Next, the copper film 7 and the barrier metal 6 are ground and removed in this order by a CMP method until the upper surface of the rare gas atom containing layer 3 is exposed. 次に、CMP法により、希ガス原子含有層3の上面が露出するまで銅膜7及びバリアメタル6をこの順に研磨除去する。 - 特許庁
At a first silicidation processing, only a surface layer of the gate electrode 5 reacts to the first metal film by a thermal treatment to form an upper silicide film 33. 熱処理によってゲート電極5の表面層のみを第1金属膜と反応させる第1回目のシリサイド化を行い上層シリサイド膜33を形成する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of suppressing an increase in thickness of an insulating film on a fuse, and effectively decreasing a step due to a wiring in an upper most layer. ヒューズ上の絶縁膜の厚みの増加を抑制しつつ、最上層の配線による段差を効果的に低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁
A sill part mortar 1 is placed, and then mosaics 3 are bonded with a bonding mortar 4 on the surface and also an upperlayer mortar 5 into which brick powder is inserted is placed. 土台部モルタル1を打ち込んだ後、その表面にモザイク3を接着用モルタル4で接着し、レンガ粉末を挿入した上層部モルタル5を打ち込む。 - 特許庁
The Cu film is grown isotropically, so that the upper corner 2g of the Cu electrode layer can be made round in shape. この場合、Cu膜を等方的に成長させるので、Cu電極層の形状を上面コーナ部2gが丸みを有する形状とすることができる。 - 特許庁
The capacitor can also include an insulation layer (33, 105) disposed so as to prevent short circuit of the upper and lower plates. コンデンサは、また、上部プレートと下部プレートの間に、上部プレートと下部プレートとの短絡を防止するために配置された絶縁層(33,105)を備えることができる。 - 特許庁
The atomic radius of Sb and In are approximate to each other, so that the diffusion of In segregated in the upper interface is reduced in the barrier layer and the quality of the interface can be improved. SbはInと原子半径が近いため、上側界面に偏析したInが障壁層中に拡散するのを低減し、界面の品質を改善することができる。 - 特許庁
There is an elastic deformation section 14 of a low hardness layer 11b between both sides in the direction of the bridge axis of the lower side groove section 12 and a pair of upper side groove sections. 下側溝部12の橋軸方向両側と一対の上側溝部との間が、低硬度層11bからなる弾性変形部14になっている。 - 特許庁
A mesh sheet 4 is buried over an upper face of the base material 1, and the air layer 9 is formed on the opened part of the recessed groove 2 by the mesh sheet 4. 基材1上面に亙って網目状シート4を埋設すると共に上記網目状シート4で凹溝2の開口部分に空気層9を形成する。 - 特許庁
In this case, knobs 12b to 14b of the sheets except the sheet of an uppermost layer are exposed from the knobs of the superposed sheets thereon as seen from an upper surface. 最上層の紙葉を除く紙葉のつまみ部12b〜14bは、上面視において上に重なっている紙葉のつまみ部から露出している。 - 特許庁
When the upper surface portion 14 and the inclined portion 15 are provided with a coating material film layer 26 composed of a resin-based coating material, water repelling performance is further improved for the prevention of fouling. また、天端部14および傾斜部15に樹脂系の塗装材による塗装材塗膜層26を設けると、さらに撥水性能が向上し、汚れを防止する。 - 特許庁
Consequently, the upper surface region of the insulation layer 80 including the burying part 100A is finished as a high accuracy planar plane having no level difference, distortion or the like. これにより、絶縁層80の埋め込み部100Aを含む上面領域は、高精度の平坦面に仕上げられ、全く段差や歪み等のないものとなる。 - 特許庁
The node of the starting point which is going to disconnect the path confirms that path of the upperlayer passing the path is bypassed to another path and clears out and subsequently disconnects the path. パスを切断しようとしている起点ノードはそのパスを通る上位レイヤのパスが他に迂回されていなくなるのを確認してから、そのパスを切断する。 - 特許庁
A selector circuit 21 selects a motion compensating vector MI in four macroblocks located around a specified position as a motion vector on an upper hierarchical layer. 選択回路21で所定位置の周辺に位置する4個のマクロブロックの動き補償用ベクトルMIを上位階層の動きベクトルとして選択する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a panel for information display, with which an adhesive layer is formed with high accuracy on an upper surface of a partition formed on a substrate. 基板上に形成した隔壁の上面に、高精度で接着剤層を形成し得る情報表示用パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a contact pad is protected from an etching process in the connection of upper metal wiring layer with a lower contact pad. 上部金属配線層と下部コンタクトパッドとの接続においてコンタクトパッドをエッチング工程から保護する半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
A grounding electric potential layer 16 is provided over a circuit- element-forming region of an upper surface center part of a silicon substrate 11 via a first insulating film 14 inbetween. シリコン基板11の上面中央部の回路素子形成領域上には第1の絶縁膜14を介して接地電位層16が設けられている。 - 特許庁
Thus, level differences on the surface of a color filter formed on the upper part of black matrix and pixel region are reduced and, thereby, the process of layer flattening may be omitted. このようにすると、ブラックマトリックスと画素領域の上部に形成されたカラーフィルターの表面の段差を縮めて、平坦化層の工程が省略できる。 - 特許庁
The press plate P loaded contacting with a cassette 22 and does not contact with the upper end of a press plate guide 23, so that damage of the image recording layer can be prevented. さらに、カセット22と接して積載される刷版Pは、刷版ガイド23の上端部と接触しないため、画像記録層への損傷を防止できる。 - 特許庁
To provide a mortar attachable member capable of performing a role for the prescription of the upper end and the thickness of a mortar lay when a foundation decorated mortar layer is formed on the outside surface of a foundation. 基礎の外表面に基礎化粧モルタル層を形成する際、その上端や厚さを規定する役割を果たすモルタル止め部材を提供すること。 - 特許庁
A recessed area is formed in an area to which label printing is performed, an base ink is applied into the recessed area, and an acceptable ink is applied to an upperlayer part of the base ink. レーベル印刷を施す領域に凹部領域を形成し、凹部領域内に下地インクを塗布し、下地インクの上層部に受理インクを塗布する - 特許庁
To provide a semiconductor device which suppresses the micro-loading effect, and have a structure that there are no restrictions on a layout for metallic wiring to be upperlayer wiring. マイクロローディング効果を防止しながら、上層配線となる金属配線のレイアウト制約のない構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
Consequently, the normal signal wiring is freely arranged at an upperlayer part, and wiring properties, particularly, in the automatic wiring are expected to be improved. このため、通常信号配線を上層部に自由に配置することが可能となり、特に自動配線時における配線性の向上が期待される。 - 特許庁
Thus, an additional process for making the upper surface of the window electrode layer rough is unnecessary, so that productivity can be improved. したがって、ウィンドウ電極層の上部表面を荒いように加工するための別途の加工処理を要求しないために生産性を向上することができる。 - 特許庁
An upper electrode 115 formed of an island-shaped silver electrode 1151 and an InZnO film 1152 is disposed on the organic EL layer 114. 有機EL層114の上には島状銀電極1151とInZnO膜1152によって形成された上部電極115が配置されている。 - 特許庁
The piezoelectric-body element 10 is equipped with: a piezoelectric-body layer 20; and an upper electrode 31 and a lower electrode 32 respectively laminated on top and reverse surfaces thereof. 圧電体素子10は、圧電体層20と、その表裏面のそれぞれに積層された上部電極31及び下部電極32を備えるものである。 - 特許庁
The shield layer 3 is arranged from an upper surface to sides of the resin material 2, and has conductivity by containing conductive particles. シールド層3は、樹脂材2の上面から側面にかけて設けられており、導電性粒子を含有することによって導電性を有している。 - 特許庁
A plurality of second floating field plates FB are formed on an upper part of the n-layer 110 through a first insulation film LA and a second insulation film LB. n^-層110の上方には、第1絶縁膜LAおよび第2絶縁膜LBを介して複数の第2フローティングフィールドプレートFBが形成される。 - 特許庁
Semiconductor structures and electronic devices include at least one layer of an interfacial dielectric material located on an upper surface of a carbon-based material. 炭素ベース材料の上面上に配置された少なくとも一層の界面誘電体材料を含む、半導体構造体及び電子デバイスが提供される。 - 特許庁
The wiring layer 35 connects one upper electrode 33 and one pad electrode 34 to each other, and formed straddling all the ridges 30. 配線層35は、一の上部電極35と、一のパッド電極34とを互いに接続しており、全てのリッジ部30を跨いで形成されている。 - 特許庁
In the upper face of the vibration plate 40, a wiring 50 connected to the individual electrode 45 is formed in an area where the piezoelectric layer 41 is not formed. 振動板40の上面のうち、圧電層41が形成されていない部分には個別電極45に接続された配線50が形成されている。 - 特許庁
A transfer gate electrode is formed so that the transfer gate electrode extends from above a channel forming region to above an embedded oxide film located on an upperlayer of the photodiode. 転送ゲート電極をチャネル形成領域の上方からフォトダイオードの上層における埋込酸化膜の上方に渡るように形成する。 - 特許庁
An antenna element 18 made of a dielectric material is formed on the inner surface of the upper member 11a via an adhesion layer 17 made of a dielectric material. 上側部材11aの内面には、誘電体材料からなる接着層17を介して、導電性材料からなるアンテナ素子18が形成されている。 - 特許庁
In a first piezoelectric substrate, a first groove is provided on an upper surface, a second groove is provided on a lower surface, and an electrode layer is formed while being separated into a first electrode and a second electrode. 第1圧電基板には、上面に第1溝,下面に第2溝を設けて、電極層を第1電極,第2電極に分離して形成する。 - 特許庁
Then, ink of each color is delivered from an delivery nozzle 6b to a portion delivered with the ink for the separation layer, out of the upper face of the base material P. 続いて、基材Pの上面のうちの、剥離層用インクが吐出された部分に対して、吐出のズル6bから各色のインクを吐出する。 - 特許庁
A ratio of a height in the radial direction from a bead base line to the upper end 54 of the reinforcing layer 16 with respect to tire cross-section height is more than 45%. ビードベースラインからこの補強層16の上端54までの半径方向高さの、タイヤ断面高さに対する比率は、45%以上である。 - 特許庁
Before placing the concrete in a steel material structure, spray application of an epoxy resin adhesive is made on the upper surface of the steel material to make it as a cut-off layer of the lower surface of the concrete 2. 鋼材構造物にコンクリートを打設する前に、鋼材1上面にエポキシ系樹脂接着剤を噴霧塗布し、コンクリート2下面の止水層5となす。 - 特許庁
The heat of the bottom part 5, the lower wall 11 and the aluminum layer 15 of the upper wall 13 of the oil tank 3 is non-released and accumulated in the inside. 油槽3の底部5と下側壁11と上側壁13のアルミニウム層15内の熱は放出されずに内部に蓄積されることになる。 - 特許庁
A lower part area 10 and a lower side side part area 13 of the supporting layer 7 are constituted of a high rigidity part, and an upper side side-part area 12 is constituted of a low rigidity part. 支持層7は、下部域10及び下側側部域13を高剛性部分で構成し、上側側部域12を低剛性部分で構成する。 - 特許庁
In other words, since the upper face of a second wiring layer 114 is completely covered with the passivation film 120, it is not exposed to the outside air. つまり、第2配線層114上面は、パッシベーション膜120により完全に覆われているので、第2配線層114の上面は外気に曝されない。 - 特許庁
The search range is a range with a position to which a position corresponding to the specified position moves based on the motion vector in the upper hierarchical layer as a reference position. 探索範囲は、所定位置に対応した位置が上位階層の動きベクトルに基づいて移動された位置を基準位置とした範囲である。 - 特許庁
To provide an anti-static film forming composition used for an upperlayer of an electron beam resist, a resist pattern using it, and a method of manufacturing a semiconductor device. 電子線レジストの上層に用いられる帯電防止膜形成組成物とそれを用いたレジストパターン及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
At driving, equipotential surfaces are concentrated on the dielectric layer 3b, the concentration of electric field can be fixed directly under the upper electrode 4, and therefore application of high voltage is not needed. 駆動時の等電位面は誘電体層3bに集中し、電界の集中を上部電極4の直下に固定でき、高電圧を加えなくてもよい。 - 特許庁
To provide a low edge cog belt which elongate a service life of the belt by improving the separation of an upper cog and/or the chipping of an adhered rubber layer around a core. 上コグ剥離及び/または心線周りの接着ゴム層の欠損によるベルト寿命に至る時間を遅延させたローエッジコグベルトを提供する。 - 特許庁
The upper adhesive layer 12a includes: a radiation polymerizable compound; and a first photoinitiator reacting with light with a first wavelength λ1. 上層粘着剤層12aは、放射線重合性化合物と、第1の波長λ1の光に反応する第1の光重合開始剤とを含む。 - 特許庁
A heat insulation film system includes an upperlayer ceramic heat insulation film containing a diffused bonding coat on a base metal substrate and yttria stabilization zirconia material. 断熱皮膜システムは、ベース金属基体上の拡散ボンディングコートとイットリア安定化ジルコニア材料を含む上層セラミック断熱皮膜とを含む。 - 特許庁
A double gate field effect transistor comprises a lower gate electrode 3, a lower gate insulating film 4, a channel layer 5, a gate insulation film 7, and an upper gate electrode 8. ダブルゲート構造電界効果トランジスタは、下部ゲート電極3、下部ゲート絶縁膜4、チャネル層5、ゲート絶縁膜7、上部ゲート電極8を備える。 - 特許庁
EA particles 4a are enclosed in an air layer 4c formed by cell gap regulating members 6 having 20 μm height between upper and lower substrates 2 and 3. 上基板2と下基板3との間に20μmのセルギャップ規制部材6により形成される空気層4cにEA粒子4aを封入する。 - 特許庁
An antenna element 18 made of a conductive material is formed over an inner surface of the upper member 11a through an adhesive layer 17 made of a dielectric material. 上側部材11aの内面には、誘電体材料からなる接着層17を介して、導電性材料からなるアンテナ素子18が形成されている。 - 特許庁
A tag installing table 3 sticks an overlapping tag 5 to an upper surface by fixing a sticking layer 4 such as elastomer, and is formed on the tip of a tape holder 1. エラフトマー等の貼付け層4を固着し、その上面に重複した付箋5を貼付けた付箋り付け台3をテープホルダー1の先端に形成する。 - 特許庁