「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
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第４の配線３４は、第１および第２の内部電源線が存在する領域の上層において、第２の配線３２に対して垂直方向に延びる。 - 特許庁 - To form a stabilized through hole while avoiding void and short circuit with a conductive layer when a lower contact plug is connected directly with an upper contact plug.
下部コンタクトプラグと上部コンタクトプラグとをダイレクトに接続する場合に、ボイドや導電層とのショートを発生せず、安定したスルーホール形成を可能とする。 - 特許庁 - In the conductor pattern, a conductor layer is formed on a dielectric case in at least one of the upper and lower cases 102, 103.
当該導体パターンは、上側筐体１０２と下側筐体１０３のうちの少なくとも一方の誘電体筐体上に導体層を形成してなる。 - 特許庁 - As a result, processing of packets to obtain the upper-layer header information in which extension headers have been added can result in slower processing rates.
その結果、拡張ヘッダが追加された上位層ヘッダ情報を得るためにパケットを処理することが、処理速度の低速化の結果となる場合がある。 - 特許庁 - A laminated body S is formed on a substrate 1, a plurality of recessed parts h are formed on the laminated body S from an upper surface, and an n-type layer is exposed inside each recess.
基板１上に、積層体Ｓを形成し、該積層体Ｓには上面から凹部ｈを複数形成し、各凹部内にｎ型層を露出させる。 - 特許庁 - First, in the initial first step, an Al alloy film 8 is formed on the region, on the condition that a whisker is not generated on the upper layer of said high-melting point metal film.
該高融点金属膜の上層に、まず初期の第１段階では、ウイスカが発生しない条件領域で、Ａｌ系合金膜８を成膜する。 - 特許庁 - By second electroplating, an Au plating layer 19 is formed so as to cover the peripheral part (upper surface and side surface) of a base part 7a of a wiring pattern 7.
次に、第２電解メッキにより、配線パターン７の基礎部分７ａの周囲（上面及び側面）を覆うようにＡｕメッキ層１９を形成する。 - 特許庁 - The carrying amount C, D of Rh per unit specific surface area on third alumina and the Ce-Zr-Nd multicomponent oxide of the upper layer is determined such that the latter is grater in the amount.
また、上層の第３アルミナ及びＣｅ・Ｚｒ・Ｎｄ複酸化物への単位比表面積当たりのＲｈの担持量Ｃ，Ｄは後者を多くする。 - 特許庁 - Coil lead-out terminals of the both ends of the coil 12a are connected to a wiring pattern 15 of the upper surface through an opening formed on the magnetic substance layer 18.
コイル１２ａの両端のコイル引出端子は磁性体層１８に形成された開口部を介して上面の配線パターン１５に接続されている。 - 特許庁 - The upper end of a wall surface in the recess 11a of the foundation insulating layer 11 and the corner of a bottom surface in the recess 11a are rounded.
下地絶縁層１１の凹部１１ａにおける壁面の上端部及び該凹部１１ａにおける底面の隅部は丸めらるように形成されている。 - 特許庁 - The mixture of coke in the raw material layer is adjusted so that the mixture ratio of coke is higher at lower layers of the raw materials and is reduced toward upper layers.
原料層へのコークスの混合を原料中の下層部でコークスの混合率が高く、上層部へいくほど混合率が低くなるように調整する。 - 特許庁 - A forward scattering film layer 10 is arranged on the upper transparent substrate 14 side of the reflective liquid crystal display element together with a polarizing film 11 and a birefringent film 12.
反射型液晶表示素子の上側透明基板１４側に、偏光フィルム１１、複屈折フィルム１２とともに前方散乱フィルム層１０を配置する。 - 特許庁 - In this case, the surface area of the core region (4) is larger than a surface area of the upper-layer wiring mesh (24) in a plane parallel to the surface of the semiconductor substrate.
ここにおいて、コア領域（４）の面積は、半導体基板の表面に平行な面において、上層配線メッシュ（２４）が占める面積よりも広い。 - 特許庁 - Since the adhesive layer has excellent adhesiveness, the thermal shrinkable resin tube covering the upper face of the flange of the sealing body is not separated from the sealing body.
接着剤層は密着性に優れているため、封口体の鍔部の上面を覆う熱収縮性樹脂チューブが封口体から剥がれない。 - 特許庁 - Thus, a pnp layer for blocking injected currents is constituted just under an upper electrode 29a so that the injected currents can be concentrated just under a light emitting window.
上部電極２９ａ直下は注入電流をブロックするｐｎｐ層構成となり、注入電流が発光窓直下に集中する。 - 特許庁 - The upper face of the silicide film 212 is coated with an inter-layer insulating film 32 accumulated in a low temperature for preventing the composition or film quality of the silicide film 212 from being changed.
シリサイド膜２１２の上面は、シリサイド膜２１２の組成や膜質が変化しないような低温で堆積された層間絶縁膜３２で被覆される。 - 特許庁 - On the other hand, if the two first and second contact holes 5 and 6 are formed in any case, the upper layer input terminals 2b for the power supply can make it possible not to exfoliate easily.
これに対し、第１、第２のコンタクトホール５、６を２つずつとすると、電源用上層入力端子２ｂが剥離しにくいようにすることができる。 - 特許庁 - (2) In the write-once type optical recording medium described already in (1), the upper protective layer includes at least one of a mixture of ZnO and Al_2O_3, Si_3N_4, SiC and Nb_2O_5.
（２）上部保護層は、ＺｎＯとＡｌ_２Ｏ_３の混合物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ｎｂ_２Ｏ_５の少なくとも１つからなる（１）記載の追記型光記録媒体。 - 特許庁 - The outer shape of the decorate layer 3 comprising the faceplate is formed in a circular shape, an approximately triangular shape, or the like, and a pattern, letters or the like are drawn on the upper side.
銘板からなる装飾層３の外形は円形状や略三角形状等に形成されて上面に模様、文字等が描かれている。 - 特許庁 - The surface of the current diffusion layer 14 on the protruding part 15 side is connected continuously and smoothly to the lower part 17, having a concave cross section and the upper part 16, having a convex cross section.
電流拡散層１４の凸部１５側の表面は、断面凹の下部１７と断面凸の上部１６とに連続的になめらかに連なっている。 - 特許庁 - A polarizing plate 130 is arranged on an upper side of a TN liquid crystal 140, and a light-scattering layer 150, a polarization separator 160, a polarizing plate 170, and a light source 190 are arranged on the bottom side of the TN element 140.
TN液晶140の上側に偏光板130を設け、TN素子140の下側に、光散乱層150、偏光分離器160、偏光板170及び光源190を設ける。 - 特許庁 - The upper sheet is equivalent to or larger than the width of the adhesive layer, and it is stacked in a manner to continuously cover a plurality of the adhesive layers.
前記上側シートは該粘着剤層の幅と同等か或いは広く、複数個の粘着剤層を連続して覆うように上側シートが積層されてている。 - 特許庁 - The adsorbing device 1 is formed in a three-layer structure having an upper stage part 11, a middle stage part 12 and a lower stage part 13 stacked in a vertical direction.
吸着器１は、鉛直方向に積み重ねられた上段部１１、中段部１２、および下段部１３を有する三層構造になっている。 - 特許庁 - The side surfaces 20F, 20R of the first semiconductor layer 20 are formed into a (1-11) face or (11-1) face, inclined for the upper surface 10A of the substrate 10.
第１半導体層２０の側面２０Ｆ，２０Ｒは、基板１０の上面１０Ａに対して傾斜した（１−１１）面または（１１−１）面となる。 - 特許庁 - With this setup, the upper electrode 18 of the capacitor can be brought into ohmic contact with the junction layer of the transistor, so that the capacitor can be prevented from deteriorating in characteristics due to the diffusion of silicon.
これにより、キャパシタの上部電極１８とオーミックコンタクトを可能とし、シリコンの拡散にともなうキャパシタの特性の劣化を防止できる。 - 特許庁 - The upper part 14 has first and second non- thermoformed members 29 located inside and outside of an ankle part 21, and a thermoformed layer 28b.
アッパー部１４は、足首部分２１の内側及び外側に配置された第１及び第２非熱成形部材２９と熱成形層２８ｂとを有している。 - 特許庁 - The upper layer pattern 5 comprises a resist.
上層パターン５はレジストからなるが、その形状が枠状の正方形に形成されているので、レジストの熱収縮に起因する上層パターン５の変形が抑制される。 - 特許庁 - A light-shielding metal 18 is formed on an upper surface of the silicon substrate 12 via an insulating layer 16, and the IC circuit 15 is covered with the light-shielding metal 18.
シリコン基板１２の上面には、絶縁層１６を介して遮光メタル１８が形成されており、ＩＣ回路１５は遮光メタル１８で覆われている。 - 特許庁 - The resistance layer 3 is formed in a line shape along the upper side of the cathode conductor 2, and formed so as to stride over pixel region parts between each line of the cathode conductor 2.
そして、抵抗層３を陰極導体２上に沿うライン形状とし、陰極導体２の各ライン間の画素領域部分間を跨ぐ如く形成する。 - 特許庁 - Irradiation is switched to a second drying part 37 when an immobile layer is formed in the coating film, to irradiate the coating film directly with middle infrared ray from an upper drying light source.
塗膜内に不動層ができた時点で第二乾燥部３７に切り換え、上方の乾燥用光源から直接塗膜に中赤外線を照射する。 - 特許庁 - The cylindrical projection 101a can be formed while the periphery of the ink discharge hole 100a at the upper layer 101 is raised beautifully.
そうすると、上層１０１におけるインク吐出孔１００ａ周囲を綺麗に盛り上がらせて、筒状突起１０１ａを形成することができる。 - 特許庁 - An element isolation layer 4, gate electrode 3, and oxide film 2 on the upper side face are formed on the surface of a silicon substrate 1, and an impurity region 8 is formed.
シリコン基板１の表面に素子分離４、ゲート電極３及びその上側面の酸化膜２を形成し、不純領領域８を形成する。 - 特許庁 - The upper electrode 5 of the capacitor 7 is connected through the wiring layer 2 with a wire bonding 9, and the capacitor 7 and the wire bonding 9 are covered with a protection resin 6.
コンデンサ７の上部電極５を、ワイヤボンディング９を介して配線層２に接続し、コンデンサ７及びワイヤボンディング９を保護樹脂６により覆う。 - 特許庁 - The emission intensity (440 nm) of an SiF as a reaction product of the fluorine radical and a silicon is detected, and the etching end point of the upper layer 34A is also detected.
フッ素ラジカルとシリコンとの反応生成物であるＳｉＦの発光強度（４４０ｎｍ）を検出して、上層３４Ａのエッチング終点を検出する。 - 特許庁 - To provide a high luminance image display by achieving arrangement of a transparent conductive anode electrode with a high forming temperature in an upper area of a luminance layer, where the heat resistance is low.
耐熱性の低い発光層の上部へ、形成温度の高い透明導電性のアノード電極の配設を実現し、高輝度の画像表示を得る。 - 特許庁 - In this case, a total thickness 2Tf occupying the upper and lower flanges 10 of a composite layer 17 is in a range of 10 to 30% of the thickness T of the blade.
この場合複合層１７の上下のフランジ部１０に占める総厚み２Ｔｆは、ブレードの厚みＴの１０〜３０％の範囲内のものである。 - 特許庁 - The FPC 33 having the basic material 42 and the wire 43 formed on the upper face of the basic material 42 is placed on the top face of the piezoelectric layer 41.
圧電層４１の上面には、基材４２と基材４２の上面に形成された配線４３とを有するＦＰＣ３３が配置されている。 - 特許庁 - After the oxidized silicone pattern 5a is removed, an oxidized silicone film 7 which becomes an upper clad is deposited on the buried oxidized film 3 and the monocrystal silicone layer 4.
シリコン酸化膜パターン５ａ除去後、埋め込み酸化膜３及び単結晶シリコン層４上に上部クラッドとなるシリコン酸化膜７を堆積させる。 - 特許庁 - In the variable resistance element, the lower and upper electrodes 19, 21 have respective contact areas to the variable resistance layer 20 that are different from each other.
可変抵抗素子部では、下部電極１９と上部電極２１とが、可変抵抗層２０に対する接続面積が相違する構成となっている。 - 特許庁 - A discrete electrode 18 and an insulation layer 19 covering the discrete electrode 18 are provided on the upper surface of a substrate 11 forming a discrete channel 15.
個別流路１５を形成する基板１１の上面には、個別電極１８とこの個別電極１８を覆う絶縁層１９が設けられている。 - 特許庁 - After forming the soil cement layer near the ground surface, a precast pile 13 made by coupling the lower pile (knot pile) 14 and an upper pile (cylindrical) 15 (f) is lowered.
地上付近までソイルセメント層を形成した後、下杭（節杭）１４及び上杭（円筒）１５を連結してなる既製杭１３を下降する（ｆ）。 - 特許庁 - The river water containing nutritive salts of nitrogen and phosphorus, etc. induced to the bottom of the lake drifts away an aphotic zone of the bottom of the lake, and probability returning it to the upper layer becomes very low.
湖底へ誘導された窒素やリン等の栄養塩類を含む河川水は湖底の無光層を漂い、上層に戻る確率が非常に低くなる。 - 特許庁 - Next, the lower mold 2 and an upper mold 3 are closed to integrally perform the foam molding of the first and second raw materials 41 and 42 using the film 7 as a boundary layer.
次いで，下型２と上型３とを閉じて，フィルム７を境界層にして第１原料４１と第２原料４２とを一体的に発泡成形させる。 - 特許庁 - The second wiring is formed on an upper wiring layer of the semiconductor substrate, and connects the second terminal of the transistor with the second power source line.
第２の配線は、前記半導体基板の上方の配線層に形成され、前記トランジスタの第２の端子と前記第２の電源線とを接続する。 - 特許庁 - A fluorescent tube is almost vertically held and slurry made by dispersing a photocatalyst is applied to it from its upper part by a flow coat method, and it is dried to form a lower layer film.
蛍光管をほぼ垂直に保持して上方から光触媒を分散させたスラリーをフローコート法で塗布、乾燥させて下層膜を形成する。 - 特許庁 - In forming the upper layer pole 31 on the plating base film 32 being an opaque film, positioning is carried out with the positioning marker 21 as a reference.
不透明膜である鍍金下地膜３２上に上層ポール３１を形成する際においても、位置決めマーカ２１を基準として位置決めを行う。 - 特許庁 - On the second interlayer insulating film 8, an upper layer wiring 10 made of Cu is buried into a second groove 9 formed by digging down from the top surface.
第２層間絶縁膜８には、その上面から掘り下げて形成された第２溝９に、Ｃｕからなる上層配線１０が埋設されている。 - 特許庁 - To peel off an MIM structure (lower electrode/dielectric layer/upper electrode) film formed on a support substrate uniformly with low damage, and to transfer the MIM structure film to a transfer substrate.
支持基板上に形成されたＭＩＭ構造（下部電極／誘電体層／上部電極）膜を、均一かつ低ダメージで剥離して、転写基板へ転写する。 - 特許庁 - The upper layer of the second interlayer insulating film 14 is formed of a silicon nitride film 13, which is an insulator displaying conductivity in a plasma atmosphere.
第２の層間絶縁膜１４の上層は、プラズマ雰囲気中においてい導電性を示す絶縁体であるシリコン窒化膜１３により形成されている。 - 特許庁 - Since a surface cut off from a crystal surface several times is used as an upper surface, the generation of channeling can be prevented in forming an impurity diffusion layer 4 or the like.
また、結晶面から数度オフされた面を上面とすることにより、不純物拡散層４等を形成する際のチャネリングを防止することができる。 - 特許庁
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