「upper- layer」を含む例文一覧(11093)
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下層配線層であるＣｕ配線３１の上部の一部を除去し、Ｃｕ配線３１が埋め込まれた配線溝内に空隙２６を形成する。 - 特許庁 - It is preferable that the upper part shield layer 32 is formed of a NiFe alloy and an Fe composition ratio is within a range of 19.2 to 19.6 mass%.
前記上部シールド層３２は例えばＮｉＦｅ合金で形成されＦｅ組成比が１９．２〜１９．６質量％の範囲内であることが好ましい。 - 特許庁 - A lower electrode 14 is provided on the rear 11b of the substrate 11, and an upper electrode 15 is provided on the surface 13a of the Si cap layer 13, respectively.
基板１１の裏面１１ｂには下部電極１４が、Ｓｉキャップ層１３の表面１３ａには上部電極１５がそれぞれ設けられている。 - 特許庁 - While the top of the terminal 51 is dipped in the thermosetting adhesive layer 60, the terminal 51 is moved in the direction along an upper face 57 of the resin sheet 56.
そして、端子５１を熱硬化性接着剤層６０に漬けた状態で、端子５１を樹脂シート５６の上面５７に沿った方向に移動させる。 - 特許庁 - The transparent conductive layer (9) containing first phosphor is formed to cover the upper surface and the side face of the semiconductor active region (4).
前記第１蛍光体含有透明導電層（９）は、前記半導体活性領域（４）の上面と側面を被覆するように形成されている。 - 特許庁 - A thin film layer 25 of SiO_2 is formed on a chip surface excluding openings of the reservoirs and an area 25C corresponding to an upper part of the capillary channel of the groove 22.
リザーバの開口部を除くチップ表面及び溝２２のうちキャピラリチャンネルの上部に対応する領域２５ＣにＳｉＯ_２の薄膜層２５を形成する。 - 特許庁 - A phosphor sheet 11 is placed on an upper surface of the sapphire substrate 14, and the phosphor sheet 11 and the sapphire substrate 14 are bonded to each other through an adhesive layer 13.
サファイア基板１４の上面に蛍光体シート１１が配置され、蛍光体シート１１とサファイア基板１４とを接着層１３で接着する。 - 特許庁 - The Cu wiring is brought into contact with the second layer insulating film 202 in an upper end portion thereof and covered with the barrier metal film 203 in a lower portion thereof.
Ｃｕ配線は、第２の層間絶縁膜２０２とその上端部において接し、これよりも下部においてはバリアメタル膜２０３により覆われている。 - 特許庁 - In this case, the data recording is started from a position closer to a disk outer periphery than the predetermined data recording end position of the middle zone MZ0 of the upper side recording layer L0.
その際に、上位側記録層Ｌ０のミドルゾーンＭＺ０のデータ記録終了予定位置よりもディスク外周側からデータの記録が開始される。 - 特許庁 - A sludge suppressing layer SL is formed on the piston upper part 3 where an acid substance is easy to be generated, so that the generation of the sludge can be efficiently suppressed.
酸性物質が生成されやすいピストン上部３にスラッジ抑制層ＳＬを形成することで、効率よくスラッジの発生を抑制できる。 - 特許庁 - The metal cover 1 is brought into contact with the upper face ground metal pattern 4 provided on the surface of the lower dielectric layer board 6 over substantially the whole periphery.
金属カバー１は、下部誘電体層基板６の表面に設けられた上面グランドメタルパターン４に略全周囲にわたって直接接触されている。 - 特許庁 - A plurality of cognitive base stations CBS1 and cognitive access points CAP1 are arranged on the upper layer of the plurality of cognitive terminals CAT1 and CAT2.
複数のコグニティブ基地局ＣＢＳ１及びコグニティブアクセスポイントＣＡＰ１は、複数のコグニティブ端末ＣＡＴ１，ＣＡＴ２の上位層に配置される。 - 特許庁 - Then, a film for forming first protective films 15, 16 made of silicon nitride is formed on the upper surface of the film for forming the ohmic contact layer by plasma CVD method.
次に、オーミックコンタクト層形成用膜の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる第１の保護膜（１５、１６）形成用膜を成膜する。 - 特許庁 - This actuator comprises electrode layers at upper and lower parts of a piezoelectric body layer, a drive arm supported to a board at its one end or at both ends, and a signal line.
本願のアクチュエータは、圧電体層の上下に電極層を有し、一端又は両端が基板に支持されている駆動アームと、信号線とを有する。 - 特許庁 - A plurality of cognitive gateways CGW1 and CGW2 are arranged on the upper layer of the plurality of cognitive base stations CBS1 and cognitive access points CAP1.
複数のコグニティブゲートウェイＣＧＷ１，ＣＧＷ２は、複数のコグニティブ基地局ＣＢＳ１及びコグニティブアクセスポイントＣＡＰ１よりも上位層に配置される。 - 特許庁 - External radiation of spontaneous radiation light component is prevented by providing a protective layer 20 exhibiting light reflectivity from the upper surface to the side face of an LD element 1.
ＬＤ素子１の上面から側面にかけて光反射性を有する保護層２０を設けて自然放射光成分の外部への放射を防止する。 - 特許庁 - LAMINATE COMPRISING SYNTHETIC RESIN FILM PILED ON LAMINATE HAVING UPPER AND/OR LOWER LAYER ADHERED AND ITS PILING METHOD
上層及び／又は下層に粘着層を有する積層体に合成樹脂フィルムが貼り合わされている積層体および該積層体の貼り付け施工方法 - 特許庁 - The cell upper holder 102 is airtightly adhered to the peripheral part of an electrolyte layer 142 of a unit cell 140 through the seal ring 103.
セル上部ホルダー１０２は、単セル１４０の電解質層１４２の周辺部において、シールリング１０３を介して気密に当接（密着）している。 - 特許庁 - A flexible protection layer 15 on which an opening 15a is formed is provided at a part corresponding to the IC chip 20 on the upper surface of the resin substrate 11.
樹脂基材１１の上面に、ＩＣチップ２０に対応する部分に開口１５ａが形成された可撓性の保護層１５が設けられている。 - 特許庁 - A lubrication oil 7 is filled in the gear box of the speed reducer (a hashed part applied in Fig. 1) and a gas layer is formed on an upper part thereof.
減速機４のギヤボックス内に潤滑オイル７（図１において斜線を施した部分）が充填され、その上部に気体層が形成される。 - 特許庁 - Then a silicon oxide film 27, formed on the upper surface of a silicon layer 26 in a region except for under the channel protective film 25, is removed by dry-etching.
次に、チャネル保護膜２５下以外の領域におけるシリコン層２４の上面に形成されたシリコン酸化膜２７をドライエッチングにより除去する。 - 特許庁 - To restore a dark spot by insulating a short circuit portion between a lower electrode and an upper electrode, produced in a minute defective portion in a light emitting layer.
発光層にある微小な欠陥部分で生じる下部電極と上部電極との短絡部を絶縁化することで滅点を修復すること。 - 特許庁 - At the upper part of the p-type semiconductor layer 14 at the resonator forming part, the ridge part, whose central part is protruded in the stripe shape, is formed.
共振器形成部におけるｐ型半導体層１４の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部１４ａが形成されている。 - 特許庁 - An insulating film 15 is formed on the STI 3 and a silicide layer 3, and an upper surface of the gate electrode 7 is formed at the same height as the insulating film 15.
ＳＴＩ３上及びシリサイド層３上に絶縁膜１５が形成され、ゲート電極７の上面は絶縁膜１５と同じ高さに形成されている。 - 特許庁 - After the surfaces are made flat, a lower pole 33, a write gap layer 34, thin-film coils 37 and 39, and an upper pole 41 of an induction type thin-film magnetic head, are formed.
表面を平坦とした後、誘導型薄膜磁気ヘッドの下部ポール３３、ライトギャップ層３４、薄膜コイル３７、３９、上部ポール４１を形成する。 - 特許庁 - The upper/lower side fiber layer is reinforced around the opening part by sewing a fiber for reinforcing inserted in a thickness of the suspension member.
上側繊維層及び下側繊維層は、サスペンション部材の厚さを貫通して強化用繊維を縫うことにより、開口部周りが補強されている。 - 特許庁 - A weak adhesive layer 26 is provided at a part corresponding to an edge of a liquid crystal injection port forming part 25 of a sealant 23 on the back surface of an upper base substrate 22.
上側ベース基板２２の下面におけるシール材２３の液晶注入口形成部２５の端部に対応する部分に弱密着層２６を設ける。 - 特許庁 - The section close to the upper layer between the two structural bodies 2, 3 are connected with each other through a horizontal member 4 of at least one of the structural bodies 2 (3).
二つの構造体２、３の上層寄りの区間を少なくともいずれか一方の構造体２（３）の水平部材４を介して互いに連結する。 - 特許庁 - An Al layer 24 comprising Al or an Al alloy is formed in the upper surface of the plate base 21 and the inner surface of the sidewall 21a by plating or the like.
板状基部２１の上面および側壁２１ａの内面には、ＡｌまたはＡｌ合金によるＡｌ層２４が、めっき等により設けられている。 - 特許庁 - An insulator layer and a conductor pattern are laminated on each other, and a laminate where a plurality of extraction conductors connected to the conductor pattern is exposed on the upper surface is formed.
絶縁体層と導体パターンを積層し、上面に導体パターンに接続された複数の引出し導体が露出した積層体を形成する。 - 特許庁 - According to voltage applied between the lower transparent electrode film 50 and the upper transparent electrode film 54, the refractive index of the refractive index variable material layer 52 is varied.
下部透明電極膜50と上部透明電極膜54との間に印加される電圧に応じて、屈折率可変材料層52の屈折率が変化する。 - 特許庁 - A heat insulator comprising a heat radiation plate, a heat reflection plate and an air layer are provided to be overlapped on the upper face of the groove part so as to cover the heat element.
溝部上面には、発熱体を覆うようにして熱輻射板、熱反射板及び断熱材からなる熱絶縁体と、空気層を重ねて設ける。 - 特許庁 - To conduct highly reliable, sanitary and efficient garbage treatment by allowing even the solid suspending in the upper layer of a storage tank to be treated.
貯留槽３０１の上層に浮遊する固体物も処理できるようにして，高信頼性，かつ，衛生的で効率的な生ゴミ処理が行えるようにする。 - 特許庁 - The crystal grain size of the upper electrode and/or the tunnel insulation layer 12 is not smaller than 50 nm and not larger than 160 nm, and average surface roughness of them is not larger than 5 nm.
上部電極１３および/またはトンネル絶縁層１２の結晶粒径を５０ｎｍ以上１６０ｎｍ以下、平均表面粗さを５ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The first low-melting glass layer 36 is formed by applying low-melting glass throughout the entire peripheral upper end surface of the package base 31, followed by solidification.
第１低融点ガラス層３６は、パッケージベース本体３１の上端面の全周にわたって低融点ガラスを塗付し、固化して形成してある。 - 特許庁 - The composite FGL 40 has a synthetic antiferromagnetic structure consisting of a lower FGL 27b, an upper FGL 29, and an intermediate coupling layer 28 therebetween.
複合ＦＧＬ４０は、下部ＦＧＬ２７ｂと、上部ＦＧＬ２９と、これらの間の中間結合層２８とからなるシンセティック反強磁性構造を有する。 - 特許庁 - A polarizing film 11, birefringent film 12 and forward scattering film layer 10 are disposed in the upper transparent substrate 14 side of a reflective liquid crystal display element.
反射型液晶表示素子の上側透明基板１４側に、偏光フィルム１１、複屈折フィルム１２とともに前方散乱フィルム層１０を配置する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable light-emitting device in which the damage on an EL layer is reduced even when an auxiliary electrode for an upper electrode is provided, or provide a highly reliable light-emitting device in which luminance unevenness is suppressed.
上部電極の補助電極を設けても、ＥＬ層に与える損傷を低減した信頼性の高い発光素子を提供する。 - 特許庁 - The laminate 12 on a part of an upper surface of which a dissipating layer 20 which is made of a resin-beads-containing paste and will dissipate when sintering is formed is produced.
焼成時に消失する樹脂ビーズを含有するペーストからなる消失層２０が上面の一部に設けられた積層体１２を作製する。 - 特許庁 - The second electrode 16 formed of solder is formed on an upper face of the center of the first electrode 15 which is not covered with the insulating layer 14.
そして、絶縁層１４に被覆されていない第１電極部１５の中心部の上面に、半田から成る第２電極部１６が形成されている。 - 特許庁 - The upper and lower electrode layers are formed by interposing a dielectric layer on the inside by using the same technique, and a thin-film capacitor can also be formed.
同様な手法を用いて、誘電体層を中に介在させて薄膜の上部及び下部電極層を形成して薄膜コンデンサも形成可能である。 - 特許庁 - An amorphous AlN thin film 30 is formed on the upper side surface 21 of the hetero structure layer 20 of the AlGaN/GaN formed on a base material 12.
下地１２上に形成されたＡｌＧａＮ／ＧａＮのヘテロ構造層２０の上側表面２１上にアモルファスＡｌＮ薄膜３０を形成する。 - 特許庁 - One comb-type electrode 14, one end of the thin film resistor 16 and one end of the upper electrode 19 are mutually electrically connected by a connecting layer 22 on the substrate.
基板上に一方の櫛型電極１４と薄膜抵抗の一端と上部電極１９の一端とを接続層２２で互いに電気的に接続する。 - 特許庁 - In a packaging step, the upper surface and outer circumferential portion of the cathode lead-out portion 5 and the outer circumferential portion of the solid electrolytic layer 4 are packaged with a mold resin 6, or the like.
パッケージ工程では、陰極引出部５の上面と外周部、及び前記固体電解質層４の外周部をモールド樹脂６などによりパッケージする。 - 特許庁 - The intermediate layer base-isolated building 1 has a windbreak chamber R3, an entrance hall R4, an elevator shaft R5 and a building manager office R6 suspension-supported from an upper floor.
中間免震建物１は、風除室Ｒ３、エントランスホールＲ４、エレベータシャフトＲ５、管理人室Ｒ６が、上部階から吊り下げ支持されている。 - 特許庁 - A magnetic random access memory according to an embodiment is provided with a laminate film, on which a lower electrode, a magnetoresistance effect element, and an upper electrode are sequentially laminated from a lower layer.
実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極、磁気抵抗効果素子、上部電極が下層から順に積層された積層膜が設けられる。 - 特許庁 - For example, the soil dressing for the greening is blown to the upper side of the rooftop material through a water-permeable layer comprising a light soil dressing-maintaining material, a water-permeable member, etc.
緑化客土は、例えば軽量な客土保持材や通水性部材等からなる通水性の層を介して屋上材の上面側に吹き付けられる。 - 特許庁 - The upper surface side of the spacer 12 contacts the light-emitting unit 2 via a hermetical layer having weak adhesive force to facilitate peeling of the light-emitting unit 2.
スペーサ１２の上面側は、発光ユニット２の離間を容易とするために、接着力の弱い気密層を介して発光ユニット２と接している。 - 特許庁 - Holes 5 are formed to the upper upstanding sections 4d of the fittings 4, and the air layer 12 can be made to flow towards a ridge from the edge of eaves through the holes 5.
取付金具４の上位立ち上り部４ｄに穴５を設け、空気層１２が穴５を通じて軒先から棟に向かって流通できるようにする。 - 特許庁 - The case conductor section consists of a conductor layer formed on a dielectric case of at least one of the upper case 102 and the lower case 103.
筐体導体部は、上側筐体１０２と下側筐体１０３のうちの少なくとも一方の誘電体筐体上に導体層を形成してなる。 - 特許庁
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