「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 116 117 118 119 120 121 122 123 124 .... 221 222 次へ＞- The upper wiring layer has a first region overlapping the characteristic check element and a second region not overlapping the characteristic check element.
前記上部配線層は、前記特性チェック素子に重なる第１領域と、前記特性チェック素子に重ならない第２領域とを備える。 - 特許庁 - To improve transmission efficiency by allowing an upper layer to recognize Delay spike on an early stage and preventing the occurrence of spurious retransmission problem.
Ｄｅｌａｙ ｓｐｉｋｅを上位レイヤが早く認識し、スプリアス再送問題の発生を防ぐことにより、伝送効率を向上させること。 - 特許庁 - To provide a wireless communication device wherein the demodulation performance of CQI can be maintained while suppressing occurrence of delay due to retransmission in the upper layer.
上位レイヤでの再送による遅延の発生を抑制しつつ、ＣＱＩの復調性能を維持できる無線通信装置を提供する。 - 特許庁 - The array substrate includes: a base substrate on which a circuit pattern is disposed; and a clad layer covering and contacting an upper surface and side surfaces of the circuit pattern.
アレイ基板は回路パターンが配置されたベース基板と、前記回路パターンの上面及び側面を覆うと共に接したクラッド層とを備える。 - 特許庁 - On a second piezoelectric substrate, a third groove is provided on an upper surface, a polished part is provided at an edge, and an electrode layer is formed while being separated into a third electrode and a fourth electrode.
第２圧電基板には、上面に第３溝，エッジに研磨部を設けて、第３電極，第４電極に分離して形成する。 - 特許庁 - The connecting hole has a part tilting in the first-class insulating layer when viewed in a cross section, and having an opening gradually expanding toward the upper side.
接続用孔は、断面で見た時に第１種の絶縁層内で傾斜し、上方に向かって次第に開口が増大する部分を有する。 - 特許庁 - The upper electrode layer 4 in the capacitance generating region is protruded to the outside of the capacitance generating region and is bonded to the retaining substrate 1.
そして、容量発生領域の上部電極層４は、容量発生領域の外側に延出して支持基板１に接合している。 - 特許庁 - The bonding position P1 of the conductive layer 27 and the connecting wire 55 is on the sub-mount 52 of the upper surface 22A.
導電性膜２７と接続ワイヤ５５とのボンディング位置Ｐ１は、上面２２Ａのサブマウント５２上に配置されている部分に形成されている。 - 特許庁 - A thin film coil 14 is disposed in a rear region corresponding to the thickness of a first magnetic pole tip part 12C(1) in an upper part magnetic layer 12C.
上部磁性層１２Ｃにおける第１の磁極先端部１２Ｃ(1) の厚みに対応する後方領域に薄膜コイル１４を配設する。 - 特許庁 - Further, the surface of the resist agent 12 is irradiated with an electron beam to raise the glass transition temperature of an upper-layer part and then baking processing is carried out.
更に、レジストパターン１２ａの表面に電子ビームを照射し、上層部のガラス転移温度を上昇させたあとベーク処理を行う。 - 特許庁 - Then, the upper distribution reflecting layer is formed by a semiconductor micromachining technique and can move in the vertical directions.
そして、上部分布反射層は、半導体微細加工技術によって形成され上下方向に可動であることを特徴とするものである。 - 特許庁 - The setter has a substrate, and a surface coat layer on the upper side thereof, wherein the substrate contains 70-99 mass% of SiC and 1-30 mass% of Si.
基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 - 特許庁 - A japanese style tone surface layer 6 consisting of one or more Tatamis 5 is laid on the approximately whole upper surface of a mounting stand 3 to form the Tatami unit 9.
１乃至複数の畳５からなる和風調表面層６を載置台３の略全上面に敷設して畳ユニット９を形成する。 - 特許庁 - Thereafter, the non-reacted Ni film 115 is removed to form an Ni silicide layer 111 in the region at the upper part of the source-drain region 109.
その後、未反応のＮｉ膜１１５を除去し、ソース・ドレイン領域１０９の上部の領域にＮｉシリサイド層１１１を形成する。 - 特許庁 - An auxiliary cathode 60 is formed so as to make contact with the upper surface or lower surface of a cathode layer 24 laminated on a pixel-to- pixel partitioning wall 30.
画素間隔壁３０上に積層された陰極層２４の上面或いは下面に接するように、補助陰極６０を形成する。 - 特許庁 - An N-type low-concentration cathode region 10 is formed on an upper layer above the low-concentration anode region 12 so as to cover the light reception region 14.
Ｎ型の低濃度カソード領域１０は、低濃度アノード領域１２の上層に、受光領域１４をカバーするように形成される。 - 特許庁 - In the upper layer, a power wire (102) that transmits a supply voltage (VDD) is used as a lid portion covering a preventing wall structure just above the fuse.
上層においては、電源電圧（ＶＤＤ）を伝達する電源線（１０２）をヒューズ直上の防護壁構造の蓋部分として利用する。 - 特許庁 - An IC chip 10 which is resin-sealed by covering an upper surface and a side face with a sealing resin layer 4 is mounted on a substrate 3.
基板３上に、上面及び側面が封止樹脂層４によって覆われることで樹脂封止されたＩＣチップ１０を実装する。 - 特許庁 - A first connection part 301 connects the first upper electrode 131 with the first extension part 112a through the first insulation layer 201.
第１接続部３０１は、第１絶縁層２０１上を介して、第１上部電極１３１と第１延伸部１１２ａとを接続している。 - 特許庁 - The taper landing surface 76 extends from the upper surface 78 of a silicon nitride layer 38 over the thick portion 72 and the thick portion 72.
テーパランディング表面７６は、窒化シリコン層３８の上表面７８から、厚い部分７２まで、あるいは厚い部分７２の上まで上がっている。 - 特許庁 - Light shielding films 174a and 174b shield light so as not to irradiate a semiconductor layer 172a with the light incident from an upper side.
上側から入射する入射光が半導体層１７２ａに照射されないように遮光膜１７４ａ及び１７４ｂが遮光する。 - 特許庁 - After the silicon oxide nitride layer generated at the upper part is removed with the CMP method, the silicon nitride film 54 is removed using the hot phosphoric acid solution.
窒化シリコン膜５４は、上部に生じた酸化窒化シリコン層をＣＭＰ法によって除去した後、熱燐酸溶液を用いて除去する。 - 特許庁 - On the lower layer absorber 32, a plurality of recesses 32a are formed by pressing work of pressing from the side of the lower surface 32B to the side of the upper surface 32A.
下層吸収体３２は、下面３２Ｂ側から上面３２Ａ側へ圧する圧加工によって複数の凹部３２ａが形成されている。 - 特許庁 - The elastic mesh frame 40 is molded as it is pressed so that the permeable layer 50 made of a nonwoven fabric located on the upper surface of the frame 40 is closely adhered thereto.
また、弾性を有する網状フレーム４０には、上面の不織布である滲透層５０を密着するように押して成型させる。 - 特許庁 - Solder balls jointed to the upper surfaces of the electrodes 20 for external connection are formed tightly on the inclined surfaces 31b of the buffer layer 31.
外部接続用電極２０の上面に接合された半田ボールは、緩衝層３１の傾斜面３１ｂに密着して形成されている。 - 特許庁 - At least an upper face part in the walls is constructed of a flat plate type hollow container 49 forming a vacuum layer independent of other walls.
壁のうち少なくとも上面部を、他の壁とは独立した真空層を形成するような平板状の中空容器４９により構成する。 - 特許庁 - In a manufacturing process of an Si microphone 1, a lower sacrifice layer 30 formed of Al-Si is formed on the upper surface 29 of the Si substrate 2.
Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。 - 特許庁 - To effectively suppress the horizontal displacement of a jacket type structural body in an upper soft layer of an underwater ground in a jacket type underwater foundation.
ジャケット式水中基礎において、水底地盤の上部軟弱層におけるジャケット構造体の水平変位を有効に抑制すること。 - 特許庁 - In this case, by using a first chemical, the side wall 4a of the BPSG layer 4 is retreated to expose the upper surface 2b of the oxide film 2.
このとき、第１の薬液を用いて、ＢＰＳＧ膜４の側壁４ａを後退させ、酸化膜２の上側表面２ｂを露出させる。 - 特許庁 - A lower-layer capacitor comprising a lower electrode, an upper electrode and a dielectric film arranged between both electrodes are disposed on the semiconductor substrate.
下部電極、上部電極、及び両者の間に配置された誘電体膜を含む下層キャパシタが、半導体基板の上に配置されている。 - 特許庁 - The reflection layer coated on the upper face 20a and the right face 20d of the inner wall respectively is provided with a spectral reflection characteristic that transmits ultraviolet rays.
内壁上面２０ａ及び内壁右面２０ｄにコーティングされた反射層は、紫外光を透過する分光反射特性を有する。 - 特許庁 - A side surface of the recessed part 41 is regulated by the silicon nitride film 4 and the layer 2, and a bottom surface is regulated by an upper surface of the silicon substrate 1.
凹部４１の側面はシリコン窒化膜４及び層２によって規定され、底面はシリコン基板１の上面によって規定されている。 - 特許庁 - In the core part 7c, a flat surface part 7c is formed along the central shaft of the core part 7c at the position where the upper and lower layer conducting wires cross.
そして、芯部７ｃには、上層と下層の導線が交差する位置に、芯部７ｃの中心軸に沿って平面部７ｃが形成される。 - 特許庁 - To easily and effectively form a coated layer excellent in protective effect to the inside on the outer peripheral surface of a laminated rubber having flanges on the upper and lower surface.
上下面にフランジを有する積層ゴムの外周面に内部の保護効果に優れた被覆層を容易かつ効率的に形成する。 - 特許庁 - The cold water makes rising stream in an upper layer part 54B of the cylindrical passage pipe 54 and is led to a conical passage pipe 58.
そして、冷水は、円筒状流路管５４の上層部５４Ｂにおいて上昇流となって円錐状流路管５８に導かれる。 - 特許庁 - The dial may be provided with a pattern layer with unevenness, a transparent film, a transmissive decorative film or the like on an upper face of the transmissive dial 41, in some of design.
また、デザインによっては透過性文字板４１の上面に凹凸のあるパターン模様層や透明膜、透過性装飾膜などを設ける。 - 特許庁 - There is also a case of installing a mixed material in a surface layer of the ground and installing a banking material which is solely a soil material, on the upper face of the mixed material.
混合材を地盤の表層に設置し、混合材の上面に地盤材料単独である盛土材料を設置する場合もある。 - 特許庁 - On the rear side of the said sheet 1, the desired character or the like is printed in the print ink and an anti-skid agent layer 5 is applied from the upper part of this printed part 4.
前記シート１の裏面に所望の文字等を印刷インキで印刷し、この印刷部４の上部から防滑剤層５を施す。 - 特許庁 - The upper semicircular part of a core 24 is exposed with a protection layer 22 and a clad 23 removed at the distal end of the catheter 21, and an optical filter 26 and photodiodes 28 are disposed to face the lower semicircular part of the core.
カテーテル２１の先端部のコア２４の上側半円部分は保護層２２とクラッド２３は除かれコア２４が露出している。 - 特許庁 - Also, the crown outer layer material 3 is coated and formed on the upper surface of the crown base material 1 so as not to expose the crown base material 1 to the surface.
また、歯冠外層材３は、歯冠母材１を表面に露出しないように当該歯冠母材１上面に被覆形成する。 - 特許庁 - The input and output portion 10, large capacity wiring 30, capacitor 40, and signal wiring 50 are allocated in the thickness direction of the upper-most layer UL.
入出力部１０、大容量配線３０、キャパシタ４０および信号配線部５０は、最上層ＵＬの面内方向に配置される。 - 特許庁 - Etching in the depth direction has selectivity, depending on the kind of compound constituting the layer, and reaction comes to a halt at the interface between the upper and lower layers.
また、深さ方向のエッチングには層を構成する化合物の種類により選択性があり、下層との界面で反応は停止する。 - 特許庁 - The conductive lid layer is removed by using one of several methods to remove the upper part of the first copper metallization within the recess.
上記導電蓋層を幾つかの方法の１つを用いて上記凹部内の上記最初の銅メタライゼーションの上方を除いて除去する。 - 特許庁 - A passivation layer is formed at an opening formed at such a portion on the RDL, and an upper front surface and a sidewall portion of the RDL are exposed at an opening.
パッシベーション層はこれに形成される開口によりRDL上に形成され、RDLの上表面と側壁部分は、開口により露出する。 - 特許庁 - The upper silicon structure overlaps with the lower silicon structure and is insulated from the lower silicon structure by an insulating layer formed between the structures.
上側シリコン構造は、下側シリコン構造に重なり、構造間に形成された絶縁層によって下側シリコン構造から絶縁されている。 - 特許庁 - A capacitor is configured so that the lower electrode 2 and the upper electrode 3 face each other via the inner diaphragm layer 5a having the gap 4 thereinside.
下部電極２と上部電極３とは、内部に空隙４を有する内側ダイヤフラム層５ａを介して対向し、コンデンサを構成する。 - 特許庁 - To reduce parasitic capacitance formed between a bit line for reading out the signal of a memory cell and a signal transmission line disposed on the upper layer thereof.
メモリセルの信号を読み出すビット線とその上層に配置された信号伝送線との間に形成される寄生容量を低減する。 - 特許庁 - A layer 21 of an asphalt mixture is constructed thereon, and a lower part 4 of the caisson 2 is positioned on the upper face to stably hold the structure.
その上にアスファルト混合物の層２１を構築して、ケーソン２の下部４をその上面に位置決めして、構造物を安定保持させる。 - 特許庁 - To provide a thin-film capacitor capable of preventing diffusion of Au from an upper electrode layer in a solder bump by a simple method at a low cost.
上部電極層からハンダバンプへのＡｕの拡散を防止することができる薄膜コンデンサを簡単かつ安価な方法で提供する。 - 特許庁 - The electrode upper layer 16 has a top surface being a flat surface having no relation with surface morphology of the ferroelectric film 13 by planarizing.
そして、電極上層１６の上面は、平坦化により、強誘電体膜１３の表面モホロジーと無関係な平坦面となっている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
