庁 - An upper layer is detachable adhering agent 3.
上層は、着脱可能な接着手段３である。 - 特許庁 - The upper layer concrete 4 is formed of porous concrete.
上層コンクリート４をポーラスコンクリートで形成する。 - 特許庁 - Then, a clad is embedded to form an upper clad layer.
クラッドを埋め込み、上部クラッド層を形成する。 - 特許庁 - The upper structure is constituted of a silicon deposited layer 23.
上部構造は、シリコン蒸着層２３からなる。 - 特許庁 - ARTICLE OF FOOTWEAR HAVING UPPER WITH MATRIX LAYER
マトリクス層を備えたアッパーを有する履物物品 - 特許庁 - Lawn grass is raised on the surface of the upper layer 10.
上層１０の表面で芝が育成される。 - 特許庁 - The front stage upper catalyst layer 3 bears Pd.
前段上触媒層３は、Ｐｄを担持している。 - 特許庁 - The elastic modulus of the upper rubber layer 12 positioned at the upper side of the core wire 10 is smaller than that of the lower rubber layer 13.
心線１０上側の上ゴム層１２の弾性率を下ゴム層１３よりも小さくする。 - 特許庁 - An upper surface of the mask layer is disposed on the same plane as an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer.
前記マスク層の上面は、前記第１導電型半導体層の上面と面一に配置される。 - 特許庁 - FTI 26 reaches the upper face of a BOX layer 16 from the upper face of a silicon layer 17 and is formed.
ＦＴＩ２６は、シリコン層１７の上面からＢＯＸ層１６の上面に達して形成されている。 - 特許庁 - A second upper clad layer 106 is formed as a ridge on the first upper clad layer 103.
上記第１上クラッド層１０３の上方に第２上クラッド層１０６がリッジとして形成されている。 - 特許庁 - METHOD OF MANUFACTURING UPPER LAYER BED MATERIAL USING EXCAVATED SOIL AND UPPER LAYER BED MATERIAL MANUFACTURED BY THE METHOD
掘削土を使用した上層路盤材の製造方法とこれにより製造された上層路盤材 - 特許庁 - An upper face of the element isolation insulating layer 43 is positioned in the same level as an upper face of a floating electrode layer 42.
素子分離絶縁層４３の上面は、浮遊電極層４２の上面と同じ高さに位置する。 - 特許庁 - An upper titanium(Ti) layer 15 and an upper titanium nitride(TiN) layer 17 are formed so that they cover the tungsten plug 13.
上部チタン（Ti）層１５、上部窒化チタン（TiN）層１７は、タングステンプラグ１３を覆うように形成されている。 - 特許庁 - Then, a light-shielding film 118 is formed on the upper layer, and the intralayer lens 120 is formed on the upper layer.
そして、その上層に、遮光膜１１８を形成し、その上層に層内レンズ１２０を形成する。 - 特許庁 - The polishing pad according to the present invention especially comprises a lower layer, an intermediate layer, and an upper layer which can operate as a polishing layer.
特に、本発明の研磨パッドは、下層、中間層および研磨層として機能し得る上層を備える。 - 特許庁 - The hard bias film 115 has a lower layer hard magnetic layer 151 and an upper layer hard magnetic layer 152 which are laminated.
ハードバイアス膜１１５は、積層された下層硬磁性層１５１と上層硬磁性層１５２とを有する。 - 特許庁 - Other wiring layer of the same layer is arranged in a relatively dense pattern on the periphery of upper layer wiring layer 13.
上層配線層１３の周辺には同じ層の他の配線層が比較的密なパターンで配されている。 - 特許庁 - A carrier stop layer 15 is arranged between an upper separated and entrapped heterosturcture layer 12 and a p-type upper clad layer 16.
上部分離閉じ込めヘテロ構造層１２とｐ型上部クラッド層１６との間には、キャリアストップ層１５が配置されている。 - 特許庁 - This furnace 21 has an upper and lower two step layer structure and the upper layer is used for hot-blast heat-treating furnace 3 and the lower layer is used for fluidized bed heat-treating furnace 5.
炉部２１は上下２階層構造で、上層は熱風熱処理炉３、下層は流動層熱処理炉５である。 - 特許庁 - A ridge stripe layer 150 is formed of the second upper clad layer 105 through the fourth upper clad layer 109.
上記第２上クラッド層１０５から第４上クラッド層１０９までの各層からなるリッジストライプ部１５０を形成している。 - 特許庁 - Furthermore, there are formed a second upper DBR layer (upper reflecting layer) 15B and a p electrode 17 on the wavelength adjusting layer 16.
更に、波長調整層１６上に、第２の上部ＤＢＲ層（上部反射層）１５Ｂ及びｐ電極１７を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR TRANSMITTING PACKET FROM UPPER COMMUNICATION PROTOCOL LAYER TO LOWER LAYER AND METHOD FOR RECOVERING PACKET AND VARIABLE SIZE PACKET ON UPPER LAYER
通信プロトコル層の上層から下層へパケットを送信する方法、パケット及び上層の可変サイズパケットを回復する方法 - 特許庁 - In the mattress of three-layer structure consisting of a middle layer 17 made of a flat elastic member and an upper layer 18 and a lower layer 19 provided respectively on an upper face and a lower face of this middle layer, the middle layer is harder than the upper layer and the lower layer.
板状の弾性部材からなる中層１７及びこの中層の上面と下面とにそれぞれ設けられた上層１８と下層１９との３層構造のマットレスであって、上記中層は上記上層及び下層よりも硬質である。 - 特許庁 - The upper layer server 2c supplies a lower layer mixing sound signal from the lower layer server 2a as an upper layer mixing sound signal to the lower layer server 2b, and supplies a lower layer mixing sound signal from the lower layer server 2b as an upper layer mixing sound signal to the virtual server 2b.
上層サーバ２ｃは、下層サーバ２ａからの下層ミキシング音声信号を上層ミキシング音声信号として下層サーバ２ｂに供給し、下層サーバ２ｂからの下層ミキシング音声信号を上層ミキシング音声信号として仮想サーバ２ｂに供給する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a lower electrode layer (5) fixed to the lower IGBT (1), an upper electrode layer (6) fixed on the lower electrode layer (5), the upper IGBT (2) fixed on the upper electrode layer (6) and a solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) to the upper IGBT (2).
下部ＩＧＢＴ(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部ＩＧＢＴ(2)と、上部電極層(6)と上部ＩＧＢＴ(2)とを接続する半田(7)とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises: a lower electrode layer (5) fixed to a lower IGBT (1); an upper electrode layer (6) fixed to the lower electrode layer (5); an upper IGBT (2) fixed to an upper electrode layer (6); and a solder (7) for connecting the upper electrode layer (6) to the upper IGBT (2).
下部ＩＧＢＴ(1)に固着された下部電極層(5)と、下部電極層(5)に固着された上部電極層(6)と、上部電極層(6)に固着された上部ＩＧＢＴ(2)と、上部電極層(6)と上部ＩＧＢＴ(2)とを接続する半田(7)とを備える。 - 特許庁 - The composition transition layer contains both forming elements of the upper material layer and the lower material layer, has a concentration gradient from above the lower material layer up to the upper material layer, and the concentration of the elements forming the upper material layer is relatively large at its adjoining part to the upper material layer.
組成転移層は上部物質層をなす元素及び下部物質層をなす元素の両方を含んで、下部物質層上から上部物質層に至るまでの濃度勾配を持って、上部物質層に隣接する部分で上部物質層を構成する元素の濃度が相対的に大きい。 - 特許庁 - On a substrate 1, a lower dielectric layer 2, a lower interface layer 3, a nuclei generating layer 4, a recording layer 5, an upper interface layer 6, an upper dielectric layer 7, an adjusting layer 8, and a heat releasing layer 9 are laminated in this order, and the outer surface of each layer is covered with a protecting layer 10.
基板１上に、下部誘電体層２、下部界面層３、核生成層４、記録層５、上部界面層６、上部誘電体層７、調整層８、放熱層９をこの順に積層し、前記各層の外面を保護層１０にて覆う。 - 特許庁 - The optical waveguide consists of a substrate 14, a lower clad layer 15 disposed on the substrate 14, a core layer 16 disposed on part of the lower clad layer 15, an upper clad layer 20 covering the core layer 16, a coating layer 24 covering the upper face of the upper clad layer 20.
基板１４と、基板１４上に配置された下部クラッド層１５と、下部クラッド層１５上の一部に配置されたコア層１６と、コア層１６を覆う上部クラッド層２０と、上部クラッド層２０の上面を覆う被覆層２４とを有する。 - 特許庁 - Lateral faces 4a, 5a of the luminescent layer 4 and the over layer 5 are covered with the upper insulating layer 6.
発光層および直上層の側面４ａ、５ａは上部絶縁層で覆われている。 - 特許庁 - The two-layer silicon-based structure 34 comprising an upper layer 34A and a lower layer 34B is etched.
下層３４Ａと上層３４Ｂとからなる二層シリコン系構造３４をエッチング対象とする。 - 特許庁 - A p-type GaP layer 14 lies between the active layer 13 and the upper clad layer 15.
活性層１３と上部クラッド層１５との間にはｐ型ＧａＰ層１４が介在している。 - 特許庁 - The upper magnetic pole layer 11 consists of a pole part layer 11a and a yoke part layer 11c.
上部磁極層１１は磁極部分層１１ａとヨーク部分層１１ｃを有している。 - 特許庁 - A magnetism shielding layer 9 is provided between the upper shielding layer 8 and the lower magnetic pole layer 10.
上部シールド層８と下部磁極層１０との間には磁気遮断層９が設けられている。 - 特許庁 - The upper clad layer 34 covers the lower clad layer 22 and the active layer 23 from side faces.
上部クラッド層３４が下部クラッド層２２および活性層２３を側面からも覆っている。 - 特許庁 - The conductor layer of upper layer 6 is formed on the intermediate layer 5 successively from the ceramic circuit board 2.
セラミックス基板２から連続して中間層５上に上層導体層６を形成する。 - 特許庁 - The lower layer of the two-layer mask is exposed to a dissolving liquid to form an undercut under the upper layer.
２層マスクのうちの下層を溶解液に晒し、上層の下側にアンダーカットを形成する。 - 特許庁 - A clad layer 16 is formed on the top face of the SCH layer 52 located in the most upper layer.
最も上に位置するＳＣＨ層５２の上面にはクラッド層１６が設けられている。 - 特許庁
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