「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
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保護層５０は、上側電極４０の表面及び外周面並びに感湿層３０の外周部を被覆するように、電気絶縁基板１０の表面の右側部上に層状に形成されている。 - 特許庁 - This fuel gasification apparatus is characterized by connecting a fuel-supplying pipe 14 to a lower position than the upper surface of a fluidized layer 1 on the side surface of a gasification furnace 2 and supplying the solid fuel from the fuel-supplying pipe 14 into the fluidized layer 1.
ガス化炉２側面における流動層１上面より低い位置に燃料供給管１４を接続し、該燃料供給管１４から固体燃料を流動層１内へ供給するよう構成する。 - 特許庁 - Reflection films 106 for servo are disposed at both side edges of cores 104 and reflectance of reflection films 106 for servo of the 10k-th (k=a natural number) data layer and dummy layer from an upper end part are made higher than those of the other data layers.
コア１０４の両側縁にサーボ用反射膜１０６を配し、上端部から１０ｋ番目（ｋ＝自然数）のデータ層とダミー層のサーボ用反射膜１０６の反射率を他のデータ層よりも大きくする。 - 特許庁 - Since the lower guide layer 105 is composed of InGaP, leakage of carriers from the active region is reduced and since the upper guide layer 109 is composed of AlGaAs, overflow of carriers (especially, electrons) can be suppressed.
下ガイド層１０５がＩｎＧａＰからなることにより、活性領域からのキャリアの漏れを低減すると共に、上ガイド層１０９がＡｌＧａＡｓからなることにより、キャリア（特に電子）のオーバーフローを抑制する。 - 特許庁 - This building board 1 comprises a lower paint layer 3 and an upper paint layer 4 in this order on a design surface 201 of a board 2 with the uneven grain pattern 203 formed with a plurality of grain forming projection parts 21.
建築板１は，複数の木目形成凸部２１を形成してなる木目凹凸模様２０３を有する原板２の意匠表面２０１に，下側塗料層３及び上側塗料層４を順次設けてなる。 - 特許庁 - A height of the lower layer plug 15 is made to be a third or less of a contact hole 13 and approximately 50 nm, thereby preventing the copper in the upper layer plug 16 from diffusing toward the silicon substrate 1 while reducing a resistance value.
下層プラグ１５の高さをコンタクトホール１３の１／３以下で、５０ｎｍ程度とすることで、抵抗値を低下させつつも上層プラグ１６の銅がシリコン基板１側に拡散するのを防止することができる。 - 特許庁 - The upper-layer side return core is magnetically connected to a trailing shield 47, and is magnetically connected to the return core 42b via a return core inter-layer connection part 51 disposed beside the main magnetic pole 41.
この上層側リターンコアはトレーリングシールド４７と磁気的に接続されており、かつ、主磁極４１の側方に配置されたリターンコア層間接続部５１を介してリターンコア４２ｂと磁気的に接続されている。 - 特許庁 - To prevent water from passing through an interface between an interlayer insulating film of a lower layer and interlayer insulating film of an upper layer composed of different materials from path other, which is apt to become a water passing inlet from outside in a conventional semiconductor device.
従来の半導体装置において、相異なる絶縁材料によって形成された下層の層間絶縁膜と上層の層間絶縁膜との界面は、外部からの水分等の浸入口となり易い。 - 特許庁 - To prevent a short circuit between a signal line and a scan line in a matrix array substrate for a planar display device including the signal lines each having a redundant line structure comprising an upper layer line and a lower layer line.
信号線６を上層配線５１と下層配線３１との冗長配線構造とした、平面表示装置用のマトリクスアレイ基板１０において、信号線６と走査線１１との間の短絡を防止する。 - 特許庁 - In addition, a capacitive element is formed by a drain electrode of a transistor, a semiconductor layer, and a first electrode overlapped with the drain electrode to configure a structure where a gate electrode is extracted to an upper layer at a position overlapping with the capacitive element.
また、トランジスタのドレイン電極、半導体層およびドレイン電極と重なる第１の電極により容量素子を形成し、容量素子と重なる位置でゲート電極を上層へ取り出す構造とした。 - 特許庁 - After a resist layer thicker than a step is formed on an upper surface of the substrate based on the layers 14a, 16a, this resist layer is thinned by a sheet type ashing or etching process, so that resist layers 20A, 20B are left behind.
基板上面に層１４ａ，１６ａに基づく段差より厚くレジスト層を形成した後、このレジスト層を枚葉式のアッシングまたはエッチング処理により薄くしてレジスト層２０Ａ，２０Ｂを残存させる。 - 特許庁 - For each semiconductor substrate of a lower layer and an upper layer, the bump electrodes 15 on the main surface side and the copper wirings (121 and 122) on the rear side are opposed severally to each other, and are thermocompression-bonded to each other through an anisotropic conductive film ACF.
下層と上層の各半導体基板は、それぞれ主表面側のバンプ電極１５と裏面側の銅配線（１２１または１２２）を対向させ異方性導電フィルムＡＣＦを介して熱圧着接続する。 - 特許庁 - This is the organic electroluminescent element in which an optical distance from the upper face of the translucent layer to the bottom face of the negative electrode layer is set as the least common multiple of an integral multiple of the half wavelength of the peak wavelength of each colored light.
半透明層の上面から負極層の底面までの光学的距離は各色光のピーク波長の半波長の整数倍の最小公倍数に設定される有機電界発光素子である。 - 特許庁 - An inter-layer insulating layer 20 laminated on an element formation surface 11a covers a plurality of switching elements Sw and has a contact hole H1 at a position opposed to the second upper electrode P2 of each switching element Sw.
素子形成面１１ａに積層される層間絶縁層２０は、複数のスイッチング素子Ｓｗを覆い、各スイッチング素子Ｓｗの第二上部電極Ｐ２と対向する位置にコンタクトホールＨ１を有する。 - 特許庁 - A p-side electrode 114 is formed over a p^+-GaAs contact layer 113 having a doping concentration of ≥1×10^18 cm^-3 and a p-AlGaAs second upper cladding layer 109 having a doping concentration of ≤1×10^17 cm^-3.
ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3以上のｐ^+-ＧaＡsコンタクト層１１３上およびドーピング濃度が１×１０^17ｃｍ^-3以下のｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９上にｐ側電極１１４を形成する。 - 特許庁 - A polycrystal silicon film 17 in which a lower layer region consists of a crystalline particle 17a having a random orientation and an upper layer region consists of a crystalline particle 17b having a pillar orientation is used for a gate electrode 13a.
下層領域がランダムな配向性をもつ結晶粒１７ａであり、かつ、上層領域が柱状の配向性をもつ結晶粒１７ｂである多結晶シリコン膜１７をゲート電極１３ａに用いる。 - 特許庁 - When a coil of the thin-film magnetic head is formed, after a lower layer coil 16 is formed first, alumina or an inorganic compound 17 containing alumina is formed, and after that, a groove for forming an upper layer coil is formed by an RIE.
薄膜磁気ヘッドのコイルを形成する場合、まず、下層コイル１６を形成した後、アルミナやアルミナを含む無機化合物１７を形成した後、ＲＩＥにより上層コイルを形成するための溝を形成する。 - 特許庁 - To solve the problem that a light emitting efficiency falls off because light totally reflected at a light emitting layer interface among emitted light is not taken out outside in an EL device provided with a light emitting layer held between upper and lower electrodes.
上下の電極間に挟まれた発光層を有するＥＬ素子において、発光した光のうち発光層界面で全反射する光は外部へ取り出されることがないので、発光効率が低下する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device adapted to be capable of relaxing the stress of an upper part semiconductor layer (that is, a second semiconductor layer) of an SOI structure when forming the SOI structure of a semiconductor substrate.
半導体基板にＳＯＩ構造を形成する際に、ＳＯＩ構造上部の半導体層（即ち、第２半導体層）の応力を緩和できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the recessed portion 40a is covered by the glass substrate 30, the upper electrode 22 of the VCSEL 20 and the p-side electrode layer 42 are connected to a transparent electrode layer 32, formed on the backside of the glass substrate 30.
ガラス基板３０によって凹部４０ａが覆われるとき、ＶＣＳＥＬ２０の上部電極２２およびｐ側電極層４２がガラス基板３０の裏面に形成された透明電極層３２に接続される。 - 特許庁 - On an interlayer insulating film 109 serving as a patterning layer, a predetermined range is removed to have an etching region for exposing at least a part of the upper clad layer 106 or a second conductive semiconductor region 108.
パターニング層としての層間絶縁膜１０９は、その所定範囲を除去して上部クラッド層１０６又は第２導電型半導体領域１０８の少なくとも一部を露出させるエッチング領域を有する。 - 特許庁 - To reliably avoid characteristic deterioration that becomes a problem in the cleaning treatment of a connection section of a connection conductor, when forming the connection section to the lower-layer wiring of upper-layer wiring in a multilayer interconnection structure.
多層配線構造における上層配線の下層配線に対する接続部の形成にあたり、その接続導体の接続部の清浄化処理において問題となる特性劣化を確実に回避する。 - 特許庁 - Area difference between the inner layer conductor circuit 2 formed in the upper surface 81 and the inner layer conductor circuit 2 formed in the lower surface 82 including the dummy pattern 21 per 1000 cm2 is at most 600 cm2.
基板１０００ｃｍ^^２あたりにおける，ダミーパターン２１を含めた，上面８１に形成した内層導体回路２と下面８２に形成した内層導体回路２とのめっき面積差は６００ｃｍ^２以下である。 - 特許庁 - The guide rail 6 is erected in the shaft 5 and is supported by a first bracket 7 provided in an upper part of the low layer part construction body and a second bracket 8 provided in a lower part of the high layer part construction body.
昇降路５内にはガイドレール６が立設されており、低層部建築体の上部に設置された第１のブラケット７と高層部建築体の下部に設置された第２のブラケット８により支持されている。 - 特許庁 - A GaN(gallium nitride) based semiconductor layer 15 containing an MQW(multiple quantum well) luminous layer 7 is subjected to the epitaxial growth on the upper surface of the sapphire substrate 1 and the side surface 101 and the bottom surface 102 of the step part 100.
サファイア基板１の上面上ならびに段差部１００の側面１０１上および底面１０２上に、ＭＱＷ発光層７を含むＧａＮ系半導体層１５をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - The TFT elements are connected in series, whereby the radiation detector is improved in OFF-state characteristics and capable of having redundancies to failures, such as a short circuit occurring between an upper and a lower member through the intermediary of an gate insulating layer or a short circuit in a semiconductor layer.
ＴＦＴ素子を直列に接続することで、ＯＦＦ特性の改善を図り、また、ゲート絶縁層を介した上下間ショート、半導体層内のショートなどの不良に対しても冗長性を持たせる。 - 特許庁 - This spoon-like eating implement includes a handle part and a dish-like recess part, wherein the dish-like recess part has a double-layer structure, and an upper layer part of the dish-like recess part is vertically movable by the pressure of a fluid or a mechanical element.
柄部と皿状凹部を備えており、皿状凹部が二層構造となっており、皿状凹部の上層部が流動体の圧力または機械的要素によって上下に移動可能であるスプーン様喫食器具。 - 特許庁 - In the fifth configuration example, the height of a resin coat 72 is higher than the height of an LED chip 61, and a cross-sectional shape of a mask 81 is formed so that its lower layer side is narrower than its upper layer side.
この第５の構成例は、樹脂コート７２の高さがLEDチップ６１よりも高く形成され、マスク８１の断面形状が上層側よりも下層側の方が狭くなるように成形されている点が特徴である。 - 特許庁 - A contact portion 13c (14d), which constructively connects between a polycrystalline silicon layer 13 and a fuse wiring portion 14, is located along the side portion 13a and a part of the upper surface portion 13b of the polycrystalline silicon layer 13.
多結晶シリコン層１３とヒューズ配線部１４とを構造的に接続する接触部１３ｃ（１４ｄ）が、多結晶シリコン層１３の側面部１３ａおよび上面部１３ｂの一部上に沿って設けられている。 - 特許庁 - The film 13 is a two-layered film comprising a lower layer film principally comprising alumina and silica and an upper layer film principally comprising silicate and phosphate or its derivative and has a thickness in the range of 0.1-10 μm.
皮膜１３は、アルミナ及びシリカを主成分とする下層皮膜と、珪酸塩及びリン酸又はその誘導体を主成分とする上層皮膜とから構成される２層皮膜とし、厚さを０．１乃至１０μｍとする。 - 特許庁 - A p-type impurity in the semiconductor upper layer 26 is thin on the first impurity diffusion control film 24a and the third impurity diffusion control film 24c, but thick on the second region 22b of the semiconductor lower layer 22.
半導体上層２６内のｐ型不純物の濃度は、第１不純物拡散抑制膜２４ａ及び第３不純物拡散抑制膜２４ｃ上で薄く、半導体下層２２の第２領域２２ｂ上で濃い。 - 特許庁 - The component built-in module A is constituted of burying the heating component 3 in a lower resin layer of a module substrate 1 comprising a plurality of resin layers 1a to 1d and arranging the component 20 having the large temperature characteristic change on the upper layer.
部品内蔵モジュールＡは、複数の樹脂層１ａ〜１ｄからなるモジュール基板１の下層の樹脂層の内部に発熱部品３を埋設し、温度特性変化の大きな部品２０をその上層に配置する。 - 特許庁 - The suction pad includes a porous layer comprising a polymer elastic body (A) on a film, wherein a compressive deformation amount, when the suction pad is compressed, is greater in the porous layer lower part than in the upper part.
フィルム上に、高分子弾性体（Ａ）からなる多孔層が存在する吸着パッドであって、圧縮時の圧縮変形量が、多孔層上部よりも多孔層下部が大きいことを特徴とする吸着パッド。 - 特許庁 - An adhesive layer for joining the lower substrate 22 and an upper substrate enters into a step extending from the surfaces of the lower electrode layers 32, 33 to the surface of the transparent conductive layer 31 located inside the intervals D, E.
下部基板２２と上部基板間を接合するための粘着層は、下部電極層３２，３３の表面から間隔Ｄ，Ｅ内に位置する透明導電層３１の表面にかけての段差内に入り込んでいる。 - 特許庁 - The magnetic material layer 10 comprises a ferromagnetic material, for example, of NiFe (nickel iron) as a material, and serves as a role of reducing the saturation magnetic flux density of a magnetoresistance element 6 in an upper face of the magnetic material layer 10.
この磁性体層１０は、例えばNiFe（ニッケル鉄）の強磁性体を材質とするとともに、磁性体層１０の上部にある磁気抵抗素子６の飽和磁束密度を低減させる役目を果たしている。 - 特許庁 - A relief printing plate having linear or dashed line-like cut-out parts 7 at upper surface ends of its projecting parts 6 for incising an ink layer is used as a relief printing plate 3 for transferring and removing unnecessary parts of the ink layer.
インク層の不要部を転写除去する凸版３として、その凸部６の上面端部にインク層に切り込みを入れるための線状もしくは破線状の切り込み部７を有した凸版を用いること。 - 特許庁 - The ratio of the thickness to the width of the coil wire of the planar coil buried between the lower magnetic layer and the upper magnetic layer is set to 0.8 or over, and the ratio of the interval between coil wires to the width of the coil wire is set to 0.2 or over.
下部磁性層と上部磁性層との間に埋設した平面コイルのコイル線の幅に対する厚さの比を 0.8以上にすると共に、コイル線の幅に対するコイル線間隔の比を 0.2以上にする。 - 特許庁 - To provide a photosensitive resin composition with which it is possible to form a high resolution resist pattern with low line edge roughness, and which is used as an upper layer resist of a two layer resist process and a method for forming the resist pattern.
低ラインエッジラフネスで、高解像度なレジストパターンを形成することが可能となり、２層レジストプロセスの上層レジストとして用いることができる感光性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁 - The card flat clothing is attached to the card flat 14 by hook-and-loop fasteners having an upper strip in which a hook is attached to a supporting layer 31 and a lower strip in which a fleece is attached to a supporting layer 30.
カードフラット針布は、支持層３１にフックが取り付けられた上側ストリップと、支持層３０にフリースが取り付けられた下側ストリップとを有する面ファスナによって、カードフラット１４に取り付けられている。 - 特許庁 - A lower layer 2 which is formed by making an oxide carrier carry the NOX occlusion material and noble metal, and an upper layer 3 which is formed by making an oxide having an oxygen storing/discharging capacity carry the noble metal, are formed on a cell wall 10 comparting the cells from each other.
セルどうしを区画するセル壁10に、酸化物担体にNO_x 吸蔵材と貴金属とを担持してなる下層２と、酸素吸蔵放出能を有する酸化物に貴金属を担持してなる上層３を形成した。 - 特許庁 - The projecting part 26 is made of a soft magnetic material of high saturation magnetic flux density Bs, has saturation magnetic flux density Bs higher than that of the lower magnetic pole tip layer 16 and has width being almost the same as track width Tw of the upper magnetic pole tip layer 34.
突起部２６は高飽和磁束密度Bsの軟磁性材からなり、下部磁極先端層１６よりも高い飽和磁束密度Bsを有し、上部磁極先端層３４のトラック幅Twとほぼ同一の幅を有する。 - 特許庁 - During meal, by holding both ends of the loaf of bread with both hands, the upper layer 4 and the lower layer 5 can be closed with right and left fingers, therefore the loaf of bread can be eaten without spilling the ingredient off the periphery of the loaf of bread.
食事中、該食パンの両端を両手で持つことで両端の上層４と下層５は左右の指で閉じることができるため、該食パンの周囲から食材をこぼれ落とすことなく食べられる。 - 特許庁 - To form no development defect after a resist pattern as an upper layer is formed even when the percentage content of silicon (Si) of an intermediate film is made high in a multi-layer resist process, and thereby to improve the yield.
多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン（Ｓｉ）の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。 - 特許庁 - The MEMS has an intermediate moving part 120 comprising a weight 121, a beam 122, and a surrounding void 123, the intermediate moving part being formed by etching of an upper side sacrifice layer 130 and a lower side sacrifice layer 110.
ＭＥＭＳは錘１２１，梁１２２，その周辺の空隙１２３とから成る中間可動部１２０を有し、中間可動部は上側犠牲層１３０と下側犠牲層１１０をエッチングすることで形成される。 - 特許庁 - A water absorbing material 4 is laid on an upper part of the aggregate layer 3 for replenishing moisture to a water retentive block 5 of a road surface by sucking up moisture held in the aggregate layer 3 while preventing washing-away of joint sediment.
骨材層３の上部には、目地砂などの流失を防止しつつ、骨材層３に保水されている水分を吸い上げ、路面の保水性ブロック５に水分を補給するための吸水材４を敷設する。 - 特許庁 - One terminal end 3a of the inductor coil 8 is located at the top of the pyramid 9 and is connected with an upper metallic wiring layer 7 by means of a through hole 6 formed in an interlayer insulating film 4 and a planarizing layer 5.
インダクタコイル８の一方の終端３ａは、角錐台９頂部に位置し、層間絶縁膜４及び平坦化層５に形成されたスルーホール６を介し上層の金属配線層７に接続される。 - 特許庁 - On the upper surface of a first interlayer insulation layer 5, a first local interconnect line 6 connecting the drain region 4B and a part of gate electrodes 3B and 3D of an MOS transistor T with an uppermost layer interconnect line 12 is formed.
第一の層間絶縁層５の上面に、ＭＯＳトランジスタＴのドレイン領域４Ｂ及び一部のゲート電極３Ｂ、３Ｄと最上層配線１２とを接続する第一の局所配線６を形成する。 - 特許庁 - To obtain a semiconductor device having a contact structure comprising a highly reliable multi-layer conductive plug by stabilizing electrical connection between upper and lower conductive plugs while preventing short circuit between a conductive plug and an electrode layer.
導電性プラグと電極層との短絡を防止しつつ、上下の導電性プラグ間の電気的な接続を安定化し、信頼性の高い多層の導電性プラグからなるコンタクト構造を有した半導体装置を得る。 - 特許庁 - The shielding layer is provided in an upper part of an outgoing surface of the light emitting diode (LED), and the length of the shielding layer is larger, equal to, or smaller than a length of the outgoing surface of the light emitting diode (LED).
その中、遮蔽層は発光ダイオード（ＬＥＤ）チップの出射面の上方に設けられ、しかも遮蔽層の長さは発光ダイオード（ＬＥＤ）チップの出射面の長さより、大きい、等しいまたは小さい。 - 特許庁 - When the element is viewed from the upper surface, the nitride semiconductor layer N has a square shape and the longitudinal direction of the stripe protrusion/recess structure is not parallel with any one of four sides of the square nitride semiconductor layer N.
素子を上面視したとき、窒化物半導体層Ｎの形状は方形であり、かつ、前記ストライプ状の凹凸構造の長手方向は、方形の窒化物半導体層Ｎの４つの辺のいずれとも平行でない。 - 特許庁
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