「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
＜前へ 1 2 .... 117 118 119 120 121 122 123 124 125 .... 221 222 次へ＞- A surface-emitting laser element comprises a substrate 101, a lower semiconductor DBR 103, a resonator structure, an upper semiconductor DBR 107, a contact layer 109, and so on.
基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。 - 特許庁 - First, a silicon oxide film 6aa, a silicon nitride film 6bb and a silicon oxide film 6cc are formed on the upper surface of an SOI layer 3 in this order.
まず、ＳＯＩ層３の上面上に、シリコン酸化膜６ａａ、シリコン窒化膜６ｂｂ、及びシリコン酸化膜６ｃｃをこの順に形成する。 - 特許庁 - A second protective film 10 made of a polyimide-based resin etc. is provided on the surface of an upper metal layer 9 made of copper of the wiring 7.
配線７の銅からなる上部金属層９の表面にはポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜１０が設けられている。 - 特許庁 - Thus, the swelling of every layer can be reduced on the upper surface of the part 14 and a magnetic path length is shortened to reduce the inductance.
これにより記録部１４上面からの各層の盛り上がりを小さくでき、磁路長を短くしてインダクタンスの低減を図ることができる。 - 特許庁 - A vibrating component 104 is a region in which a lower electrode 102, a piezoelectric material layer 101, and the upper electrode 103 are overlapped in the vertical projection direction.
振動部１０４は、下部電極１０２、圧電体層１０１、及び上部電極１０３が垂直投影方向に重なる領域となる。 - 特許庁 - The upper electrode L2a is connected to the pad 5, while the ground potential is given to the lower electrode L1a via a p^+ diffused layer 11.
上部電極Ｌ２ａはパッド５に接続され、下部電極Ｌ１ａには、ｐ＋拡散層１１を通して接地電位が供給される。 - 特許庁 - A crystal oscillation chip 2 is composed of a counter substrate 51, a crystal oscillation substrate 4, and a counter substrate 52 laminated sequentially from the upper layer side.
水晶振動片２は、上層側から対向配置基板５１、水晶振動基板４、対向配置基板５２の順で積層されている。 - 特許庁 - The wiring layer 20 is formed as a face (film shape), by uniformly coating silver paste over the upper side 18a as a whole.
配線層２０は、上面１８ａの全体に銀ペーストを均一に塗布して形成させたことから、面状（フィルム状）の形状をなしている。 - 特許庁 - The first pad PD 1 is arranged on an upper layer of the first electrostatic discharge protection element ESD-L so as to overlap one part or the entire of the electrostatic discharge element ESD-L.
第１の静電気保護素子ＥＳＤ−Ｌの一部又は全部と重なるようにその上層に第１のパッドＰＤ１が配置される。 - 特許庁 - To improve detection accuracy of a motion vector while reducing the influence of phase shift between images of an upper layer.
上位階層の画像間における位相ずれの影響を緩和できるようにすると共に、動きベクトルの検出精度を向上できるようにする。 - 特許庁 - The upper surface of the walkway 3 is paved with a porous layer 3a formed by placing the kneaded substance on the surface 8a of the ground 8.
また、歩道３の上面は、前記混練物を地盤８の表面８ａに打設して形成された多孔質層３ａによって舗装されている。 - 特許庁 - In this system, in the apparatus of this invention, the visualization side or emulsion side of the base layer is inverted from the underside to the upper side.
このシステムは、本発明の設備内で、基層を、画像化の側又は乳剤の側が下向きから乳剤の側が上向きに反転される。 - 特許庁 - To improve an image quality by reducing a step caused by an upper- layer wiring part of a charge release contact, and by eliminating such bad effects as irregularity in imaging, color, etc.
電荷抜きコンタクトの上層配線部による段差を低減し、撮像ムラや色ムラ等の悪影響を無くし、画質の向上を図る。 - 特許庁 - A liquid crystal layer 30 containing liquid crystal molecules 31 and blue dye molecules 32 is injected into the gap between a lower substrate 10 and an upper substrate 20.
下部基板１０と上部基板２０との間に、液晶分子３１と青色染料分子３２を含む液晶層３０を注入する。 - 特許庁 - A protective film having acrylic urethane resin as a main material covering the dielectric multilayered film is formed on an upper layer of the dielectric multilayered film.
そしてこのような誘電体多層膜の上層に同誘電体多層膜を覆うアクリルウレタン樹脂を主体とする保護膜を形成させる。 - 特許庁 - The second insulating wiring layer 11 includes at least one grooved recessed part 12 arranged on the upper surface side so as to extend in the length direction.
第２インダクタ配線層１１は、その長さ方向に延びるように上面側に設けられた少なくとも一つの溝状凹部１２を有する。 - 特許庁 - The first wiring is formed on an upper wiring layer of a semiconductor substrate, and connects the first terminal of a transistor with the first power source line.
第１の配線は、半導体基板の上方の配線層に形成され、トランジスタの第１の端子と前記第１の電源線とを接続する。 - 特許庁 - The first resist pattern is removed, and a transition metal film is formed on the amorphous film and the exposed upper layer insulating film.
前記第１のレジストパターンが除去され、前記非晶質膜および露出した前記上層絶縁膜上に遷移金属膜が形成される。 - 特許庁 - To provide a substrate for a liquid discharge head, which secures an electric reliability of gold electrode wiring formed on the upper layer of a substrate.
基板の上層に形成された金の電極配線の電気的信頼性を確保することができる液体吐出ヘッド用基板の提供。 - 特許庁 - The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.
ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁 - A pair of upper electrodes 2 is formed on the top of an insulating substrate 1, and a resistor layer 3 is formed in such a manner that it is superposed on it.
絶縁基板１の上面に一対の上面電極２が形成され、これに重なるように、抵抗体層３が形成されている。 - 特許庁 - The second lens wafer has a planar upper wafer surface adjacent and parallel to the planar lower surface of the lower substrate layer of the electro-active lens assembly.
第２レンズウエハは、電気駆動レンズアセンブリの下側の基板層の下側の平表面に平行で近接する、上側のウエハ平表面を有する。 - 特許庁 - A second photoelectric conversion element 102 includes a second lower electrode 112, a second photoelectric conversion layer 122, and a second upper electrode 132.
第２光電変換素子１０２は、第２下部電極１１２、第２光電変換層１２２、及び第２上部電極１３２を備えている。 - 特許庁 - Then, a Cu film 9 is deposited inside the hole 8, the via 4 and the trench 5 and a via plug 10 and upper layer wiring 11 are formed.
そして、掘れ込み８、ビア４およびトレンチ５内にＣｕ膜９を堆積させて、ビアプラグ１０および上層配線１１を形成する。 - 特許庁 - In the multilayer board 25, an opening 39 is open on the upper surface, and the ground layer 26 layered inside is exposed to the outside from the opening 39.
多層基板２５は、上面に開口３９が形成され、内側に層設されたグラウンド層２６を開口３９から外部に露呈させている。 - 特許庁 - As a result, it is possible to completely prevent the generation of leak currents generated between the upper electrode layer 10 and the reflection preventing film 12.
その結果、上層電極層１０と反射防止膜１２との間に生じるリーク電流の発生を完全に防止することが可能になる。 - 特許庁 - A first GaN semiconductor layer 200 with a step part 40 consisting of upper, bottom, and side surfaces is formed on a sapphire substrate 1.
サファイア基板１上に、上面、底面および側面からなる段差部４０を有する第１のＧａＮ系半導体層２００が形成される。 - 特許庁 - A silicide layer 20d is formed on the upper surface and the side surface of a gate electrode wiring 14b located in the shared contact formation region.
シェアードコンタクト形成領域に位置するゲート電極配線１４ｂの上面上及び側面上にはシリサイド層２０ｄが形成されている。 - 特許庁 - The grating structure includes grooves etched in a plasmon-enhanced confinement layer(PECL) disposed adjacent and in contact with an upper metallic electrode.
格子構造は上部メタル電極に隣接して割り付けられたプラズモン励起閉じ込め層（ＰＥＣＬ層）中にエッチングされたグルーブを包含する。 - 特許庁 - A fluid lens is disposed on the upper surface of the solid-state imaging device including an on-chip lens 210, a glass layer 220 and the photoelectric conversion element 230.
オンチップレンズ２１０、ガラス層２２０および光電変換素子２３０からなる固体撮像素子の上面には、流体レンズが配置される。 - 特許庁 - This constitution can move the articles stored in the tray 8 in the upper-layer drawer 3 immediately before to another place as their put therein.
これにより上段の引出し３のトレー８に直前まで収納されていた物品をそのまま別の場所へ移すことが可能となる。 - 特許庁 - In a light emitting diode 100, an upper face (contact face 103a) of the p-type semiconductor layer 103 is immersed in electrolyte 2.
発光ダイオード１００は、少なくとも上記のｐ型半導体層１０３の上面（コンタクト面１０３ａ）が電解液２に浸されている。 - 特許庁 - A first space 12 is defined by arranging a lid 9 for containing the semiconductor sensor chip 5 on the upper surface 4b side of the first sealing resin layer 4.
第１封止樹脂層４の上面４ｂ側に半導体センサチップ５を納める蓋体９を設置して第１の空間１２を画成する。 - 特許庁 - A first resin layer 22 covering the wiring is so formed that an upper surface becomes rough corresponding to the step between the insulating film 16 and the spacer 18.
絶縁膜１６及びスペーサ１８の段差に対応して上面が凹凸になるように、配線を覆う第１の樹脂層２２を形成する。 - 特許庁 - To provide a mesh upper for an article of footwear with a strategically positioned protective outer layer for optimized breathability and moisture resistance.
通気性及び耐湿性を最適化するための戦略的に配設、位置決めされた保護外層を有した履物用のメッシュアッパーを提供する。 - 特許庁 - Gate electrodes of the NMOS transistor Q11 and an NMOS transistor Q21 are formed of the polisilicon layer 107 for the upper electrode.
ＮＭＯＳトランジスタＱ１１及びＮＭＯＳトランジスタＱ２１のゲート電極は共に上層電極用ポリシリコン層１０７によって形成される。 - 特許庁 - An upper layer resist 8 is then applied with a spin coater, heat-treated and pattern wise exposed with UV 4 through a photomask 3.
次に、上層レジスト８をスピンコーターによりに塗布し、熱処理を施した後、フォトマスク３を介して紫外線４によるパターン露光を行う。 - 特許庁 - To prevent damages in the formed state of lower electrodes when upper electrodes are formed without introducing a process of forming a protective insulating layer.
上部電極を形成する際に、保護用絶縁層形成の工程導入をせずに、下部電極の形成状態の損傷を防止する。 - 特許庁 - A p-type AlGaInP upper cladding layer 40 of the 650 nm wavelength band laser 14 is etched halfway to form ridge waveguides 44.
６５０ｎｍ帯波長レーザ１４のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０は途中までエッチングされてリッジ導波路４４が形成されている。 - 特許庁 - A holding means 17 holding the lower end of the shielding panel 16 is installed at the upper place of a waterproof-layer holddown 11 constituting the corner drain 1a.
コーナードレイン１ａを構成する防水層押え１１の上部位置に、遮蔽パネル１６の下端を保持する保持手段１７を設けた。 - 特許庁 - Without curing the UV curable resin in the vicinity of the outer periphery of the upper die, the UV curable resin is cured to form the resin layer 52.
上金型の外周近傍の紫外線硬化性樹脂を硬化させないで、紫外線硬化樹脂を硬化して樹脂層５２を形成する。 - 特許庁 - A ferroelectric substance capacitor 400 has a three-layer structure of a ferroelectric substance film 600, a lower electrode part 500 and an upper electrode part 700.
強誘電体キャパシタ4００は強誘電体膜６００、下部電極部５００および上部電極部７００の三層構造をしている。 - 特許庁 - The single common conductive layer is provided to form respective upper electrodes of the thin-film bulk acoustic resonators 38a to 38g.
１つの共通の導電層は、各薄膜バルク音響共鳴器３８ａ〜３８ｇの各上部電極を形成するように定められている。 - 特許庁 - The upper electrode 40 is in contact with the piezoelectric thin film 30 through an open hole part 36 of an insulation layer 35 formed on the piezoelectric thin film 30.
上部電極４０は、圧電薄膜３０上に形成された絶縁層３５の開孔部３６を通して圧電薄膜３０と接している。 - 特許庁 - After decarburizing, Cr in the slag is reduced and recovered by charging FeSi from the upper part of the slag layer and also, the molten stainless steel is deoxidized (a8).
脱炭後、スラグ層の上からＦｅＳｉを投入してスラグ中のＣｒを還元回収するとともにステンレス溶鋼を脱酸する（ａ８）。 - 特許庁 - A fluid lubricant 20 is interposed between abutting faces of an outer circumference rubber layer 11 attached to the inner tube fitting and the upper bracket 15.
内筒金具に取り付けた外周のゴム層１１とアッパーブラケット１５との当接面の間に流動性の潤滑剤２０が介在される。 - 特許庁 - On a substrate 2 where a lower electrode 11 is formed, a memory layer material film 13A and an upper electrode material film 12A are formed sequentially.
下部電極１１が形成された基板２上に、記憶層材料膜１３Ａと上部電極材料膜１２Ａとを順に形成する。 - 特許庁 - The W cap film is formed selectively on the surface of the Cu wiring film after a pre-treatment, and an upper-layer Cu wiring is further manufactured.
前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 - 特許庁 - Outer circumferential edge of the shielding electrode 6 patterned on the upper surface of a multilayer glass ceramic substrate 2 is covered with an insulation layer 8.
多層型ガラスセラミック基板２の上面にパターン形成されたシールド用電極６の外周縁を、絶縁層８により被覆するようにした。 - 特許庁 - Thereafter, the formation of an upper electrode layer and a second RTA treatment are effected (step S9-S11) and the ferroelectric capacitor is formed (step S12).
その後、上部電極層の形成や第２のＲＴＡ処理を行い（ステップＳ９〜Ｓ１１）、強誘電体キャパシタを形成する（ステップＳ１２）。 - 特許庁
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